CN104979154A - 判定方法、控制方法、判定装置、图案形成***和程序 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够可靠并且迅速的判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、和图案形成***。判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，包括：预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和当所述第二偏差比所述第一偏差大时，判定为所述处理容器内的部件的更换时期的工序。

Description

判定方法、控制方法、判定装置、图案形成***和程序
本案是申请号为201210086331.2、申请日为2012年3月28日的同名专利申请的分案申请
技术领域
本发明涉及对聚焦环的更换时期进行判定的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成***和程序。
背景技术
在对基板上的膜进行蚀刻的等离子体处理装置中，为了提高形成在基板上的图案的面内均一性(蚀刻的均一性)，设置包围基板的聚焦环(例如，专利文献1、2)。聚焦环伴随着使用经过的时间，由于等离子体被蚀刻消耗，因此，形成在基板上的图案的面内均一性降低。因此，聚焦环对应着其使用时间需要定期更换。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-78208号公报
专利文献2：日本特开2003-229408号公报
发明内容
但是，聚焦环不是通过监视聚焦环的消耗度而进行更换的。因此，聚焦环存在如下情况，即：在能够使用的状态下被更换，和尽管过度消耗但没有被更换。
本发明是鉴于上述问题提出的。其目的在于提供一种准确并且迅速判定聚焦环的更换时期的判定方法、控制方法、判定装置、图案形成***和程序。
本发明的判定方法，其在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，该判定方法的特征在于，包括：对所述图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；根据所测定的所述图案的形状或尺寸，对所述聚焦环的更换时期进行判定的判定工序。
本发明的判定方法，对基板上的膜蚀刻而形成的图案的形状或尺寸进行测定。接着，基于测定的基板上的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用于提高图案的面内均一性。
本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
本发明的判定方法，测定图案的多个位置中的形状或尺寸。接着，在与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大的情况下，判定为聚焦环的更换时期。
本发明的判定方法的特征在于，与所述图案的形状相关的数据包括该图案的侧壁角度，与所述图案的尺寸相关的数据包括该图案中的线宽或线高。
本发明的判定方法，与图案的形状相关的数据包括图案的侧壁角度。此外，与图案的尺寸相关的数据包括图案中的线宽或线高。
本发明的判定方法的特征在于，所述聚焦环为在多种蚀刻处理中使用的部件。
本发明的判定方法，聚焦环在多种蚀刻处理中使用。
本发明的判定方法的特征在于，所述测定工序通过散射测量法测定所述图案的形状或尺寸。
本发明的控制方法的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板的周围的聚焦环的温度进行控制，用以提高该图案的面内均一性，包括：设定所述聚焦环的温度的设定工序；测定所述图案的形状或尺寸的测定工序；基于所测定的所述图案的形状或尺寸，对在所述设定工序设定的聚焦环的温度进行反馈控制的控制工序。
本发明的控制方法，对配置在基板的周围的聚焦环的温度进行设定，用以提高对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的面内均一性。接着，测定图案的形状或尺寸。基于所测定的图案的形状或尺寸，对设定的聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的控制方法的特征在于，所述测定工序测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述控制工序，当与所述图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的控制方法，测定图案的多个位置的形状或尺寸。接着，当与图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏移比规定的阈值大时，对聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的判定装置的特征在于，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对配置在该基板周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高该图案的面内均一性，包括：测定所述图案的形状或尺寸的测定单元；基于该测定单元所测定的所述图案的形状或尺寸，判定所述聚焦环的更换时期的判定单元。
本发明的判定装置，测定对基板上的膜进行蚀刻形成的图案的形状或尺寸。基于测定的图案的形状或尺寸，对配置在基板的周围的聚焦环的更换时期进行判定，用以提高图案的面内均一性。
本发明的判定装置的特征在于，所述测定单元测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述判定单元，当所述测定单元所测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
本发明的图案形成***的特征在于，包括图案形成装置和测定装置，所述图案形成装置具有：对基板上的膜进行蚀刻形成图案的形成单元；用以提高该形成单元形成的图案的面内均一性而配置在所述基板的周围的聚焦环；和控制该聚焦环的温度的控制单元，所述测定装置具有：测定所述图案的形状或尺寸的测定单元；将基于该测定单元所测定的图案的形状或尺寸的信息传递给所述图案形成装置的授予单元，所述图案形成装置具有接受所述授予单元授予的所述信息的接受单元，所述控制单元，基于所述接受单元所接受的所述信息，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成***，包括对基板上的膜进行蚀刻形成图案的图案形成装置，和测定图案的形状或尺寸的测定装置。图案形成装置具有为了提高图案的面内均一性而配置在基板的周围的聚焦环和控制聚焦环的温度的控制单元。测定装置，将基于测定的图案的形状或尺寸的信息授予图案形成装置。图案形成装置，接受基于从测定装置授予的图案的形状或尺寸的信息。图案形成装置的控制单元，基于接受的图案的形状或尺寸的信息，对聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成***的特征在于，所述测定单元测定所述图案的多个位置的形状或尺寸，所述授予单元，当所述测定单元测定的图案的形状或尺寸相关的数据的偏差大于规定的阈值时，将该偏差相关的信息传递给所述图案形成装置，所述接受单元接受所述偏差相关的信息，所述控制单元基于所述接受单元所接受的所述偏差相关的信息，对所述聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成***，测定装置测定图案的多个位置的形状或尺寸。测定装置，当测定的图案的多个位置的形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，将该数据的偏差相关的信息传递给图案形成装置。图案形成装置，从测定装置接受该数据的偏差相关的信息。图案形成装置，基于接受的该数据的偏差相关的信息，对聚焦环的温度进行反馈控制。
本发明的图案形成***的特征在于，所述图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。
本发明的图案形成***，图案形成装置为进行多种蚀刻处理的等离子体处理装置。
本发明的程序的特征在于，在计算机上执行判定在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时为了提高该图案的面内均一性而在该基板周围配置的聚焦环的更换时期的处理的程序中，在计算机上执行如下处理：从存储了所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸，计算出该读取的所述形状或尺寸相关的数据的偏差，在计算出的所述形状或尺寸相关的数据的偏差大于规定的阈值的情况下，判定为所述聚焦环的更换时期。
本发明的程序，使判定在对基板上的膜进行蚀刻来形成图案时，用于提高该图案的面内均一性而配置于该基板周围的聚焦环的更换时期的处理在计算机上执行，所述处理如下所述：从存储有所述图案的多个位置的形状或尺寸的存储部读取所述形状或尺寸，计算出所读取的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差，当计算出的与所述形状或尺寸相关的数据的偏差比规定的阈值大时，判定为所述聚焦环的更换时期。
发明效果
根据本发明的判定方法等，能够可靠并且迅速地判定聚焦环的更换时期。
附图说明
图1为表示分光式椭圆偏振光谱仪的结构例的框图。
图2为表示晶片面内的测定位置的布局的说明图。
图3为表示模型的计算中使用的一部分参数的说明图。
图4为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。
图5为表示有关图案的SWA的测定结果的一例的说明图。
图6为表示有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。
图7为表示通知聚焦环的更换的处理顺序的流程图。
图8为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。
图9为表示基板处理***的结构例的说明图。
图10为表示计算机的结构例的框图。
图11为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。
图12为表示有关图案的SWA的测定结果的一例的说明图。
图13为表示有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。
图14为表示控制聚焦环的温度的处理的顺序的流程图。
具体实施方式
针对本发明的实施方式，参照附图进行说明。
本发明的判定装置(测定装置)，针对等离子体处理装置对晶片(基板)上的膜进行蚀刻而形成的图案(蚀刻图案)的面内均一性进行测定。这里所说的图案的面内均一性，是指例如有关图案的尺寸(CD：Critical Dimension)或形状的面内均一性。判定装置，在测定的图案的面内均一性超过规定的阈值的情况下，判定等离子体处理装置具有的聚焦环的更换时期。
判定装置，通过散射测量(scatterometory)法测定图案的尺寸或形状。作为光波散射测量法的散射测量法，例如有分光椭圆偏振光谱法(Ellipsometry，Spectroscopic Ellipsometry)、反射率测定法(Reflectometry，Spectroscopic Reflectometry)、偏振反射率测定法(Polarized Spectroscopic Reflectometry)等。以下，作为散射测量法的一例，说明利用分光椭圆偏振光谱法的判定装置。
此外，本发明，不限于以下的实施方式。
实施方式1
分光椭圆偏振光谱仪(判定装置、测定装置)，设置于等离子体处理装置内部或等离子体处理装置外部。实施方式1中，说明了在等离子体处理装置的外部设置分光椭圆偏振光谱仪的例子。分光椭圆偏振光谱仪存在旋转检偏器(rotating analyzer)型、旋转补偿器型、相位调制器(phase modulator)型，利用任一种类型的分光椭圆偏振光谱仪均可。以下，以相位调制器型为例进行说明。
图1为表示分光椭圆偏振光谱仪1的结构例的框图。
分光椭圆偏振光谱仪1包括：氙气灯11、光照射器12、工作台13、取光器14、分光器(测定单元)15、数据取入机16、电动机控制机17和计算机18。分光椭圆偏振光谱仪1，对载置于工作台13上的晶片W上的图案的尺寸和形状进行测定。图案，以光致抗蚀剂作为掩膜，对在晶片W上形成的膜进行蚀刻而形成。
也可以在晶片W的正上方，叠层氧化硅膜(SiO2)等。并且，还可以在该氧化硅膜的上侧叠层非晶硅膜、多晶硅膜或氮化硅(Si3N4)膜等。
分光椭圆偏振光谱仪1，向晶片W上照射偏振的光，并且取得在晶片W反射的光，测定反射光的偏振状态，基于测定结果和对应于晶片W上的图案的模式，分析晶片W上的图案的尺寸和形状。其中，晶片W以外，也可以使用化合物半导体基板、单层或多层的取向附生膜(epitaxial film)、绝缘体膜、蓝宝石基板(sapphire substrate)或玻璃基板等作为基板。
分光椭圆偏振光谱仪1被概略地分为：包括具备一对光照射器12和取光器14的测定器的测定分析***的部分，和驱动***的部分。
分光椭圆偏振光谱仪1，作为测定分析***的部分，通过第一光导纤维电缆1a连接氙气灯11和光照射器12。分光椭圆偏振光谱仪1，向载置于工作台13上的晶片W照射偏振状态的光，并且，利用取光器14取得在晶片W反射的光。取光器14，经由第二光导纤维电缆1b与分光器15连接。分光器15，对每个波长进行测定，将测定结果作为模拟信号传送到数据取入机16。数据取入机16，将模拟信号变换为所要值，传递到计算机18。计算机18进行图案的分析。
其中，分光椭圆偏振光谱仪1的光照射器12和取光器14，以相对于晶片W的光的入射角度φ和反射角度φ成为规定的相同角度的方式固定。但是，光照射器12和取光器14，也可以维持对晶片W的光的入射角度φ和反射角度φ为相同角度的状态，并以变化入射角度φ和反射角度φ的方式进行移动。
分光椭圆偏振光谱仪1，作为驱动体系部分，在工作台13和分光器15上分别设置第一电动机M1～第三电动机M3。分光椭圆偏振光谱仪1，以与计算机18连接的电动机控制机17对第一电动机M1～第三电动机M3的驱动进行控制，对应于测定的适宜位置、姿势改变工作台13和分光器15。电动机控制机17，基于从计算机18输出的指示，进行对第一电动机M1～第三电动机M3的驱动控制。
氙气灯11为光源，产生包括多个波长成分的白色光，产生的白色光经由第一光导纤维电缆1a送到光照射器12。光照射器12，在内部具有偏光器(polarizer)12a，利用偏光器12a将白色光偏光，将偏光状态的光照射到晶片W。
工作台13，在移动轨道部(未图示)以能够滑动的方式配置，通过第一电动机M1和第二电动机M2的驱动，能够分别向图1中的x轴方向、y轴方向(与图1的纸面正交的方向)移动。通过工作台13的移动，光入射到工作台13上的晶片W上的位置适宜改变，进行晶片W的面分析。载置晶片W的工作台13的面，为了防止光的反射而被着色为黑色。
在本实施方式中，举出工作台13在x轴方向和y轴方向移动的例子进行说明，但不限于此。例如，也可以固定工作台13，移动光照射器12和取光器14，在x轴方向和y轴方向移动照射位置。其他，也可以在x轴方向和y轴方向移动工作台13、光照射器12和取光器14。
取光器14，取得在晶片W反射的光，测定取得的光的偏振状态。取光器14，内置有PEM(Photo Elastic Modulator：光弹性调制器)14a和检偏器14b。在晶片W反射的光，经由PEM14a导入检偏器14b。内置于取光器14的PEM14a，以所要的频率(例如50kHz)对取得的光进行相位调制，由此，从直线偏光得到椭圆偏光。此外，检偏器14b，从利用PEM14a进行了相位调制的各种偏光中选择性地取得偏光进行测定。
分光器15，内置反射镜、衍射光栅(diffraction grating)、光电增幅器(PMT：光电增幅管)和控制单元等，从取光器14通过第二光导纤维电缆1b输送的光在反射镜反射，导入衍射光栅。衍射光栅通过第三电动机M3改变角度，改变出射的光的波长。进入分光器15的内部的光在PMT被增幅，即使光量少的情况下，也使得测定的信号(光)稳定化。此外，控制单元，对应于测定的波长产生模拟信号，输送到数据取入机16进行处理。
数据取入机16，基于来自分光器15的信号，计算出每个波长的表示反射光的偏振状态(p偏光、s偏光)的振幅比ψ和相位差Δ，将计算结果输入计算机18。振幅比ψ和相位差Δ，相对于p偏光的振幅反射系数Rp和s偏光的振幅反射系数Rs，存在以下的数学式(1)的关系。
Rp/Rs＝tanψ·exp(i·Δ)   (1)
其中，i为虚数单位(以下同样)。此外，Rp/Rs为偏光变化量ρ。
计算机18，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)(判定单元)181、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)182、输入部183、显示部184、存储部185、磁盘驱动器186和通信部(授予单元)187。CPU181经由总线与计算机18的硬件各部连接。CPU181控制硬件各部，并且，依照存储于存储部185的各种程序，执行各种软件处理。
RAM182，为半导体元件等，依照CPU181的指示，进行必要的信息的写入和读出。输入部183，为键盘和鼠标，或者触摸屏等的输入设备。显示部184为例如液晶显示器或有机EL(Electro Luminescence：电致发光)设备等。
存储部185，例如为硬盘或大容量存储器，预先存储分析用的程序和工作台13的移动控制用的程序等的各种程序。
存储部185，还存储其他、程序库1L、阈值和程序1P。程序库1L，为存储基于图案的尺寸和形状等的参数预先算出的各种波长中的振幅比ψ和相位差Δ的文档。计算机18，拟合在数据取入机16得到的偏振状态的振幅比ψ和相位差Δ与在程序库1L存储的模型的振幅比ψ和相位差Δ，对应于模型的振幅比ψ和相位差Δ，确定图案的尺寸和形状。
阈值，为用于判定聚焦环更换的数值。程序1P，在测定的有关图案的尺寸和形状的数值的偏差比阈值大的情况下，在显示部184显示有关聚焦环更换的通知。阈值，与对作为成果物的设备要求的精度有关，随着设备的种类、世代等改变。
磁盘驱动器186，从作为外部存储介质的CD(Compact Disc:光盘)、DVD(Digital Versatile Disc:数字式激光视盘)、BD(Blu-ray Disc:蓝光盘、注册商标)等的光盘1d读取信息，将信息存入光盘1d。
通信部187，为与外部的计算机通信的接口。通信部187，也可以与LAN(Local Area Network：局域网)、网络、电话线等连接。
接着，说明分光椭圆偏振光谱仪1的动作。
通过等离子体装置蚀刻的晶片W载置在分光椭圆偏振光谱仪1的工作台13。晶片W的直径，例如为300mm。构成图案的膜，例如为有机膜。有机膜，可以为多层，一部分的层例如可以包括Si。
氙气灯11放射白色光。光照射器12，将氙气灯11照射的白色光变换为直线偏光，变换的直线偏光照射晶片W。取光器14，取得在晶片W反射的光，测定取得的光的偏振状态。分光器15，生成对应于取光器14测定的波长的模拟信号，送入数据取入机16。数据取入机16，基于来自分光器15的信号，计算每个波长的p偏光、s偏光的振幅比ψ和相位差Δ，将计算的结果送入计算机18。计算机18，将测定值存储在存储部185。
测定的波长的范围，例如为250nm～750nm。
图2表示晶片W的面内的测定位置的布局的说明图。晶片W的表面划分为大约100个正方形区域，1个正方形区域的大致中央为1个测定位置。
在某正方形区域的测定结束的情况下，分光椭圆偏振光谱仪1通过电动机控制机17的控制，在x轴方向或y轴方向移动工作台13，将直线偏光照射的测定位置改变为相邻的正方形区域。如图2中的箭头，测定位置被改变为例如x轴方向。测定位置达到晶片W的边缘或晶片W的外部的情况下，工作台13在y轴方向仅移动一个正方形的量，之后，测定位置再次从晶片W的一端向另一端，在x方向以1个正方形单位改变。
作为测定位置的正方形区域的大致中央部被改变为晶片W的外部(图2的×)的情况下，不进行测定。此外，测定位置为晶片W的边缘附近的情况下(例如，从晶片W的边缘向中心方向的1～2mm的区域)，不进行测定或不采用该测定值。
在晶片W上全部的测定结束，测定数据存储在计算机18的存储部185的情况下，进行CPU181测定的振幅比ψ和相位差Δ与程序库1L存储的振幅比ψ和相位差Δ的拟合。程序库1L存储的振幅比ψ和相位差Δ对应的图案的尺寸和形状，在全部测定位置进行确定，存储在存储部185。
图3为表示模型的计算中使用的参数的一部分的说明图。图3表示晶片W和图案的截面。图案模型的计算中使用的参数，为TCD(TopCD)、BCD(Bottom CD)、Height(高度)、复折射率(complex refractiveindex)N、膜厚d。其中，复折射率N，使用预先测定的值。预先测定复折射率N的方法，可以为分光椭圆偏振光谱仪1，也可以为分光椭圆偏振光谱仪1以外的装置。
TCD和BCD为构成图案的线宽。TCD为线的上边尺寸，BCD为线的底边尺寸。其中，MCD为TCD与BCD的平均。Height为通过蚀刻形成的线的高度或构成图案的槽的深度。
从TCD、BCD和Height计算作为线的侧壁角的SWA(side wallangle)。在SWA的值为θ的情况下，θ为下述数学式(2)表示。
tan θ = Height 1 2 × ( BCD - TCD ) - - - ( 2 )
膜厚d，为晶片W上的膜的厚度。图3的例子中，膜厚d与Height相同。但是，在晶片W形成多层膜，蚀刻不达到晶片W的表面的情况下，膜厚d为比Height大的值。
程序库1L中，模型的振幅比ψ和相位差Δ与构筑模型的基本的TCD、BCD和Height对应存储。MCD或SWA，可以从测定所决定的TCD、BCD和Height计算，也可以预先计算存储在程序库1L中。以下，程序库1L中，模型的振幅比ψ和相位差Δ和TCD、BCD和Height以及预先算出的MCD或SWA为对应存储。
CPU181，检索测定的振幅比ψ和相位差Δ与程序库1L中存储的振幅比ψ和相位差Δ的误差函数值最小的模型。CPU181，取得误差函数的值最小的模型对应的TCD、BCD、Height、MCD和SWA。CPU181，将取得的TCD、BCD、Height、MCD和SWA存储在存储部185。
测定的图案的形状可以包括底卷边、顶圆弧。此外，测定的图案的尺寸和形状，不限于上述，也可以为膜、孔、突起、槽等的尺寸和形状。例如，孔的情况下的尺寸和形状，为孔径、孔深度、孔间距、孔的内壁的倾斜角度、空的内壁的曲率等。例如，槽的情况下的尺寸和形状为槽宽、槽深度、侧壁角度、槽间距、槽的侧壁的曲率等。为了测定这些尺寸和形状，做成具有膜、孔、突起、槽等的结构的模型，预先存储于程序库1L。
接着，对使用时间不同的2个聚焦环的被蚀刻的图案，说明测定结果的一例。
图4为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。图4A为使用表示使用时间不足10小时的聚焦环蚀刻的图案的线宽相关的测定结果。图4B为表示使用使用时间为550小时的聚焦环蚀刻的图案的有关线宽的测定结果。聚焦环的高度，图4A的情况为4.0mm，图4B的情况为3.1mm。
图4A和图4B的纵轴，为位移CD，单位为nm。在此的位移CD，为蚀刻后的MCD和蚀刻前的MCD的差值。从蚀刻后的线宽来评价线宽的偏差的情况下，加入了蚀刻前的线宽的影响。在此，图4为了排除蚀刻前的线宽的影响，将蚀刻后的MCD减去蚀刻前的MCD的位移CD作为纵轴。位移CD有利于比较聚焦环的消耗度不同所至的图案的尺寸和形状的不同。
图4A和图4B的横轴表示晶片W上的测定位置，单位为mm。图4A和图4B的横轴的0mm，为晶片W的中心。与晶片W的半径相关，从中心到晶片W的边缘的各位置以数值表示。在此的晶片W的半径为150mm。
比较图4A和图4B的情况下，图案的面内均一性与聚焦环的使用时间相关。聚焦环的使用时间不足10小时的情况下，位移CD与晶片W的位置无关，几乎一定。另一方面，聚焦环的使用时间为550小时的情况下，位移CD从晶片W的中心向边缘变小，在边缘附近位移CD稍微变大。从晶片W的边缘到中心的30mm的区域，确认位移CD存在2nm的差异。
图5为表示图案的SWA相关的测定结果的一例的说明图。图5A和图5B中的聚焦环的条件，分别与图4A和图4B中的聚焦环的条件相同。图5A和图5B的纵轴为SWA，单位为度。图5A和图5B的横轴与图4A和图4B的横轴相同。
比较图5A和图5B的情况下，当聚焦环的使用时间不足10小时时，SWA与晶片W的位置无关，几乎一定。另一方面，聚焦环的使用时间为550小时的情况下，SWA的面内均一性降低。在晶片W的从边缘向中心10mm～30mm的区域内，向着边缘侧SWA变小，向准锥形的方向变化。但是，最外周的边缘部，SWA比内侧大，向着反锥形的方向变化。
图6为表示有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。图6A和图6B中的聚焦环的条件，分别与图4A和图4B中的聚焦环的条件相同。图6A和图6B的纵轴为Height，单位为nm。图6A和图6B的横轴与图4A和图4B的横轴相同。
比较图6A和图6B，聚焦环的使用时间不足10小时时，Height随着晶片W的位置有少许不同，但还不能说面内均一性降低。另一方面，聚焦环的使用时间为550小时的情况下，Height的面内均一性降低。从晶片W的中心向着边缘，Height有变小的倾向。此外，从边缘向着中心30mm的区域，Height的偏差比其他区域大。
从以上测定结果可知，使用时间为550小时的聚焦环进行蚀刻的有关图案的尺寸和形状的测定值，在从晶片W的边缘向着中心到大约50mm的区域中，偏差变大。在此，作为聚焦环的更换条件，可以举出从晶片W的边缘向中心大约50mm的区域中的位移CD的偏差例如比1nm大的情况。
此外，作为聚焦环的更换条件，可以举出从晶片W的边缘向着中心到大约50mm的区域中的SWA的偏差例如比0.15度大的情况。作为聚焦环的更换条件，可以举出从晶片W的边缘向着中心到大约50mm的区域中的Height的偏差例如比6nm大的情况。
判定聚焦环的更换用的图案的测定区域，更优选从晶片W的边缘向中心大约10mm～30mm的区域。
上述偏差，为测定值的最大值和最小值的差，即数据的范围。但是，作为偏差，当然也可以使用方差、标准偏差、均方差、平均偏差等。此外，求出偏差的对象的尺寸，也可以包括TCD或BCD。
CPU181，对于存储部185存储的TCD、BCD、Height、MCD和SWA，计算全测定值的偏差和从晶片W的边缘向着中心到50mm的区域的测定值的偏差，从晶片W的边缘向着中心在50mm～100mm的区域的测定值的偏差等。CPU181将计算出的测定值的偏差存储在存储部185。
CPU181，将计算出的偏差和预先存储在存储部185的阈值进行比较。CPU181，在计算出的偏差大于阈值的情况下，在显示部184显示必须更换聚焦环的主旨的信息。
图7为表示通知聚焦环的更换的处理的顺序的流程图。各测定位置完成测定的TCD、BCD、Height、MCD和SWA，存储在存储部185。
CPU181从存储部185读出TCD、BCD、Height、MCD和SWA(步骤S101)。在步骤S101中，蚀刻前后的TCD、BCD存储在存储部185的情况下，CPU181也可以求出TCD、BCD相关的位移CD。或者，CPU181求出MCD相关的位移CD。
CPU181算出TCD、BCD、Height、MCD和SWA的偏差，存储在存储部185(步骤S102)。在步骤S102中，CPU181算出的偏差，以晶片W的整个区域的测定值为对象也可以，特定区域的测定值为对象也可以。此外，CPU181算出的偏差，以多个特定区域的测定值为对象也可以。
CPU181，判定计算出的偏差是否比阈值大(步骤S103)。CPU181，在判定计算出的偏差不比阈值大的情况下(步骤S103:No)，结束处理。在CPU181判定计算出的偏差比阈值大的情况下(步骤S103:Yes(是))，生成有关聚焦环的更换时期的信息(步骤S104)。步骤S104中，CPU181产生的信息，例如为催促聚焦环的更换的信息。此外，步骤S104中，CPU181也可以产生催促聚焦环的更换的声音数据。CPU181在显示部184显示生成的信息(步骤S105)，结束处理。
聚焦环，累积蚀刻时间达到标准时间的情况下，被更换。但是，监测聚焦环的消耗，不更换聚焦环。因此，即使聚焦环还能够使用，也更换聚焦环的情况下，产生成本的浪费。
此外，尽管聚焦环的消耗很大，在没有达到更换的标准时间的情况下不更换聚焦环。这种情况下，无法保证蚀刻处理后的面内均一性，其结果，无法得到作为最终制品的半导体设备谋求的目标特性。很多情况下，等离子体处理装置中设定的蚀刻的方案不是一种，而是多种，聚焦环的消耗速度不是一定。因此，通过标准时间进行聚焦环的更换，均存在界限。
根据分光椭圆偏振光谱仪1，能够在短时间内正确测定作为产品的晶片W上的图案的尺寸和形状。聚焦环的消耗所致的影响作为图案的面内均一性下降而显现，因此，分光椭圆偏振光谱仪1监测图案的面内均一性，而能够正确判定聚焦环的更换时期。
作为面内均一性的参数的一个的线宽使用CD-SEM(ScanningElectron Microscope：扫描电子显微镜)测定。
但是，CD-SEM，从晶片W的法线方向测定线宽，因此，不能测定图案的截面形状。此外，通过CD-SEM的测定精度和测定时间，相对于谋求的图案的品质要求和制造成本而言不充分。再者，通过CD-SEM向图案照射电子束，会损伤图案。
图8为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。图8表示与图4同样的试样，通过CD-SEM测定的位移CD的分布。图8A和图8B中的聚焦环的条件，分别与图4A和图4B中的聚焦环的条件相同。图8A和图8B的纵轴和横轴，分别与图4A和图4B的纵轴和横轴相同。
比较图4A和图4B以及图8A和图8B的情况下，可知分光椭圆偏振光谱仪1比CD-SEM的位移CD的测定精度高。图8中，测定值的偏差比图案的位移CD的偏差大很多，无法得知面内的位移CD的变化。
通过图4和图8可知，分光椭圆偏振光谱仪1判定聚焦环的更换的能力优异。此外，分光椭圆偏振光谱仪1能够无破坏的测定图案的形状。
聚焦环的更换时期的判定，除了有关图案的尺寸或形状的数值的偏差，还可以基于测定后的有关图案的尺寸或形状的数值的值。例如，在晶片W的边缘区域的BCD或SWA比规定的阈值大的情况下，CPU181判定为聚焦环的更换时期。
实施方式2
实施方式2，基于分光椭圆偏振光谱仪1测定的图案的尺寸或形状，对等离子体处理装置所具备的聚焦环的温度进行反馈控制。
图9为表示基板处理***2的结构例的说明图。基板处理***(图案形成***)2，包括基板处理装置和分光椭圆偏振光谱仪1。基板处理装置，例如为等离子体处理装置(图案形成装置)20。等离子体处理装置20，对晶片W上的膜实施蚀刻处理，形成图案。等离子体处理装置20和分光椭圆偏振光谱仪1，经由晶片W能够通过的关闭器(未图示)接合。蚀刻处理后的晶片W通过未图示的搬送机构从等离子体处理装置20搬回分光椭圆偏振光谱仪1。分光椭圆偏振光谱仪1，测定等离子体处理装置20形成的图案的尺寸和形状。
等离子体处理装置20包括处理容器(腔室)21、基座22、支承台23、聚焦环24、静电卡盘25、调温气体供给部26、排气装置27、喷淋头28、处理气体供给部29和计算机30。
处理容器21，为圆筒形，由铝、不锈钢等的金属形成。处理容器21接地。
基座22，为载置晶片W的圆盘状的载置台，配置在处理容器21内部。基座22上连接高频电源22a，基座22作为下部电极起作用。基座22的内部，设置从基座22底面中央延伸到基座22的周边的上面的气体通路22b。
支承台23，为从处理容器21的底面支承基座22的圆筒形部件。
聚焦环24，为具有比晶片W的直径大的内径的环状部件。聚焦环24，配置在基座22的上面的周边部。聚焦环24，为相对于晶片W上的不同位置的图案使蚀刻速率不产生差异的部件，为用于提高图案的面内均一性的部件。聚焦环24的材质，例如为Si、SiC、C(玻璃状碳)、SiO2、Al2O3等。
聚焦环24中埋有温度传感器24a和加热器24b。温度传感器24a将有关聚焦环24的测定温度的信号传送给计算机30。此外，加热器24b接受来自未图示的电源供给的电力，对聚焦环24进行加热。
静电卡盘25，在载置晶片W的基座22上表面和与聚焦环24的底面接触的基座22的上表面设置。静电卡盘25，将晶片W和聚焦环24吸附于基座22。在与聚焦环24接触的静电卡盘25，在从下向上延伸的与气体通路22b重叠的部分设置有开口。
支承台23的内部，设置有贯通处理容器21的底面，达到基座22内部的气体通路22b的气体导入管23a。
调温气体供给部26，蓄积冷却聚焦环24的调温气体。在此的调温气体，例如为He(氦)气体等的导热性气体。调温气体供给部26与气体导入管23a连接。
从调温气体供给部26流出到气体导入管23a的调温气体，经过气体通路22b，被供给至静电卡盘25与聚焦环24的接触边界。之后，调温气体对聚焦环24进行冷却。
排气装置27，与设置在处理容器21底部的排气口21a经由排气管27a连接。排气装置27，具有积蓄式的低温泵、涡轮分子泵等的高真空泵，将处理容器21内部减压到期望的真空度。
喷淋头28，设置在处理容器21的顶棚部，从处理气体供给部29将处理气体导入处理容器21。喷淋头28为接地电位的上部电极。在喷淋头28和基座22之间的空间，处理气体被等离子体化，被等离子体化后的处理气体对晶片W上的膜进行蚀刻。处理气体通常为多种气体混合的气体。
图10为表示计算机30的结构例的框图。计算机，包括CPU(控制单元)31、RAM32、输入部33、显示部34、存储部35、磁盘驱动器36和通信部(授予单元)37。
CPU31经由总线与计算机30的硬件各部连接。CPU31控制硬件各部，同时，依照存储部35内存储的各种程序，执行各种软件处理。
CPU31，控制通过加热器24b的聚焦环24的加热。此外，CPU31，通过控制设置在气体导入管23a的未图示的阀，控制聚焦环24的冷却。
RAM32，为半导体元件等，依照CPU31的指示，进行必要的信息的写入和读出。输入部33，为键盘和鼠标，或者触摸屏等的输入设备。显示部34为例如液晶显示器或有机EL设备等。
存储部35，例如为硬盘或大容量存储器，预先存储方案1R和程序2P。方案1R为规定等离子体处理装置20中实施规定处理时的处理顺序的数据。方案1R中，包括1个或多个处理步骤，每个处理步骤的工序条件预先作为各个参数设定。例如，该参数，包括聚焦环24的温度、工序温度、工序压力、气体流量、处理时间等。
CPU31，通过执行程序2P，控制依照方案1R等离子体处理装置20进行的处理。程序2P包括，基于来自分光椭圆偏振光谱仪1的信号，控制聚焦环24的温度的处理。
磁盘驱动器36，读取来自外部的存储介质CD、DVD、BD等的光盘1d的信息，将信息存入光盘1d。
通信部37，为进行与分光椭圆偏振光谱仪1的计算机18的通信的接口。通信部37，可以与LAN、网络、电话线等连接。
接着，说明基板处理***2的动作。
具有涂敷了光致抗蚀剂的有机膜的晶片W，通过未图示的搬送机构载置于基座22上。晶片W，以接触聚焦环24的方式或不置于其上的方式经由静电卡盘25载置在基座22上。通过静电卡盘25，晶片W和聚焦环24吸附于基座22。
从处理气体供给部29将混合气体的处理气体以规定的流量和流量比导入处理容器21。通过排气装置27将处理容器21内部的压力保持在设定值。此外，通过CPU31，依照方案1R设定聚焦环24的温度。另外，也可以在分光椭圆偏振光谱仪1进行图案的测定前，不控制聚焦环24的温度。
来自高频电源22a的电压施加于基座22的情况下，处理气体解离，成为等离子体。通过该等离子体，晶片W上的有机膜被蚀刻，形成图案。
等离子体处理装置20与分光椭圆偏振光谱仪1之间的关闭器打开。完成蚀刻的晶片W，通过未图示的搬送机构，从等离子体处理装置20搬送到分光椭圆偏振光谱仪1。分光椭圆偏振光谱仪1测定通过等离子体处理装置20形成的图案的尺寸和形状。
计算机18的CPU181，判定有关测定的尺寸或形状的数值的偏差是否比阈值大。
在此的阈值，为进行等离子体处理装置20的聚焦环24的温度控制与否的判定基准的阈值。该阈值，也可以与实施方式1的阈值相同，也可以不同。当该阈值为与实施方式1相同的阈值的情况下，不更换聚焦环24，接受有关温度的反馈控制并继续使用。由此，能够延伸聚焦环24的寿命。例如，该阈值比实施方式1中的阈值小的情况下，不需要更换聚焦环24，为了提高降低的图案的面内均一性，对聚焦环24的温度进行反馈控制。
与上述阈值比较的偏差，可以是晶片W的全部区域的偏差，也可以是特定区域的偏差。例如，也可以将晶片W的周边区域的偏差与阈值相比较。
其中，偏差，可以为数据的范围、方差、标准偏差、均方差、平均偏差等均可。该阈值，预先存储在存储部185中。
CPU181，在计算出的偏差比规定的阈值大的情况下，将表示图案的偏差的信息发送到等离子体处理装置20的计算机30。计算机30的CPU31，从计算机18接受信息的情况下，基于接受的偏差的信息，从方案1R检索新的蚀刻条件。CPU31，在等离子体处理装置20设定检索的新的蚀刻条件。由此，聚焦环24的温度，依照新的蚀刻条件，调整为与到此为止的温度不同的温度或相同的温度。
为了进行上述内容，存储部35的方案1R中，将包括聚焦环24的温度的蚀刻条件和图案的偏差对应并预先存储。例如，使某种偏差与使得该偏差降低的蚀刻条件对应，存储在方案1R中。
CPU181，在显示部184显示图案的偏差，用户可以以手册操作在等离子体处理装置20设定包括聚焦环24的温度的蚀刻条件。
CPU31，对温度传感器24a表示的聚焦环24的温度进行监测，执行加热器24b所致的加热和调温气体所致的冷却，控制聚焦环24的温度。CPU31，依照新的蚀刻条件，调整聚焦环24的温度以外的条件(例如，工序温度、工序压力、气体流量、处理时间等)。
此外，CPU31执行的聚焦环24的温度控制，从蚀刻处理开始直到结束期间，可以保持一定温度，也可以使温度变化。
图11为表示有关图案的线宽的测定结果的一例的说明图。图11A和图11B表示使用使用时间不足10小时的聚焦环24蚀刻的有关图案的线宽的测定结果。聚焦环24的温度，在图11A的情况下为37.2℃，在图11B的情况下，为66.2℃。
图11A和图11B的纵轴，为位移CD，单位为nm。在此的位移CD，与图4A和图4B的位移CD相同。图11A和图11B的横轴，表示晶片W上的测定位置，单位为mm。即，图11A和图11B的横轴，与图4A和图4B的横轴相同。
比较图11A和图11B，位移CD的面内均一性，聚焦环24的温度高的一方稍高。例如，在聚焦环24的温度更低的图11A的情况下，从晶片W的边缘向着中心到10mm的区域中，位移CD的值比其他区域小约2nm。
图12为表示有关图案的SWA的测定结果的一例的说明图。图12A和图12B中的聚焦环的温度条件分别与图11A和图11B中的聚焦环的温度条件相同。图12A和图12B的纵轴，为SWA，单位为度。即图12A和图12B的纵轴和横轴分别与图5A和图5B的纵轴和横轴相同。
比较图12A和图12B的情况下，聚焦环24的温度低的一方有关SWA的面内均一性高。聚焦环24的温度更高的图12B的情况下，从晶片W的边缘向着中心到50mm的区域中，SWA比其他区域小约0.3度。另一方面，聚焦环24的温度更低的图12A的情况下，SWA的面内均一性高，即使从晶片W的边缘向着中心到50mm的区域中，线的侧壁也接近垂直。
图13为表示有关图案的Height的测定结果的一例的说明图。图13A和图13B中的聚焦环的温度条件，分别与图11A和图11B中的聚焦环的温度条件相同。图13A和图13B的纵轴和横轴为Height，单位为nm。即，图13A和图13B的纵轴和横轴与图6A和图6B的横轴相同。
比较图13A和图13B的情况下，几乎没有发现由于聚焦环24的温度不同带来的Height的面内均一性的差别。
从以上测定结果可知，聚焦环24的温度与图案的面内均一性有关。但是，为了提高图案的面内均一性，不能说单纯的使得聚焦环24的温度上升或者下降，有关图案的尺寸或形状的参数不同，温度或者高好或者低好。例如，为了综合提高图11、图12和图13的图案的面内均一性，可以将聚焦环24的温度在37.2℃和66.2℃之间改变。
图11、图12、图13为一实验例。蚀刻条件具有各种各样的多样性。将图案的尺寸和形状的偏差与使得该偏差变小的包括聚焦环24的温度和其他的参数的蚀刻条件对应，存储于方案1R中。
图14为表示控制聚焦环24的温度的处理的顺序的流程图。其中，图案的TCD、BCD、MCD、Height和SWA，存储于存储部185。
分光椭圆偏振光谱仪1的CPU181，从存储部185读出TCD、BCD、MCD、Height和SWA(步骤S201)。CPU181，计算出TCD、BCD、Height、MCD和SWA的偏差，存储于存储部185(步骤S202)。
CPU181，判定计算出的偏差是否大于阈值(步骤S203)。CPU181，在判定计算出的偏差不大于阈值的情况下(步骤S203:No)，结束处理。CPU181，在判定计算出的偏差大于阈值的情况下(步骤S203:YES)，将偏差相关的信息传递给等离子体处理装置20(步骤S204)。
等离子体处理装置20的CPU31，接受有关偏差的信息，基于接受的偏差，检索方案1R(步骤S205)。CPU31，取得匹配的聚焦环24的新的温度(步骤S206)。CPU31，基于取得的新的温度，对聚焦环24的温度进行反馈控制(步骤S207)，结束处理。
根据基板处理***2，基于晶片W上的图案的尺寸或形状相关的数值的偏差，对聚焦环24的温度进行反馈控制。通过对聚焦环24的温度进行反馈控制，能够提高图案的面内均一性，能够进一步延长聚焦环24的寿命。
有关图案的尺寸或形状的数值的偏差，在分光椭圆偏振光谱仪1的计算机18计算。但是，也可以将有关图案的尺寸或形状的数值从分光椭圆偏振光谱仪1传递给等离子体处理装置20，等离子体处理装置20的计算机30计算有关图案的尺寸或形状的数值的偏差。
由计算机18控制分光椭圆偏振光谱仪1，由计算机30控制等离子体处理装置20。但是，也可以由一台计算机控制分光椭圆偏振光谱仪1和处理装置20。这种情况下，1台计算机的存储部存储程序1P、2P，程序库1L、方案1R。
也可以不是基于有关测定的尺寸或形状的数值的偏差而是基于测定的尺寸或形状相关的数值本身，进行对聚焦环24的温度的反馈控制。
例如，晶片W的边缘区域的BCD，与晶片W的中心的BCD相比超过阈值并变化的情况下，也可以对聚焦环24的温度进行反馈控制。或者，晶片W的边缘区域的SWA，与晶片W的中心的SWA相比超过阈值并变化的情况下，也可以对聚焦环24的温度进行反馈控制。
本实施方式，基于有关图案的尺寸或形状的数值的偏差，对聚焦环24的温度进行反馈控制。但是，控制的对象也可以为晶片W。基座22上部埋设多个温度传感器、加热器等，并且调温气体流通的气体通路22b的出口在与晶片W连接的基座22的上面设置多个。在气体通路22b的出口重叠的静电卡盘25的部分设置开口。由此，调温气体供给至静电卡盘25与晶片W的接触边界。CPU31，基于来自温度传感器的测定温度，控制对晶片W的来自加热器的加热和来自调温气体的冷却。此时，CPU11，参照有关图案的尺寸或形状的数值的偏差，控制晶片W的温度。
蚀刻速率与被蚀刻对象物的温度相关，因此，通过控制晶片W的温度分布，能够提高图案的面内均一性。此外，也可以同时控制聚焦环24和晶片W的温度。
使得分光椭圆偏振光谱仪1工作的程序1P，也可以在磁盘驱动器186读取光盘1d并存储在存储部185中。此外，程序1P，也可以从经由通信部187连接的外部的信息处理装置或存储装置(未图示)下载。或者，也可以将存储程序1P的闪存等的半导体存储器1c安装在分光椭圆偏振光谱仪1内。
使得等离子体处理装置20工作的程序2P，也可以在磁盘驱动器36读取光盘1d并存储在存储部35中。此外，程序2P，也可以从通过通信部37连接的外部的信息处理装置或存储装置(未图示)下载。或者，也可以将存储程序2P的闪存等的半导体存储器1c安装在等离子体处理装置20内。
实施方式2如上所述，其他与实施方式1同样，对应的部分付以相同的参考符号，省略详细说明。
符号说明
1 分光椭圆偏振光谱仪(判定装置、测定装置)
12 光照射器
14 取光器
15 分光器(测定单元)
18 计算机
181 CPU(判定单元)
184 显示部
185 存储部
187 通信部(授予单元)
2 基板处理***(图案形成***)
20 等离子体处理装置(图案形成装置)
31 CPU(控制单元)
37 通知部(接受单元)
24 聚焦环
W 晶片
1L 程序库
1R 方案

Claims (22)

1.一种判定处理容器内的部件的更换时期的判定方法，其特征在于，包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
当所述第二偏差比所述第一偏差大时，判定为所述处理容器内的部件的更换时期的工序。
2.如权利要求1所述的判定方法，其特征在于：
所述第一偏差和所述第二偏差为根据所述图案的侧壁角度、线宽和线高中的至少一个算出的偏差。
3.如权利要求1所述的判定方法，其特征在于：
所述第二偏差为在所述基板的整个区域、所述基板的特定区域、或所述基板的多个特定区域算出的偏差。
4.如权利要求1所述的判定方法，其特征在于：
所述处理容器内的部件为聚焦环。
5.一种控制方法，在对基板上的膜进行蚀刻形成图案时，对处理容器内的部件的温度进行控制，其特征在于，包括：
对所述聚焦环的温度进行设定的设定工序；
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
对所述处理容器内的部件的温度进行反馈控制使得所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的工序。
6.如权利要求5所述的控制方法，其特征在于：
当所述第二偏差比所述第一偏差大时，对所述处理容器内的部件的温度进行反馈控制。
7.如权利要求6所述的判定方法，其特征在于：
所述处理容器内的部件为聚焦环。
8.一种基板处理***，其特征在于，包括：
在处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成图案的形成单元；
为提高所述图案的面内均一性而在所述处理容器内配置的所述处理容器内的部件；
对所述处理容器内的部件的温度进行控制的控制单元；
向所述处理容器供给处理气体的处理气体供给部；和
将所述处理容器内减压至规定的真空度的排气单元，
所述控制单元执行：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
对所述处理容器内的部件的温度进行反馈控制使得所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的工序。
9.如权利要求8所述的基板处理***，其特征在于：
所述处理容器内的部件为聚焦环。
10.一种图案形成方法，对处理容器内的部件的温度进行控制，在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成图案，其特征在于，包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
以使所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的方式，向所述处理容器内的部件的温度进行反馈，控制所述处理容器内的部件的温度的工序。
11.如权利要求10所述的图案形成方法，其特征在于：
所述第一偏差和所述第二偏差为根据所述图案的侧壁角度、线宽和线高中的至少一个算出的偏差。
12.如权利要求10所述的图案形成方法，其特征在于：
所述第二偏差为在所述基板的整个区域、所述基板的特定区域、或所述基板的多个特定区域算出的偏差。
13.如权利要求10所述的图案形成方法，其特征在于：
所述处理容器内的部件为聚焦环。
14.一种聚焦环的温度控制方法，在对载置台上被静电吸附的基板上的膜进行蚀刻时对聚焦环的温度进行控制，其特征在于，包括：
在所述载置台对所述聚焦环静电吸附的工序；
对所述聚焦环的温度进行设定的工序；
通过加热器对所述聚焦环进行加热的工序；和
对所述聚焦环的下表面供给He气进行冷却的工序，
以提高对所述基板进行蚀刻时的面内均一性的方式，控制通过所述加热器进行的加热和通过供给He气进行的冷却，控制所述聚焦环的温度。
15.如权利要求14所述的聚焦环的温度控制方法，其特征在于：
所述图案的形成包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
以使所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的方式向所述处理容器内的部件的温度进行反馈，控制所述处理容器内的部件的温度的工序。
16.一种载置台上被静电吸附的基板的蚀刻方法，其特征在于，包括：
在所述载置台对所述基板进行静电吸附的工序；
将在所述基板的周围配置的聚焦环静电吸附在载置台上的工序；
对所述聚焦环的温度进行设定的工序；
通过加热器对所述聚焦环进行加热的工序；
对所述聚焦环的下表面供给He气进行冷却的工序；
在所述基板上生成等离子体的工序；和
通过等离子体对所述基板进行蚀刻的工序，
以提高对所述基板进行蚀刻时的面内均一性的方式，控制通过所述加热器进行的加热和通过供给He气进行的冷却，控制所述聚焦环的温度，对所述基板进行蚀刻。
17.如权利要求16所述的基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述图案的形成包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
以使所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的方式，向所述处理容器内的部件的温度进行反馈，控制所述处理容器内的部件的温度的工序。
18.一种基板处理***，其特征在于，包括：
处理容器；
生成用于在所述处理容器内在基板上进行蚀刻的等离子体的等离子体生成单元；
载置所述基板的载置台；
在所述基板的周围配置的聚焦环；
在所述载置台上配置，对所述基板和聚焦环进行静电吸附的静电卡盘；
对所述聚焦环进行加热的加热器；
为对所述聚焦环进行冷却而供给热传导性气体的温度调节气体供给部；
向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部；
将所述处理容器内减压至规定的真空度的排气单元；和
以提高对所述基板进行蚀刻时的面内均一性的方式，控制通过所述加热器进行的加热和通过供给He气进行的冷却，控制所述聚焦环的温度，对所述基板进行蚀刻的控制部。
19.如权利要求18所述的基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述图案的形成包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
以使所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的方式，向所述处理容器内的部件的温度进行反馈，控制所述处理容器内的部件的温度的工序。
20.一种基板处理***，其特征在于，包括：
处理容器；
生成用于在所述处理容器内在基板上进行蚀刻的等离子体的等离子体生成单元；
载置所述基板的载置台；
在所述基板的周围配置的聚焦环；
在所述载置台上配置，对所述基板和聚焦环进行静电吸附的静电卡盘；
对所述聚焦环进行加热的加热器；
为对所述聚焦环进行冷却而供给热传导性气体的温度调节气体供给部；
向所述处理容器内供给处理气体的气体供给部；
将所述处理容器内减压至规定的真空度的排气单元；和
执行在所述载置台上对所述聚焦环静电吸附的工序、对所述聚焦环的温度进行设定的工序、通过加热器对所述聚焦环进行加热的工序、和对所述聚焦环的下表面供给He气进行冷却的工序，对所述聚焦环的温度进行控制，以提高对基板进行蚀刻时的面内均一性的控制部。
21.如权利要求20所述的基板处理***，其特征在于：
在所述基板上形成膜，通过所述蚀刻形成图案。
22.如权利要求20所述的基板的蚀刻方法，其特征在于：
所述图案的形成包括：
预先根据第一图案的形状或尺寸算出第一偏差的工序；
在所述处理容器内对基板上的膜进行蚀刻形成第二图案的工序；
对所述第二图案的形状或尺寸进行测定的测定工序；
根据所测定的所述第二图案的形状或尺寸算出第二偏差的工序；和
以使所述第二偏差不会变为比所述第一偏差大的方式，向所述处理容器内的部件的温度进行反馈，控制所述处理容器内的部件的温度的工序。
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