CN104880876A - 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置 - Google Patents

阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104880876A
CN104880876A CN201510341541.5A CN201510341541A CN104880876A CN 104880876 A CN104880876 A CN 104880876A CN 201510341541 A CN201510341541 A CN 201510341541A CN 104880876 A CN104880876 A CN 104880876A
Authority
CN
China
Prior art keywords
data line
electrode wire
public electrode
bridge
open circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510341541.5A
Other languages
English (en)
Inventor
高英强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Beijing BOE Display Technology Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201510341541.5A priority Critical patent/CN104880876A/zh
Publication of CN104880876A publication Critical patent/CN104880876A/zh
Priority to US15/136,186 priority patent/US9887214B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • G02F1/136263Line defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Geometry (AREA)

Abstract

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置。该阵列基板由交叉绝缘设置的数据线和栅线划分为多个像素区,每一像素区内均设置薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极与栅线连接、源极与数据线连接、漏极与像素电极连接,还包括公共电极线,所述公共电极线包括与所述栅线平行设置的公共电极线主体以及沿所述数据线方向延伸且设置于所述数据线两侧的公共电极线分支,相邻的所述公共电极线分支之间局部相连形成公共电极线搭桥,所述公共电极线搭桥与所述公共电极线分支之间的所述数据线在正投影方向上交叉重叠。该阵列基板具有较佳的公共电极电压Vcom均一性,并具有数据线开路修复功能。

Description

阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置。
背景技术
在现有的平板显示装置中,一般包括具有控制像素显示的阵列基板(Array),其通过分布在各像素区的薄膜晶体管来控制各个像素的开闭;同时,对于TN模式的液晶显示产品,阵列基板还包括公共电极线(COM),以提供像素显示的公共参考电压。如图1所示,现有的TN模式的阵列基板上的公共电极线5为叉状,其包括平行于栅线部分和沿数据线方向向下延伸的部分,该公共电极线5的总电阻较大,导致公共电极电压Vcom的整体均一性不好,而且,该公共电极线也不具备数据线开路(DO)修复的功能,对阵列基板的良率提高起不到有利效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置,该阵列基板具有较佳的公共电极电压Vcom的整体均一性,并具有数据线开路修复功能。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板,由交叉绝缘设置的数据线和栅线划分为多个像素区,每一所述像素区内均设置薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接,还包括公共电极线,所述公共电极线包括与所述栅线平行设置的公共电极线主体以及沿所述数据线方向延伸且设置于所述数据线两侧的公共电极线分支,相邻的所述公共电极线分支之间局部相连形成公共电极线搭桥,所述公共电极线搭桥与所述公共电极线分支之间的所述数据线在正投影方向上交叉重叠。
优选的是,所述公共电极线搭桥包括相离设置且并联连接的第一搭桥和第二搭桥,且所述第一搭桥和所述第二搭桥均与所述栅线平行。
优选的是,所述第一搭桥和所述第二搭桥在平行于所述数据线方向上的间距小于等于所述公共电极线分支的长度。
优选的是,所述第一搭桥紧邻所述公共电极线主体设置。
优选的是,所述第二搭桥设置于所述公共电极线分支的末端。
优选的是,相邻的所述公共电极线分支分别与相邻的所述像素电极在正投影方向上局部重叠。
一种显示装置,包括上述的阵列基板。
一种上述的阵列基板的数据线开路修复方法,当相邻所述像素电极之间的所述数据线出现开路点时,将开路点两侧的所述数据线与所述公共电极线搭桥的一侧连接,并使得所述公共电极线搭桥的另一侧与所述公共电极线分支断开。
优选的是,所述修复方法执行如下步骤:
找到所述数据线的开路点位置;
将所述数据线开路点位置相对靠近驱动电路端的所述数据线与所述第一搭桥的一侧连接在一起;
以及,将所述数据线开路点位置相对远离驱动电路端的所述数据线与所述第二搭桥的一侧连接在一起;
将所述数据线相邻的至少一侧的所述公共电极线分支断开并使断开的所述公共电极线分支悬空;
以及,使得所述第一搭桥与所述公共电极线主体之间断开。
优选的是,通过激光焊接方式将所述数据线开路点位置两端的所述数据线分别与所述第一搭桥和所述第二搭桥的同一侧连接在一起。
优选的是,通过激光切割方式将未与所述数据线连接在一起的、同侧的所述公共电极线分支断开并使断开的所述公共电极线分支悬空。
本发明的有益效果是:
该阵列基板通过对其中的公共电极线的优化,不仅提高了公共电极电压Vcom的整体均一性,并且还具有修复数据线开路DO的功能,极大的提高了产品的良率;
相应的阵列基板的数据线开路修复方法,能极大提高产品良率,降低生产成本;
采用上述的阵列基板的显示装置生产成本更低,良率更高。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例1中阵列基板的结构示意图;
图3为利用图2中公共电极线进行数据线开路修复的示意图;
图中:
1-数据线;2-栅线;3-像素电极;
4-公共电极线;41-公共电极线主体;42-公共电极线分支;43-第一搭桥;44-第二搭桥;
51-栅极;52-源极;53-漏极。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置作进一步详细描述。
实施例1:
本实施例提供一种阵列基板,该阵列基板具有较佳的公共电极电压Vcom的整体均一性,并具有数据线开路修复功能。
该阵列基板由交叉绝缘设置的数据线和栅线划分为多个像素区,每一像素区内均设置薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管的栅极51与栅线2连接、源极52与数据线1连接、漏极53与像素电极3连接。该阵列基板还包括公共电极线。如图2所示,公共电极线4包括与栅线2平行设置的公共电极线主体41以及沿数据线1方向延伸且设置于数据线1两侧的公共电极线分支42,相邻的公共电极线分支42之间局部相连形成公共电极线搭桥,公共电极线搭桥与公共电极线分支42之间的数据线1在正投影方向上交叉重叠。
图2中,公共电极线搭桥包括相离设置且并联连接的第一搭桥43和第二搭桥44,且第一搭桥43和第二搭桥44均与栅线2平行。通过第一搭桥43和第二搭桥44的配合,不仅能降低公共电极线的电阻值,还能实现后续的数据线开路修复。
优选的是,第一搭桥43和第二搭桥44在平行于数据线1方向上的间距小于等于公共电极线分支42的长度。
作为优选,第一搭桥43紧邻公共电极线主体41设置,即第一搭桥43相对第二搭桥44更靠近栅线2。同时,第二搭桥44设置于公共电极线分支42的末端,以最大化处于像素区的数据线开路的修复范围。
并且,相邻的公共电极线分支42分别与相邻的像素电极3在正投影方向上局部重叠,以形成存储电容,保持一帧画面的显示时间。
通俗地讲,本实施例中的阵列基板的公共电极线包括上、左、右、中、下五部分,其中上部分的公共电极线即为公共电极线主体41部分,其与栅线2平行;左部分和右部分即为公共电极线直线;中部分即为公共电极线第一搭桥43、下部分即为公共电极线第二搭桥44,该中部分和下部分与上部分分别并联连接在一起。基于上述结构,相对图1中的公共电极线而言,本实施例中的公共电极线面积增大,根据欧姆定律,可知该公共电极线总电阻减小,从而提高了公共电极电压Vcom的整体均一性;另外由于中部分、下部分与数据线1具有正投影关系上的交叉重叠关系,因此,当处于中部分和下部分之间的数据线1在某处发生开路(DataOpen)时,利用激光修复的方法,即可修复数据线1。
本实施例中的阵列基板,通过对其中的公共电极线的优化,不仅提高了公共电极电压Vcom的整体均一性,并且还具有修复数据线开路DO的功能,极大的提高了产品的良率。特别适用于TN模式的阵列基板。
实施例2:
本实施例提供一种基于实施例1的阵列基板的数据线开路修复方法,由于公共电极线第一搭桥43、第二搭桥44与数据线1具有正投影关系上的交叉重叠关系,因此,当处于第一搭桥43和第二搭桥44之间的数据线1在某处发生开路(Data Open,简称DO)时,利用激光修复的方法,即可修复数据线1。
具体的,当相邻像素电极3之间的数据线1出现开路点时,将开路点两侧的数据线1与公共电极线搭桥的一侧连接,并使得公共电极线搭桥的另一侧与公共电极线分支42断开。
具体的,该阵列基板的数据线开路修复方法执行如下步骤:
找到数据线1的开路点位置;
将数据线开路点位置相对靠近驱动电路端的数据线1与第一搭桥43的一侧连接在一起;
以及,将数据线开路点位置相对远离驱动电路端的数据线1与第二搭桥44的一侧连接在一起;
将数据线1相邻的至少一侧的公共电极线分支42断开并使断开的公共电极线分支42悬空;
以及,使得第一搭桥43与公共电极线主体41之间断开。
图3中,数据线中开路点A的两端数据线只要分别与第一搭桥和第二搭桥连接即可建立数据流的通路,因此只要是位于相邻两像素电极之间的数据线出现开路的情况均可进行修复。
优选的是,通过激光焊接方式将数据线开路点位置两端的数据线1分别与第一搭桥43和第二搭桥44的同一侧连接在一起;以及,通过激光切割方式将未与数据线1连接在一起的、同侧的公共电极线分支42断开并使断开的公共电极线分支42悬空。采用同一侧的操作方式,使得修复工艺简单易行。
通俗地讲,本实施例中的阵列基板中数据线开路DO的修复方法的实施方式为:如图3所示,当数据线1在A点发生开路时,在数据线1与第一搭桥43和第二搭桥44交叠的部分利用激光打点(图3中以小黑点代表)使A点两端的数据线1相互熔接,并且利用激光切割(图3中以黑线①②代表)使数据线1右侧的公共电极线分支42悬空,同时利用激光切割使得第一搭桥43与公共电极线主体41之间断开(图3中以黑线③代表),此时悬空的公共电极线分支42充当新的电流传输路径,使电流绕过A点位置通过悬空的公共电极线分支42传输电流,从而使本列数据线1控制的像素均能够进行正常充电,恢复正常显示。
通过该阵列基板的数据线开路修复方法,能极大提高产品良率,降低生产成本。
实施例3:
本实施例提供一种显示装置,包括实施例1中的阵列基板。
在实施例1阵列基板的基础上,按照实施例2提供的阵列基板的数据线开路的修复方法,能极大降低显示装置的成本。
该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
该显示装置由于采用上述的阵列基板,因此生产成本更低,良率更高。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板,由交叉绝缘设置的数据线和栅线划分为多个像素区,每一所述像素区内均设置薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接,其特征在于,还包括公共电极线,所述公共电极线包括与所述栅线平行设置的公共电极线主体以及沿所述数据线方向延伸且设置于所述数据线两侧的公共电极线分支,相邻的所述公共电极线分支之间局部相连形成公共电极线搭桥,所述公共电极线搭桥与所述公共电极线分支之间的所述数据线在正投影方向上交叉重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极线搭桥包括相离设置且并联连接的第一搭桥和第二搭桥,且所述第一搭桥和所述第二搭桥均与所述栅线平行。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一搭桥和所述第二搭桥在平行于所述数据线方向上的间距小于等于所述公共电极线分支的长度。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一搭桥紧邻所述公共电极线主体设置。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第二搭桥设置于所述公共电极线分支的末端。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,相邻的所述公共电极线分支分别与相邻的所述像素电极在正投影方向上局部重叠。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的数据线开路修复方法,其特征在于,当相邻所述像素电极之间的所述数据线出现开路点时,将开路点两侧的所述数据线与所述公共电极线搭桥的一侧连接,并使得所述公共电极线搭桥的另一侧与所述公共电极线分支断开。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的数据线开路修复方法,其特征在于,所述修复方法执行如下步骤:
找到所述数据线的开路点位置;
将所述数据线开路点位置相对靠近驱动电路端的所述数据线与所述第一搭桥的一侧连接在一起;
以及,将所述数据线开路点位置相对远离驱动电路端的所述数据线与所述第二搭桥的一侧连接在一起;
将所述数据线相邻的至少一侧的所述公共电极线分支断开并使断开的所述公共电极线分支悬空;
以及,使得所述第一搭桥与所述公共电极线主体之间断开。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的数据线开路修复方法,其特征在于,通过激光焊接方式将所述数据线开路点位置两端的所述数据线分别与所述第一搭桥和所述第二搭桥的同一侧连接在一起。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的数据线开路修复方法,其特征在于,通过激光切割方式将未与所述数据线连接在一起的、同侧的所述公共电极线分支断开并使断开的所述公共电极线分支悬空。
CN201510341541.5A 2015-06-18 2015-06-18 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置 Pending CN104880876A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510341541.5A CN104880876A (zh) 2015-06-18 2015-06-18 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置
US15/136,186 US9887214B2 (en) 2015-06-18 2016-04-22 Array substrate, method for repairing disconnection of data line on array substrate, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510341541.5A CN104880876A (zh) 2015-06-18 2015-06-18 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104880876A true CN104880876A (zh) 2015-09-02

Family

ID=53948428

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510341541.5A Pending CN104880876A (zh) 2015-06-18 2015-06-18 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9887214B2 (zh)
CN (1) CN104880876A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549281A (zh) * 2016-03-16 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及修复方法、显示面板和显示装置
CN106773427A (zh) * 2017-03-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 数据线维修方法和阵列基板
CN108231793A (zh) * 2018-01-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 对导电膜层进行构图的方法、显示基板及制作方法、显示装置
TWI634375B (zh) * 2017-07-10 2018-09-01 友達光電股份有限公司 畫素結構及其顯示面板
CN108594551A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其数据线断路的修复方法和显示装置
CN108710245A (zh) * 2018-05-22 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其修复方法、显示面板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104898333B (zh) * 2015-06-17 2017-07-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其线不良维修方法、显示装置
CN107357105A (zh) * 2017-09-05 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置
CN108873529B (zh) * 2018-07-27 2021-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其修复方法、显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
KR20050105591A (ko) * 2004-04-30 2005-11-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US20080100764A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic equipment
CN101202287A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 Lg.菲利浦Lcd株式会社 阵列基板及其制造方法以及修复该阵列基板中的线的方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
KR20050105591A (ko) * 2004-04-30 2005-11-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
US20080100764A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic equipment
CN101202287A (zh) * 2006-12-12 2008-06-18 Lg.菲利浦Lcd株式会社 阵列基板及其制造方法以及修复该阵列基板中的线的方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105549281A (zh) * 2016-03-16 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及修复方法、显示面板和显示装置
CN106773427A (zh) * 2017-03-10 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 数据线维修方法和阵列基板
TWI634375B (zh) * 2017-07-10 2018-09-01 友達光電股份有限公司 畫素結構及其顯示面板
CN108231793A (zh) * 2018-01-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 对导电膜层进行构图的方法、显示基板及制作方法、显示装置
CN108594551A (zh) * 2018-04-28 2018-09-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其数据线断路的修复方法和显示装置
WO2019206124A1 (zh) * 2018-04-28 2019-10-31 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及修复阵列基板的导线断路的方法
US11515336B2 (en) 2018-04-28 2022-11-29 Fuzhou Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate, display device and method for repairing wire break of array substrate
CN108710245A (zh) * 2018-05-22 2018-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其修复方法、显示面板
CN108710245B (zh) * 2018-05-22 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其修复方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US9887214B2 (en) 2018-02-06
US20160370666A1 (en) 2016-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104880876A (zh) 阵列基板、阵列基板的数据线开路修复方法以及显示装置
CN1332246C (zh) 显示板
CN104699347B (zh) 一种阵列基板、显示面板及电子设备
RU2663270C1 (ru) Жидкокристаллическая панель отображения с отремонтированным горячим пикселем и способ ремонта горячего пикселя
CN101706637B (zh) 高显示质量的画素电极结构
CN103984174B (zh) 一种像素结构及其制造方法与修复方法
CN204595382U (zh) 阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板
KR101375845B1 (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
CN104965325B (zh) 一种阵列基板、其修复方法、显示面板及显示装置
CN103309099A (zh) 液晶显示器阵列基板及其制造方法
CN104730790B (zh) 液晶显示装置、液晶显示器及其制作方法和暗点作业方法
CN101285977A (zh) 液晶显示装置及其阵列基板
CN103345093A (zh) 像素单元、阵列基板及其制造、修复方法和显示装置
CN104298035A (zh) 阵列基板、阵列基板的数据线断线的修复方法、显示装置
CN105892186A (zh) 阵列基板结构、及其数据线断线修补方法和显示装置
CN104020881A (zh) 触摸显示面板及其驱动方法、显示装置
CN103116234B (zh) 彩膜基板及显示装置
CN105047163A (zh) 栅极驱动电路结构及其修复方法、阵列基板
CN102798999B (zh) 一种阵列基板十字线修复方法、阵列基板和液晶显示器
CN103018987B (zh) 阵列基板及显示装置
CN106681036A (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
CN103760727A (zh) 薄膜晶体管阵列基板、液晶显示面板及液晶显示面板的修复方法
CN103941499A (zh) 一种阵列基板及显示面板、显示装置
CN107102493A (zh) 一种主动元件阵列基板及显示面板的操作方法
CN108957804B (zh) 一种阵列基板及其维修方法、显示面板和显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150902

RJ01 Rejection of invention patent application after publication