TWI668855B - 微型led顯示面板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
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- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
一種微型LED顯示面板,包括基板及形成在所述基板上的間隔設置的多個微型LED。每一個微型LED遠離基板的頂端設置有公共電極。每一個微型LED靠近基板的底端設置有接觸電極。每一個微型LED包括連接於其頂端和底端之間的側壁。每一個微型LED的側壁上設置有調節電極,所述調節電極與接觸電極和公共電極均電性絕緣。所述調節電極限制微型LED中的載流子於微型LED的走向,有效提升並控制微型LED的性能。
Description
本發明涉及一種微型LED顯示面板。
微型LED(micro light emitting diode,也稱μLED)由於具有較高的輻射發光效率和壽命被廣泛應用於各種顯示裝置中。現有的微型LED顯示裝置通常包括間隔設置的多個微型LED。每個微型LED通過電子與空穴的複合輻射出可見光。因此,提升調整微型LED中的載流子走向從而提升微型LED的性能是非常有必要的。
鑒於此,有必要提供一種微型LED顯示面板,其可有效限制微型LED中的載流子走向從而提升微型LED的性能。
一種微型LED顯示面板,其包括:基板;形成在所述基板上的間隔設置的複數微型LED;每一個微型LED具有遠離基板的頂端,所述頂端設置有公共電極;每一個微型LED具有靠近基板的底端,所述底端設置有接觸電極;
每一個微型LED包括連接於其頂端和底端之間的側壁;每一個微型LED的所述側壁上設置有調節電極,所述調節電極與所述接觸電極和所述公共電極均電性絕緣。
本發明的所述微型LED顯示面板通過在微型LED與絕緣層相鄰的側壁上設置調節電極,限制微型LED中的載流子(電子與空穴)於微型LED的內部的走向,從而提升微型LED的性能,進而提升微型LED顯示面板的顯示效果。
100、200‧‧‧微型LED顯示面板
101‧‧‧顯示區
103‧‧‧非顯示區
20‧‧‧公共電極
10‧‧‧微型LED
105‧‧‧頂端
107‧‧‧底端
110‧‧‧側壁
60‧‧‧基板
61‧‧‧顯示驅動層
63‧‧‧薄膜電晶體
65‧‧‧接觸電極
70‧‧‧第一絕緣層
80‧‧‧第二絕緣層
11‧‧‧P型摻雜的發光材料層
13‧‧‧N型摻雜的發光材料層
15‧‧‧活性層
17‧‧‧介電層
30‧‧‧調節電極
40‧‧‧連接電極
圖1是本發明較佳實施方式的微型LED顯示面板的俯視示意圖。
圖2是第一實施例微型LED顯示面板的剖面示意圖。
圖3是微型LED顯示面板中的微型LED的排佈示意圖。
圖4是第二實施例微型LED顯示面板的剖面示意圖。
附圖中示出了本發明的實施例,本發明可以藉由多種不同形式實現,而並不應解釋為僅局限於這裡所闡述的實施例。相反,提供這些實施例是為了使本發明更為全面和完整的公開,並使所屬技術領域的技術人員更充分地瞭解本發明的範圍。為了清晰可見,在圖中,層和區域的尺寸被放大了。
可以理解,儘管第一、第二等這些術語可以在這裡使用來描述各種元件、元件、區域、層和/或部分,但這些元件、元件、區域、層和/或部分不應僅限於這些術語。這些術語只是被用來區分元件、元件、區域、層和/或部分與另外的元件、元件、區域、層和/或部分。因此,只要不脫離本
發明的教導,下面所討論的第一部分、元件、區域、層和/或部分可以被稱為第二元件、元件、區域、層和/或部分。
這裡所用的專有名詞僅用於描述特定的實施例而並非意圖限定本發明。如這裡所用的,單數形式「一」、「一個」和「該」也意圖涵蓋複數形式,除非上下文清楚指明是其它情況。還應該理解,當在說明書中使用術語「包含」、「包括」時,指明了所述特徵、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在,然不排除一個或複數其它特徵、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在。
這裡參考剖面圖描述本發明的實施例,這些剖面圖是本發明理想化的實施例(和中間構造)的示意圖。因而,由於製造工藝和/或公差而導致的圖示的形狀不同是可以預見的。因此,本發明的實施例不應解釋為限於這裡圖示的區域的特定形狀,而應包括例如由於製造而產生的形狀的偏差。圖中所示的區域本身僅是示意性的,它們的形狀並非用於圖示裝置的實際形狀,並且並非用於限制本發明的範圍。
本文中的「微型LED」是指尺寸小於等於幾個毫米(如幾個毫米、幾百微米或小於等於100微米)的LED。
除非另外定義,這裡所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所述領域的普通技術人員所通常理解的含義相同的含義。還應當理解,比如在通用的辭典中所定義的那些的術語,應解釋為具有與它們在相關領域的環境中的含義相一致的含義,而不應以過度理想化或過度正式的含義來解釋,除非在本文中明確地定義。
第一實施例
請參閱圖1所示,本發明較佳實施例的微型LED顯示面板100,其定義有顯示區101和圍繞顯示區101的非顯示區103。所述顯示區101內設置有間隔設置的複數微型LED10和公共電極20。
如圖1所示,所述複數微型LED10呈矩陣排佈,且所述複數微型LED10對應所述公共電極20設置,每一個公共電極20作為至少一個微型LED10的陽極。本實施例中,複數公共電極20間隔設置,相互絕緣,每一個公共電極20覆蓋且接觸沿一第一方向間隔排佈的兩個或以上的微型LED10。可以理解的,在其他實施例中,所述公共電極20也可設置為與所述微型LED10一一對應,即每一個公共電極20接觸且覆蓋一個微型LED10。在其他實施例中,也可僅設置一個公共電極20,所述公共電極20接觸且覆蓋所有的微型LED10。
請參閱圖2,所述微型LED顯示面板100還包括基板60以及形成在所述基板60一表面上的顯示驅動層61。所述顯示驅動層61包括複數薄膜電晶體63。所述顯示驅動層61遠離所述基板60的一側設置有上述的公共電極20以及複數微型LED10。所述複數微型LED10設置在所述顯示驅動層61上,每一個微型LED10具有靠近所述基板60的底端107,所述底端107上設置有一接觸電極65,每一個微型LED10具有遠離所述基板60的頂端105,所述頂端105設置有所述公共電極20,所述公共電極20和所述接觸電極65分別作為所述微型LED10的陽極和陰極,當二者被施加電壓產生電勢差時,所述微型LED10將發光。每一個接觸電極65設置在其對應的微型LED10與所述顯示驅動層61之間,每一個接觸電極65電性連接所述顯示驅動層61中的薄膜電晶體63。所述複數接觸電極65可由同一導電層圖案化形成。
請再參閱圖2,所述顯示驅動層61遠離所述基板60的一側還設置有第一絕緣層70和第二絕緣層80。所述第一絕緣層70設置在所述顯示驅動層
61上且覆蓋所述複數微型LED10的接觸電極65。所述第二絕緣層80形成在所述第一絕緣層70遠離所述顯示驅動層61的一側。每一個微型LED10嵌設在所述第一絕緣層70和所述第二絕緣層80中並相對所述第二絕緣層80裸露。
如圖2所示,每一個公共電極20設置在所述第二絕緣層80遠離所述第一絕緣層70的一側,且每一個公共電極20直接接觸\覆蓋至少一個微型LED10。
可以理解的,如圖2所示,每一個微型LED10包括連接於其底端107和頂端105之間的側壁110,所述側壁110與所述第一絕緣層70和所述第二絕緣層80相鄰。每一個微型LED10的側壁110上包裹覆蓋有介電層17,以保護微型LED10的外表面並起到絕緣的作用。本實施例中,所述介電層17還延伸部分覆蓋在所述微型LED10遠離所述基板60的頂端105。每一個微型LED10遠離所述基板60的頂端105上未被所述介電層17覆蓋的區域被所述公共電極20覆蓋。
如圖2和圖3所示,每一個微型LED10的側壁110上還形成有調節電極30,所述調節電極30環繞所述微型LED10的側壁110。圖3中僅呈現微型LED10及調節電極30,未示出其他元件。所述調節電極30形成在所述介電層17遠離所述微型LED10的一側,即每一個微型LED10與其對應的調節電極30之間設置有所述介電層17。所述調節電極30不接觸所述接觸電極65和所述公共電極20且與所述接觸電極65和所述公共電極20電性絕緣。
如圖2所示,微型LED顯示面板100還包括連接電極40,所述連接電極40直接連接/接觸每一個微型LED10的調節電極30。本實施例中,所述連接電極40設置於所述第一絕緣層70和所述第二絕緣層80之間。所述調節
電極30藉由所述連接電極40被施加一調節電壓,所述調節電壓為一不同於所述微型LED10的陽極和陰極的直流電壓。
在一實施例中,所述調節電極30被施加一約為-4~4V的調節電壓,所述微型LED10的陽極被施加2.5V的電壓,所述微型LED10的陰極接地設置(被施加0V的電壓)。
所述調節電極30可分別與所述公共電極20和所述接觸電極65之間形成電場,進而限制微型LED10中的載流子(電子與空穴)於微型LED10的內部的走向;從而提升微型LED10的性能,進而提升微型LED顯示面板100的顯示效果。
每一個微型LED10可為所屬技術領域常規使用的微型LED10,作為一個例子,具體地,可包括P型摻雜的發光材料層11、N型摻雜的發光材料層13、以及位於所述P型摻雜的發光材料層11和所述N型摻雜的發光材料層13之間的活性層15,如圖2所示。本實施例中,所述N型摻雜的發光材料層13、所述活性層15和所述P型摻雜的發光材料層11均設置在所述基板60上且沿遠離所述基板60的方向依次層疊;所述P型摻雜的發光材料層11直接接觸所述公共電極20,所述N型摻雜的發光材料層13直接接觸所述接觸電極65。
第二實施例
請參閱圖4所示的本發明第二實施例的微型LED顯示面板200,其與第一實施例的微型LED顯示面板100基本相同,區別在於每一個微型LED10中P型摻雜的發光材料層11、N型摻雜的發光材料層13、活性層15的層疊次序做了變更:本實施例中,所述P型摻雜的發光材料層11、所述活性層15和所述N型摻雜的發光材料層13均設置在所述基板60上且沿遠離所述基板60的方
向依次層疊;所述N型摻雜的發光材料層13直接連接/接觸所述公共電極20,所述P型摻雜的發光材料層11直接連接/接觸所述接觸電極65。
可以理解的,由於本實施例中微型LED10中P型摻雜的發光材料層11、N型摻雜的發光材料層13、活性層15的層疊次序相對所述第一實施例的進行了變更,因此本實施例中,相應的微型LED10的陰極和陽極施加的電壓要相應進行調整,以使微型LED10能夠發光。
可以理解的,所述薄膜電晶體63為所屬技術領域常規使用的薄膜電晶體,具體可包括閘極(圖未示)、半導體層(圖未示)、以及連接在半導體層相對兩側的源極(圖未示)和汲極(圖未示)。所述顯示驅動層61中的薄膜電晶體63包括驅動薄膜電晶體63和開關薄膜電晶體63。其中,驅動薄膜電晶體63用於輸出電流至微型LED10,且與微型LED10的接觸電極65電性連接。開關薄膜電晶體63用於控制驅動薄膜電晶體63的導通與關閉,其與掃描線(圖未示)和資料線(圖未示)電性連接。
可以理解的,所述公共電極20的材質可為所屬技術領域常規使用的各種透明導電材料,如氧化銦錫。所述接觸電極65、所述調節電極30和所述連接電極40的材質可為所屬技術領域常規使用的各種導電材料,如導電金屬、氧化銦錫等。可以理解的,所述基板60可為所屬技術領域常規使用的玻璃、塑膠等材料製成。
本發明的所述微型LED顯示面板通過在微型LED與絕緣層相鄰的側壁110上設置調節電極30,限制微型LED10中的載流子(電子與空穴)於微型LED10的走向,有效提升並控制微型LED10的性能。
以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非限制,圖示中出現的上、下、左及右方向僅為了方便理解,儘管參照較佳實施例對本發明進
行了詳細說明,所屬技術領域的普通人員應當理解,可以對本發明的技術方案進行修改或等同替換,而不脫離本發明技術方案的精神和範圍。
Claims (8)
- 一種微型LED顯示面板,其包括:基板;形成在所述基板上的間隔設置的複數微型LED;每一個微型LED具有遠離基板的頂端,所述頂端設置有公共電極;每一個微型LED具有靠近基板的底端,所述底端設置有接觸電極;每一個微型LED包括連接於其頂端和底端之間的側壁;其改良在於:每一個微型LED的所述側壁上設置有調節電極,所述調節電極與所述接觸電極和所述公共電極均電性絕緣;所述基板上還形成有第一絕緣層和層疊於所述第一絕緣層遠離所述基板一側的第二絕緣層;所述複數微型LED嵌設在所述第一絕緣層和第二絕緣層中;所述第一絕緣層和所述第二絕緣層之間還設置有連接電極,所述連接電極直接連接且接觸每一個微型LED的調節電極。
- 如請求項1所述的微型LED顯示面板,其中:每一個微型LED的側壁上覆蓋有介電層;每一個微型LED的側壁與其對應的調節電極之間設置有所述介電層。
- 如請求項1所述的微型LED顯示面板,其中:每一個微型LED的調節電極環繞所述微型LED。
- 如請求項1所述的微型LED顯示面板,其中:所述基板上還形成有顯示驅動層,所述複數微型LED設置在所述顯示驅動層遠離所述基板的一側,所述第一絕緣層設置在所述顯示驅動層遠離所述基板的一側,所述公共電極設置在所述第二絕緣層遠離所述第一絕緣層的一側;每一個微型LED的所述接觸電極設置在微型LED與所述顯示驅動層之間,每一個微型LED的所述接觸電極電性連接所述顯示驅動層。
- 如請求項1所述的微型LED顯示面板,其中:所述調節電極藉由所述連接電極被施加一調節電壓。
- 如請求項5所述的微型LED顯示面板,其中:所述調節電壓為一不同於所述微型LED的陽極和陰極的直流電壓。
- 如請求項1所述的微型LED顯示面板,其中:每一個微型LED包括P型摻雜的發光材料層、N型摻雜的發光材料層、以及位於所述P型摻雜的發光材料層和所述N型摻雜的發光材料層之間的活性層。
- 如請求項7所述的微型LED顯示面板,其中:所述P型摻雜的發光材料層直接接觸所述公共電極,所述N型摻雜的發光材料層直接接觸所述接觸電極;或者所述N型摻雜的發光材料層直接連接/接觸所述公共電極,所述P型摻雜的發光材料層直接連接且接觸所述接觸電極。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762529545P | 2017-07-07 | 2017-07-07 | |
US62/529545 | 2017-07-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201907378A TW201907378A (zh) | 2019-02-16 |
TWI668855B true TWI668855B (zh) | 2019-08-11 |
Family
ID=64902904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107117778A TWI668855B (zh) | 2017-07-07 | 2018-05-24 | 微型led顯示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10586789B2 (zh) |
CN (1) | CN109216522B (zh) |
TW (1) | TWI668855B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110838497B (zh) * | 2018-08-17 | 2022-12-09 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 微型发光二极管显示面板及其制作方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201907378A (zh) | 2019-02-16 |
CN109216522B (zh) | 2020-02-07 |
US10586789B2 (en) | 2020-03-10 |
US20190013306A1 (en) | 2019-01-10 |
CN109216522A (zh) | 2019-01-15 |
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