CN104937732A - Led金属基板封装及其制造方法 - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 175
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 175
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 25
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012812 sealant material Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminium part metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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Abstract
本发明涉及一种LED金属基板封装，尤其涉及一种具有散热结构的LED金属基板封装及其制造方法。该方法包括至少如下步骤：在被至少一个垂直绝缘层电隔离的金属基板中，形成具有预定深度凹槽的至少一个空腔，该空腔具有建在其底部的一个垂直绝缘层；用遮蔽掩模处理除形成在各个空腔中的金属基板的部分顶表面之外的所有表面；移除没有被掩模处理的、形成在表面部分上的氧化层；在已移除氧化层的各个表面部分上，沉积电极层；移除遮蔽掩模；在电极层上执行Au/Sn焊接并接合光学装置芯片；和经由引线，将相对于每个垂直绝缘层的、布置在金属基板一侧上的光学装置的一个电极，引线接合到布置在每个垂直绝缘层另一侧上的金属基板。本发明使用具有良好散热特性和良好接合特性的Au/Sn材料，在电极层上形成接合光学装置芯片的焊接物，以与使用Ag环氧树脂的现有的LED金属封装相比，具有良好的散热性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED金属基板封装，尤其涉及一种具有散热结构的LED金属基板封装及其制造方法。
背景技术
作为环境友好的光源，半导体发光二极管(LED)受到了各个领域的关注。近来，LED的应用正扩展到各个领域，诸如室内和室外照明、汽车前灯和显示器的背光单元(BLU)，需要高的光效率和优良的散热特性。对于高效率LED，首先应该改善LED的材料或结构，然而需要改善LED封装的结构和其中使用的材料。
即，在高效率LED中，将产生高温热量，因此这些热量必须有效散出，否则LED的温度升高将使特性老化，从而缩短寿命。在高效率LED封装中，对有效辐射LED产生的热的努力正在取得进展。
图1是光学装置的横截面图的示范性示例，其中将光学装置芯片40安装在其中形成有垂直绝缘层20的金属基板10的空腔60内。
参考图1，例如，通过将叠层垂直切割成具有预定长度(宽度)的片，可形成其中形成有垂直绝缘层20的金属基板10，其中所述叠层通过交替地层叠(或形成)金属基板和绝缘层来形成。可以使用具有良好的热导率和电导率的铝、铜或包括至少一种上述材料的合金等，作为其中形成有这种垂直绝缘层20的金属基板10的材料。而且，通过机械或化学蚀刻等形成的、向下逐渐变窄的空腔60，形成在其中形成有垂直绝缘层20的金属基板10的上表面上。
同时，为了提高由光学装置芯片40产生的光的反射特性、或者接合特性，例如，使用金属镀层工艺，诸如电镀工艺、化学镀层工艺或者溅射工艺，将镀银层30形成在空腔60的主壁上和金属基板10的上表面上。 使用银环氧树脂粘合剂将光学装置芯片40接合在空腔60内部的镀银层30的部分上表面上。
对于具有上述结构的光学装置，银环氧树脂具有良好的电导率和接合特性，然而，其相对低的热导率将在其中安装高功率光学装置的封装中产生热阻。因此，将使封装的整个散热特性退化，以致最终缩短光学装置芯片40的寿命。而且，如果光学装置芯片40是比用于可见光区域的光学装置产生更多热量的UV光学装置，上述问题将变得更显著。
发明内容
技术问题
设计解决上述问题的本发明的目的，在于提供一种LED金属基板封装及其制造方法，其能实现以低成本提高光学装置芯片的效能和寿命的散热结构。
问题的解决方案
为了解决上述问题，根据本发明示范性实施例的LED金属封装的制造方法包括以下步骤：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
使用掩模，遮蔽除在每个所述至少一个空腔内形成的所述金属基板的部分上表面之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的每个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述掩模；
通过使用金-锡(AuSn)合金焊接层的焊接，将光学装置芯片接合在所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置的电极，引线接合到相对于每个所述绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分上。
根据本发明另一示范性实施例的LED金属封装的制造方法包括以下 步骤：
形成至少一个空腔，该至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
使用掩模，遮蔽在所述至少一个空腔内的、除被所述至少一个垂直绝缘层电隔离的所述金属基板的两侧的每一侧的一部分之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的每个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述遮蔽掩模；和
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片倒装接合在每个所述垂直电极层上。
根据本发明又一示范性实施例的LED金属封装的制造方法包括以下步骤：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
通过金属镀层其中形成所述至少一个空腔的所述金属基板的上表面来形成镀层，
使用层掩模，遮蔽相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述镀层的所述上表面的一部分；
蚀刻未被所述掩模遮蔽的所述镀层区域，以使被遮蔽的所述镀层形成电极层；
移除所述层掩模；
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片接合在所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置的电极，引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分上。
发明的有利效果
根据如上所述的本发明的示范性实施例，将电极层形成在包括铝的金属封装的一部分上，然后使用具有良好散热和接合特性的金-锡(Au/Sn)合金焊接层将光学装置芯片接合在所述电极层上，以使该封装比使用常规银(Ag)环氧树脂的LED金属封装具有更好的散热特性，结果，它具有能增加光学装置芯片的效能和寿命的效果。尤其是UV LED比可见光LED辐射更多的热，然而，如本发明的示范性实施例所述，通过将金-锡(Au/Sn)焊接应用于包括铝的金属封装基板，将增加光学装置芯片的散热特性，以致能实现提高UV LED的效能和寿命的预期效果。
附图说明
图1是光学装置的横截面图的示范性示例，其中光学装置芯片40安装在其中形成有垂直绝缘层20的金属基板10的空腔60内。
图2是根据本发明示范性实施例的LED金属基板封装的制造工艺流程图。
图3a至3g是根据图2制造的LED金属基板封装的每个对应工艺步骤的横截面图的示范性示例。
图4是根据本发明示范性实施例的LED金属基板封装的横截面图的示范性示例。
图5是根据本发明示范性实施例制造的倒装芯片接合型LED金属基板封装的横截面图的示范性示例。
图6是根据本发明示范性实施例制造的平面型LED金属基板封装的横截面图的示范性示例。
图7是根据本发明另一示范性实施例的LED金属基板封装的制造工艺流程图。
图8a至8g是根据图7制造的LED金属基板封装的每个对应工艺步骤的横截面图的示范性示例。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的优选示范性实施例。在本发 明的描述中，当确定详细的描述是关于：其中形成垂直绝缘层的金属基板的相关公众已知的功能或配置、制造过程，和在电极线接合光学装置芯片之后等使本发明的要点模糊的封装过程，将省略详细的描述。
首先，图2是根据本发明示范性实施例的LED金属基板封装的制造工艺流程图，图3a至3g是根据图2制造的LED金属基板封装的每个对应工艺步骤的横截面图的示范性示例。图4是根据本发明示范性实施例的LED金属基板封装的横截面图的示范性示例，尤其是具有板上芯片(COB)型或散热片上芯片(COH)型排列结构的LED金属基板封装的横截面图的示范性示例。
参考图2和3，首先，在步骤S10中，准备其中如图3a所示形成至少一个垂直绝缘层110的金属基板100。这种金属基板100可通过例如将叠层垂直切割成具有预定长度(宽度)的片来形成，其中所述叠层通过交替地层叠金属基板和绝缘层来形成，且在制造具有垂直绝缘层110的这种金属基板100方面没有限制。可以使用具有良好的热导率和电导率的铝、铜或包括上述材料中至少一种的合金等，作为其中形成有这种垂直绝缘层110的金属基板100的材料。具有垂直绝缘层110的铝基板可通过阳极氧化处理其表面来形成，或与此不同，可通过使用由合成树脂材料制成的绝缘膜来形成。在本发明的示范性实施例中，虽然如图3所示示例了具有一个垂直绝缘层110的金属基板100，但是本发明可被实现为其中如图4所示形成多个垂直绝缘层100的金属基板。
当准备金属基板100时，在步骤S12之后，如图3B所示形成包括向下达到金属基板100预定深度的凹坑的空腔120，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离。这种空腔120必须以在其底部容纳至少一个垂直绝缘层110的方式来形成。由于在图3b中仅示出一个垂直绝缘层110，因此示出形成了一个空腔120。然而，如图4所示，当在金属基板100上形成多个绝缘层110时，对于本领域的技术人员来说形成适合光学装置芯片的串并联结构的多个空腔120是显而易见的。
作为参考，为了提高光的反射特性，优选形成其中具有向下逐渐变窄锥体的空腔120。而且，优选地，其中要安装随后将要描述的光学装置芯片170的区域，即，关于垂直绝缘层110的右侧区域，应该形成为具有相 对较大的面积，而关于垂直绝缘层110的左侧区域应该形成为具有较小的面积。这种空腔120可通过使用机械工艺诸如切割或冲压或化学工艺诸如蚀刻来形成。
同时，在步骤S14中，为了在所述空腔120的底表面上有效且精确地形成电极层，如图3C所示，将固定遮蔽掩模130。即，通过除在每个所述空腔120的内部形成的金属基板100的部分上表面之外使用掩模来遮蔽金属基板100的整个上表面。为了形成随后将要描述的电极层，这时，上述“部分上表面”定义为并且指的是没有被遮蔽的表面区域。
在遮蔽工艺完成之后，在步骤S16，移除在步骤S14(图3d)没有被遮蔽的所述部分上表面140上形成的氧化层。通常，当焊接芯片时，由于故障等通常需要发生再焊接，应该能够再焊接达到3次。在第一焊接过程中，要消耗一些量的已制备的电极层，因此下面的层会影响焊接过程。因此，这时，例如，当铝上存在氧化层时，由于氧化层，粘合焊接材料会变得很难。因此，为了提高与电极层的粘合强度和电导率，要移除氧化层。作为参考，当将铝暴露在空气中时，其上会形成小于1μm的自然氧化层。为了提高随后将要描述的电极层的粘合强度，优选要移除这种自然氧化层。因此，在使用具有离子枪设备的氩气等的真空中，移除氧化铝层。
在步骤S18中，如图3e所示，使用溅射法在已移除掩模的、每个所述部分上表面140上真空沉积电极层150。可使用具有良好的电导率的铝和铜作为电极层15的材料。在其中混合使用离子枪和溅射设备的室中，执行上述步骤S16和S18。因为铝与氧积极发生化学反应，由于其该特性，当移除铝上的氧化层时，易于形成氧化层，因此必须在保持真空的室中执行氧化层的移除和电极层150的真空沉积。
当完成电极层150的真空沉积时，如图3f所示，在步骤S20中移除遮蔽掩模。接下来，在步骤S22中，在所述电极层150上，通过使用糨糊型混合物或金属合金型金-锡(Au/Sn)焊接层的焊接(共晶焊法)，来接合光学装置芯片170。通过这些工艺，将电极层150局部地布置在如图3g所示的垂直绝缘层110右侧的较大区域上，随后在电极层150上形成金-锡(Au/Sn)焊层160和LED光学装置芯片170的叠层结构。
这样，使用金-锡(Au/Sn)焊接层，在电极层150上完成所述光学装 置芯片170的接合，电极层150形成在空腔120中所形成的金属基板100的较大区域部分上。随后，在步骤S24中，通过引线180将布置在相对所述垂直绝缘层110的右侧的金属基板100上的光学装置芯片170的一个电极，引线接合到布置在垂直绝缘层110左侧的金属基板110。在步骤S26中，因为光学装置芯片170安装在每个空腔120的内部，所以在用于保护光学装置芯片170的空腔120中，通过***用产生期望颜色的荧光材料沉积的密封剂材料，来完成LED金属基板封装的制造。最后，在步骤S28中，沿切割线水平或垂直分离金属基板100，并与散热片耦合在一起。根据金属基板封装的类型可选择性执行该步骤S28。
如上所述，根据本发明示范性实施例的LED金属基板封装是有用的发明，其中电极层形成在包括铝的部分金属封装上，然后使用在其上形成的由金-锡(Au/Sn)制成的、具有良好散热和接合特性的焊接层，将光学装置芯片接合在所述电极层上，以使该封装比使用常规的银(Ag)环氧树脂的LED金属封装具有更好的散热特性，结果，具有能增加光学装置芯片的效能和寿命的效果。
同时，在图2和3的示范性实施例中，已描述了接合结构，其中经由引线接合工艺将光学装置芯片170的一个电极接合到处于垂直绝缘层110左侧的金属基板100。然而，如图5所示，在没有任何特殊变更的情况下，本发明还能应用于采用倒装芯片接合方法的金属基板封装。对于该应用，分别在垂直绝缘层110的两侧上形成电极150之后，使用在其上形成的、由金-锡(Au/Sn)制成的焊接层160，将光学装置芯片170分别接合到每个电极层150上。
换句话说，顺序执行下列步骤，所述下列步骤包括：形成包括向下达到金属基板100的预定深度的凹坑的至少一个空腔120，该金属基板100被至少一个垂直绝缘层110电隔离，其中在其底部容纳至少一个垂直绝缘层110；在所述空腔120内的除被所述垂直绝缘层110电隔离的所述金属基板100的两侧部分(大的区域部分和小的区域部分)之外使用掩模来遮蔽金属基板的整个上表面，移除在没有被所述遮蔽覆盖的各个所述部分上表面上形成的氧化层；在已移除所述氧化层的各个所述部分上表面上，真空沉积电极层150；移除所述遮蔽掩模；以及使用金-锡(Au/Sn)合金焊 接层在每个所述电极层150上倒装芯片接合光学装置芯片170。在顺序执行这些步骤之后，然后最后将密封剂注入到每个空腔中，由此可以完成LED金属基板封装的制造。
类似地，根据这种LED金属基板封装，将电极层150局部地形成在垂直绝缘层110的两侧上，然后使用具有良好散热和接合特性的金-锡(Au/Sn)合金焊接层160，将光学装置芯片170接合到所述电极层150上，以便能够提供比使用常规银(Ag)环氧树脂的LED金属封装具有更好散热特性的LED金属基板封装。
而且，在上述示范性实施例中，描述了假定其中形成至少一个空腔120的金属基板的本发明的示范性实施例，然而，本发明还可应用于其中没有形成空腔的平面型LED金属基板封装，如图6所示。
换句话说，如图6所示，平面型LED金属封装可通过下列步骤来制造，所述步骤包括：准备被至少一个垂直绝缘层110电隔离的金属基板100；除相对于所述垂直绝缘层110位于所述金属基板100的一侧(例如，右侧)的部分之外使用掩模来遮蔽金属基板100的整个上表面；移除没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上形成的氧化层；在已移除所述氧化层的各个所述部分上表面上，真空沉积电极层150；移除所述掩模；使用金-锡(Au/Sn)合金焊接层在每个所述电极层150上接合光学装置芯片170；以及将相对于所述垂直绝缘层110的每个位于所述金属基板100的一侧(右侧)的所述光学装置芯片170的电极引线接合到相对于所述垂直绝缘层110的每个位于所述金属基板100的另一侧(左侧)的部分所述金属基板100上。
此外，当使用倒装芯片接合在没有形成空腔的平面型LED金属基板上接合光学装置芯片时，LED金属封装可通过下列步骤来制造，所述步骤包括：准备被至少一个垂直绝缘层隔离的金属基板；在除了相对于所述垂直绝缘层的每个金属基板的部分之外使用掩模来遮蔽金属基板的整个上表面；移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上的氧化层；在已移除所述氧化层的各个所述部分上表面上，真空沉积电极层；移除所述遮蔽掩模；并使用金-锡(Au/Sn)合金焊接层在每个所述电极层上倒装芯片接合所述光学装置芯片。
通过在金属基板上局部形成电极层，并使用由金-锡(Au/Sn)制成的、具有良好散热和接合特性的焊接层在所述电极层上接合光学装置芯片，所有这些LED金属基板封装都能得到比使用常规银(Ag)环氧树脂的LED金属封装具有更好散热特性的效果。
图7是根据本发明的另一示范性实施例的LED金属基板封装的制造工艺流程图，图8a至8g是根据图7制造的LED金属基板封装的每个对应工艺步骤的横截面图的示范性示例。在根据本发明的示范性实施例的LED金属基板封装中，如图2所示，可将电极层150局部地形成在存在于垂直绝缘层110右侧的大的区域部分中，然而，如图7所示，电极层180可以通过蚀刻镀层来形成。
将参考图7和8进行描述。首先，在步骤S30中，准备电极基板100，其中如图8a所示形成至少一个垂直绝缘层110。由于其已在图2和3中充分描述了，所以将省略关于这种金属基板100的详细描述。作为参考，虽然图8a示范性示出了其中形成单个垂直绝缘层110的金属基板，但是本发明不限于此，而能够等同地应用于其中如图4所示形成多个垂直绝缘层110的金属基板100。
当准备金属基板100时，在步骤S32之后，如图8b所示，形成包括向下达到金属基板100的预定深度的凹坑的空腔120，该金属基板被至少一个垂直绝缘层110电隔离。这种空腔120必须以在其底部容纳至少一个垂直绝缘层110的方式来形成。虽然在图8b中仅示出一个垂直绝缘层110，但是如果在金属基板100上形成多个绝缘层110，可形成适合光学装置芯片的串并联结构的多个空腔120。
当完成形成空腔120时，随后在步骤S34中，如图8c所示，通过形成在空腔120内部的金属基板100上表面的金属镀层，例如金或铜镀层，形成镀层180。这种金属镀层180可使用金属镀层工艺诸如电镀工艺、化学镀层工艺或溅射工艺来形成。当形成镀层180时，如图8d所示，为了使用部分镀层180作为电极层，在步骤S36中，遮蔽位于相对于垂直绝缘层110的右侧金属基板100上的镀层180的部分上表面。如果采用倒装芯片接合法，遮蔽分别位于垂直绝缘层110左侧和右侧的每个金属基板100上布置的镀层180的各部分上表面。
随后在步骤S38中，如图8e所示，蚀刻掉所述镀层180的未遮蔽区域，以使被遮蔽的镀层180形成电极层。然后，在步骤S40中移除形成在电极层180上的掩模。
当完全移除掩模时，在步骤S42中，通过使用金-锡(Au/Sn)合金焊接层的焊接，将光学装置芯片170接合到位于垂直绝缘层110右侧的每个电极层180。在这里，由于可假定金属基板其中形成了多个空腔120，所以它被表述为“每个电极层180”。
同时，当使用金-锡合金焊接层完成光学装置芯片170与电极层180的接合时，随后可使步骤继续进行至步骤S44，其中使用引线180将相对于所述垂直电极基板110位于金属基板100右侧的所述光学装置芯片170的一个电极引线接合到位于垂直绝缘层110左侧的金属基板100。当使用倒装芯片接合法代替引线接合法时，如图8g所示，将光学装置芯片170接合到形成在垂直绝缘层110左侧和右侧的电极层。当完成光学装置170的接合时，因为光学装置芯片170安装在每个空腔120的内部，所以在用于保护光学装置芯片170的空腔120中，通过***用产生期望颜色的荧光材料沉积的密封剂材料，来实现LED金属基板封装的制造。工艺步骤可进一步包括，在需要时将该封装切割成其单元封装。
如上所述，在根据本发明示例的LED金属基板封装中，将镀层形成在包括铝的金属封装基板上，并且蚀刻掉除部分镀层以外的整个镀层，以便将部分镀层转换为电极层。通过使用由金-锡(Au/Sn)制成的、具有良好散热和接合特性的焊接层，将光学装置芯片接合在所述电极层上，该封装比使用常规银(Ag)环氧树脂的LED金属封装具有更好的散热特性，结果，它具有能增加光学装置芯片的效能和寿命的效果。
虽然在图7所示的示范性实施例中，描述了其中通过在金属基板100的上表面上形成镀层来形成电极层的示范性实施例，但还可以考虑用于形成电极层的制造方法，其中遮蔽除用于形成电极层的部分区域之外的整个表面，并仅电镀部分电极层。换句话说，在形成至少一个包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑的空腔120之后，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳至少一个垂直绝缘层，遮蔽除在每个所述腔内部形成的金属基板的部分上表面之外的整个上表面。接下来，通过金 属镀层未被遮蔽的金属基板的部分上表面来形成电极层，随后移除掩模。然后，能够得到如图8f所示的金属基板的横截面图。然后，使用金-锡(Au/Sn)合金焊接层分别将光学装置芯片接合到每个电极层之后，将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置芯片的电极引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的部分所述金属基板。然后，可以得到如图8g所示的金属基板封装。
其间，虽然参考图中示例的示范性实施例描述了本发明，但这仅是实例，本领域的普通技术人员应该理解，由此可能存在各种变形和其它等效的示范性实施例。例如，在本发明的示范性实施例中，虽然描述了其中假定金属基板在空腔的底部容纳一个垂直绝缘层的示范性实施例，但本发明可被实现为，其中在空腔的底部形成多个垂直绝缘层的金属基板。因此，必须将本发明的真实技术保护范围确定为附属权利要求和其等价物中限定的范围。
附图标记说明：
100：金属基板， 110：垂直绝缘层
120：空腔， 150：电极层
160：焊接层， 170：光学装置芯片
Claims (11)
1.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
使用掩模，遮蔽除在每个所述至少一个空腔内形成的所述金属基板的部分上表面之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的每个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述掩模；
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，通过焊接将光学装置芯片接合在所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置的电极，引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分。
2.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
形成至少一个空腔，该至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
使用掩模，遮蔽在所述至少一个空腔内的、除被所述至少一个垂直绝缘层电隔离的所述金属基板的两侧部分的每一侧的一部分之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的所述部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的每个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述遮蔽掩模；和
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片倒装接合在每个所述垂直电极层上。
3.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
通过金属镀层其中形成所述至少一个空腔的所述金属基板的上表面来形成镀层；
使用层掩模，遮蔽相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述镀层的所述上表面的一部分；
蚀刻未被所述遮蔽所遮蔽的所述镀层的区域，以使被遮蔽的所述镀层形成电极层；
移除所述层掩模；
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片接合在所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置的电极，引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分。
4.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
使用掩模，遮蔽除在每个所述至少一个空腔内形成的所述金属基板的部分上表面之外的、金属基板的整个上表面；
通过金属镀层所述金属基板的上表面的未遮蔽部分来形成电极层，
移除所述层掩模；
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片接合在所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置的电极，引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分。
5.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
形成至少一个空腔，所述至少一个空腔包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑，该金属基板被至少一个垂直绝缘层电隔离，其中在其底部容纳所述至少一个垂直绝缘层；
通过金属镀层其中形成所述至少一个空腔的所述金属基板的上表面来形成镀层；
使用掩模，遮蔽每个所述镀层的部分表面，其位于被每个空腔内的所述垂直绝缘层隔开的所述金属基板两侧上；
移除所述层掩模；和
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片倒装接合在每个电极层上。
6.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
准备被至少一个垂直绝缘层电隔离的金属基板；
使用掩模，遮蔽除相对于所述垂直绝缘膜的、位于所述金属基板一侧的部分之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的每个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述掩模；
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片接合在每个所述电极层上；和
将相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板一侧的所述光学装置芯片的电极，引线接合到相对于每个所述垂直绝缘层的、位于所述金属基板另一侧的所述金属基板的一部分。
7.一种用于制造LED金属封装的方法，包括：
准备被至少一个垂直绝缘层电隔离的金属基板；
使用掩模，遮蔽除位于相对于所述垂直绝缘膜的所述金属基板两侧的部分之外的、金属基板的整个上表面；
移除形成在没有被所述遮蔽覆盖的部分上表面上的氧化层；
在已移除所述氧化层的各个所述部分上表面上，沉积电极层；
移除所述掩模；和
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将光学装置芯片倒装接合在每个所述电极层上。
8.根据权利要求1至7中任一项的制造LED金属封装的方法，其中所述金属基板和所述光学装置芯片分别是铝和UV LED芯片。
9.一种LED金属封装，包括：
金属基板，其中形成至少一个垂直绝缘层；
电极层，其局部地形成在所述至少一个垂直绝缘层的一侧或两侧上；和
光学装置芯片，其被接合到每个所述的电极层，其中
使用金-锡(AuSn)合金焊接层，将所述光学芯片接合在所述电极层上。
10.根据权利要求9所述的LED金属封装，其中所述电极层、所述焊接层和所述光学装置芯片顺序地层叠在包括向下达到金属基板的预定深度的凹坑的空腔内，其中在所述空腔的底部容纳所述至少一个垂直绝缘层。
11.根据权利要求9或权利要求10所述的LED金属封装，其中所述光学装置芯片是UV LED芯片。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120144393A KR101373710B1 (ko) | 2012-12-12 | 2012-12-12 | 엘이디 금속기판 패키지 및 그 제조방법 |
| KR10-2012-0144393 | 2012-12-12 | ||
| PCT/KR2013/011265 WO2014092392A1 (ko) | 2012-12-12 | 2013-12-06 | 엘이디 금속기판 패키지 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104937732A true CN104937732A (zh) | 2015-09-23 |
| CN104937732B CN104937732B (zh) | 2018-02-23 |
Family
ID=50648535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380065063.9A Expired - Fee Related CN104937732B (zh) | 2012-12-12 | 2013-12-06 | Led金属基板封装及其制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9559276B2 (zh) |
| KR (1) | KR101373710B1 (zh) |
| CN (1) | CN104937732B (zh) |
| WO (1) | WO2014092392A1 (zh) |
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| KR101931318B1 (ko) | 2017-09-26 | 2018-12-20 | (주)포인트엔지니어링 | 칩 패키지 |
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- 2012-12-12 KR KR1020120144393A patent/KR101373710B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-12-06 US US14/650,672 patent/US9559276B2/en active Active
- 2013-12-06 CN CN201380065063.9A patent/CN104937732B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-06 WO PCT/KR2013/011265 patent/WO2014092392A1/ko active Application Filing
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|---|---|---|---|---|
| CN109427946A (zh) * | 2017-09-05 | 2019-03-05 | Lg伊诺特有限公司 | 半导体器件封装件 |
| US11335843B2 (en) | 2017-09-05 | 2022-05-17 | Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device package |
| CN109427946B (zh) * | 2017-09-05 | 2022-05-20 | 苏州乐琻半导体有限公司 | 半导体器件封装件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9768369B2 (en) | 2017-09-19 |
| US9559276B2 (en) | 2017-01-31 |
| US20170117448A1 (en) | 2017-04-27 |
| US20160190407A1 (en) | 2016-06-30 |
| CN104937732B (zh) | 2018-02-23 |
| KR101373710B1 (ko) | 2014-03-13 |
| WO2014092392A1 (ko) | 2014-06-19 |
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