CN104862784B - 一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，该方法包括：通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。本发明的方法，可以有效地避免单晶薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

Description

一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法

技术领域

本发明涉及一种制造单晶薄膜的方法，具体地讲，涉及一种纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜的制造方法。

背景技术

铌酸锂单晶薄膜和钽酸锂单晶薄膜(以下简称薄膜或单晶薄膜)在光信号处理、信息存储以及电子器件等领域具有广泛的用途，其可以作为衬底材料，可以用于制作高频、高带宽、高集成度、大容量、灵敏度高、低功耗以及性能稳定的光电子学器件和集成光学器件，例如，滤波器、波导调制器、光波导开关、空间光调制器、光学倍频器、表面声波发生器、红外探测器以及铁电体存储器等。最常用的铌酸锂单晶薄膜材料一般可分为三种结构，其中，第一种结构从上至下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层和铌酸锂衬底；第二种结构从上至下依次为铌酸锂单晶薄膜、电极、二氧化硅层以及铌酸锂衬底；第三种结构从上至下依次为铌酸锂单晶薄膜、二氧化硅层、电极以及铌酸锂衬底。铌酸锂单晶薄膜的厚度一般在50纳米至3000纳米之间，二氧化硅层的厚度一般在200纳米至3000纳米之间。钽酸锂单晶薄膜具有与铌酸锂单晶薄膜相同的结构，故在此不再赘述。

在制作铌酸锂单晶薄膜的过程中，需要经历退火工艺以增强键合力并消除离子注入引起的损伤，从而提高成品薄膜的成品率。通常，退火温度需要控制在200℃至900℃之间。对于铌酸锂单晶薄膜而言，当退火温度在300℃以上时，铌酸锂单晶薄膜会出现相变，甚至会出现部分分解的现象，即形成LiNb₃O₈相或者以氧化锂(Li₂O)的形式扩散出铌酸锂单晶薄膜，从而导致铌酸锂单晶薄膜变成了多相的富铌结构，可以将其看做是铌酸锂和五氧化二铌的混合物(LiNbO₃+Nb₂O₅)。

当铌酸锂单晶薄膜中有富铌结构存在时，会严重影响铌酸锂单晶薄膜的光学性质和电学性质，尤其是对于含金属电极的铌酸锂单晶薄膜。在金属电极与铌酸锂薄膜层相接触的情况下，金属电极和铌酸锂在接触面附近进行反应，使得含金属电极的铌酸锂单晶薄膜缺失氧化锂的情况更加严重。在铌酸锂单晶薄膜缺失氧化锂的情况下，会严重影响其器件的性能，使指标达不到预期效果，甚至根本不能使用。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，所述方法能够制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

本发明提供一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，所述方法包括：通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；在薄膜层和余质层分离之后，在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。

根据本发明的实施例，扩散剂是氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物。

根据本发明的实施例，在对薄膜层加热的步骤中，向预定容器通入氧气，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使氧化锂扩散到薄膜层中。

根据本发明的实施例，所述预定容器包括：用于放置扩散剂的第一容器，在第一容器的一端设置有进气口；用于放置薄膜的第二容器，在第二容器的一端设置有出气口；用于将第一容器连接到第二容器的管路；对第一容器进行加热的第一加热器；以及对第二容器进行加热的第二加热器。

根据本发明的实施例，扩散剂是硝酸锂或者是硝酸钠、硝酸钾中的至少一种与硝酸锂的混合物。

根据本发明的实施例，在对薄膜层加热的步骤中，将薄膜层浸渍在处于熔融状态的扩散剂中，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使锂离子扩散到薄膜层中。

根据本发明的实施例，所述方法还包括在对键合体进行加热的步骤之后和在对薄膜层加热的步骤之前，在300℃～600℃的条件下对薄膜层进行退火处理。

根据本发明的实施例，所述方法还包括在对薄膜层加热的步骤之前，对薄膜层进行表面抛光处理，和/或在对薄膜层加热的步骤之后，对薄膜层进行表面抛光处理。

根据本发明的实施例，在目标基板上涂覆有二氧化硅层或者涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与原始基板的薄膜层接触，以形成键合体；或者在原始基板的薄膜层的表面上涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与目标基板接触，以形成键合体。

根据本发明的实施例，在对键合体进行加热的步骤中，在真空条件下或在大于1个大气压且小于300个大气压的气氛下对键合体进行加热使得薄膜层和余质层分离。

根据本发明的实施例，所述薄膜为铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜。

根据本发明的制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，可以有效地避免薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

附图说明

通过下面结合示例性地示出一例的附图进行的描述，本发明的上述和其他目的和特点将会变得更加清楚，其中：

图1是示出本发明的制造单晶薄膜的方法的流程框图；

图2是示出扩散装置的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的制造近化学计量比的单晶薄膜的方法进行详细的描述。

本发明提供一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，如图1所示，本发明的方法包括下述步骤：通过离子注入法，将离子对着原始基板的表面注入，形成薄膜层、分离层和余质层；将原始基板与目标基板键合形成键合体；对键合体进行加热使得薄膜层和余质层分离；以及薄膜层转移到目标基板上，在扩散装置内对薄膜加热。

具体地讲，在通过离子注入法，将离子对着原始基板的表面注入，形成薄膜层、分离层和余质层的步骤中，使用离子注入法，将离子(可以是分子离子)对着原始基板的上表面注入，形成分离层，分离层将原始基板分为上、下两区：一个为绝大部分注入离子均经过的区域，称为薄膜层；另一个为绝大部分注入离子未经过的区域，称为余质层。薄膜层的厚度由离子注入的能量来决定(例如，氦离子能量可以是10keV～2000keV，与该氦离子能量相对应的薄膜层的厚度在60纳米至4500纳米之间)。其中，离子注入法可包括常规离子注入机注入法、等离子体浸泡离子注入法以及采用不同注入温度的分段注入的离子注入法，其中，离子注入法中所注入的离子可以是氢离子和氦离子中的至少一种。

进行该离子注入法的目的是为了将大量的离子注入到原始基板的表层，分离层中的注入离子在原始基板内处于不稳定状态，注入离子嵌入晶格缺陷中，产生体积应变，导致分离层变成应力集中区，从而使得原始基板在分离层附近之处的机械强度脆弱。

在将原始基板与目标基板键合形成键合体的步骤中，利用晶片键合法，使原始基板与目标基板键合在一起，形成键合体。其中，可在目标基板的表面上涂覆绝缘层(例如，SiO₂)，使该绝缘层与原始基板的薄膜层面对面结合，然后进行键合，以使制作的薄膜结构从上至下依次为薄膜层、二氧化硅层和目标基板。还可在目标基板的表面上涂覆电极层(例如，金属电极)和绝缘层(例如，SiO₂)，使绝缘层与原始基板的薄膜层面对面结合，然后进行键合，以使制作的薄膜结构从上至下依次为薄膜层、绝缘层、电极层和目标基板。还可以在原始基板的薄膜层的表面上涂覆有电极层和绝缘层(例如，SiO₂)，使绝缘层与目标基板面对面结合，然后进行键合，以使制作的薄膜结构从上至下依次为薄膜层、电极层、绝缘层和目标基板。

晶片键合法可以选自直接键合法、阳极键合法、低温键合法、真空键合法、等离子强化键合法和粘接键合法等中的一种。

在对键合体进行加热使得薄膜层和余质层分离的步骤中，将键合体置于加热容器内，然后升温至150℃～300℃，在升温的过程中，注入的离子会变成气体分子或原子，形成很多微小的气泡，随着加热时间的延长或加热温度的升高，气泡会越来越多，体积也逐渐增大，最后，气泡相互连接，使得薄膜层和余质层分离。

在本发明的另一实施例中，对键合体加热使其分离的步骤也可以在大于1个大气压且小于300个大气压的气氛下或真空条件下进行。

在薄膜层转移到目标基板上，在扩散装置内对薄膜加热的步骤中，当薄膜层和目标基板与余质层分离后，薄膜层转移到了目标基板上，形成薄膜。将薄膜置于装有扩散剂的扩散装置内，在200℃～700℃的条件下对薄膜进行加热到一定时间。

扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种。将薄膜置于装有扩散剂的扩散装置内，在200℃～700℃的条件下对薄膜进行加热100小时以下，从而使得具有高化学势的扩散剂中的锂相扩散到具有低化学势的薄膜中，避免了薄膜缺失锂相的现象，使得薄膜中的组分接近理想化学计量比。

在本发明的一个实施例中，扩散剂可以是硝酸锂或者是硝酸钠、硝酸钾中的至少一种与硝酸锂的混合物。为了使得扩散剂中的锂离子更充分地扩散到薄膜中，优选地，可将薄膜浸渍在处于熔融状态的扩散剂中加热到一定时间。

在本发明的另一个实施例中，扩散剂可以是氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物。在装有氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物的扩散装置内，对薄膜进行加热以使氧化锂扩散到薄膜中。其中，为了使得扩散剂中的氧化锂能够更好地扩散到薄膜中，优选地，在200℃～700℃的条件下对薄膜进行加热时，可向扩散装置中通入氧气。

在本发明的实施例中，为了使得扩散剂中的氧化锂能够充分地扩散到薄膜中，如图2所示，扩散装置可包括用于放置扩散剂的第一容器10，在第一容器10的一端设置有进气口11；用于放置薄膜的第二容器20，在第二容器20的一端设置有出气口21；用于将第一容器10连接到第二容器20的管路30；对第一容器10进行加热的第一加热器40以及对第二容器20进行加热的第二加热器50。为了防止进入到第二容器20内的扩散剂在管路30的内壁上凝结，扩散装置还可包括对管路30进行加热的第三加热器60。

在采用上述扩散装置对薄膜进行加热以使氧化锂扩散到薄膜中时，可将扩散剂(例如，氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物)置于第一容器10中；将薄膜置于第二容器20中；将第一加热器40的温度控制到400℃～1200℃，将第二加热器50的温度控制到200℃～700℃；通过进气口11向第一容器10内通入氧气，氧气携带氧化锂蒸汽进入到第二容器20内，扩散到薄膜中，并通过第二容器20的出气口21流出。

另外，为了提供生产效率，可使放置扩散剂的第一容器10内的温度高于第二容器20内的温度，从而使得氧化锂的饱和蒸汽压较高，进入到第二容器20内的浓度较大，有利于氧化锂在薄膜中的扩散。通过这种方式，可以将扩散时间缩短到1小时至30小时。

在本发明的另一实施例中，为了增强键合力和消除离子注入引起的损伤，还可在对键合体加热的步骤之后和在对薄膜加热的步骤之前，在300℃至600℃的条件下对薄膜进行退火处理。

本发明的方法还包括对薄膜进行抛光处理的步骤，该步骤可以选择在对薄膜加热的步骤之前，对薄膜层进行表面抛光处理，或者选择在对薄膜加热的步骤之后，对薄膜层进行表面抛光处理，亦或选择在对薄膜加热的步骤之前和在对薄膜加热的步骤之后，均对薄膜层进行表面抛光处理。

本发明的方法制造的单晶薄膜可以是铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜。

本发明的制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，与传统的气相传输平衡法(VTE)制造近化学计量比的铌酸锂晶片的方法相比，存在重大差异：气相传输平衡法是一种对厚度较大的铌酸锂晶片(厚度大约在0.5毫米左右)的氧化锂缺失现象进行的补偿的方法。由于铌酸锂晶片的厚度较大并且扩散物质的扩散系数与扩散温度呈指数关系，因此，传统的气相传输平衡法的扩散温度需要控制在1000℃以上。在此温度下，氧化锂的蒸汽压很高，过高浓度的氧化锂会与铌酸锂晶片表面发生反应，造成腐蚀，所以，一般会选择富含氧化锂的多晶铌酸锂陶瓷作为扩散剂，但是这种扩散剂制备过程复杂，而且扩散时间需要100小时左右才能保证氧化锂在铌酸锂晶片上扩散均匀。但是对于铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜而言，如果扩散温度高于700℃，会存在以下问题。一方面，铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜一般包含有二氧化硅层，由于二氧化硅与铌酸锂的热膨胀系数不同，过高的温度会使薄膜内部具有较大的内应力，导致薄膜损坏；另一方面，铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜一般包含有电极，过高的温度会使电极与其周围的材料容易发生化学反应，产生杂质相，甚至导致电极融化；再一方面，加热到700℃～900℃时，会加剧铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜的相变和热分解，大量的氧化锂会从薄膜的中扩散出来，即使在富含氧化锂的环境中，由于温度场分布和气流分布等原因会造成氧化锂补偿不均匀，最后造成铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜的组分分布不均匀。因此，传统的气相传输平衡法不适用于制备铌酸锂单晶薄膜或钽酸锂单晶薄膜。

而采用本发明的制造薄膜的方法，可以制作得到厚度在几十纳米至三千纳米的薄膜，并且将该薄膜在低温(200℃～700℃)的条件下加热1小时至60小时，即可使锂相(氧化锂或锂离子)扩散到薄膜中。另外，采用本发明的扩散装置，可以将扩散时间缩短到1小时～30小时，从而提高了生产效率。因此，本发明的制造薄膜的方法，可以有效地避免薄膜缺失锂相的问题，制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的薄膜。

下面以制作铌酸锂单晶薄膜为例来说明本发明制作薄膜的具体过程。

实施例1

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量是230keV。

目标基板是铌酸锂晶片，利用等离子体增强化学气相沉积法在目标基板上沉积一层二氧化硅，并利用化学机械研磨法将二氧化硅层抛光至2微米。

利用直接键合法，将目标基板的二氧化硅层与原始基板进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将得到的薄膜与氧化锂粉末(固体)放入密闭容器中加热，周围气氛是氧气(O₂)，温度是500℃，时间是50小时，待薄膜冷却后取出。

最后，对薄膜的表面进行抛光，得到铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

实施例2

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量是1000keV。

目标基板是铌酸锂晶片，利用等离子体增强化学气相沉积法在目标基板上沉积一层二氧化硅，并利用化学机械研磨法将二氧化硅层抛光至2微米。

利用直接键合法，将目标基板的二氧化硅层与原始基板进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将薄膜在300～600℃下进行退火处理，然后进行表面抛光。

将抛光后的薄膜与氧化锂粉末(固体)放入密闭容器中加热，周围气氛是氧气(O₂)，温度是500℃，时间是50小时，待薄膜冷却后取出，清洗后得到铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

实施例3

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量是50keV。

目标基板是铌酸锂晶片，在目标基板上沉积电极，然后利用等离子体增强化学气相沉积法在目标基板上沉积一层二氧化硅，并利用化学机械研磨法将二氧化硅层抛光至2微米。

利用直接键合法，将目标基板的二氧化硅层与原始基板进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将得到的薄膜与氧化锂粉末(固体)放入密闭容器中加热，周围气氛是氧气(O₂)，温度是500℃，时间是50小时，待薄膜冷却后取出。

最后，对薄膜的表面进行抛光，得到带电极的铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

实施例4

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量230keV；然后，在注入氦离子的表面沉积一层金属电极；最后，利用等离子体增强化学气相沉积法在电极层上沉积一层二氧化硅，并且利用化学机械抛光法将二氧化硅层抛光至目标厚度。

目标基板是铌酸锂晶片，利用直接键合法将目标基板与原始基板的二氧化硅层进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将得到的薄膜与氧化锂粉末(固体)放入密闭容器中加热，周围气氛是氧气(O₂)，温度是500℃，时间是50小时，待薄膜冷却后取出。

最后，对薄膜的表面进行抛光，得到带金属电极的铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

实施例5

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量230keV。

目标基板是铌酸锂晶片，利用等离子体增强化学气相沉积法在目标基板上沉积一层二氧化硅，并利用化学机械研磨法将二氧化硅层抛光至2微米。

利用直接键合法，将目标基板的二氧化硅层与原始基板进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将薄膜在300℃～600℃下进行退火处理，然后进行表面抛光。

将抛光后的薄膜与硝酸锂放入密闭容器中加热，温度为300℃，此时硝酸锂融化，呈熔融状态，薄膜浸渍在熔融状态的硝酸锂中，设定时间是3小时，设定时间到达后，将薄膜取出。

最后，对薄膜的表面进行抛光，得到铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

实施例6

原始基板为铌酸锂晶片，经过剂量为4×10¹⁶ions/cm²的氦离子(He¹⁺)注入，氦离子能量是230keV。

目标基板是铌酸锂晶片，利用等离子体增强化学气相沉积法在目标基板上沉积一层二氧化硅，并利用化学机械研磨法将二氧化硅层抛光至2微米。

利用直接键合法，将目标基板的二氧化硅层与原始基板进行键合以形成键合体；将键合体加热到220℃，并且在该温度下保持10小时，使键合体分离制成薄膜。

将薄膜在300～600℃下进行退火处理，然后进行表面抛光。

将抛光后的薄膜放置到如图2中所示的第二容器20中，将氧化锂粉末放置到如图2中的所示的第一容器10中，从进气口11通入氧气(O₂)，氧气流量为1升/分钟，第一容器10的温度设置为800℃，第二容器20的温度设置为500℃，设定时间是20小时，设定时间达到后待薄膜冷却后取出，清洗后得到铌酸锂单晶薄膜。

此时铌酸锂单晶薄膜的非常光折射率低于2.202(波长为633纳米)。另外，锂与铌的原子比达到0.95:1以上，这表明铌酸锂单晶薄膜的组分接近理想化学计量比1:1。

综上所述，本发明的制造单晶薄膜的方法由于在薄膜层转移到目标基板之后在含有扩散剂的环境中对薄膜加热，使得单晶薄膜中的锂相得到有效的补偿，从而避免了单晶薄膜缺失锂相的问题。

另外，本发明的方法可以制作出纳米级厚度、膜厚均匀、组分接近理想化学计量比的单晶薄膜。

以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型和组合，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种制造近化学计量比的单晶薄膜的方法，所述方法包括下述步骤：

通过离子注入法将离子注入到原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余质层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余质层之间，注入的离子分布在分离层内；

使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；

对键合体进行加热，使得薄膜层和余质层分离；

在300℃～600℃的条件下对分离后的薄膜层进行退火处理；

在装有扩散剂的预定容器内以200℃～700℃的温度对薄膜层加热，其中，扩散剂包括氧化锂和硝酸锂中的至少一种，

其中，在对薄膜层加热的步骤中，向预定容器通入氧气，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使氧化锂扩散到薄膜层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，扩散剂是氧化锂或者是氧化锂与铌酸锂的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定容器包括：用于放置扩散剂的第一容器，在第一容器的一端设置有进气口；用于放置薄膜的第二容器，在第二容器的一端设置有出气口；用于将第一容器连接到第二容器的管路；对第一容器进行加热的第一加热器；以及对第二容器进行加热的第二加热器。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，扩散剂是硝酸锂或者是硝酸钠、硝酸钾中的至少一种与硝酸锂的混合物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在对薄膜层加热的步骤中，将薄膜层浸渍在处于熔融状态的扩散剂中，使薄膜层在200℃～700℃的温度下被加热以使锂离子扩散到薄膜层中。

6.根据权利要求 1所述的方法，其中，所述方法还包括在对薄膜层加热的步骤之前，对薄膜层进行表面抛光处理，和/或在对薄膜层加热的步骤之后，对薄膜层进行表面抛光处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在目标基板上涂覆有二氧化硅层或者涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与原始基板的薄膜层接触，以形成键合体；或者在原始基板的薄膜层的表面上涂覆有电极层和二氧化硅层，并且使二氧化硅层与目标基板接触，以形成键合体。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在对键合体进行加热的步骤中，在真空条件下或在大于1个大气压且小于300个大气压的气氛下对键合体进行加热使得薄膜层和余质层分离。