CN104716166A - 一种有机发光显示装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种有机发光显示装置及其制作方法，该显示装置包括：第一基板；位于第一基板表面的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，漏极与有源层相连；位于薄膜晶体管背离第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，平坦化层具有第一刻蚀孔，第一刻蚀孔完全贯穿平坦化层，延伸至有源层的表面；位于平坦化层背离薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连，从而降低了各TFT源极区域的寄生电容，进而降低了功耗。

Description

一种有机发光显示装置及其制作方法

技术领域

本发明涉及有机发光显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示装置及其制作方法。

背景技术

现有技术中的有机发光(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)显示装置中，其每个发光单元均由TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)控制，通过其对应的TFT的导通和截止，控制各发光单元的工作与否。具体的，如图1所示，所述TFT通常包括：栅极01、源极02和漏极03，其中，所述源极02和漏极03位于同一层，通过有源层04相连，所述栅极01与所述源极02、漏极03位于不同层，且所述栅极01与所述有源层04之间具有栅绝缘层05，在工作时，所述TFT的源极与所述发光单元的驱动电极06电连接，漏极03与所述OLED显示装置中的数据线(图中未示出)电连接，栅极01与所述OLED显示装置中的扫描线(图中未示出)电连接，通过所述扫描线中传输的信号控制所述TFT的导通和截止。当所述TFT导通时，所述TFT漏极接收与其相连的数据线中的数据信号，并传输至所述TFT的源极，再通过所述TFT的源极传输给发光单元的驱动电极，控制所述发光单元工作。

但是，上述OLED显示装置中各TFT源极区域的寄生电容较大，导致所述OLED显示装置的功耗较大。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种有机发光显示装置及其制作方法，以降低所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，降低所述有机发光显示装置的功耗。

为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种有机发光显示装置，包括：第一基板；位于所述第一基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层连接。

可选的，所述薄膜晶体管包括：位于所述第一基板表面的栅极；位于所述栅极背离所述第一基板一侧表面的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；位于所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面的有源层；位于所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层具有第二刻蚀孔；位于所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内的漏极，所述漏极与所述有源层相连。

可选的，所述薄膜晶体管包括：位于栅极背离所述栅绝缘层一侧的层间绝缘层，层间绝缘层具有第二刻蚀孔，第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；位于层间绝缘层背离所述栅绝缘层一侧表面和第二刻蚀孔内的漏极，漏极与所述有源层相连。

可选的，所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间还形成有钝化层。

可选的，所述第一驱动电极为阳极或阴极。

可选的，所述第一驱动电极包括：相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层，以及位于所述第一透明电极层和第二透明电极层之间的金属电极层。

可选的，所述有源层为氧化物半导体层。

一种有机发光显示装置的制作方法，包括：提供第一基板；在所述第一基板表面形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；在所述薄膜晶体管背离所述第一基板一侧形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管；刻蚀所述平坦化层，在所述平坦化层中形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；在所述平坦化层背离所述薄膜晶体管的一侧形成发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

可选的，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括：在所述第一基板表面形成栅极；在所述栅极背离所述第一基板一侧表面形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；在所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面形成有源层；在所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面形成刻蚀阻挡层；对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层内形成第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔贯穿所述刻蚀阻挡层，延伸至所述有源层表面；在所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极，所述漏极与所述有源层相连。

可选的，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括：在所述第一基板表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述第一基板一侧表面形成有源层；在所述有源层背离所述缓冲层一侧表面形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层背离所述有源层一侧表面形成栅极；在栅极背离栅绝缘层一侧表面形成层间绝缘层；对层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，在层间绝缘层和栅绝缘层内形成第二刻蚀孔，第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；在层间绝缘层背离栅绝缘层一侧表面和第二刻蚀孔内形成漏极，漏极与有源层相连。

与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：

本发明实施例所提供的有机发光显示装置包括：薄膜晶体管、发光单元和位于所述薄膜晶体管和发光单元之间的平坦化层，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、有源层和漏极，且所述漏极与所述有源层相连，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面，所述发光单元包括第一驱动电极、第二驱动电极和发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

由此可见，本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，所述薄膜晶体管不包括源极，所述发光单元中的第一驱动电极直接与所述薄膜晶体管的有源层相连，即所述发光单元中的第一驱动电极既有发光单元中驱动电极的作用，又有薄膜晶体管中源极的作用，使得本发明实施例所提供的有机发光显示装置中第一刻蚀孔周围区域有源层和第一驱动电极之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，从而大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中有机显示装置的结构示意图；

图2为本发明一个实施例所提供的有机显示装置的结构示意图；

图3为本发明一个实施例所提供的有机显示装置的结构示意图；

图4-图6为本发明一个实施例所提供的有机显示装置的制作方法的流程示意图；

图7为本发明一个实施例所提供的有极显示装置的制作方法中，薄膜晶体管的制作方法流程示意图；

图8-图10为本发明一个实施例所提供的有极显示装置的制作方法中，薄膜晶体管的制作方法流程示意图。

具体实施方式

正如背景技术部分所述，现有技术中OLED显示装置中各TFT源极区域的寄生电容较大，导致所述OLED显示装置的功耗较大。

有鉴于此，本发明实施例提供了一种有机发光显示装置，包括：

第一基板；

位于所述第一基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；

位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板一侧，覆盖有平坦化层，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；

位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

相应的，本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置的制作方法，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板表面形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；

在所述薄膜晶体管背离所述第一基板一侧形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管；

刻蚀所述平坦化层，在所述平坦化层中形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；

在所述平坦化层背离所述薄膜晶体管的一侧形成发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

本发明实施例所提供的有机发光显示装置及其制作方法中，所述薄膜晶体管不包括源极，所述发光单元中的第一驱动电极直接与所述薄膜晶体管的有源层相连，即所述发光单元中的第一驱动电极既有发光单元中驱动电极的作用，又有薄膜晶体管中源极的作用，使得本发明实施例所提供的有机发光显示装置中第一刻蚀孔周围区域有源层和第一驱动电极之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，从而大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

如图2所示，本发明实施例提供了一种有机发光显示装置，包括：

第一基板10；

位于所述第一基板10表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极20、有源层30和漏极40，其中，所述漏极40与所述有源层30相连；

位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板10一侧，覆盖有平坦化层50，所述平坦化层50具有第一刻蚀孔(图中未示出)，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层50，延伸至所述有源层30的表面；

位于所述平坦化层50背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极60和第二驱动电极(图中未示出)，以及位于所述第一驱动电极60和第二驱动电极之间的发光层(图中未示出)，其中，所述第一驱动电极60位于所述平坦化层50表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层30相连。所述第一驱动电极60可以是阳极，设置在平坦化层50的上方，可选地，第一驱动电极60是一体结构，通过一次刻蚀工艺形成。

在本发明实施例中，所述薄膜晶体管的漏极40与所述有源层30之间只有刻蚀阻挡层70，在所述薄膜晶体管源极区域附近(即所述第一刻蚀孔周围区域)，所述第一驱动电极60与所述有源层30之间不仅有刻蚀阻挡层7，还有平坦化层50，且所述平坦化层50的介电常数很小，从而使得本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极60之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述有机发光显示装置为底栅结构，如图2所示，在本实施例中，所述薄膜晶体管包括：位于所述第一基板10表面的栅极20；位于所述栅极20背离所述第一基板10一侧表面的栅绝缘层80，所述栅绝缘层80覆盖所述栅极20和所述第一基板10；位于所述栅绝缘层80背离所述栅极20一侧表面的有源层30；位于所述有源层30背离所述栅绝缘层80一侧表面的刻蚀阻挡层70，所述刻蚀阻挡层70中具有第二刻蚀孔(图中未示出)；位于所述刻蚀阻挡层70背离所述有源层30一侧表面和所述第二刻蚀孔内的漏极40，所述漏极40与所述有源层30相连。

在本发明的另一个实施例中，所述有机发光显示装置为顶栅结构，如图3所示，在本实施例中，所述薄膜晶体管包括：位于所述第一基板10表面的缓冲层90；位于所述缓冲层90背离所述第一基板10一侧表面的有源层30；位于所述有源层30背离所述缓冲层90一侧表面的栅绝缘层80；位于所述栅绝缘层80背离所述有源层30一侧表面的栅极20；位于所述栅极20背离所述栅绝缘层80一侧的层间绝缘层701，所述层间绝缘层701中具有第二刻蚀孔(图中未示出)，所述第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层701和所述栅绝缘层80，延伸至所述有源层30的表面；位于所述层间绝缘层701背离所述栅绝缘层80一侧表面和第二刻蚀孔内的漏极40，所述漏极40与所述有源层3相连。可选地，本实施例中的层间绝缘层701与其它实施例的刻蚀阻挡层材料相同，由于顶栅结构中，该层不起刻蚀阻挡的作用，故称为层间绝缘层。

在上述任一实施例的基础上，在本发明实施例中，所述栅极20用于在外界栅极驱动信号的驱动下，控制所述薄膜晶体管的导通和关断，当所述栅极20控制所述薄膜晶体管导通时，所述有源层30导通，所述漏极40与所述第一驱动电极60电连接，将数据驱动信号传输给所述第一驱动电极60，控制所述发光单元发光，完成显示。

优选的，所述栅极20的制作材料可以为金属，也可以为半导体，本发明对此并不做限定，只要其具有良好的导电性即可；所述有源层30的制作材料可以为非晶硅、多晶硅或氧化物半导体层，本发明对此也不做限定，具体视情况而定。

需要说明的是，在本发明实施例中，所述漏极40与所述第一驱动电极60并未位于同一层，从而可以在所述有机发光显示装置制作过程中，制作完薄膜晶体管后，制作第一驱动电极60之前，利用所述平坦化层50对所述漏极40进行保护，减弱对薄膜晶体管制作完成后的结构进行清洗等工艺过程中产生的静电现象，进而避免所述漏极40与所述栅极20之间静电现象过于严重，导致所述有源层30击穿，造成所述薄膜晶体管失效。

还需要说明的是，在本发明实施例中，按照所述薄膜晶体管导通时，电流的流动方向，将所述第一驱动电极与所述有源层直接接触的一侧定义为源极，另一侧定义为漏极，但本发明对此并不做限定，在本发明其他实施例中，也可以将所述第一驱动电极与所述有源层直接接触的一侧定义为漏极，另一侧定义为源极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述平坦化层50与所述薄膜晶体管之间还形成有钝化层100。由此可见，在本实施例中，位于所述薄膜晶体管源极区域附近(即所述第一刻蚀孔周围区域)所述第一驱动电极60与所述有源层30之间不仅有刻蚀阻挡层70、平坦化层50，还有钝化层100，从而进一步增加了第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极60之间的距离，即进一步降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。可选地，第一刻蚀孔贯穿平坦化层50、刻蚀阻挡层70和钝化层100。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一驱动电极60为所述发光单元的阳极，所述第二驱动电极为所述发光单元的阴极；在本发明的另一个实施例中，所述第一驱动电极60为所述发光单元的阴极，所述第二驱动电极为所述发光单元的阳极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。下面以所述第一驱动电极60为所述发光单元的阳极，所述第二驱动电极为所述发光单元的阴极为例，对本发明实施例所提供的有机发光显示装置进行详细说明。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一驱动电极包括：第一透明电极层和位于所述第一透明电极层表面的金属电极层，其中，所述第一透明电极层位于所述金属电极层与所述平坦化层之间，以提高所述第一驱动电极与所述平坦化层的接触性能。

在本发明的另一个实施例中，所述第一驱动电极包括：金属电极层和位于所述金属电极层表面的第二透明电极层，其中，所述第二透明电极层位于所述发光层与所述金属电极层之间，以使得所述第一驱动电极与所述发光层的功函数相匹配，以提高所述第一驱动电极的空穴注入能力，从而提高所述有机发光显示装置的发光效率。

在本发明的又一个实施例中，所述第一驱动电极包括：相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层，以及位于所述第一透明电极层和第二透明电极层之间的金属电极层。其中，所述第一透明电极层位于所述平坦化层与所述金属电极层之间，以提高所述第一驱动电极与所述平坦化层的接触性能，所述第二透明电极层位于所述发光层与所述金属电极层之间，以使得所述第一驱动电极与所述发光层的功函数相匹配。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，所述金属电极层优选为银电极层，所述第一透明电极层和第二透明电极层优选为ITO电极层，但本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述有源层30可以为非晶硅，也可以为低温多晶硅，还可以为氧化物半导体层，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。需要说明的是，当所述第一驱动电极60包括第一透明电极层，且所述第一透明电极层为ITO层时，所述有源层30可选为氧化物半导体层，以避免所述第一驱动电极60与所述有源层30直接接触时，所述有源层30被所述第一驱动电极60氧化。

综上所述，本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，所述薄膜晶体管不包括源极，所述发光单元中的第一驱动电极60直接与所述薄膜晶体管的有源层30相连，即所述发光单元中的第一驱动电极60既有发光单元中驱动电极的作用，又有薄膜晶体管中源极的作用，而本发明实施例所提供的有机发光显示装置中第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极60之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，从而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，降低了所述有机发光显示装置的功耗，改善了所述有机发光显示装置驱动电路的补偿效果。

而且，本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，所述漏极40与所述第一驱动电极60并未位于同一层，从而可以在所述有机发光显示装置制作过程中，制作完薄膜晶体管后，制作第一驱动电极60之前，利用所述平坦化层50对所述漏极40进行保护，减弱对薄膜晶体管制作完成后的结构进行清洗过程中产生的静电现象，进而避免所述漏极40与所述栅极20之间静电现象过于严重，导致所述有源层30击穿，造成所述薄膜晶体管失效。

相应的，本发明实施例还提供了一种有机发光显示装置的制作方法，包括：

提供第一基板10；

如图4所示，在所述第一基板10表面形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极20、有源层30和漏极40，其中，所述漏极40与所述有源层30相连；

如图5所示，在所述薄膜晶体管背离所述第一基板10一侧形成平坦化层50，所述平坦化层50覆盖所述薄膜晶体管；

刻蚀所述平坦化层50，在所述平坦化层50中形成第一刻蚀孔110，所述第一刻蚀孔110完全贯穿所述平坦化层50，延伸至所述有源层30表面；

如图6所示，在所述平坦化层50背离所述薄膜晶体管的一侧形成发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极60和第二驱动电极(图中未示出)，以及位于所述第一驱动电极60和第二驱动电极之间的发光层(图中未示出)，其中，所述第一驱动电极60位于所述平坦化层50表面和所述第一刻蚀孔110内，与所述有源层30相连。

在本发明实施例中，所述薄膜晶体管的漏极40与所述有源层30之间只有刻蚀阻挡层70，位于所述薄膜晶体管源极区域附近(即所述第一刻蚀孔周围区域)所述第一驱动电极60与所述有源层30之间不仅有刻蚀阻挡层70，还有平坦化层50，且所述平坦化层50的介电常数很小，从而使得本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极60之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述有机发光显示装置为底栅结构，在本实施例中，在所述第一基板10表面形成薄膜晶体管包括：

如图7所示，在所述第一基板10表面形成栅极20；

在所述栅极20背离所述第一基板10一侧表面形成栅绝缘层80，所述栅绝缘层80覆盖所述栅极20和所述第一基板10；

在所述栅绝缘层80背离所述栅极20一侧表面形成有源层30；

在所述有源层30背离所述栅绝缘层80一侧表面形成刻蚀阻挡层70；

对所述刻蚀阻挡层70进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层70内形成第二刻蚀孔120，所述第二刻蚀孔120贯穿所述刻蚀阻挡层70，延伸至所述有源层30表面；

如图4所示，在所述刻蚀阻挡层70背离所述有源层30一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极40，所述漏极40与所述有源层30相连。

在本发明的另一个实施例中，所述有机发光显示装置为顶栅结构，在本实施例中，在所述第一基板10表面形成薄膜晶体管包括：

如图8所示，在所述第一基板10表面形成缓冲层90；

在所述缓冲层90背离所述第一基板10一侧表面形成有源层30；

在所述有源层30背离所述缓冲层90一侧表面形成栅绝缘层80；

在所述栅绝缘层80背离所述有源层30一侧表面形成栅极20；

如图9所示，在所述栅极20背离所述栅绝缘层80一侧表面形成层间绝缘层701；

对所述层间绝缘层701进行刻蚀，在所述层间绝缘层701内形成第二刻蚀孔120，所述第二刻蚀孔120完全贯穿所述层间绝缘层701和所述栅绝缘层80，延伸至所述有源层30表面；

如图10所示，在所述刻蚀阻挡层背离所述栅绝缘层80一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极40，所述漏极40与所述有源层30相连。

由上可知，在本发明实施例中，所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔不同时形成，即在所述薄膜晶体管的制作过程中，在对所述刻蚀阻挡层70进行刻蚀形成第二刻蚀孔时，不对所述第一刻蚀孔对应的刻蚀阻挡层70区域进行刻蚀，以避免后期在刻蚀漏极40金属层形成漏极金属时，对所述有源层30造成损伤。

在上述任一实施例的基础上，如图2和图3所示，在本发明的一个实施例中，该方法还包括：在所述平坦化层50与所述薄膜晶体管之间形成钝化层100，从而进一步增加了第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极60之间的距离，即进一步降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述第一驱动电极60为所述发光单元的阳极，所述第二驱动电极为所述发光单元的阴极；在本发明的另一个实施例中，所述第一驱动电极60为所述发光单元的阴极，所述第二驱动电极为所述发光单元的阳极，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。

利用本发明实施例所提供的制作方法制作的有机发光显示装置中，所述薄膜晶体管不包括源极，所述发光单元中的第一驱动电极60直接与所述薄膜晶体管的有源层30相连，即所述发光单元中的第一驱动电极60既有发光单元中驱动电极的作用，又有薄膜晶体管中源极的作用，而本发明实施例所提供的有机发光显示装置中第一刻蚀孔周围区域有源层30和第一驱动电极6之间的距离远大于现有技术有机发光显示装置中源极对应的刻蚀孔周围区域有源层与源极之间的距离，从而大大降低了所述第一刻蚀孔周围区域的寄生电容，进而降低了所述有机发光显示装置中，各TFT源极区域的寄生电容，最终降低了所述有机发光显示装置的功耗。

而且，本发明实施例所提供的有机发光显示装置中，所述漏极40与所述第一驱动电极60并未位于同一层，从而可以在所述有机发光显示装置制作过程中，制作完薄膜晶体管后，制作第一驱动电极60之前，利用所述平坦化层50对所述漏极40进行保护，减弱对薄膜晶体管制作完成后的结构进行清洗过程中产生的静电现象，进而避免所述漏极40与所述栅极20之间静电现象过于严重，导致所述有源层30击穿，造成所述薄膜晶体管失效。

本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括：

第一基板；

位于所述第一基板表面的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层连接；

位于所述薄膜晶体管背离所述第一基板的一侧，覆盖有平坦化层，所述平坦化层具有第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；

位于所述平坦化层背离所述薄膜晶体管一侧的发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

位于所述第一基板表面的栅极；

位于所述栅极背离所述第一基板一侧表面的栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；

有源层，位于所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面；

位于所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层中具有第二刻蚀孔；

位于所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内的漏极，所述漏极与所述有源层相连。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

位于所述第一基板表面的缓冲层；

位于所述缓冲层背离所述第一基板一侧表面的有源层；

位于所述有源层背离所述缓冲层一侧表面的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层背离所述有源层一侧表面的栅极；

位于所述栅极背离所述栅绝缘层一侧的层间绝缘层，所述层间绝缘层具有第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；

位于所述层间绝缘层背离所述栅绝缘层一侧表面和第二刻蚀孔内的漏极，所述漏极与所述有源层相连。

4.根据权利要求1-3任一项所述的显示装置，其特征在于，所述平坦化层与所述薄膜晶体管之间还形成有钝化层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一驱动电极为阳极或阴极。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一驱动电极包括：相对设置的第一透明电极层和第二透明电极层，以及位于所述第一透明电极层和第二透明电极层之间的金属电极层。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述有源层为氧化物半导体层。

8.一种有机发光显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一基板；

在所述第一基板表面形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、有源层和漏极，其中，所述漏极与所述有源层相连；

在所述薄膜晶体管背离所述第一基板一侧形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述薄膜晶体管；

刻蚀所述平坦化层，在所述平坦化层中形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔完全贯穿所述平坦化层，延伸至所述有源层的表面；

在所述平坦化层背离所述薄膜晶体管的一侧形成发光单元，所述发光单元包括：相对设置的第一驱动电极和第二驱动电极，以及位于所述第一驱动电极和第二驱动电极之间的发光层，其中，所述第一驱动电极位于所述平坦化层表面和所述第一刻蚀孔内，与所述有源层相连。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括：

在所述第一基板表面形成栅极；

在所述栅极背离所述第一基板一侧表面形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述栅极和所述第一基板；

在所述栅绝缘层背离所述栅极一侧表面形成有源层；

在所述有源层背离所述栅绝缘层一侧表面形成刻蚀阻挡层；

对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，在所述刻蚀阻挡层内形成第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔贯穿所述刻蚀阻挡层，延伸至所述有源层的表面；

在所述刻蚀阻挡层背离所述有源层一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极，所述漏极与所述有源层相连。

10.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述第一基板表面形成薄膜晶体管包括：

在所述第一基板表面形成缓冲层；

在所述缓冲层背离所述第一基板一侧表面形成有源层；

在所述有源层背离所述缓冲层一侧表面形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层背离所述有源层一侧表面形成栅极；

在所述栅极背离所述栅绝缘层一侧表面形成层间绝缘层；

对所述层间绝缘层和栅绝缘层进行刻蚀，在所述层间绝缘层和栅绝缘层内形成第二刻蚀孔，所述第二刻蚀孔完全贯穿所述层间绝缘层和所述栅绝缘层，延伸至所述有源层的表面；

在所述层间绝缘层背离所述栅绝缘层一侧表面和所述第二刻蚀孔内形成漏极，所述漏极与所述有源层相连。