CN104966791B - 一种掩膜板及其制造方法、oled器件封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜板及其制造方法、OLED器件封装方法，其特征在于，所述掩膜板包括镂空区以及围绕所述镂空区设置的非镂空区；还包括至少一带状半镂空区，所述半镂空区设置在所述镂空区中，且首尾分别连接所述非镂空区。通过上述方式，本发明能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示领域，特别是涉及一种掩膜板及其制造方法、OLED器件封装方法。
背景技术
有机发光二极管又称为有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，OLED)，是新一代的显示器，通过在OLED基板上制作有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。OLED显示器有诸多优点，其中包括可实现柔性显示。如以可绕曲的塑胶基板等为载体，再配合薄膜封装制程，即可实现可绕曲的OLED面板。
目前OLED薄膜封装主要采用钝化层和缓冲层叠层的结构，钝化层一般采用无机材料，如SiNx；缓冲层常采用有机或偏有机类材料。
因整体薄膜封装厚度为微米级，且无机膜厚时应力较大，在弯折时易发生断裂，水氧气会透过这个断裂处老化OLED器件，使得柔性OLED器件封装部分的耐弯折性能变差。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种掩膜板及其制造方法、OLED器件封装方法，能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种掩膜板，掩膜板包括镂空区以及围绕镂空区设置的非镂空区；还包括至少一带状半镂空区，半镂空区设置在镂空区中，且首尾分别连接非镂空区；
其中，所述半镂空区包括多个均匀设置的通孔，以使通过所述掩膜板制作的OLED器件的封装结构的钝化层在对应所述镂空区与所述半镂空区的区域厚度不同，进而在OLED器件的封装结构的钝化层形成减薄区。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种掩膜板的制造方法，其特征在于，方法包括：提供一板材；在板材上形成至少一镂空区；
在所述镂空区之间的骨架上形成多个均匀分布的通孔，以形成半镂空区，以使通过所述掩膜板制作的OLED器件的封装结构的钝化层在对应所述镂空区与所述半镂空区的区域厚度不同，进而在OLED器件的封装结构的钝化层形成减薄区。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种OLED器件封装方法，封装方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上制作一OLED器件；利用第一掩膜板在OLED器件上形成一第一钝化层；其中，第一掩膜板是如上的掩膜板。
其中，利用掩膜板在OLED器件上形成一第一钝化层的步骤之后，还包括：在第一钝化层上形成一缓冲层；利用第二掩膜板在缓冲层上形成一第二钝化层；其中，第二掩膜板是如上的掩膜板。
其中，第一掩膜板的半镂空区与第二掩膜板的半镂空区间隔交错设置。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明公开的掩膜板包括镂空区以及围绕镂空区设置的非镂空区；还包括至少一带状半镂空区，半镂空区设置在镂空区中，且首尾分别连接非镂空区。通过该掩膜板制成的膜层具有减薄区，能够使得整个OLED的封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
附图说明
图1是本发明掩膜板第一实施方式的结构示意图；
图2是本发明掩膜板第二实施方式的结构示意图；
图3是本发明掩膜板第二实施方式中半镂空区的局部结构示意图；
图4是本发明掩膜板的制造方法第一实施方式的流程图；
图5是本发明掩膜板的制造方法第二实施方式的流程图；
图6是本发明掩膜板的制造方法第二实施方式中骨架示意图；
图7是本发明掩膜板的制造方法第二实施方式中采用掩膜版制成的OLED封装结构示意图；
图8是本发明OLED器件封装方法一实施方式的流程图。
具体实施方式
参阅图1，本发明掩膜板第一实施方式的结构示意图，该掩膜板100包括镂空区110以及围绕镂空区110设置的非镂空区120；还包括至少一带状半镂空区130，半镂空区130设置在镂空区110中，且首尾分别连接非镂空区120。
镂空区110即采用激光切割、光刻和刻蚀等工艺去除掉的一部分，形成镂空状，在镀膜时，镀膜材料可以大量的通过该镂空区110形成较厚的膜层。
非镂空区120即未进行处理的部分，在镀膜时，镀膜材料不能通过该非镂空区120，也不能形成膜层。
半镂空区130即部分镂空部分非镂空的区域，在镀膜时，镀膜材料可以少量通过该半镂空区130，形成较薄的膜层。同时，该半镂空区130的镂空图形可以根据需要任意设置，在一种实施方式中，为了使镀膜均匀、平整，半镂空的图形应当是有规律并整齐的。
该掩膜板100可以是金属掩膜板，如不锈钢；也可以采用金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料制作。
由于采用该掩膜板100制成的膜厚度不均一，在制作OLED封装的工艺中若采用该掩膜板，就会使膜层中有较薄的减薄区，若柔性OLED弯折时，该弯折点正好在减薄区，则可以减小膜层断裂的可能。
区别于现有技术，本实施方式公开的掩膜板包括镂空区以及围绕镂空区设置的非镂空区；还包括至少一带状半镂空区，半镂空区设置在镂空区中，且首尾分别连接非镂空区。通过该掩膜板制成的膜层具有减薄区，能够使得整个OLED的封装结构在弯折时第一钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
参阅图2，该掩膜板200包括镂空区210以及围绕镂空区210设置的非镂空区220；还包括多条带状半镂空区230，且纵横交错地排列在镂空区210中，每个半镂空区230的首尾分别连接非镂空区220。
另外，非镂空区220的***还可以增加一框架240。
如图3所示，半镂空区230可以是包括均匀排列的通孔区231和非通孔区232，该通孔可以是圆形、矩形或其他形状，在镀膜过程中，只有通孔区231能通过镀膜材料，而镂空区210能够全部通过镀膜材料，因此在半镂空区230形成的减薄区比在镂空区240形成的正常区要薄。
参阅图4，本发明掩膜板的制造方法第一实施方式的流程图，该方法包括：
步骤401：提供一板材；
该板材可以是金属板材，也可以是金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等，也可以是玻璃等材料。
步骤402：在板材上形成至少一镂空区；
一般是通过激光金属切割，也可以通过光刻、刻蚀的工艺完成。
步骤403：在镂空区之间的骨架上形成半镂空区。
参阅图5，本发明掩膜板的制造方法第二实施方式的流程图，该方法包括：
步骤501：提供一板材；
步骤502：在板材上定义阵列分布的多个矩形镂空区；
步骤503：采用蚀刻或激光切割的方式在镂空区进行镂空处理；
如图6所示，在板材600上采用蚀刻或激光切割工艺形成多个镂空区601。
步骤504：在镂空区之间的骨架上形成多个均匀分布的通孔；
如图6所示，每两个镂空区601之间即为骨架602，对骨架602进行通孔加工，以形成半镂空区。值得注意的是，边缘上骨架无需进行通孔加工，即形成非镂空区。
步骤505：去除板材上的毛刺，使得板材被切割或者蚀刻后的边缘平滑；
步骤506：提供一框架，将经过处理后的板材安装到框架上，以制得掩膜板。
如图7所示，在OLED封装结构的制造过程中，运用该掩膜板形成第一钝化层730及第二钝化层750时，会使这两层膜具有较薄的减薄区，能够很好的防止钝化层因为本身的应力较大而在弯折时产生断裂，保证了柔性OLED耐弯折性。
参阅图8，本发明OLED器件封装方法一实施方式的流程图，该方法包括：
步骤801：提供一衬底基板；
一般是玻璃基板，在制作柔性的OLED面板时，也可以采用可弯折的塑料基板。
步骤802：在衬底基板上制作一OLED器件；
OLED器件包括有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。
步骤803：利用第一掩膜板在OLED器件上形成一第一钝化层；
其中，第一掩膜板是如前述实施方式中的掩膜板。
该第一钝化层一般采用金属氧化物、金属硫化物或金属氮化物等无机材料制作，例如金属氧化物包括氧化钙、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化锆、氧化铜、氧化锌、三氧化二铝、三氧化二铬、二氧化锡、氧化镍、五氧化二锑；金属硫化物包括二硫化钛、硫化铁、三硫化二铬、硫化铜、硫化锌、二硫化锡、硫化镍、三硫化二钴、三硫化二锑、硫化铅、三硫化二镧、硫化铈、二硫化锆等，金属氮化物包括氮化硅、氮化铝等。
步骤804：在第一钝化层上形成一缓冲层；
缓冲层一般是有机材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚砜(PSO)、聚对苯二乙基砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚硅氧烷(Silicone)、聚酰胺(PA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯～醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯～乙烯醇共聚物(EVAL)、聚丙烯腈(PAN)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚对二甲苯基(Parylene)、聚脲(Polyurea)或聚四氟乙烯(PTFE)、环氧树脂(epoxyresin)等。
步骤805：利用第二掩膜板在缓冲层上形成一第二钝化层；
其中，第二掩膜板是如前述实施方式中的掩膜板。
值得注意的是，为了保证第一钝化层和第二钝化层中的减薄区能够间隔交错设置，因此第一掩膜板的半镂空区与第二掩膜板的半镂空区也应该间隔交错设置。
以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (7)
1.一种掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括镂空区以及围绕所述镂空区设置的非镂空区；还包括至少一带状半镂空区，所述半镂空区设置在所述镂空区中，且首尾分别连接所述非镂空区；
其中，所述半镂空区包括多个均匀设置的通孔，以使通过所述掩膜板制作的OLED器件的封装结构的钝化层在对应所述镂空区与所述半镂空区的区域厚度不同，进而在OLED器件的封装结构的钝化层形成减薄区。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜板包括多条所述带状半镂空区，且纵横交错地排列在所述镂空区中，每个所述半镂空区的首尾分别连接所述非镂空区。
3.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一板材；
在所述板材上形成至少一镂空区；
在所述镂空区之间的骨架上形成多个均匀分布的通孔，以形成半镂空区，以使通过所述掩膜板制作的OLED器件的封装结构的钝化层在对应所述镂空区与所述半镂空区的区域厚度不同，进而在OLED器件的封装结构的钝化层形成减薄区。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述板材上形成至少一镂空区的步骤，具体为：
在所述板材上定义阵列分布的多个矩形镂空区；
采用蚀刻或激光切割的方式在所述镂空区进行镂空处理。
5.一种OLED器件封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作一OLED器件；
利用第一掩膜板在所述OLED器件上形成一第一钝化层；
其中，所述第一掩膜板是如权利要求1-2任一项所述的掩膜板。
6.根据权利要求5所述的封装方法，其特征在于，利用掩膜板在所述OLED器件上形成一第一钝化层的步骤之后，还包括：
在所述第一钝化层上形成一缓冲层；
利用第二掩膜板在所述缓冲层上形成一第二钝化层；
其中，所述第二掩膜板是如权利要求1-2任一项所述的掩膜板。
7.根据权利要求6所述的封装方法，其特征在于，所述第一掩膜板的半镂空区与所述第二掩膜板的半镂空区间隔交错设置。
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