CN105142259A - 一种抑制冲击电流的装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种抑制冲击电流的装置，本装置包括可控硅调光器、整流电路、容性负载、第一电阻、开关管、控制单元和调节单元，控制单元在可控硅导通时刻将开关管断开，而在可控硅调光器导通之后的导通相角内，闭合开关管使电阻被短路，并通过调节单元来减小开关管的导通速度，因此本发明不仅抑制可控硅调光器带容性负载调光时带来的冲击电流以及抑制开关管导通给容性负载带来的二次冲击电流，还能够在抑制冲击电流的同时尽量减小第一电阻损耗。

Description

一种抑制冲击电流的装置

技术领域

本发明涉及电路技术领域，尤其涉及一种抑制冲击电流的装置。

背景技术

传统应用中，可控硅调光器一般用于白炽灯调光的场合，白炽灯相当于阻性负载，两者配合使用时调光效果良好。当可控硅调光器带容性负载时，输入电压突变作用于所述容性负载时，带来较大冲击电流，冲击电流在可控硅调光器和容性负载之间振荡，当冲击电流振荡至可控硅调光器的维持电流以下时，会造成可控硅调光器非正常关断，引起灯闪。

因此现在需要一种装置，以解决可控硅调光器带容性负载调光时，冲击电流过大造成可控硅调光器非正常关断引起灯闪的问题。

发明内容

本发明提供了一种抑制冲击电流的装置，本装置能够解决可控硅调光器带容性负载调光时，冲击电流过大造成可控硅调光器非正常关断引起灯闪的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了以下技术手段：

一种抑制冲击电流的装置，包括可控硅调光器，与所述可控硅调光器输出端相连的整流电路，与所述整流电路输出端相连的容性负载，还包括：

串联在所述整流电路与所述容性负载之间的第一电阻；

与所述第一电阻并联的开关管；

输出端与所述开关管的控制端相连的控制单元，所述控制单元用于在所述可控硅调光器导通时刻控制所述开关管断开，在所述可控硅调光器的导通相角内控制所述开关管闭合；

与所述开关管控制端相连的调节单元，所述调节单元用于减小所述开关管的导通速度。

优选的，所述调节单元为连接在所述开关管的栅极和漏极之间的电容。

优选的，所述调节单元包括：

连接在所述开关管的栅极和漏极之间的电容；

与所述电容并联的第二电阻。

优选的，所述第一电阻包括两个串联的、阻值相同的第三电阻和第四电阻；

所述调节单元包括一端与所述开关管栅极相连的电容；

阳极与所述电容另一端相连，阴极与所述开关管漏极相连的第二二极管；

阳极与第三电阻和第四电阻的公共连接点相连，阴极与所述第二二极管的阳极相连的第一二极管。

优选的，所述控制单元包括：

当检测到整流电路的输出电压大于第一预设值时延迟预设时间之后控制开关管导通，否则控制开关管关断。

优选的，所述控制单元包括：

当检测到所述整流电路的输出电压或输出电流的变化斜率大于第二预设值时控制所述开关管断开，当检测到所述整流电路输出电压大于第三预设值时控制所述开关管闭合。

优选的，所述控制单元包括：

与整流电路输出端相连的斜率检测单元，用于检测整流电路的输出电压或输出电流的变化斜率并输出变化斜率信号；

输入端与所述斜率检测单元输出端相连，其余两端分别与所述开关管的控制端和参考地相连的关断单元，用于判断所述变化斜率信号大于第二预设值时将所述控制端和参考地短接；

与所述整流电路输出端并联的导通单元，用于采集所述整流电路的输出电压将预设比例的分压信号输出至所述开关管的控制端。

优选的，所述斜率检测单元与所述整流电路输出端相连包括：

当检测所述整流电路的输出电压的变化斜率时，所述斜率检测单元的输入端并联接在所述整流电路的输出端；

当检测所述整流电路的输出电流的变化斜率时，所述斜率检测单元的输入端与所述整流电路输出电流的采样端相连。

优选的，所述开关管包括：

电压型开关管或电流型开关管；

所述电压型开关管包括场效应管MOS或绝缘栅双极型晶体管IGBT；

所述电流型开关管包括三极管。

优选的，所述容性负载包括：

LED驱动器；

与所述LED驱动器输入端并联的滤波电容；

与所述LED驱动器输出端并联的LED光源。

本发明提供了一种抑制冲击电流的装置，本装置包括可控硅调光器、整流电路、容性负载、第一电阻、开关管、控制单元和调节单元，控制单元在可控硅导通时刻将开关管断开，而在可控硅调光器导通之后的导通相角内，闭合开关管使电阻被短路，并通过调节单元来减小开关管的导通速度，因此本发明不仅抑制可控硅调光器带容性负载调光时带来的冲击电流以及抑制开关管导通给容性负载带来的二次冲击电流，还能够在抑制冲击电流的同时尽量减小第一电阻损耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的抑制冲击电流的装置的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的抑制冲击电流的装置各个部分的电压示意图；

图3为本发明实施例公开的抑制冲击电流的装置中开关管导通示意图；

图4为本发明实施例公开的又一抑制冲击电流的装置的结构示意图；

图5为本发明实施例公开的又一抑制冲击电流的装置的结构示意图；

图6为本发明实施例公开的又一抑制冲击电流的装置的结构示意图；

图7为本发明实施例公开的又一抑制冲击电流的装置的结构示意图；

图8为本发明实施例公开的又一抑制冲击电流的装置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明提供了一种抑制冲击电流的装置，包括可控硅调光器100，与所述可控硅调光器输出端相连的整流电路200，与所述整流电路输出端相连的容性负载300，还包括：

串联在所述整流电路200与所述容性负载300之间的第一电阻400；

与所述第一电阻400并联的开关管500；

输出端与所述开关管500的控制端相连的控制单元600，所述控制单元600用于在所述可控硅调光器100导通时刻控制所述开关管500断开，在所述可控硅调光器100的导通相角内控制所述开关管500闭合；

与所述开关管控制端相连的调节单元700，所述调节单元用于减小所述开关管的导通速度。

如图2所示，为本装置中各个部分的电压示意图，结合图2，可控硅调光器100将输入端的交流电压(Vac)转换成斩波电压(V1)输出至整流电路200，即斩波相角内电压为零剩余导通相角内的电压幅值等于输入交流电压幅值，整流电路200将输入端的斩波电压(V1)转换为直流电压(V2)输出至容性负载300；在交流电压达到可控硅调光器100的导通相角时可控硅调光器便导通，在可控硅调光器100导通时刻整流电路200的输出电压由0突变至V2，带来较大的冲击电流，为了抑制直流电压突变在容性负载300引起的冲击电流，本发明在整流电路200和容性负载300之间增加第一电阻400，使第一电阻400在可控硅调光器100导通时刻连接在容性负载300的充电回路中，以抑制冲击电流，电阻400两端的电压波形参见图2中的R两端电压。

当整流电路200和容性负载300之间只增加第一电阻400时，确实能够有效抑制冲击电流，解决可控硅调光器100非正常关断引起灯闪的问题，但是可控硅调光器100导通之后，便不存在电压突变引起灯闪的问题，但第一电阻400串联其中仍会损耗一部分电能，因此在可控硅调光器100导通之后便不希望第一电阻400连接在整流电路200和容性负载300之间。

为了减小第一电阻带来的不必要损耗，本发明除了增加第一电阻之外，还提供开关管500和控制单元600，在可控硅调光器100导通时刻，控制单元600控制开关管500断开，以使第一电阻400接入整流电路200和容性负载300之间，当可控硅调光器100导通之后，控制单元600控制开关管500闭合，将第一电阻400短路，使整流电路200通过开关管500与容性负载300相连。

在开关管500断开后，开关管两端的电压等于Ir*R，其中Ir为流经第一电阻R的电流；在可控硅调光器100导通之后，为降低不必要的损耗，控制单元600控制开关管500导通，开关管500两端的电压由Ir*R突变为0，导致容性负载300上又有一个电压突变量Ir*R，产生一个冲击电流，同样可能导致可控硅不正常关断，引起灯闪。因此，本申请还公开了减小开关管500的导通速度的调节单元700。

减小开关管500的导通速度，即增加开关管500从断开至导通所需的时间，即为所述第一电阻400两端电压由初始电压降为0的时间，调节单元700增大开关管500从断开至导通所需时间，即减小第一电阻400两端电压的下降速率。由于容性负载300并联接在所述整流电路200的输出端，而第一电阻400串联接在所述整流电路200和容性负载300之间，则第一电阻400两端电压下降引起容性负载300的电压上升，减小第一电阻400两端电压的下降斜率，即减小容性负载300上电压的上升速率，即可减小可控硅调光器100带容性负载300调光时由于开关管500导通带来的二次冲击电流。

由上述内容可知，本发明不仅抑制可控硅调光器100带容性负载300调光时带来的冲击电流以及抑制开关管500导通给容性负载300带来的二次冲击电流，还能够在抑制冲击电流的同时尽量减小第一电阻损耗。

上述实施例的开关管500包括：电压型开关管或电流型开关管。

所述电压型开关管500包括场效应管MOS或绝缘栅双极型晶体管IGBT；

所述电流型开关管500包括三极管。

以开关管500为MOS管为例进行说明，如图3所示为MOS管的开通时序图，Vgs为MOS管的栅极驱动电压，Vth为MOS管的阈值电压，Ig为MOS管的栅极驱动电流，Vds为MOS管的漏源极电压，T1为米勒平台时间。参见图2，当栅极电压Vgs处于米勒平台T1期间对应Vds电压为由Ir*R断开时的电压降为0的时段。

MOS管的栅极、漏极、源极的两两之间都有结容，漏极和栅极之间的结容称为米勒容Cgd，在T1时段内，Vgs固定不变，而Cgd的放电导致Vds下降，其放电电流为MOS管的栅极驱动电流Ig，则Cgd的放电时间即米勒平台时间T1，延长Cgd的放电时间即能延长MOS管的米勒平台时间即能减小漏源电压下降的速率，从而减小MOS管导通带来的冲击电流。

依据上述理论知识，下面介绍调节单元是如何减小所述开关管500的导通速度，本发明提供了三种实现方式，下面针对三种实现方式进行一一说明：

如图4所示为调节单元的第一种实现方式，所述调节单元700为连接在所述开关管的栅极和漏极之间的电容C1。

在MOS管的栅极和漏极之间连接电容C1，即为米勒容Cgd并联电容C1，由于电容本身特性决定，两个电容并联后电容值增加，因此并联电容C1相当于增大了MOS管的米勒容，而MOS管的驱动电流Ig不变，由于放电时间与电容值成正比，米勒容增加则MOS管的米勒容放电时间延长，即MOS管的米勒平台时间延长，从而减小Vds电压下降的速率，减小MOS管导通带来的冲击电流。

但是，通过延长米勒平台的时间来减小冲击电流，相当于增加了第一电阻R串联在所述整流电压和所述容性负载之间的时间，则增大了第一电阻R的损耗，为兼顾冲击电流和第一电阻R的损耗，提出以下第二种实现方式和第三种实现方式。

如图5所示为调节单元700的第二种实现方式，所述调节单元700包括连接在所述开关管500的栅极和漏极之间的电容C1；

与所述电容C1并联的第二电阻R1。

在第二种实现方式中，MOS管的米勒容Cgd处于米勒平台时的放电电流设为I0，I0为MOS管门极的驱动电流Ig(由控制单元提供)和Vdg/R1之和。米勒容C0为C1与Cgd的并联，由于Vdg随着Cgd的放电而降低，Vdg/R1减小，则米勒容Cgd的充电电流I0也随着Cgd的放电而减小。因此，米勒容C0的电压Vdg在米勒平台的前半段时间下降较快，在米勒平台的后半段时间下降较慢。在米勒平台的前半段时间米勒容Cgd电压下降较快，即第一电阻R两端的电压Vds下降较快，减小了第一电阻R的损耗；在米勒平台的后半段时间米勒容Cgd电压下降较慢，减小了容性负载的冲击电流。

如图6所示，为调节单元的第三种实现方式，在第三种实现方式中所述第一电阻包括两个串联的、阻值相同的第三电阻R2和第四电阻R3；

所述调节单元700包括一端与所述开关管500栅极相连的电容C1；

阳极与所述电容C1另一端相连，阴极与所述开关管500漏极相连的第二二极管D2；

阳极与第三电阻R2和第四电阻R3的公共连接点相连，阴极与所述第二二极管D2的阳极相连的第一二极管D1。

以所述开关管的源极为参考地，由于开关管的Vgs电压较低先忽略，当开关管500断开时，其漏源极电压Vds＝Vds1，由于第三电阻R2和第四电阻R3的阻值相同，因此R2和R3的公共连接点相对于参考地电压为Vds1/2，该电压Vds1/2通过所述第一二极管D1给所述电容C1充电，因此C1的电压为Vds1/2，在开关管500处于从断开至导通的过程当中的米勒平台时，Vds从Vds1降为0的过程可分为以下两个阶段：第一阶段：当Vds大于等于Vds1/2时，D1和D2都截止；在开关管的栅极与漏极之间没有其他部件，电压下降较快。

第二阶段当Vds小于Vds1/2时，D1截止，D2导通，则此时C1连接在开关管500的漏极和栅极之间，即开关管500的米勒容被增大，而控制单元输出的驱动电流Ig不变，开关管500的漏极和栅极之间电压Vdg下降速率减小，由于Vgs固定不变，且Vds＝Vdg+Vgs，则Vds的下降速率也减小。

因此，第一阶段相当于第二阶段阶段，Vds下降较快，电阻R1和R2上的损耗相对较小，在第二阶段时Vds下降较慢，容性负载上的电压上升较慢，开关管500导通给容性负载带来的冲击电流较小。

以上为调节单元700用于减小所述开关管的导通速度的三种实现方式，下面具体介绍控制单元600如何控制开关管500，本发明提供了两种方式，首先介绍第一种方式：

当检测到整流电路200的输出电压大于第一预设值时延迟预设时间之后控制开关管导通，否则控制开关管关断。

当检测到整流电路200的输出电压大于第一预设值，则认为此时为可控硅调光器100的导通时刻，延迟预设时间之后控制开关管导通，使得开关管在可控硅调光器100的导通时刻，开关管仍处于断开状态，第一电阻400串联其中抑制冲击电流，在预设时间之后认为可控硅调光器100已处于导通状态，此时控制开关管导通，将第一电阻400短路减小损耗。

所述预设时间可以为一连接在整流电路200输出端的RC充电回路决定。具体的，整流电路200的正输出端通过RC串联支路连接至整流电路200的负输出端，RC串联支路的中间节点连接至开关管的控制端，当RC串联支路中间的C经过一定的充电时间使得C上的电压大于开关管导通所需的控制端电压时，开关管导通，所述充电时间即为预设时间。

通过判断整流电路200的输出电压的大小来决定可控硅调光器的导通时刻，容易因为输出电压过小，导致检测不到可控硅的导通时刻，不能解决灯闪的问题，因此本发明提供另外一种控制单元的实现方式：

当检测到整流电路200的输出电压或输出电流的变化斜率大于第二预设值时控制所述开关管500断开，当检测到所述整流电路200输出电压大于第三预设值时控制所述开关管500闭合。

当可控硅调光器100导通时刻，由于整流单元200输出电压突然由0增加至输入交流电压的幅值，引起输出电流也会发生变化，所以输出电压和输出电流的变化斜率巨大，因此通过判断变化斜率可以准确的获知可控硅调光器100的导通时刻。在导通时刻过后变化斜率便会趋于平稳，输出电压越来越大，因此通过判断输出电压是否大于第三预设值来确定可控硅调光器100是否导通。

将整流电路200的输出电压或输出电流的变化斜率大于第二预设值记为第一条件，整流电路200的输出电压大于第三预设值记为第二条件。关于第二预设值和第三预设值的设置需符合如下情况：在合理设置第二预设值和第三预设值之后，控制单元通过检测第一条件能够确定可控硅调光器100导通时刻，从而在可控硅调光器100导通时刻控制开关管500断开，在可控硅调光器100导通之后便不再满足第一条件而只满足第二条件，从而控制开关管100导通，在可控硅调光器100导通之后的导通相角内，始终满足第二条件，进而使得开关管500在可控硅调光器100的导通相角内始终导通。当同时满足第一条件和第二条件时，执行满足第一条件的动作，即控制开关管500断开。

下面详细说明控制单元600的结构，如图7所示，本发明中控制单元600具体包括：

与整流电路200输出端相连的斜率检测单元601，用于检测整流电路200的输出电压或输出电流的变化斜率并输出变化斜率信号；

输入端与所述斜率检测单元601输出端相连，其余两端分别与所述开关管的控制端和参考地相连的关断单元602，用于判断所述变化斜率信号大于第二预设值时将所述控制端和所述参考地短接；

斜率检测单元601与整流电路200有两种连接方式，具体的包括：当检测所述整流电路200的输出电压的变化斜率时，所述斜率检测单元601的输入端并联接在所述整流电路200的输出端；当检测所述整流电路200的输出电流的变化斜率时，所述斜率检测单元601的输入端与所述整流电路200输出电流的采样端相连。

与所述整流电路200输出端并联的导通单元603，用于采集所述整流电路200的输出电压将预设比例的分压信号输出至所述开关管500的控制端。

所述参考地是指电阻400流经电流后的低电位端。

斜率检测单元601检测输出电压或输出电流的变化斜率并输出变化斜率信号，关断单元602判断所述变化斜率信号大于第二预设值时将开关管500断开，导通单元603采集输出电压，并将输出电压按预设比例进行分压，将分压后的电压作用于开关管500，所述预设比例的设置需满足以下条件：当所述整流单元的输出电压大于所述第三预设值时，按预设比例分压后获得分压信号，分压信号的电压大于开关管500的饱和导通时的控制端电压，从而导通开关管500。

控制单元600通过检测变化斜率确定可控硅调光器100导通时刻，使得无论多小的斩波相角对应多小的电压变化幅度，都能被控制单元600检测到，确保第一电阻400在可控硅调光器100导通时刻连接在容性负载300的充电回路中，有效抑制冲击电流。而在可控硅调光器100导通之后的导通相角内，第一电阻400被短路，达到有效抑制可控硅调光器100导通作用于容性负载300时产生的冲击电流的同时将损耗减小到最小的有益效果。

优选的上述实施例中的开关管包括：电压型开关管或电流型开关管。

所述电压型开关管包括场效应管MOS或绝缘栅双极型晶体管IGBT；

所述电流型开关管包括三极管。

本申请中的控制单元600实际上提供的技术方案可以分为以下两部分内容：1、检测并确定所述开关管开通时刻和关断时刻；2、提供所述开关管开通通知信号和关断通知信号，所述开关管的关断通知信号是指大于第二预设值的变化斜率信号，所述开关管的开通通知信号是指所述导通单元输出的分压信号。

不同的类型的开关管(比如电压型、电流型、P型、N型)需要不同的开通信号和关断信号，比如P沟道增强型MOS管的开通信号为栅源极电压为正电压，N沟道增强型MOS管的开通信号为栅源极电压为负电压，开通信号和关断信号可通过所述开通通知信号和关断通知信号转换得到，该类信号转换技术属于现有技术，在此不再赘述。

下面介绍本发明抑制冲击电流的装置的具体实施例，以开关管为MOS管为例，如图8所示，包括：

可控硅调光器100，整流电路200，斜率检测单元601，关断单元602，导通单元603，容性负载300，电阻R400，开关管S500和调节单元700。

优选的，所述斜率检测单元601包括：与所述整流电路200输出端的正极相连的电容C2；一端与所述电容C2相连，一端与所述整流电路200输出端的负极相连的电阻R4；所述电阻R4和电容C2之间的公共连接点与所述关断单元的输入端S1相连，关断单元602为三极管S1，即电阻R4和电容C1之间引出导线与所述三极管S1的基极相连。

优选的，所述导通单元603包括：相互串联的两个电阻R5和R6；两个电阻公共连接点与所述开关管的控制端相连。电阻R5和电阻R6的公共连接点输出分压信号，并将分压信号发送至开关管500，预设比例＝R6/(R5+R6)。

优选的，当所述关断单元602的三极管为NPN型时，所述三极管的基极与所述斜率检测单元601的输出端相连；

所述三极管S1的集电极与所述开关管S的控制端相连；

所述三极管S1的发射极与所述整流电路200的输出端相连。

优选的，所述容性负载300包括：

LED驱动器301；与所述LED驱动器输入端并联的滤波电容302；与所述LED驱动器输出端并联的LED光源303。

图8所示的实施例中开关管为N沟道的MOS管，三极管为NPN型，可以理解的是本发明中的MOS管还可以为P沟道的MOS管，三极管为PNP型，只需修改一下连接方式即可，当开关管为绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)时，其连接方式和作用与MOS管一致，在此不再赘述。

本发明提供了一种抑制冲击电流的装置，本装置包括可控硅调光器、整流电路、容性负载、第一电阻、开关管、控制单元和调节单元，控制单元在可控硅导通时刻将开关管断开，而在可控硅调光器导通之后的导通相角内，闭合开关管使电阻被短路，并通过调节单元来减小开关管的导通速度，因此本发明不仅抑制可控硅调光器带容性负载调光时带来的冲击电流以及抑制开关管导通给容性负载带来的二次冲击电流，还能够在抑制冲击电流的同时尽量减小第一电阻损耗。

本实施例方法所述的功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算设备可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明实施例对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算设备(可以是个人计算机，服务器，移动计算设备或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，RandomAccessMemory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种抑制冲击电流的装置，包括可控硅调光器，与所述可控硅调光器输出端相连的整流电路，与所述整流电路输出端相连的容性负载，其特征在于，还包括：

串联在所述整流电路与所述容性负载之间的第一电阻；

与所述第一电阻并联的开关管；

输出端与所述开关管的控制端相连的控制单元，所述控制单元用于在所述可控硅调光器导通时刻控制所述开关管断开，在所述可控硅调光器的导通相角内控制所述开关管闭合；

与所述开关管控制端相连的调节单元，所述调节单元用于减小所述开关管的导通速度。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述调节单元为连接在所述开关管的栅极和漏极之间的电容。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述调节单元包括：

连接在所述开关管的栅极和漏极之间的电容；

与所述电容并联的第二电阻。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一电阻包括两个串联的、阻值相同的第三电阻和第四电阻；

所述调节单元包括一端与所述开关管栅极相连的电容；

阳极与所述电容另一端相连，阴极与所述开关管漏极相连的第二二极管；

阳极与第三电阻和第四电阻的公共连接点相连，阴极与所述第二二极管的阳极相连的第一二极管。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制单元包括：

当检测到整流电路的输出电压大于第一预设值时延迟预设时间之后控制开关管导通，否则控制开关管关断。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述控制单元包括：

当检测到所述整流电路的输出电压或输出电流的变化斜率大于第二预设值时控制所述开关管断开，当检测到所述整流电路输出电压大于第三预设值时控制所述开关管闭合。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述控制单元包括：

与整流电路输出端相连的斜率检测单元，用于检测整流电路的输出电压或输出电流的变化斜率并输出变化斜率信号；

输入端与所述斜率检测单元输出端相连，其余两端分别与所述开关管的控制端和参考地相连的关断单元，用于判断所述变化斜率信号大于第二预设值时将所述控制端和参考地短接；

与所述整流电路输出端并联的导通单元，用于采集所述整流电路的输出电压将预设比例的分压信号输出至所述开关管的控制端。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述斜率检测单元与所述整流电路输出端相连包括：

当检测所述整流电路的输出电压的变化斜率时，所述斜率检测单元的输入端并联接在所述整流电路的输出端；

当检测所述整流电路的输出电流的变化斜率时，所述斜率检测单元的输入端与所述整流电路输出电流的采样端相连。

9.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述开关管包括：

电压型开关管或电流型开关管；

所述电压型开关管包括场效应管MOS或绝缘栅双极型晶体管IGBT；

所述电流型开关管包括三极管。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述容性负载包括：

LED驱动器；

与所述LED驱动器输入端并联的滤波电容；

与所述LED驱动器输出端并联的LED光源。