CN104701407B - 太阳能电池的表面制绒处理方法 - Google Patents
太阳能电池的表面制绒处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104701407B CN104701407B CN201310653428.1A CN201310653428A CN104701407B CN 104701407 B CN104701407 B CN 104701407B CN 201310653428 A CN201310653428 A CN 201310653428A CN 104701407 B CN104701407 B CN 104701407B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching agent
- etching
- silicon chip
- solar cell
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 title claims abstract description 32
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 104
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims description 7
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 38
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 abstract description 24
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 abstract description 18
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 abstract description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/12—Etching in gas atmosphere or plasma
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明提出了一种太阳能电池的表面制绒处理方法，包括如下步骤：a、提供硅片和刻蚀剂；b、将所述硅片置于安放有所述刻蚀剂的反应室内或所述刻蚀剂上方进行化学气相刻蚀或者将所述硅片浸入所述刻蚀剂中进行液相刻蚀；c、重复步骤b至少一次。本发明的太阳能电池表面制绒处理方法，由于更好的化学反应，和气相刻蚀时在雾状下，形成更好的非均匀性，因此对于其他非晶向的硅片能够获得较好的多孔层，从而获得更低的光反射率。
Description
技术领域
本发明涉及晶体硅太阳能电池制备领域，特别涉及一种太阳能电池的表面制绒处理方法的表面制绒处理方法。
背景技术
太阳能电池作为一种高效的绿色可持续能源，已经被广泛研究和利用。但是由于太阳能电池的制造成本太高，因而无法取代传统能源，因此降低成本就成为太阳能电池应用的最大问题。而太阳能电池的成本与电池的效率密切相关，因此如何提高电池的转化效率是太阳能电池行业能否进一步发展的关键。传统硅片的折射率很高，其反射损失一般可以达到40％以上，在之前的太阳能电池制备工艺中，提出了将硅片制成具有绒面的表面，以便提高光陷率，但是这样的硅片反射率也在10％左右。
目前主流的硅衬底的制绒技术包括(1)单晶硅碱制绒、(2)离子反应刻蚀(RIE)干法制绒和(3)湿法酸制绒。
碱制绒是用单晶结构的各向异性的物理性质参与反应形成随机排列的金字塔状表面形貌。
离子反应刻蚀(RIE)是一种干法制绒方式，通过等离子体的反应，产生的离子轰击硅片的表面，获得设定的表面形貌以减少对光线的反射。如果使用掩膜会得到更加好的效果。
湿法酸制绒是目前主流的制绒技术，相比于碱制绒有着不错的效果。湿法酸制绒的主要优势在于低成本，酸制绒利用HF/HNO3组合与多晶硅片表面反应形成小洼坑状形貌，减少反射。因此具有较好的应用价值。然而目前湿法酸制绒，通常是对于晶向(100)的单晶硅采用KOH，对于多晶硅采用例如HF/HNO3的酸作为刻蚀剂。但两种刻蚀剂均不能对其他晶向的单晶硅起到较好的刻蚀效果。
因此需要提出一种新的太阳能电池表面制绒处理方法，能够对其他晶向的单晶硅进行处理。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提出了太阳能电池的表面制绒处理方法，具体来说：
本发明提出了一种太阳能电池的表面制绒处理方法，包括如下步骤：a、提供硅片和刻蚀剂；b、将所述硅片置于安放有所述刻蚀剂的反应室内或所述刻蚀剂上方进行化学气相刻蚀或者将所述硅片浸入所述刻蚀剂中进行液相刻蚀；c、重复步骤b至少一次。
其中，所述刻蚀剂为：由浓度为30-65％的HF、浓度为45-85％的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蚀剂中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种。
本发明还提出了一种太阳能电池的表面制绒处理方法，包括如下步骤：a、提供硅片和多种刻蚀剂；b、将所述硅片置于安放有某种所述刻蚀剂的反应室内或某种所述刻蚀剂上方进行化学气相刻蚀或者将所述硅片浸入某种刻蚀剂中进行液相刻蚀；c、重复步骤b至少一次，其中在所述各重复步骤中可以选择与上一次刻蚀所使用的刻蚀剂相同或不同的刻蚀剂进行化学气相刻蚀或液相刻蚀。
其中，所述刻蚀剂包括：(1)由浓度为30-65％的HF、浓度为45-85％的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成；(2)在(1)所述的刻蚀剂中加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种。
以上两种太阳能电池的表面制绒处理方法中，所述刻蚀剂在所述化学气相刻蚀步骤中包括硅、鍺、或其他半导体材料。在所述化学气相刻蚀步骤中，刻蚀剂的温度被设置在0到85度之间。
本发明的太阳能电池表面制绒处理方法，由于更好的化学反应，和气相刻蚀时在雾状下，形成更好的非均匀性，因此，对于其他非(100)晶向的硅片能够获得较好的多孔层，从而获得更低的光反射率。
本发明中的化学蒸气气相刻蚀方法简易可行，为产生更好结果，也可和湿法刻蚀结合使用。
本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本发明太阳能电池的表面制绒处理方法的实施例的步骤b化学气象刻蚀的示意图；
图2为本发明太阳能电池的表面制绒处理方法的实施例的步骤b液相刻蚀的示意图；
图3为本发明的现场实验效果图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
根据本发明的一个实施例，提供了一种太阳能电池表面制绒处理方法，包括：步骤a、提供刻蚀剂和硅片。所述刻蚀剂可以是由浓度为30-65％的HF、浓度为45-85％的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蚀剂中可以加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种。优选地，选择由浓度为49％的HF、浓度为70％的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蚀剂，所述刻蚀剂在所述化学气相刻蚀步骤中包括硅、鍺、或其他半导体材料。所述硅片厚度20至1000微米。特别地，在单晶时，吸光面的晶向可以为任一晶向。
而后在步骤b中，参考图1或图2，将所述硅片1置于所述刻蚀剂2的上方进行化学气相刻蚀或者将所述硅片1浸入所述刻蚀剂2中进行液相刻蚀。所述步骤b可以是进行气相刻蚀也可以是液相刻蚀。例如，首先将刻蚀剂的温度设置0到85度之间，优选为环境温度，而后将硅片的吸光面朝向所述刻蚀剂，进行化学气相刻蚀。或者参考图2，将所述硅片浸入所述刻蚀剂中进行液相刻蚀。优选地，所述化学气象刻蚀步骤中，所述刻蚀剂中包括硅、鍺、或其他半导体材料。
在步骤c中，上述b的步骤可以多次重复，即可以对所述硅片进行多次气相或液相刻蚀，例如，可以混合进行多次气相和液相刻蚀，当然，也可以是进行多次单类型的刻蚀，例如多次气相刻蚀或多次液相刻蚀。
作为第二实施例，本发明还提供了一种太阳能电池表面制绒处理方法，包括：步骤a、提供硅片和多种刻蚀剂；所述刻蚀剂可以是由浓度为30-65％的HF、浓度为45-85％的HNO3和H2O以基本1:3:8-1:8:3的重量比混合而成。优选地，选择由浓度为49％的HF、浓度为70％的HNO3和H2O以1:5.3:3.3的重量比混合而成的刻蚀剂，同时可以制备其他形式的刻蚀剂，例如将H2SO4加入上述刻蚀剂中或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种。所述刻蚀剂在所述化学气相刻蚀步骤中包括硅、鍺、或其他半导体材料。所述硅片厚度20至1000微米。特别地，在单晶时，吸光面的晶向可以为任一晶向。
而后在步骤b，参考图1或图2，将所述硅片1置于所述刻蚀剂2的上方进行化学气相刻蚀，或者将所述硅片1浸入所述刻蚀剂2中进行液相刻蚀。所述步骤b可以是进行气相刻蚀也可以是液相刻蚀。例如，首先将刻蚀剂的温度设置0到85度之间，优选为环境温度度，而后将硅片的吸光面朝向所述刻蚀剂，进行化学气相刻蚀。或者参考图2，将所述硅片浸入所述刻蚀剂中进行液相刻蚀。优选地，所述化学气相刻蚀步骤中，所述刻蚀剂中包括硅、鍺、或其他半导体材料。
在步骤c中，上述b的步骤可以多次重复，即可以对所述硅片进行多次气相或液相刻蚀，例如，可以混合进行多次气相和液相刻蚀，当然，也可以是进行多次单类型的刻蚀，例如多次气相刻蚀或多次液相刻蚀，在所述各重复步骤中可以选择与上一次刻蚀所使用的刻蚀剂相同或不同的刻蚀剂进行化学气相刻蚀或液相刻蚀。
参考图3可以看出，“◆”代表按照现有工厂标准制绒获得的硅片，“○”代表按照本发明表面制绒处理方法进行过一次化学气相刻蚀获得的硅片，横轴为硅片的厚度，纵轴为硅片的光反射率。从图中可以看出经过一次气相刻蚀的硅片样品比原有样品的光反射率有了显著降低。
以上已经根据本发明的第一、第二实施例详细阐释了本发明的太阳能电池表面制绒处理方法。由于更好的化学反应，和气相刻蚀时在雾状下，形成更好的非均匀性，因此，对于其他非(100)晶向的硅片能够获得较好的多孔层，从而获得更低的光反射率。
虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。
此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。
Claims (4)
1.一种太阳能电池的表面制绒处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、提供非(100)晶向的单晶硅硅片和刻蚀剂，其中，所述刻蚀剂为：由质量浓度为30-65％的HF、质量浓度为45-85％的HNO3和H2O以1:3:8-1:8:3的重量比混合而成，或者刻蚀剂中加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种；
b、将所述非(100)晶向的单晶硅硅片置于安放有所述刻蚀剂的反应室内或所述刻蚀剂上方进行化学气相刻蚀，所述刻蚀剂的温度被设置在0到85度之间；
c、重复步骤b至少一次。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀剂在所述化学气相刻蚀步骤中包括硅或锗。
3.一种太阳能电池的表面制绒处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、提供非(100)晶向的单晶硅硅片和多种刻蚀剂，其中，所述刻蚀剂包括：(1)由质量浓度为30-65％的HF、质量浓度为45-85％的HNO3和H2O以1:3:8-1:8:3的重量比混合而成；(2)在(1)所述的刻蚀剂中加入H2SO4或由H2SO4全部或部分取代HF或HNO3中的一种；
b、将所述非(100)晶向的单晶硅硅片置于安放有某种所述刻蚀剂的反应室内或某种所述刻蚀剂上方进行化学气相刻蚀，所述刻蚀剂的温度被设置在0到85度之间；
c、重复步骤b至少一次，其中在所述各重复步骤中选择与上一次刻蚀所使用的刻蚀剂相同或不同的刻蚀剂进行化学气相刻蚀。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述刻蚀剂在所述化学气相刻蚀步骤中包括硅或锗。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310653428.1A CN104701407B (zh) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 太阳能电池的表面制绒处理方法 |
| PCT/CN2014/093051 WO2015081876A1 (zh) | 2013-12-05 | 2014-12-04 | 太阳能电池的表面制绒处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310653428.1A CN104701407B (zh) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 太阳能电池的表面制绒处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104701407A CN104701407A (zh) | 2015-06-10 |
| CN104701407B true CN104701407B (zh) | 2017-09-01 |
Family
ID=53272903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310653428.1A Active CN104701407B (zh) | 2013-12-05 | 2013-12-05 | 太阳能电池的表面制绒处理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104701407B (zh) |
| WO (1) | WO2015081876A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107177889A (zh) * | 2017-05-22 | 2017-09-19 | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 | 一种单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法 |
| CN107170846A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-09-15 | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 | 单晶硅太阳能电池的表面绒面制备方法 |
| CN107598183B (zh) * | 2017-08-14 | 2020-06-12 | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 | 一种纳米银颗粒的宏量制备方法 |
| CN109786501B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-09-18 | 江西展宇新能科技有限公司 | 一种多晶黑硅片的制绒方法 |
| CN109680340A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-04-26 | 南京航空航天大学 | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒装置 |
| CN109873054B (zh) * | 2019-04-04 | 2024-06-07 | 乐山新天源太阳能科技有限公司 | 黑硅太阳能电池生产线 |
| CN112349812A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-02-09 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 硅片表面绒面结构的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN202150463U (zh) * | 2011-08-10 | 2012-02-22 | 温州索乐新能源科技有限公司 | 多晶硅薄膜太阳能电池 |
| CN102656250A (zh) * | 2009-09-21 | 2012-09-05 | 巴斯夫欧洲公司 | 含水酸性蚀刻溶液和使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的方法 |
| CN103346204A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-10-09 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种多晶链式多步制绒工艺 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311060A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法、太陽電池 |
| JP2012041197A (ja) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Sumco Corp | シリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法 |
| CN102544215A (zh) * | 2012-01-12 | 2012-07-04 | 中国科学院电工研究所 | 利用激光掺杂加刻蚀制备选择性发射结太阳电池的方法 |
| CN102560686B (zh) * | 2012-03-08 | 2014-11-19 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种硅片的湿法刻蚀方法及太阳能电池生产方法 |
-
2013
- 2013-12-05 CN CN201310653428.1A patent/CN104701407B/zh active Active
-
2014
- 2014-12-04 WO PCT/CN2014/093051 patent/WO2015081876A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102656250A (zh) * | 2009-09-21 | 2012-09-05 | 巴斯夫欧洲公司 | 含水酸性蚀刻溶液和使单晶和多晶硅衬底的表面纹理化的方法 |
| CN202150463U (zh) * | 2011-08-10 | 2012-02-22 | 温州索乐新能源科技有限公司 | 多晶硅薄膜太阳能电池 |
| CN103346204A (zh) * | 2013-06-07 | 2013-10-09 | 中利腾晖光伏科技有限公司 | 一种多晶链式多步制绒工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015081876A1 (zh) | 2015-06-11 |
| CN104701407A (zh) | 2015-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104701407B (zh) | 太阳能电池的表面制绒处理方法 | |
| CN103493216B (zh) | 形成背接触太阳能电池发射极的方法 | |
| JP2010258456A (ja) | 周期構造を有するシリコン基板 | |
| Yamada et al. | Fabrication of arrays of tapered silicon micro-/nano-pillars by metal-assisted chemical etching and anisotropic wet etching | |
| CN101877330A (zh) | 具有周期结构的蓝宝石基板 | |
| CN101863452A (zh) | 一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法 | |
| CN103871846B (zh) | 自对准多重图形化方法及硅基硬掩模组合物的应用 | |
| CN108383078B (zh) | 硅针阵列的制备方法 | |
| CN101920932A (zh) | 制作纳米尺寸间距的电极的方法 | |
| CN109449251A (zh) | 一种太阳能电池选择性发射极的制备方法 | |
| CN104934361A (zh) | 浅沟槽的制作方法及存储器件的制作方法 | |
| CN110739212A (zh) | 硬掩膜的制备方法及半导体器件的制造方法 | |
| CN106133922B (zh) | 太阳能电池的制造方法以及太阳能电池 | |
| CN105103300A (zh) | 使用耐蚀膜的太阳能电池发射极区域的制备 | |
| CN103578942B (zh) | 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 | |
| CN105668509A (zh) | 一种刻蚀微米硅通孔的方法 | |
| CN103035506B (zh) | Rfldmos隔离介质层深沟槽的刻蚀方法 | |
| Gautier et al. | Macroporous silicon hydrogen diffusion layers for micro-fuel cells: from planar to 3D structures | |
| CN105161409B (zh) | U形栅极的形成方法 | |
| CN111430513A (zh) | 纳米柱的制备方法和纳米柱led器件的制备方法 | |
| CN108732666A (zh) | 一种光栅刻蚀方法 | |
| CN106226865B (zh) | 一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法 | |
| CN103241705B (zh) | 硅腐蚀局部终止层制作方法 | |
| CN104743501B (zh) | 一种运动传感器的制备方法 | |
| CN102768956A (zh) | 一种制备边缘粗糙度较小的细线条的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |