CN104979441A - 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 - Google Patents
一种led芯片及其制作方法及led显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104979441A CN104979441A CN201410131570.4A CN201410131570A CN104979441A CN 104979441 A CN104979441 A CN 104979441A CN 201410131570 A CN201410131570 A CN 201410131570A CN 104979441 A CN104979441 A CN 104979441A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reflector
- type semiconductor
- semiconductor layer
- led chip
- positive pole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 3
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims description 3
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000035800 maturation Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法及LED显示装置，该ELD芯片包括：透明衬底；设置在所述衬底一表面的N型半导体层，所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域；设置在所述第一区域的负极，所述负极与所述第一区域之间设置有第一反射层；设置在所述第二区域的多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间；设置在所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面的正极，所述正极与所述P型半导体层之间设置有第二反射层，所述第二反射层与所述第一反射层绝缘。本发明所述技术方案提高了LED芯片的光出射效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体器件制作工艺技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片及其封装方法及LED显示装置。
背景技术
发光二极管（Light Emitting Diode，简称LED）器件是一种可将电能转换为光能的能量转换器件，具有工作电压低、耗电量少、性能稳定、寿命长、抗冲击、耐震动性强、重量轻、体积小、成本低、发光响应快等优点。随着技术的日渐成熟，LED被广泛的用于照明、显示器背光模组以及信号指示灯等诸多领域。
出光效率是衡量LED芯片的一个重要参数，常用的LED芯片一般是正装LED芯片，其LED器件的P电极和N电极和发光区设置在同一侧，发光区射出的光部分被电极和电极的键合引线吸收或是遮挡，从而降低了LED芯片的光出射效率。如何提高LED芯片的出光效率是LED芯片制备行业一个亟待解决的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种LED芯片及其制作方法及LED显示装置，以提高LED芯片的出光效率。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种LED芯片，该LED芯片包括：
透明衬底；
设置在所述衬底一表面的N型半导体层，所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域；
设置在所述第一区域的负极，所述负极与所述第一区域之间设置有第一反射层；
设置在所述第二区域的多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间；
设置在所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面的正极，所述正极与所述P型半导体层之间设置有第二反射层，所述第二反射层与所述第一反射层绝缘。
优选的，在上述LED芯片中，所述负极背离所述透明衬底的表面与所述正极背离所述透明衬底的表面处于同一平面。
优选的，在上述LED芯片中，还包括：
覆盖在所述正极背离所述透明衬底的表面与所述负极背离所述透明衬底的表面的绝缘层。
优选的，在上述LED芯片中，所述衬底为蓝宝石衬底。
优选的，在上述LED芯片中，所述负极与所述正极为银电极、或镍金合金电极。
优选的，在上述LED芯片中，所述负极与所述第一反射层相对的表面大于所述第一反射层与所述负极相对的表面，所述正极与所述第二反射层相对的表面大于所述第二反射层与所述正极相对的表面。
优选的，在上述LED芯片中，所述第一反射层以及所述第二反射层为二氧化硅层或二氧化钛层。
本发明还提供了一种LED显示装置，该LED显示装置包括：
基板；
固定在所述基板上的多个互联的LED芯片；
其中，所述LED芯片为上述任一种实施方式所述的LED芯片；所述LED芯片的衬底背离所述基板设置。
优选的，在上述LED显示装置中，所述LED芯片相互串联或相互并联。
优选的，在上述LED显示装置中，所述LED芯片之间通过焊线互联。
优选的，在上述LED显示装置中，所述焊线为金线。
本发明还提供了一种LED芯片的制作方法，该制作方法包括：
提供一透明衬底；
在所述透明衬底一表面形成N型半导体层，所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域；
在所述第二区域形成多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述第二区域与所述P型半导体层之间；
形成位于所述第一区域的第一反射层以及位于所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面的第二反射层，所述第一反射层与所述第二反射层绝缘；
形成负极以及正极，其中，所述负极位于所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面，所述正极位于所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面。
优选的，在上述制作方法中，所述多量子阱有源层与P型半导体层的形成过程包括：
形成覆盖所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面的多量子有源层；
形成覆盖所述多量子有源层背离所述N型半导体层的表面的P型半导体层；
刻蚀去除与所述第一区域相对的多量子有源层以及P型半导体层。
优选的，在上述制作方法中，所述第一反射层以及第二反射层的形成过程包括：
形成一反射介质层，所述介质层覆盖所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面与所述第一区域；
对所述介质层进行刻蚀，使得与所述第一区域相对的介质层和与所述第二区域相对的介质层绝缘，进而形成所述第一反射层以及所述第二反射层。
优选的，在上述制作方法中，所述正极与所述负极的形成过程包括：
在所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面贴合设定厚度的负极金属层作为所述负极，在所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面贴合设定厚度的正极金属层作为所述正极；
其中，所述负极背离所述透明衬底的表面与所述正极背离所述透明衬底的表面处于同一平面；所述正极与所述负极绝缘。
优选的，在上述制作方法中，所述正极与所述负极的形成过程包括：
形成金属层，所述金属层覆盖所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面以及所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面；
对所述金属层进行刻蚀，形成与所述第一反射层相对的负极以及与所述第二反射层相对的正极；
其中，所述负极背离所述透明沉底的表面与所述正极背离所述透明沉底的表面处于同一平面；所述正极与所述负极绝缘。
优选的，在上述制作方法中，还包括：
形成覆盖在所述正极背离所述透明衬底的表面与所述负极背离所述透明衬底的表面的绝缘层。
从上述技术方案可以看出，本发明所提供的本发明提供的LED芯片采用倒装的LED结构，设置N型半导体层位于透明衬底与P型半导体层之间，出射光是由P型半导体层指向N型半导体层，经由所述透明衬底出射，将负极以及正极设置在背光面，避免了正极、负极以及正负极的键合引线对光线的遮挡以及吸收，从而提高了出光效率。同时，通过设置所述第一反射层以及第二反射层，进一步提高了由所述透明衬底出射光的出射效率。本发明提供的LED显示装置包括上述LED芯片，因此具有较高的光出射效率。本发明提供的LED芯片的制作方法可以用于制作上述具有高光出射效率的LED芯片。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供一种LED芯片的结构示意图；
图2为本发明实施例提供一种LED显示装置的结构示意图；
图3-图8为本发明实施例提供的一种LED芯片制作方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一
本实施例提供了一种LED芯片，参考图1，所述LED芯片包括：
透明衬底1；
设置在所述衬底1一表面的N型半导体层2，所述N型半导体层2背离所述透明衬底1的表面包括：第一区域以及第二区域；
设置在所述第一区域的负极3，所述负极3与所述第一区域之间设置有第一反射层4；
设置在所述第二区域的多量子阱有源层5与P型半导体层6，所述多量子阱有源层5位于所述N型半导体层2与所述P型半导体层6之间；
设置在所述P型半导体层6背离所述多量子阱有源层5的表面的正极7，所述正极7与所述P型半导体层6之间设置有第二反射层8，所述第二反射层8与所述第一反射层绝缘4。
为了降低LED芯片封装为LED显示装置时，LED芯片与基板之间的接触应力，设置负极3背离所述透明衬底1的表面与所述正极7背离所述透明衬底1的表面处于同一平面。
所述LED芯片还设置有绝缘层9，所述绝缘层9覆盖在所述正极7背离所述透明衬底1的表面与所述负极3背离所述透明衬底1的表面。设置所述绝缘层9，在对所述LED芯片进行封装形成LED显示装置时，可以将所述LED芯片直接固定在金属基板上，一方面，以增加散热，另一方面，LED芯片之间可以通过焊线互联，可以使用现有的固晶焊线设备进行LED芯片之间的互联，不改变封装工艺。且固晶焊线设备工艺成熟，能够保证LED芯片封装的良率较高。
在本实施例所述LED芯片中，采用蓝宝石衬底，蓝宝石材料具有较高的透光性以及导热系数，能够保证LED器件具有较高的出光效率以及较好的散热效率；采用导电性能较好的银电极、或镍金合金电极制备所述正极与负极，以提高出光效率。
为了降低焊线焊接时的焊接电阻以提高光的产生率，设置所述负极3与所述第一反射层4相对的表面大于所述第一反射层4与所述负极3相对的表面，所述正极7与所述第二反射层8相对的表面大于所述第二反射层8与所述正极7相对的表面。其中，所述第一反射层4以及第二反射层8可以为二氧化硅层或二氧化钛层。
本实施例所述LED芯片采用倒装的LED结构，设置N型半导体层位于透明衬底与P型半导体层之间，出射光是由P型半导体层指向N型半导体层，经由所述透明衬底出射，将负极以及正极设置在背光面，避免了正极、负极以及正负极的键合引线对光线的遮挡以及吸收，从而提高了出光效率。
同时，通过设置所述第一反射层以及第二反射层，使得向下出射的光线经过所述第一反射层以及所述第二反射层的反射可以经过所述透明衬底向上出射，进一步提高了由所述透明衬底出射光的出射效率。
实施例二
基于上述实施例，本实施例提供了一种LED显示装置，所述LED显示装置包括基板以及设置在所述基板上的多个互联的LED芯片，所述LED芯片的衬底背离所述基板设置。所述LED芯片可以为实施例一中任一种实施方式所述的LED芯片。
所述LED芯片可以相互串联或相互并联。可以通过焊接的方式，采用焊线实现LED芯片之间的串联或是并联。
参考图2，图2所示LED显示装置包括：基板B以及固定在所述基板B上的多个如图1中所示LED芯片A。
所述LED芯片A与所述基板B相对的表面设置有绝缘层，因此，可以采用金属基板作为所述基板B；且LED芯片A之间可以通过焊线C串联，可采用电阻较小的金线作为所述焊线，以减小焊接电阻。可以在焊接完成后在所述基板B表面涂覆封装胶，对所述LED芯片A进行封装保护。
本实施例所述LED显示装置采用实施例一所述的LED芯片，因此，所述LED显示装置具有较高的光出射效率。
实施例三
本实施例提供一种LED芯片的制作方法，该制作方法包括：
步骤S11：参考图3，提供一透明衬底1。
所述衬底1可以为具有高透光率以及导热系数的蓝宝石衬底。
步骤S12：参考图4，在所述透明衬底1的一表面形成N型半导体层2，所述N型半导体层2背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域。
可以通过沉积工艺形成所述N型半导体层。
步骤S13：参考图5，在所述第二区域形成多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述第二区域与所述P型半导体层之间。
所述多量子阱有源层与P型半导体层的形成过程包括：首先，如图6所示，形成覆盖所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面的多量子有源层；然后，形成覆盖所述多量子有源层背离所述N型半导体层的表面的P型半导体层；最后，刻蚀去除与所述第一区域相对的多量子有源层以及P型半导体层，形成如图5所示的结构。
步骤S14：参考图7，形成位于所述第一区域的第一反射层4以及位于所述P型半导体层6背离所述多量子阱有源层5的表面的第二反射层8，所述第一反射层4与所述第二反射层8绝缘。
所述第一反射层4以及第二反射层8的形成过程包括：首先，形成一反射介质层，所述介质层覆盖所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面与所述第一区域；对所述介质层进行刻蚀，使得与所述第一区域相对的介质层和与所述第二区域相对的介质层绝缘，进而形成所述第一反射层4以及所述第二反射层8。所述反射介质层可以为二氧化硅层或是二氧化钛层。
步骤S15：参考图8，形成负3以及正极7，其中，所述负极3位于所述第一反射层4背离所述N型半导体层2的表面，所述正极7位于所述第二反射层8背离所述P型半导体层6的表面。
所述负极3与所述正极7绝缘。为了减小以及平衡LED芯片封装时的接触应力，所述负极3背离所述透明衬底1的表面以及正极7背离所述透明衬底1的表面处于同一平面。
为了减小电极之间的焊接电阻，设置所述负极3与所述第一反射层4相对的表面大于所述第一反射层4与所述负极3相对的表面，所述正极7与所述第二反射层8相对的表面大于所述第二反射层8与所述正极7相对的表面。
所述正极与所述负极的形成过程可以为：在所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面贴合设定厚度的负极金属层作为所述负极，在所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面贴合设定厚度的正极金属层作为所述正极。
可通过控制所述正极金属层与所述正极金属层的厚度使得二者背离所述透明衬底的表面处于同一平面。
所述正极与所述负极的形成过程还可以为：形成金属层，所述金属层覆盖所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面以及所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面；对所述金属层进行刻蚀，形成与所述第一反射层相对的负极以及与所述第二反射层相对的正极。
可以通过沉积工艺形成所述金属层，并可以通过控制第一区域与第二区域金属层的沉积厚度使得所述正极与负极二者背离所述透明衬底的表面处于同一平面。可以采用设定的模具以制备面积大于第一反射层的负极以及面积大于第二反射层的正极。
为了使得所述LED芯片能够适用于金属基板封装，且采用焊接方式实现LED芯片之间的互联，所述制作方法还包括：形成覆盖在所述正极背离所述透明衬底的表面与所述负极背离所述透明衬底的表面的绝缘层。最终形成的LED芯片如图1所示。
本实施例所述制作方法可以制备具有较高光出射效率的LED芯片。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (17)
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
透明衬底；
设置在所述衬底一表面的N型半导体层，所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域；
设置在所述第一区域的负极，所述负极与所述第一区域之间设置有第一反射层；
设置在所述第二区域的多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述N型半导体层与所述P型半导体层之间；
设置在所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面的正极，所述正极与所述P型半导体层之间设置有第二反射层，所述第二反射层与所述第一反射层绝缘。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述负极背离所述透明衬底的表面与所述正极背离所述透明衬底的表面处于同一平面。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
覆盖在所述正极背离所述透明衬底的表面与所述负极背离所述透明衬底的表面的绝缘层。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述负极与所述正极为银电极、或镍金合金电极。
6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述负极与所述第一反射层相对的表面大于所述第一反射层与所述负极相对的表面，所述正极与所述第二反射层相对的表面大于所述第二反射层与所述正极相对的表面。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一反射层以及所述第二反射层为二氧化硅层或二氧化钛层。
8.一种LED显示装置，其特征在于，包括：
基板；
固定在所述基板上的多个互联的LED芯片；
其中，所述LED芯片为权利要求1-7任一项所述的LED芯片；所述LED芯片的衬底背离所述基板设置。
9.根据权利要求8所述的LED显示装置，其特征在于，所述LED芯片相互串联或相互并联。
10.根据权利要求8所述的LED显示装置，其特征在于，所述LED芯片之间通过焊线互联。
11.根据权利要求8所述的LED显示装置，其特征在于，所述焊线为金线。
12.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
提供一透明衬底；
在所述透明衬底一表面形成N型半导体层，所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面包括：第一区域以及第二区域；
在所述第二区域形成多量子阱有源层与P型半导体层，所述多量子阱有源层位于所述第二区域与所述P型半导体层之间；
形成位于所述第一区域的第一反射层以及位于所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面的第二反射层，所述第一反射层与所述第二反射层绝缘；
形成负极以及正极，其中，所述负极位于所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面，所述正极位于所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面。
13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述多量子阱有源层与P型半导体层的形成过程包括：
形成覆盖所述N型半导体层背离所述透明衬底的表面的多量子有源层；
形成覆盖所述多量子有源层背离所述N型半导体层的表面的P型半导体层；
刻蚀去除与所述第一区域相对的多量子有源层以及P型半导体层。
14.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第一反射层以及第二反射层的形成过程包括：
形成一反射介质层，所述介质层覆盖所述P型半导体层背离所述多量子阱有源层的表面与所述第一区域；
对所述介质层进行刻蚀，使得与所述第一区域相对的介质层和与所述第二区域相对的介质层绝缘，进而形成所述第一反射层以及所述第二反射层。
15.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述正极与所述负极的形成过程包括：
在所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面贴合设定厚度的负极金属层作为所述负极，在所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面贴合设定厚度的正极金属层作为所述正极；
其中，所述负极背离所述透明衬底的表面与所述正极背离所述透明衬底的表面处于同一平面；所述正极与所述负极绝缘。
16.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述正极与所述负极的形成过程包括：
形成金属层，所述金属层覆盖所述第一反射层背离所述N型半导体层的表面以及所述第二反射层背离所述P型半导体层的表面；
对所述金属层进行刻蚀，形成与所述第一反射层相对的负极以及与所述第二反射层相对的正极；
其中，所述负极背离所述透明沉底的表面与所述正极背离所述透明沉底的表面处于同一平面；所述正极与所述负极绝缘。
17.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖在所述正极背离所述透明衬底的表面与所述负极背离所述透明衬底的表面的绝缘层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410131570.4A CN104979441B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410131570.4A CN104979441B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104979441A true CN104979441A (zh) | 2015-10-14 |
| CN104979441B CN104979441B (zh) | 2018-03-20 |
Family
ID=54275763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410131570.4A Expired - Fee Related CN104979441B (zh) | 2014-04-02 | 2014-04-02 | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104979441B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105425469A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及其制作方法、显示装置 |
| CN110178230A (zh) * | 2019-02-03 | 2019-08-27 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光装置 |
| TWI784361B (zh) * | 2019-12-02 | 2022-11-21 | 億光電子工業股份有限公司 | Led發光裝置及其製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080829B2 (en) * | 2009-01-12 | 2011-12-20 | Ubilux Optoelectronics Corporation | Light-emitting diode device including a multi-functional layer |
| CN102447016A (zh) * | 2010-10-09 | 2012-05-09 | 佛山市奇明光电有限公司 | 发光二极管结构及其制作方法 |
| CN102723415A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-10 | 钟伟荣 | 一种倒装型高压交/直流发光二极管及其制作方法 |
| CN103390711A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-13 | 江苏中谷光电股份有限公司 | 一种具有电极反射层的 led 芯片及其制作方法 |
-
2014
- 2014-04-02 CN CN201410131570.4A patent/CN104979441B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8080829B2 (en) * | 2009-01-12 | 2011-12-20 | Ubilux Optoelectronics Corporation | Light-emitting diode device including a multi-functional layer |
| CN102447016A (zh) * | 2010-10-09 | 2012-05-09 | 佛山市奇明光电有限公司 | 发光二极管结构及其制作方法 |
| CN102723415A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-10-10 | 钟伟荣 | 一种倒装型高压交/直流发光二极管及其制作方法 |
| CN103390711A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-13 | 江苏中谷光电股份有限公司 | 一种具有电极反射层的 led 芯片及其制作方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105425469A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-03-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及其制作方法、显示装置 |
| WO2017117933A1 (en) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Backlight module, fabrication method, and display apparatus |
| CN105425469B (zh) * | 2016-01-04 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种背光模组及其制作方法、显示装置 |
| CN110178230A (zh) * | 2019-02-03 | 2019-08-27 | 泉州三安半导体科技有限公司 | 发光装置 |
| TWI784361B (zh) * | 2019-12-02 | 2022-11-21 | 億光電子工業股份有限公司 | Led發光裝置及其製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104979441B (zh) | 2018-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10062812B2 (en) | Substrate for can package-type optical device and optical device using same | |
| CN102185091B (zh) | 一种发光二极管器件及其制造方法 | |
| CN102185090B (zh) | 一种采用cob封装的发光器件及其制造方法 | |
| US8900895B2 (en) | Method for manufacturing LED package | |
| US8455274B2 (en) | Method for manufacturing light emitting diode | |
| US20110181182A1 (en) | Top view light emitting device package and fabrication method thereof | |
| CN103236490A (zh) | Led倒装芯片封装器件、其制造方法及使用其的封装结构 | |
| US20120175646A1 (en) | Light emitting diode module | |
| CN104037296A (zh) | 发光元件及其制作方法 | |
| CN102522400B (zh) | 一种防静电损伤的垂直发光器件及其制造方法 | |
| CN104979441A (zh) | 一种led芯片及其制作方法及led显示装置 | |
| US8716734B2 (en) | Light emitting diode package having a portion of reflection cup material covering electrode layer on side surfaces of substrate | |
| CN105489722B (zh) | 发光二极管封装结构、发光二极管晶粒及其制造方法 | |
| CN203746908U (zh) | 一种圆片级led芯片封装结构 | |
| CN203445154U (zh) | Led倒装芯片封装器件及使用其的封装结构 | |
| CN202205814U (zh) | 一种发光二极管器件 | |
| CN104733602A (zh) | 发光二极管之封装结构 | |
| KR20150042954A (ko) | 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN103594591B (zh) | 具有透明电极的倒装发光二极管的制造方法 | |
| KR102552655B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 모듈 | |
| CN202058786U (zh) | 一种采用cob封装的发光器件 | |
| CN201904337U (zh) | 一种具有集成电路的发光器件 | |
| KR101109754B1 (ko) | 발광 다이오드 패키지의 제조방법 | |
| US8643022B2 (en) | Light emitting diodes and method for manufacturing the same | |
| CN203026553U (zh) | 水平结构的led芯片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180320 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |