CN202150463U - 多晶硅薄膜太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片,硅片是由制绒层和氮化硅膜复合而成,所述的氮化硅膜是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜,所述的氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。本实用新型的有益效果是:使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒成为可能,相对于RIE制绒和光刻制绒,节约了成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池,尤其是一种多晶硅薄膜太阳能电池。
背景技术
普通的太阳能电池的制备工艺流程中第一步为清洗制绒,然后再进行后续的工艺,制绒的目的是降低电池表面对光的反射率,从而提高光的吸收率。其传统的制绒方法包括碱制绒、酸制绒,碱制绒和酸制绒方法为两面同时制绒,除此之外还有其他高效电池的特殊制绒方法,例如:RIE制绒,光刻制绒等,这些方法可以形成一面制绒,但成本相对较高。碱制绒、酸制绒、RIE制绒,光刻制绒原理如下:
碱制绒:根据Si各个晶面腐蚀的速度不同,用碱溶液将硅片表面腐蚀出金字塔,硅片正反两面都形成金字塔,对光的发射率低;
酸制绒:用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成的溶液来腐蚀硅片表面,形成的绒面为不规则的凹坑,硅片两面同时形成这样的绒面,正面和反面的对光的反射率低;
RIE制绒:在硅片的受光面用反应离子体刻蚀,形成反射率低的绒面,这种方法可以一面制绒,但成本高,后续去损伤层难度较大;
光刻制绒:先在硅片表面生长一层厚度约为1um左右的氧化膜,再使用光刻的方法制绒,反射率低,成本高。
发明内容
本实用新型为解决技术问题提供了一种新型的多晶硅薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的,本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片,所述的硅片是由制绒层和氮化硅膜复合而成,所述的氮化硅膜是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜。
所述的氮化硅膜的厚度为5nm-200nm。
本实用新型的有益效果是:使通过传统酸、碱制绒方法进行太阳能电池硅片的单面制绒成为可能,相对于RIE制绒和光刻制绒,节约了成本。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图所示,多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片1,所述的硅片1是由制绒层2和氮化硅膜3复合而成,所述的氮化硅膜3是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜3,所述的氮化硅膜3的厚度为5nm-200nm。
实施1:
将硅片1放入碱制溶液中,根据硅各个晶面腐蚀的速度不同,碱制溶液对硅片的表面进行腐蚀,硅片1的上表面腐蚀出金字塔形,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面制绒的硅片。
实施2
将硅片1放入酸制溶液中,用硝酸、氢氟酸按照一定的配比配成溶液对硅片1的表面进行腐蚀,在硅片1的上表面形成不规则的凹坑,由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作为阻挡层,所以就形成了单面制绒的硅片。
单面制绒后的硅片再经过常规扩散、去磷硅玻璃及刻边、印刷电极、烧结和电性能测试等步骤就可以形成成品。
Claims (2)
1.多晶硅薄膜太阳能电池,包括硅片(1),其特征在于:所述的硅片(1)是由制绒层(2)和氮化硅膜(3)复合而成,所述的氮化硅膜(3)是具有一层作为制绒阻挡层的氮化硅膜(3)。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜太阳能电池,其特征在于:所述的氮化硅膜(3)的厚度为5nm-200nm。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 201120288448 CN202150463U (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 多晶硅薄膜太阳能电池 |
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---|---|---|---|
CN 201120288448 CN202150463U (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 多晶硅薄膜太阳能电池 |
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CN202150463U true CN202150463U (zh) | 2012-02-22 |
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ID=45591515
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201120288448 Expired - Fee Related CN202150463U (zh) | 2011-08-10 | 2011-08-10 | 多晶硅薄膜太阳能电池 |
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CN (1) | CN202150463U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104701407A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 骆志炯 | 太阳能电池和长城型太阳能电池基板的表面制绒处理方法 |
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WO2015081876A1 (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 骆志炯 | 太阳能电池的表面制绒处理方法 |
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