CN105182625A - 一种显示基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

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方群
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Abstract

本发明提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置，用于简化制作工艺并降低生产成本，同时提高面板显示质量。所述方法包括：在衬底基板形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层；在完成上述步骤的基板上形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，形成的所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。

Description

一种显示基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay；以下简称：TFT-LCD)凭借其功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，已经成为平面显示器的主流，被广泛应用于各种显示元件例如移动电话、个人数字助理(PersonalDigitalAssistants，PDAs)、电脑、电视等电子装置的显示器上。其工作原理主要是利用电场来控制液晶分子的排列状态，由背光源产生的光线能否通过液晶分子以达到显示屏上明暗的显示效果。
TFT-LCD面板由彩膜基板和阵列基板对盒而成，两者间以隔垫物隔离出液晶注入的间隙，且在两片基板间的周围部分利用封框胶完成液晶的封装，为维持彩膜基板和阵列基板之间的间距(Cellgap)，目前通常在彩膜基板上制作柱状隔垫物来维持盒厚。
图1为现有技术中彩膜基板侧面剖面图，如图1所示，彩膜基板包括玻璃基板101和依次设置其上的黑矩阵(BlackMatrix，BM)结构102、像素树脂103和公共电极104，柱状隔垫物105设置在公共电极104上。现有技术彩膜基板的制作如下：首先在玻璃基板101上形成黑矩阵结构102，然后依次在玻璃基板101和黑矩阵结构102上形成像素树脂103，接着在该黑矩阵结构102和像素树脂103上形成公共电极104，最后在公共电极104上形成柱状隔垫物105。
由上述可知，现有技术中需要2次涂覆和曝光显影制程形成黑矩阵结构102和柱状隔垫物105，因为曝光显影的制程工艺较为繁琐，故成本随之增加。此外，现有技术中为解决这一问题，通过在基板上涂覆一层黑矩阵材料层，然后再通过一次构图工艺形成黑矩阵结构102和柱状隔垫物105，如图2所示；在该工艺中，由于黑矩阵材料的光密度值比较小，因此形成的黑矩阵结构102和柱状隔垫物105厚度较厚，且平坦性差，对后续的对盒工艺会造成不良影响，最终导致面板显示不良。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置，用于简化制作工艺并降低生产成本，同时提高面板显示质量。
本发明实施例提供了一种显示基板的制作方法，所述方法包括：
在衬底基板形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层；
在完成上述步骤的基板上形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；
利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
本发明实施例提供的显示基板的制作方法中，通过在衬底基板先形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层，然后再形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；最后通过一次构图工艺形成黑矩阵和主、副柱状隔垫物；即本实施例中通过两次涂覆，一次刻蚀就完成了黑矩阵和主、副柱状隔垫物的制作，简化了制作工艺，降低了生产成本；并且，由于所述主、副柱状隔垫物的制作材料为透明材料，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。
较佳的，形成的所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。
通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
较佳的，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，包括：
利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
通过利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，即可通过一次曝光工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，有利于简化工艺制程，降低生产成本。
较佳的，所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域；或者，
所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的大孔，以及与副柱状隔垫物相对应的小孔；其中，所述大孔的孔径大于所述小孔的孔径。
通过采用主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域的掩膜板，或者包括分别与所述主、副隔垫物对应的大孔和小孔的掩膜板，然后再通过曝光工艺，即可形成所述主、副隔垫物和黑矩阵。
较佳的，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，具体包括：
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物图形相对应的半透光区域的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形；或者
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的大孔以及与副柱状隔垫物图形相对应的小孔的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形。
较佳的，所述显示基板还包括薄膜晶体管、彩膜层和像素电极；在形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形；
在所述包括薄膜晶体管的图形的基板上形成包括彩膜层的图形；
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成包括像素电极的图形。
较佳的，在形成包括像素电极的图形之前，所述方法还包括：
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成用于保护所述薄膜晶体管和彩膜层免受破坏的钝化层。
在形成包括像素电极的图形之前，通过在所述包括彩膜层的图形的基板上形成一钝化层，该钝化层可有效保护彩膜层和薄膜晶体管在后续的工艺中避免受到破坏。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种使用上述方法制作的显示基板，所述显示基板包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的黑矩阵；
位于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧的形成柱状隔垫物，所述柱状隔垫物包括主柱状隔垫物和副柱状隔垫物，所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。
本发明实施例中的显示基板，包括衬底基板，位于所述衬底基板上的黑矩阵，位于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧的形成柱状隔垫物，所述柱状隔垫物包括透明的主柱状隔垫物和副柱状隔垫物，所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。由于所述主柱状隔垫物和副柱状隔垫物采用透明材料形成，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。
较佳的，所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。
通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
较佳的，所述黑矩阵采用非透明材料，所述主、副柱状隔垫物采用透明材料。
采用非透明材料形成所述黑矩阵，形成的黑矩阵具有防止光串扰的作用，提高面板的显示质量。采用透明材料形成主、副柱状隔垫物时，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。
较佳的，所述显示基板还包括：位于所述衬底基板上方的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管所在层上方的彩膜层；位于所述彩膜层上方的像素电极。
采用COA技术将所述彩膜层形成在薄膜晶体管所在的显示基板上，可以避免在对盒工艺中的产生对盒误差，有利于提高面板的显示质量。
较佳的，所述显示基板还包括设置在所述彩膜层和所述像素电极之间的钝化层，用于保护所述薄膜晶体管和所述彩膜层免受破坏。
通过在所述彩膜层和所述像素电极之间设置一钝化层，通过该钝化层可有效保护彩膜层和薄膜晶体管在后续的工艺中避免受到破坏。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置上述的显示基板。
附图说明
图1为现有技术中一种显示基板的结构示意图；
图2为现有技术中另一种显示基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供一提供的一种显示基板的制作方法示意图；
图3a-3c为本发明实施例一提供的显示基板的制作流程示意图；
图3d为本发明实施例一提供的制作显示基板时的曝光、显影步骤流程示意图；
图4为本发明实施例二提供的另一种显示基板的制作方法示意图；
图5-12为本发明实施例二提供的另一种显示基板的制作流程示意图；
图13为本发明实施例四提供的一种显示装置的结构示意图；
图14为本发明实施例四提供的另一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明实施例提供了一种显示及其制作方法和显示装置，用于简化制作工艺并降低生产成本，同时提高面板显示质量。
本发明实施例一提供了一种显示基板的制作方法，参见图3；所述方法包括：
步骤301，参见图3a，在衬底基板30形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层31；
步骤302，参见图3b，在完成上述步骤的基板上形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层32；
步骤303，参见图3c，利用构图工艺形成包括主柱状隔垫物33与副柱状隔垫物34以及黑矩阵35的图形。
本发明实施例一所述提供的显示基板的制作方法中，通过在衬底基板先形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层，然后再形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；最后通过一次构图工艺形成黑矩阵和主、副柱状隔垫物；即本实施例中通过两次涂覆，一次刻蚀就完成了黑矩阵和主、副柱状隔垫物的制作，简化了制作工艺，降低了生产成本；并且，由于所述主、副柱状隔垫物的制作材料为透明材料，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。
进一步的，形成的所述主柱状隔垫物33与副柱状隔垫物34的段差为0.3～0.7μm。
通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
在本发明中，构图工艺，可只包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
目前在制备主、副隔垫物时一般选择用负性光刻胶材料。进一步的，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，包括：
在涂覆完光刻胶后，进行预烘过程，在90℃的条件下预烘100秒钟；以增强光刻胶的粘附性，释放光刻胶膜内的应力，防止光刻胶脱落污染设备。
利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
通过利用包包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，即可通过一次曝光工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，有利于简化工艺制程，降低生产成本。
进一步的，所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域；或者，
所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的大孔，以及与副柱状隔垫物相对应的小孔；其中，所述大孔的孔径大于所述小孔的孔径。
通过采用主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域的掩膜板，或者包括分别与所述主、副隔垫物对应的大孔和小孔的掩膜板，然后再通过曝光工艺，即可形成所述主、副隔垫物和黑矩阵。
实际制作过程中，参见图3d，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，具体包括：
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物图形相对应的半透光区域的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形；或者
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的大孔以及与副柱状隔垫物图形相对应的小孔的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形。
进一步的，所述显示基板还包括薄膜晶体管、彩膜层和像素电极；在形成一层用于制作黑矩阵的非透明材料层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形；
在所述包括薄膜晶体管的图形的基板上形成包括彩膜层的图形；
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成包括像素电极的图形。
进一步的，在形成包括像素电极的图形之前，所述方法还包括：
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成用于保护所述薄膜晶体管和彩膜层免受破坏的钝化层。
在形成包括像素电极的图形之前，通过在所述包括彩膜层的图形的基板上形成一钝化层，该钝化层可有效保护彩膜层和薄膜晶体管在后续的工艺中避免受到破坏。
进一步的，所述方法还包括：在形成钝化层的基板上，利用构图工艺形成包括像素电极的图形。
本发明实施例二提供了一种制作显示基板的具体方法，参见图4，具体步骤包括：
步骤401，在衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形。该步骤具体包括：
第一步，参见图5，在所述衬底基板上沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括栅极41和栅线(图中未显示)的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。
第二步，参见图6，在所述包括栅极和栅线的图形的基板上沉积氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)层，形成栅绝缘层42，所述栅绝缘层42用于覆盖所述栅线和栅极41的上方区域，用于将栅线和栅极与其它层绝缘。
第三步，参见图7，在所述栅绝缘层42的上方沉积非晶硅半导体材料、多晶硅材料或氧化物半导体材料，然后通过构图工艺形成包括有源层43的图形。
第四步，参见图8，在所述包括有源层43的图形的基板上形成源漏金属薄膜，然后通过构图工艺，形成包括数据线(图中未显示)、源极44和漏极45的图形。
步骤402，参见图9，在所述包括数据线、源极44和漏极45的图形的基板上形成包括彩膜层46的图形。所述彩膜层46包括红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色树脂构成的彩膜子区域。
步骤403，参见图10，在所述包括彩膜层46的图形的基板上沉积氮化硅或氧化硅层，形成钝化层47，用于保护薄膜晶体管和彩膜层在后续的制作过程中不会受到损坏。
步骤404，参见图11，在所述钝化层47上使用磁控溅射法沉积一层氧化铟锡透明导电薄膜，并通过构图工艺，形成包括像素电极48的图形。所述像素电极48通过贯穿所述钝化层47的过孔与所述漏极45电连接(图中未显示)。
步骤405，参见图12，在所述包括像素电极48的图形的基板上涂覆一层用于形成黑矩阵的非透光材料，并在80～100℃的条件下对该层进行预烘100秒钟，以保证形成的非透光材料层31。
步骤406，在所述非透光材料层31的上方涂覆一层透明材料，形成用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层32，并在80～100℃的条件下对进行预烘100秒钟。
步骤407，利用与所述主、副柱状隔垫物对应的掩膜板，通过曝光、显影工艺以及在显影后去除光刻胶等工艺，形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图案。其中：
所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，具体包括：
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物图形相对应的半透光区域的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形；或者
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的大孔以及与副柱状隔垫物图形相对应的小孔的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形。
由于在曝光的过程中，当使用包括与主柱状隔垫物图形相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物图形相对应的半透光区域的掩膜板进行曝光时，由于完全透光区域透过的光强比半透光区域透过的光强大，因此与完全透光区域对应的透明材料层的固化速度快，而与半透光区域对应的透明材料层的固化速度则相对较慢，因此与完全透光区域对应的隔垫物的高度大于与半透光区域对应的隔垫物的高度。
同理，利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的大孔以及与副柱状隔垫物图形相对应的小孔的掩膜板进行曝光时，相对于通过大孔的光束，通过小孔后的光束会产生明显的衍射现象，使得通过小孔后的光束的强度变小，因此与大孔对应的透明材料固化速度快，而与小孔对应的透明材料固化速度则相对较慢，与大孔对应的隔垫物的高度大于与小孔对应的隔垫物的高度。
基于同一发明构思，本发明实施例三还提供了一种利用上述方法制作的显示基板，参见图3c，所述显示基板包括：包括衬底基板30，位于所述衬底基板上的黑矩阵35，位于所述黑矩阵35远离所述衬底基板30的一侧的形成柱状隔垫物，所述柱状隔垫物包括透明的主柱状隔垫物33和副柱状隔垫物34。
本发明实施例三中的显示基板中，由于所述主柱状隔垫物和副柱状隔垫物采用透明材料形成，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。且通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围内时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
进一步的，较佳的，所述主柱状隔垫物33与副柱状隔垫物34的段差为0.3～0.7μm。
通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
进一步的，所述黑矩阵35采用非透明材料，所述主柱状隔垫物33和副柱状隔垫物34采用透明材料。
采用非透明材料形成所述黑矩阵，形成的黑矩阵具有防止光串扰的作用，提高面板的显示质量。采用透明材料形成主、副柱状隔垫物时，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。
本发明实施例四还提供了一种显示基板，与本发明实施例三所提供的显示基板不同之处在于，参见图12，本发明实施例四提供的显示基板还包括：位于所述衬底基板30上方的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管所在层上方的彩膜层46；位于所述彩膜层46上方的像素电极48。并且，所述黑矩阵位于所述像素电极的上方，所述主、副柱状隔垫物位于所述黑矩阵的上方。
采用COA技术将所述彩膜层形成在薄膜晶体管所在的显示基板上，可以避免在对盒工艺中的产生对盒误差，有利于提高面板的显示质量。
所述显示基板还包括设置在所述彩膜层46和所述像素电极48之间的钝化层47，用于保护所述薄膜晶体管和所述彩膜层免受破坏。
通过在所述彩膜层和所述像素电极之间设置一钝化层，通过该钝化层可有效保护彩膜层和薄膜晶体管在后续的工艺中避免受到破坏。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置上述的显示基板1、对盒基板2，以及位于所述显示基板和对盒基板之间的液晶层3，如图13和图14所示。
综上，本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置；显示基板的制作方法中，通过在衬底基板先形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层，然后再形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；最后通过一次构图工艺形成黑矩阵和主、副柱状隔垫物；即本发明中通过两次涂覆，一次刻蚀就完成了黑矩阵和主、副柱状隔垫物的制作，简化了制作工艺，降低了生产成本；并且，由于所述主、副柱状隔垫物的制作材料为透明材料，所述黑矩阵可采用具有较大的OD值的材料，因此可避免因OD值较低而导致的柱状隔垫物太高，进而影响面板显示质量的问题。且通过该方法形成的主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm，段差处于该范围时既可以对显示面板起到保护作用，防止显示面板受到挤压导致变形，还有利于提高面板显示质量。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层；
在完成上述步骤的基板上形成一用于制作主、副柱状隔垫物的透明材料层；
利用一次构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成的所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，包括：
利用包括与所述主、副柱状隔垫物图形对应的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影，形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物相对应的半透光区域；或者，
所述掩膜板包括与主柱状隔垫物相对应的大孔，以及与副柱状隔垫物相对应的小孔；其中，所述大孔的孔径大于所述小孔的孔径。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用构图工艺形成包括主、副柱状隔垫物以及黑矩阵的图形，具体包括：
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的完全透光区域以及与副柱状隔垫物图形相对应的半透光区域的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形；或者
利用包括与主柱状隔垫物图形相对应的大孔以及与副柱状隔垫物图形相对应的小孔的掩膜板进行曝光，使得与所述主、副柱状隔垫物图形对应的区域的透明材料和非透明材料固化；利用显影液去除没有固化的透明材料以及非透明材料，以形成主、副柱状隔垫物和黑矩阵的图形。
6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述显示基板还包括薄膜晶体管、彩膜层和像素电极；在形成一用于制作黑矩阵的非透明材料层之前，所述方法还包括：
在所述衬底基板上形成包括薄膜晶体管的图形；
在所述包括薄膜晶体管的图形的基板上形成包括彩膜层的图形；
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成包括像素电极的图形。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成包括像素电极的图形之前，所述方法还包括：
在所述包括彩膜层的图形的基板上形成用于保护所述薄膜晶体管和彩膜层免受破坏的钝化层。
8.一种使用权利要求1～7任一权项所述的方法制作的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的黑矩阵；
位于所述黑矩阵远离所述衬底基板的一侧的形成柱状隔垫物，所述柱状隔垫物包括透明的主柱状隔垫物和副柱状隔垫物。
9.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述主、副柱状隔垫物的段差为0.3～0.7μm。
10.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵采用非透明材料，所述主、副柱状隔垫物采用透明材料。
11.如权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述衬底基板上方的薄膜晶体管；位于所述薄膜晶体管所在层上方的彩膜层；位于所述彩膜层上方的像素电极。
12.如权利要求11所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述彩膜层和所述像素电极之间的钝化层，用于保护所述薄膜晶体管和所述彩膜层免受破坏。
13.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求8～12任一权项所述的显示基板。
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