CN105149717A - 一种硅基陶瓷表面金属化方法 - Google Patents

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Abstract

一种硅基陶瓷表面金属化方法，涉及一种陶瓷表面金属化方法。本发明要解决现有技术中硅基陶瓷表面金属化方法复杂，硅基陶瓷表面与合金钎料的相容性差、硅基陶瓷与合金钎料连接界面残余应力高、合金钎料对硅基陶瓷的润湿性差、连接构件与硅基陶瓷连接强度和可靠性低的问题。本发明方法：步骤一：制备Ti-Si合金钎料；步骤二：制备Ti-Si合金钎料薄片；步骤三：硅基陶瓷去氧化层处理；步骤四：硅基陶瓷表面金属化。本发明方法提高硅基陶瓷与合金钎料的相容性，有效的缓解硅基陶瓷接头应力，提高接头强度及可靠性，提高了合金钎料对硅基陶瓷的润湿性，工艺简单，可重复性高，适用范围广。本发明用于硅基陶瓷表面金属化。

Description

一种硅基陶瓷表面金属化方法
技术领域
本发明涉及一种硅基陶瓷表面金属化方法。
背景技术
硅基陶瓷以其优异的化学、热学和力学性能而具有重要的工业和军事应用前景，是最具潜力的结构陶瓷材料之一。然而由于硅基陶瓷材料本身固有的脆性和硬度而带来的制备技术上的困难，特别是成型和加工技术是制约硅基陶瓷器件大型化、形状复杂化和高可靠性应用的关键。陶瓷连接技术是硅基陶瓷实用化的有效手段，它一方面使复杂部件的制备成为可能，另一方面可大幅度地降低昂贵的加工费用。
硅基陶瓷通常采用合金钎料进行连接，但是在连接过程中，由于硅基陶瓷具有大量的共价键，使一般合金钎料难以对其进行润湿。与此同时，由于钎料合金与被焊材料间物理化学性能不匹配使得焊后接头残余热应力大，会导致接头从连接界面剥离而开裂，造成连接界面结合强度低、焊接构件可靠性差等问题。因此，采用合适的方法对硅基陶瓷表面金属化并缓解焊后接头残余热应力具有重要意义。
在钎焊过程中，常见的硅基陶瓷表面金属化方法有化学镀Ni法、电镀Ni法、烧结被Ag法、Mo-Mn法以及真空蒸发镀膜法；由于硅基陶瓷热膨胀系数较低，其与热膨胀系数相差较大的金属连接往往在焊后产生巨大的残余热应力。通过将陶瓷成分与金属成分按不同比例配比的梯度中间层可以在一定程度上缓解应力，提高接头的连接强度。如SchwartzMM将12种成分不断变化的W和Al2O3的混合粉末烧结实现了热交换器圆柱体Al2O3/W的连接，具体过程为：将12种混合粉末逐层铺填到模具中，产生12种成分由95％W-5％Al2O3到100％Al2O3的梯度粉末叠层，之后该叠层置于被焊母材之间，形成成分连续变化的梯度材料结构以使热膨胀系数逐渐变化，SchwartzMM.CeramicJoining.ASMInternational,MaterialsPark,Ohio,1990；但是该方法工艺繁杂，连接部件难以进行精确组装，因此工艺难控制；且对于很多被焊陶瓷/金属的组合，由于彼此相容性的原因，根本不适合中间若干个混合粉末过渡层的烧结。
发明内容
本发明要解决现有技术中硅基陶瓷表面金属化方法复杂，硅基陶瓷表面与合金钎料的相容性差、硅基陶瓷与被连接材料连接界面残余应力高、合金钎料对硅基陶瓷的润湿性差、连接构件与硅基陶瓷连接强度和可靠性低的问题，提供一种硅基陶瓷表面金属化方法。
本发明所述的硅基陶瓷表面金属化方法按照以下步骤进行：
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取72％～78％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成厚度为0.5mm～1mm的Ti-Si合金钎料片，然后用1200#砂纸对Ti-Si合金钎料片进行双面打磨，以去除氧化皮，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min～20min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#砂纸对硅基陶瓷表面进行单面打磨，以去除氧化层，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min～20min；所述的硅基陶瓷为Si3N4陶瓷、SiAlON陶瓷、Si2N2O陶瓷、SiC陶瓷、SiBCN陶瓷中一种或其中两种复合而成的硅基陶瓷；
所述的硅基陶瓷为经长切纤维、短切纤维、晶须、纳米管、纳米线、石墨烯、纳米颗粒增强增韧的硅基陶瓷；所述的纳米颗粒为适用于硅基陶瓷的纳米颗粒。
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
然后将步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片放置于硅基陶瓷打磨表面上，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到7.0×10-2Pa～1.5×10-2Pa后，先以20℃/min～40℃/min升温速率升温至1000℃～1100℃，再以10℃/min～30℃/min升温速率升温至1380℃～1430℃并保温10min～30min，然后以10℃/min～40℃/min的冷却速率降温至300℃～500℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷；
本发明所述的方法具备以下有益效果：
一、本发明方法是通过对硅基陶瓷表面金属化处理，硅基陶瓷表面成键性质由共价键向金属键转变，使得硅基陶瓷的表面性质亲金属，从而提高其与合金钎料的相容性及合金钎料对硅基陶瓷的润湿性，并且润湿角始终平均稳定在17°左右，使合金钎料更容易与硅基陶瓷可靠连接，减少硅基陶瓷基体溶解，进而提高了硅基陶瓷和其它材料的连接强度和连接的可靠性，测试得到接头剪切强度为60～70MPa；
二、经本发明方法表面金属化硅基陶瓷具备金属和陶瓷两种特征，即金属化层中金属键共价键离子键共存，热膨胀系数介于金属与陶瓷之间，可以有效的缓解接头残余应力；
三、本发明方法利用Ti具有活性的特点，能够润湿绝大多数陶瓷，以共晶成分的钛硅为原料对硅基陶瓷表面金属化处理，不受硅基陶瓷种类、复合材料及尺寸约束，可在硅基陶瓷表面形成均匀分布的金属化层，在硅基陶瓷经本发明方法金属化后进行钎焊时，可以使用不含活性元素的合金钎料，且可以选用的合金钎料钎焊的温度选择范围较广，包括低温软钎料，也包括高温硬钎料；
四、本发明方法工艺简单，可重复性高，适用于高温钎焊，可对大尺寸、粗糙表面的试样进行表面金属化处理，适合产业化生产，具有极好的工业化应用前景；
附图说明
图1为实施例1中Ti-Si合金钎料在(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷表面润湿的金相图；
图2为实施例1、2和3中Ti-Si合金钎料在(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷表面金属化的工艺曲线；
图3为实施例2中两块经Ti-Si合金钎料金属化后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷连接接头的SEM图；
图4为实施例2和3中经Ti-Si合金钎料金属化后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷连接工艺曲线；
图5为实施例2制备的试样的断口照片；
图6为实施例3制备的经Ti-Si合金钎料金属化后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷与Mo片连接接头的SEM图；
图7为实施例1中采用Ti-Si合金钎料对(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷金属化组装示意图，图中1为Ti-Si合金钎料，2为打磨表面，3为硅基陶瓷；
图8为实施例2中验证Ti-Si合金钎料对硅基陶瓷的连接性的组装示意图，图中1为硅基陶瓷，2为硅基陶瓷金属化层；
图9为实施例3中探讨Ti-Si合金钎料与高温金属的连接性试验的组装示意图，图中1为钼片，2为Ti-Si合金钎料，3为硅基陶瓷金属化层，4为硅基陶瓷。
具体实施方式
本发明技术方案不局限于以下所列举具体实施方式，还包括各具体实施方式间的任意合理组合。
具体实施方式一：本实施方式硅基陶瓷表面金属化方法，按以下步骤实现：
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取72％～78％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成厚度为0.5mm～1mm的Ti-Si合金钎料片，然后用1200#砂纸对Ti-Si合金钎料片进行双面打磨，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10～20min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#砂纸对硅基陶瓷表面进行单面打磨，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min～20min；
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
然后将步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片放置于硅基陶瓷打磨表面上，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到7.0×10-2Pa～1.5×10-2Pa后，先以20℃/min～40℃/min升温速率升温至1000℃～1100℃，再以10℃/min～30℃/min升温速率升温至1380℃～1430℃并保温10min～30min，然后以10℃/min～40℃/min的冷却速率降温至300℃～500℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷。
本实施方式包含以下有益效果：
一、本发明方法是通过对硅基陶瓷表面金属化处理，硅基陶瓷表面成键性质由共价键向金属键转变，使得硅基陶瓷的表面性质亲金属，从而提高其与合金钎料的相容性及合金钎料对硅基陶瓷的润湿性，并且润湿角始终平均稳定在17°左右，使合金钎料更容易与硅基陶瓷可靠连接，减少硅基陶瓷基体溶解，进而提高了硅基陶瓷和其它材料的连接强度和连接的可靠性，测试得到接头剪切强度为60～70MPa；
二、经本发明方法表面金属化硅基陶瓷具备金属和陶瓷两种特征，即金属化层中金属键共价键离子键共存，热膨胀系数介于金属与陶瓷之间，可以有效的缓解接头残余应力；
三、本发明方法利用Ti具有活性的特点，能够润湿绝大多数陶瓷，以共晶成分的钛硅为原料对硅基陶瓷表面金属化处理，不受硅基陶瓷种类、复合材料及尺寸约束，可在硅基陶瓷表面形成均匀分布的金属化层，在硅基陶瓷经本发明方法金属化后进行钎焊时，可以使用不含活性元素的合金钎料，且可以选用的合金钎料钎焊的温度选择范围较广，包括低温软钎料，也包括高温硬钎料；
四、本发明方法工艺简单，可重复性高，适用于高温钎焊，可对大尺寸、粗糙表面的试样进行表面金属化处理，适合产业化生产，具有极好的工业化应用前景；
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一所述的按重量百分比，称取75％海绵Ti和余量的单晶Si。其它步骤与参数与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：步骤一所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％。其它步骤与参数与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤二所述的用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成长度为5mm、宽度为5mm、厚度为1mm的Ti-Si合金钎料片。其它步骤与参数与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤二所述的最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min。其它步骤与参数与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤三所述的硅基陶瓷为Si3N4陶瓷、SiAlON陶瓷、Si2N2O陶瓷、SiC陶瓷、SiBCN陶瓷中一种或其中两种复合而成的硅基陶瓷。其它步骤与参数与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：步骤三所述的硅基陶瓷为经长切纤维、短切纤维、晶须、纳米管、纳米线、石墨烯、纳米颗粒增强增韧的硅基陶瓷。其它步骤与参数与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：步骤四所述的在真空钎焊炉中真空度达到1.5×10-2Pa后，先以30℃/min升温速率升温至1000℃，再以20℃/min升温速率升温至1380℃并保温10min，然后以40℃/min的冷却速率降温至400℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷。其它步骤与参数与具体实施方式一至七之一相同。
实施例1：本实施例所述的硅基陶瓷表面金属化方法按以下步骤实现：
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取75％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成长度为2mm、宽度为2mm、厚度为1mm的Ti-Si合金钎料片，然后用1200#砂纸对Ti-Si合金钎料片进行双面打磨，以去除氧化皮，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#砂纸对硅基陶瓷表面进行单面打磨，以去除氧化层，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；所述的硅基陶瓷为(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷；所述的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷为短切碳纤维和碳化硅纤维共同强化的SiBCN陶瓷；所述硅基陶瓷长度为10mm、宽度为10mm、厚度为3mm；
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
然后将步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片置于硅基陶瓷打磨表面上，如图7所示，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到1.5×10-2Pa后，先以30℃/min升温速率升温至1000℃，再以20℃/min升温速率升温至1380℃并保温10min，然后以40℃/min的冷却速率降温至400℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷；本实施例Cf/SiCf)SiBCN陶瓷表面金属化工艺曲线如图2所示；
测试Ti-Si合金钎料对(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷润湿角，测试结果如图1所示，润湿角始终平均稳定在17°左右，说明钛硅钎料可以对(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷进行良好润湿。
实施例2：本实施例所述的硅基陶瓷表面金属化方法按以下步骤实现
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取75％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成长度为5mm、宽度为5mm、厚度为1mm的钎料片，然后用1200#砂纸对Ti-Si合金钎料片进行双面打磨，以去除氧化皮，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#砂纸对硅基陶瓷表面进行单面打磨，以去除氧化层，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；所述的硅基陶瓷为Cf/SiCf)SiBCN陶瓷；所述的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷为短切碳纤维和碳化硅纤维共同强化的SiBCN陶瓷；所述硅基陶瓷长度为5mm、宽度为5mm、厚度为3mm；
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
将两块步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片打磨表面朝下分别置于两块步骤三处理后的硅基陶瓷打磨面上，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到1.5×10-2Pa后，先以30℃/min升温速率升温至1000℃，再以20℃/min升温速率升温至1380℃并保温10min，然后以40℃/min的冷却速率降温至400℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到两块表面金属化后的硅基陶瓷；本实施例(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷表面金属化工艺曲线如图2所示。
为了验证Ti-Si合金钎料对硅基陶瓷的连接性进行如下处理：
将两块经Ti-Si合金钎料金属化处理后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷的金属化表面用1200#砂纸进行打磨，将打磨面对向放置，如图8所示，然后置于真空钎焊炉中，在真空度达到1.5×10-2Pa后，以30℃/min速率加热到1000℃并保温10min，然后再以20℃/min加热到1380℃并保温10min，最后20℃/min降温到1000℃，再以40℃/min降温到400℃后随炉冷却至室温；处理的工艺曲线如图4所示；
本实施例中两块经Ti-Si合金钎料金属化处理后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷的连接界面SEM照片如图3所示，从图3中可清楚的看到，焊缝明显分成两个区域，反应层X区厚度约为10μm，由于周围SiBCN基体与钎料发生反应溶解，碳纤维和碳化硅纤维明显留存于反应层X区中；中间钎料层Y区厚度约为80μm，中间钎料层Y区共晶组织明显，经能谱分析，白点相为TiSi2，周围大片灰色相为Si基固溶体；对试样进行剪切发现在室温中试样接头剪切强度为60MPa左右，试样的断口照片如图5所示，断裂发生于陶瓷基体内部，说明两块经Ti-Si合金钎料金属化处理后的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷连接的焊缝强度高于陶瓷基体强度。
实施例3：本实施例所述的硅基陶瓷表面金属化方法按以下步骤实现：
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取75％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成长度为5mm、宽度为5mm、厚度为1mm的钎料片，然后用1200#砂纸打磨Ti-Si合金钎料片表面，以去除氧化皮，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#砂纸对硅基陶瓷表面进行单面打磨，以去除氧化层，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min；所述的硅基陶瓷为Cf/SiCf)SiBCN陶瓷；所述的(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷为短切碳纤维和碳化硅纤维共同强化的SiBCN陶瓷；所述硅基陶瓷长度为5mm、宽度为5mm、厚度为3mm；
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
将步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片置于步骤三处理后的硅基陶瓷抛光面上，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到1.5×10-2Pa后，先以30℃/min升温速率升温至1000℃，再以20℃/min升温速率升温至1380℃并保温10min，然后以40℃/min的冷却速率降温至400℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷；本实施例(Cf/SiCf)SiBCN陶瓷表面金属化工艺曲线如图2所示。
为了探讨金属化后的硅基陶瓷与高温金属的连接性进行如下处理：
用1200#砂纸对长度为5mm、宽度为5mm、厚度为1mm的钼片表面进行单面打磨，以去除氧化皮，并在丙酮中对钼片进行2次超声清洗，每次10min；按步骤一和二的方法制备含质量分数为91.5％的海绵Ti和余量的单晶Si的合金钎料并进行两面打磨，将此合金钎料作为中间层连接合金钎料，将钼片的打磨面朝下放置与此合金钎料上面，将步骤四得到的表面金属化后的硅基陶瓷金属化面朝上放置于合金钎料下面，组装的示意图如图9所示，将上述组装的三层试样置于真空钎焊炉中，在真空度达到1.5×10-2Pa后，以30℃/min速率加热到1000℃并保温10min，然后再以20℃/min加热到1380℃并保温10min，最后20℃/min降温到1000℃，再以40℃/min降温到400℃后随炉冷却至室温；处理的工艺曲线如图4所示；其中所述的中间层连接合金钎料可以是粉末状、片状或箔状，本实施例选择片状合金钎料；
钼片与金属化硅基陶瓷的连接界面SEM照片如图6所示，图中接头区域分区明显，成分分析结果显示Si、Ti、Mo元素在界面处含量基本成梯度分布，这种梯度分布有利于缓和界面残余应力，进而提高了连接强度及连接构件的可靠性。

Claims (8)

1.一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于该方法按以下步骤实现：
步骤一、制备Ti-Si合金钎料
按重量百分比，称取72％～78％海绵Ti和余量的单晶Si，将称取的海绵Ti和单晶Si放入非自耗电弧炉中真空熔炼至钎料为均匀共晶组织，得到Ti-Si合金钎料；
步骤二、制备Ti-Si合金钎料薄片
用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成厚度为0.5mm～1mm的Ti-Si合金钎料片，然后用1200#砂纸对Ti-Si合金钎料片进行双面打磨，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10～20min；
步骤三、硅基陶瓷去氧化层处理
用1200#对硅基陶瓷表面进行单面打磨，最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min～20min；
步骤四、硅基陶瓷表面金属化
然后将步骤二得到的Ti-Si合金钎料薄片放置于硅基陶瓷打磨表面上，并放入真空钎焊炉中，在真空钎焊炉中真空度达到7.0×10-2Pa～1.5×10-2Pa后，先以20℃/min～40℃/min升温速率升温至1000℃～1100℃，再以10℃/min～30℃/min升温速率升温至1380℃～1430℃并保温10min～30min，然后以10℃/min～40℃/min的冷却速率降温至300℃～500℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷。
2.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤一所述的按重量百分比，称取75％海绵Ti和余量的单晶Si。
3.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤一所述的海绵Ti的纯度>99.97％；所述的单晶Si的纯度>99.99％。
4.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤二所述的用电火花线切割机器，将步骤一得到的Ti-Si合金钎料切成长度为5mm、宽度为5mm、厚度为1mm的Ti-Si合金钎料片。
5.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤二所述的最后在丙酮中超声清洗两次，每次10min。
6.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤三所述的硅基陶瓷为Si3N4陶瓷、SiAlON陶瓷、Si2N2O陶瓷、SiC陶瓷、SiBCN陶瓷中一种或其中两种复合而成的硅基陶瓷。
7.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤三所述的硅基陶瓷为经长切纤维、短切纤维、晶须、纳米管、纳米线、石墨烯或纳米颗粒增强增韧的硅基陶瓷。
8.根据权利要求1所述的一种硅基陶瓷表面金属化方法，其特征在于步骤四所述的在真空钎焊炉中真空度达到1.5×10-2Pa后，先以30℃/min升温速率升温至1000℃，再以20℃/min升温速率升温至1380℃并保温10min，然后以40℃/min的冷却速率降温至400℃，最后关掉电源自然冷却至室温，即得到表面金属化后的硅基陶瓷。
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