CN204595382U - 阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板，该阵列基板包括：彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。本实用新型在触控走线发生短路或断路时，可以通过修复导线简单快速地进行修复。

Description

阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板

技术领域

本实用新型涉及显示装置，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板。

背景技术

由于便携性好和功耗低等优点，液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)被广泛应用于智能手机、笔记本电脑、监控器等各种显示装置。

目前触摸屏按照触控电极的位置不同可分为外挂式触摸屏、覆盖表面式触摸屏以及内嵌式触摸屏。其中，外挂式触摸屏是和LCD相互独立的，其需要一个独立的基板做出触控结构的载体，这种方法使得整机整体厚度变厚，而且透光率变低。覆盖表面式触摸屏是在LCD的彩膜基板外侧制作触控电极，这种方法降低了整机的厚度，但是增加了彩膜基板的制作工序。而内嵌式触摸屏直接将LCD的公共电极复用为触控电极，不仅厚度不增加，而且触控电极可以和LCD的公共电极一同制作，不增加额外的制作工序。

图1为现有的阵列基板的局部俯视示意图。如图1所示，阵列基板包括像素电极170、公共电极块150和多条触控走线130，所述公共电极块150复用为触控电极，每条触控走线130与对应的一个公共电极块150电连接。具体的，触控走线130和对应的公共电极块150通过过孔155电连接。

中小尺寸、高分辨率触摸屏受到穿透率的限制，触控走线130较细，通常为2.5um左右，在制作触控走线130的过程中易受到工艺影响，产生触控走线130断路现象，进而导致与该触控走线130连接的触控电极150的功能失效。

实用新型内容

为解决现有技术的问题，本实用新型提供一种阵列基板，包括：

彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极；

多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；

多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；

至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。

本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括彩膜基板和本实用新型任意实施例中提供的阵列基板，其中所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。

本实用新型还提出一种液晶显示装置，包括本实用新型任意实施例中提供的液晶显示面板，以及驱动芯片，所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动。

本实用新型还提出一种基于本实用新型任意实施例中的阵列基板的已修复阵列基板，该已修复阵列基板至少包括一条断路的触控走线，在所述触控走线断开处的两边分别设置有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连接。

本实用新型还提出一种基于本实用新型任意实施例中的阵列基板的已修复阵列基板，其中所述修复导线位于对应设置的触控走线的正下方，该已修复阵列基板至少包括一条短路的触控走线，在所述触控走线的短路处设置有断路开口，使所述触控走线的短路处发生断路，且该断路开口的两边分别有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连通。

本实用新型提供的阵列基板，包括与触控走线对应设置的修复导线，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠，在触控走线断路时，通过触控走线断开处修复孔中的导电物质，使触控走线和所述触控走线对应设置的修复导线电连接，从而用修复导线代替断开的那部分触控走线。因此，本实用新型所提供的阵列基板中触控走线断路时修复过程简便快速，还能够避免对断开触控走线附近的膜层造成影响。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的阵列基板的局部俯视示意图；

图2a为本实用新型第一实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图；

图2b为沿着图2a中的A-A’的一种剖面示意图；

图2c为沿着图2a中的A-A’的又一种剖面示意图；

图2d为沿着图2a中的A-A’的另一种剖面示意图；

图2e为沿着图2a中的A-A’的另一种剖面示意图；

图3a为本实用新型第二实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图；

图3b为沿着图3a中的B-B’的一种剖面示意图；

图3c为沿着图3a中的B-B’的又一种剖面示意图；

图3d为沿着图3a中的B-B’的另一种剖面示意图；

图4a为本实用新型第三实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；

图4b为沿着图4a中的C-C’的一种剖面示意图；

图5a为本实用新型第四实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；

图5b为沿着图5a中的D-D’的一种剖面示意图；

图6为本实用新型提供的一种液晶显示面板的剖视示意图；

图7为本实用新型提供的一种液晶显示装置的俯视示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本实用新型实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本实用新型的技术方案。显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

第一实施例

本实施例提供了一种修复导线位于触控走线正下方的阵列基板。

图2a为本实用新型第一实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图。如图2a所示，所述阵列基板包括彼此交叉的扫描线(未示出)和数据线(未示出)以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管(未示出)以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极170；多个公共电极块150(仅示出一个)，所述公共电极块150复用为触控电极；多条触控走线130，每条触控走线130与对应的一个公共电极块150电连接；至少一条修复导线180。

其中，所述薄膜晶体管用作开关元件。薄膜晶体管包括栅极、半导体层、源极和漏极，且所述薄膜晶体管可以为栅极位于半导体层下方的底栅型结构，也可以为栅极位于半导体层上方的顶栅型结构。像素电极170与所述薄膜晶体管的漏极(未示出)通过漏极接触孔115电连接。

如图2a所示，公共电极块150与像素电极170形成电场以驱动液晶偏转，从而控制光透射比；同时图案化的公共电极块150复用为触控电极。每个公共电极块150的尺寸可以与一个或多个子像素的尺寸对应，即一个或多个像素电极170在公共电极块150垂直方向的投影位于相同公共电极块150内。

每条触控走线130与对应的一个公共电极块150通过过孔155电连接，并将驱动的电信号施加给公共电极块150，使所述公共电极块150复用为触控电极。

图2b为沿着图2a中的A-A’的一种剖面示意图。如图2b所示，所述阵列基板包括平坦化层120、修复导线180、绝缘层190、触控走线130、第一钝化层140、公共电极块150、第二钝化层160和像素电极170。所述修复导线180所在膜层与所述多条触控走线130所在膜层不同，且通过绝缘层190隔开，每条所述修复导线180与一条触控走线130对应设置，且位于所述触控走线130的正下方。其中，所述绝缘层190的材料可以为硅的氧化物或硅的氮化物。

为了便于对每条触控走线进行修复，所述阵列基板包括多条所述修复导线，并且与所述多条触控走线一一对应设置。

其中，所述修复导线180为一种金属氧化物，例如为氧化铟锡。

图2c为沿着图2a中的A-A’的又一种剖面示意图，图2d为沿着图2a中的A-A’的另一种剖面示意图。结合图2c和图2d，为了减少阵列基板的膜层以降低阵列基板的厚度，且通过同一掩膜形成像素电极170和修复导线180，以降低阵列基板的生产成本，所述修复导线180与像素电极170形成在相同层，所述修复导线180位于所述像素电极170之间，且与像素电极170绝缘。

其中，所述修复导线180的长度小于相邻的像素电极170的长度，即修复导线180是分段设置的。

优选的，所述修复导线180的材料与所述像素电极170的材料相同，均为透明导电材料。如下举例说明修复导线180位于对应设置的触控走线130的正下方，且修复导线180与像素电极170形成在相同层。

如图2c所示，所述阵列基板包括平坦化层120、像素电极170、修复导线180、第一钝化层140、触控走线130、第二钝化层160和公共电极块150。该阵列基板为公共电极块150设置在像素电极170所在膜层上方的公共电极块顶部结构，且触控走线130设置在像素电极170所在膜层与公共电极块150所在膜层之间。

如图2d所示，所述阵列基板包括平坦化层120、公共电极块150、第一钝化层140、像素电极170、修复导线180、第二钝化层160和触控走线130。该阵列基板为公共电极块150设置在像素电极170所在膜层下方的公共电极块150中间结构，且触控走线130设置在像素电极170所在膜层上方。

图2e为沿着图2a中的A-A’的另一种剖面示意图。如图2e所示，为了减少阵列基板的膜层以降低阵列基板的厚度，且通过同一掩膜形成公共电极块150和修复导线180，以降低阵列基板的生产成本，公共电极块150内包括至少一条镂空狭缝156，所述触控走线130在阵列基板垂直方向上的正投影落于所述镂空狭缝156在阵列基板垂直方向上的正投影内，所述修复导线180与公共电极块150形成在相同层，修复导线180位于所述镂空狭缝156内，且与公共电极块150绝缘，即修复导线180是分段设置的。优选的，所述修复导线180的材料与所述公共电极块150的材料相同，均为透明导电材料。如下举例说明修复导线180位于对应设置的触控走线130的正下方，且修复导线180与公共电极块150形成在相同层。

如图2e所示，所述阵列基板包括平坦化层120、公共电极块150、修复导线180、第一钝化层140、像素电极170和触控走线130。该阵列基板为公共电极块150设置在像素电极170所在膜层下方的公共电极块150中间结构。其中且触控走线130和像素电极170设置在相同层。

综上，其他情况不再一一列举，本实用新型提供的阵列基板中，至少一条触控走线130的正下方设置有修复导线180。在任一触控走线130断路时，通过位于该触控走线130正下方的修复导线180修复该断路的触控走线130。具体的，在该触控走线130断开处的两边分别设置修复孔，并在修复孔中沉积导电物质，使得该触控走线130与对应设置的修复导线180通过所述修复孔电连接。

在任一触控走线130与其他导电层短路时，通过位于该触控走线130正下方的修复导线180修复该短路的触控走线130。具体的，采用激光在修复导线180的短路处设置断路开口，使所述触控走线130的短路处发生断路，再在该断路开口的两边分别设置修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线180和所述触控走线130通过所述修复孔电连通。

本实用新型提供的阵列基板，包括与触控走线对应设置的修复导线，且该修复导线位于触控走线的正下方，使得在触控走线断路或短路时，均能够通过位于该触控走线正下方的修复导线修复该触控走线。

第二实施例

本实施例提供了一种修复导线位于触控走线正上方的阵列基板。图3a为本实用新型第二实施例提供的阵列基板的局部俯视示意图，图3b为沿着图3a中的B-B’的一种剖面示意图。结合图3a和图3b，所述阵列基板包括彼此交叉的扫描线(未示出)和数据线(未示出)以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管(未示出)以及与所述薄膜晶体管连接的像素电极170；多个公共电极块150(仅示出一个)，所述公共电极块150复用为触控电极；多条触控走线130，每条触控走线130与对应的一个公共电极块150通过过孔155电连接。

如图3b所示，所述阵列基板还包括平坦化层120、触控走线130、绝缘层190、第一钝化层140、公共电极块150、第二钝化层160、像素电极170和修复导线180。所述修复导线180所在膜层与所述多条触控走线130所在膜层不同，且通过绝缘层190隔开，每条所述修复导线180与一条触控走线130对应设置，且位于所述触控走线130的正上方。其中，所述绝缘层190的材料可以为硅的氧化物或硅的氮化物。

如图3b所示，公共电极块150内包括至少一条镂空狭缝156，所述触控走线130在阵列基板垂直方向上的正投影落于所述镂空狭缝156在阵列基板垂直方向上的正投影内。

图3c为沿着图3a中的B-B’的又一种剖面示意图，图3d为沿着图3a中的B-B’的另一种剖面示意图。结合图3c和图3d，为了减少阵列基板的膜层以降低阵列基板的厚度，且通过同一掩膜形成公共电极块150和修复导线180，以降低阵列基板的生产成本，所述修复导线180与公共电极块150形成在相同层，所述修复导线180位于所述镂空狭缝156内，且与公共电极块150绝缘。优选的，所述修复导线180的材料与所述公共电极块150的材料相同，均为透明导电材料。

如下举例说明修复导线180位于对应设置的触控走线130的正上方，且修复导线180与公共电极块150形成在相同层。

如图3c所示，所述阵列基板包括平坦化层120、像素电极170、第一钝化层140、触控走线130、第二钝化层160、公共电极块150和修复导线180。其中修复导线180与公共电极块150形成在相同层，所述修复导线180位于所述镂空狭缝156内，且与公共电极块150绝缘。该阵列基板为公共电极块150设置在像素电极170所在膜层上方的公共电极块150顶部结构，且触控走线130设置在像素电极170所在膜层与公共电极块150所在膜层之间。

如图3d所示，所述阵列基板包括平坦化层120、触控走线130、第一钝化层140、公共电极块150、修复导线180、第二钝化层160和像素电极170。该阵列基板为公共电极块150设置在像素电极170所在膜层下方的公共电极块150中间结构。

综上，其他情况不再一一列举，本实用新型提供的阵列基板中，至少一条触控走线130的正上方设置有修复导线180。在任一触控走线130断路时，通过位于该触控走线130正上方的修复导线180修复该断路的触控走线130。具体的，在该触控走线130断开处的两边分别设置修复孔，并在修复孔中沉积导电物质，使得该触控走线130与对应设置的修复导线180通过所述修复孔电连接。

本实用新型提供的阵列基板，包括与触控走线对应设置的修复导线，且该修复导线位于触控走线的正上方，使得在触控走线断路时，能够通过位于该触控走线正上方的修复导线修复该触控走线。

第三实施例

本实施例提供了一种通过修复导线修复了断路的触控走线的阵列基板。

图4a为本实用新型第三实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；图4b为沿着图4a中的C-C’的一种剖面示意图。结合图4a和图4b，所述已修复阵列基板至少包括一条断路的触控走线130。需要说明的是，本实施例仅用一条断路的触控走线130为例进行说明，在实际中，可能会有多条触控走线130断路的情况。

在所述触控走线130断开处的两边分别设置有修复孔135，在所述修复孔135中沉积有导电物质，所述修复导线180和所述触控走线130通过所述修复孔135电连接。

进一步地，所述导电物质为钨。

所述阵列基板还包括，平坦化层120、公共电极块150、第一绝缘层140、像素电极170、第二绝缘层160。需要说明的是，在任一触控走线130断路时，设置于该触控走线130正上方的修复导线180和/或设置于触控走线130正下方的修复导线180(图4a仅示出修复导线180位于触控走线130上方结构)均能够通过修复孔135中的导电物质使该触控走线130与对应的修复导线180电连接，从而用修复导线180代替断开的那部分触控走线130。

需要说明的是，在上述实施例中提供的任一阵列基板中的触控走线断路时，均能够通过位于该触控走线断开处的两边设置的修复孔，使该触控走线与位于该触控走线正下方或正上方的修复导线通过所述修复孔电连接，即均能够修复断路的触控走线。

本实用新型实施例中提供的已修复阵列基板，在任一触控走线断路时，通过位于该触控走线正下方或正上方的修复导线修复了该触控走线。

第四实施例

本实施例提供了一种通过修复导线修复了短路的触控走线的阵列基板。

图5a为本实用新型第四实施例提供的已修复阵列基板的局部俯视示意图；图5b为沿着图5a中的D-D’的一种剖面示意图。结合图5a和图5b，所述修复导线180位于对应设置的触控走线130的正下方，所述阵列基板至少包括一条短路的触控走线130，在所述触控走线130的短路处137设置有断路开口136，使所述触控走线130的短路处137发生断路，且该断路开口136的两边分别有修复孔135，在所述修复孔135中沉积有导电物质，所述修复导线180和所述触控走线130通过所述修复孔135电连通。

所述阵列基板还包括，平坦化层120、公共电极块150、第一绝缘层140、像素电极170、第二绝缘层160。具体的，在触控走线130与公共电极块150短路时，通过激光在触控走线130的短路处137设置断路开口136，使所述短路处137发生断路。并且，在断路开口136的两边分别设置修复孔135，在所述修复孔135中沉积导电物质，使得所述触控走线130在断路开口136处通过修复导线180导通。因此，通过触控走线130正下方设置的修复导线180能够修复短路的触控走线130。

进一步地，所述导电物质为钨。

本实用新型实施例中提供的已修复阵列基板，在任一触控走线短路时，通过位于该触控走线正下方的修复导线修复了该触控走线。

如图6所示，本实用新型还提供一种液晶显示面板，包括彩膜基板200和上述任一实施例中提供的阵列基板100，其中所述彩膜基板200与所述阵列基板100之间设置有液晶层300。

如图7所示，本实用新型还提供一种液晶显示装置，包括上述任一实施例中提供的液晶显示面板10以及驱动芯片20，所述驱动芯片20用于显示驱动和触控驱动。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

彼此交叉的扫描线和数据线以限定多个子像素，每个子像素包括薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极；

多个公共电极块，所述公共电极块复用为触控电极；

多条触控走线，每条触控走线与对应的一个公共电极块电连接；

至少一条修复导线，所述至少一条修复导线所在膜层与所述多条触控走线所在膜层不同，且通过绝缘层隔开，每条所述修复导线与一条触控走线对应设置，且所述修复导线在透光方向上的投影与触控走线在透光方向上的投影交叠。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，包括多条所述修复导线，并且与所述多条触控走线一一对应设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复导线与像素电极形成在相同层，所述修复导线位于所述像素电极之间，且与像素电极绝缘。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，公共电极块内包括至少一条镂空狭缝，所述触控走线在阵列基板垂直方向上的正投影落于所述镂空狭缝在阵列基板垂直方向上的正投影内，

所述修复导线与公共电极块形成在相同层，修复导线位于所述镂空狭缝内，且与公共电极块绝缘。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述修复导线为一种金属氧化物。

6.一种液晶显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其中所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。

7.一种液晶显示装置，其特征在于，包括权利要求6所述的液晶显示面板，以及驱动芯片，所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动。

8.一种基于权利要求1-5任一项所述阵列基板的已修复阵列基板，其特征在于，至少包括一条断路的触控走线，在所述触控走线断开处的两边分别设置有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连接。

9.根据权利要求8所述的已修复阵列基板，其特征在于，所述导电物质为钨。

10.一种基于权利要求1-5任一项所述阵列基板的已修复阵列基板，所述修复导线位于对应设置的触控走线的正下方，其特征在于，至少包括一条短路的触控走线，在所述触控走线的短路处设置有断路开口，使所述触控走线的短路处发生断路，且该断路开口的两边分别有修复孔，在所述修复孔中沉积有导电物质，所述修复导线和所述触控走线通过所述修复孔电连通。