CN104661441B - 一种加成法制作线路板的激光活化技术方法 - Google Patents

一种加成法制作线路板的激光活化技术方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开一种加成法制作线路板的激光活化技术方法。该方法包括：清洗电路板基材；在基材表面使用激光烧蚀形成线路轨道图形，同时在激光照射作用下，基材轨道表面形成纳米级孔洞；催化粒子渗透孔洞吸附在凹槽侧壁和底部，形成活化催化层；最后利用催化层实现化学镀铜，完成线路轨道填铜，形成电路板导电图案。这种方法异于传统的蚀刻减成法，可以十分方便地实现线路金属化，而且工艺简单，环境友好。

Description

一种加成法制作线路板的激光活化技术方法
技术领域
本发明涉及加成制作电路板方法，尤其涉及一种基于激光照射改性，再通过化学填铜制作电路图案的方法。
背景技术
印制电路板作为电子产品元器件的载板，起着重要的互联作用。在电路板的电气连接中，铜导体电路无疑是关键的一个方面。铜线线宽线距直接影响电气性能的稳定性，尤其是对信号传输要求比较高的高频阻抗板来说。
传统的PCB生产工艺是利用蚀刻的方法，将整块铜箔基板覆盖干膜并曝光显影后，再由化学蚀刻除去不需要的面铜形成导体线路，是一种减成方法。这种方法的优点是工艺十分成熟，但是存在材料消耗，工序复杂等缺点，并且由于曝光显影设备的约束，导线线路精度因此受到限制。并且在化学镀工序要经历粗化，吸附，还原等步骤，对电路板可靠性有一定影响，同时带来了化学药品的污染问题。
发明内容
针对传统工艺的局限性，提出一种加成法制作线路板的方法，该方法用到了激光活化技术，并基于此利用化学镀铜形成导线图案。通过这种激光活化法，可以省去化学镀的粗化前处理，简化了工艺，提高了线路板的可靠性。
本发明所采用的技术方案是：该方法包括以下步骤：
（1）对绝缘基底材料表面使用激光烧蚀形成线路轨道图形，同时在激光照射作用下，基材轨道表面形成纳米级孔洞；
（3）将催化粒子渗透孔洞，吸附在材料表面，形成活化催化层；
（3）金属通过化学填铜的方法在凹槽内填铜形成导电图案。
进一步地，在所述步骤（1）中，使用激光烧蚀的同时，使轨道侧壁和底部出现纳米级孔洞。
进一步地，所述步骤（2）中，所述催化粒子包括但不限于胶体钯，纳米金属颗粒，纳米碳。
进一步地，所述步骤（2）中，所述活化催化层的厚度为20nm-200nm。
进一步地，所述步骤（2）中，在纳米粒子吸附形成催化层后，对材料表面进行干燥。
进一步地，所述步骤（3）中，化学填铜包括但不限于化学镀铜、镀镍、镀银、镀金、镀镍磷硼，后再进行填铜。
进一步地，所述步骤（1）中， 激光烧蚀过程中，激光的脉冲能量控制在80-100mJ，聚焦高度控制在50-60mm，频率控制在40-60 kHz，脉冲宽度控制在102-120nms，光束直径控制在15-20mm。
进一步地，所述步骤（1）中，在进行激光烧蚀的后段，激光的脉冲能量控制在10-40mJ，聚焦高度控制在50-60mm，频率控制在48-60 kHz，脉冲宽度控制在102-120nms，光束直径控制在15-20mm。
进一步地，所述催化粒子的粒径小于或等于100nm，所述催化粒子应均匀悬浮在液态分散体系。
更进一步地，化学填铜时应将凹槽填满铜为止。
具体地，本发明选择合适的基底材料（非铜箔），并切割成适合电路加工的尺寸。
将基材置于激光加工设备中，输入激光图案文件后，对基材进行表面图形烧蚀，并在烧蚀周期末控制激光参数，利用激光再次照射烧蚀成的凹槽表面，使凹槽内面形成纳米孔洞。具体做法是，在激光烧蚀周期中，利用高能激光束照射基材表面，表面需要形成导线图案的部分吸收能量，迅速升温汽化；在激光烧蚀周期末，降低激光功率，使得激光照射基材凹槽时基材有机成分不致完全汽化，而是部分汽化，并借此在内壁形成纳米级孔洞。
整板清洗，由于激光作用会带来基材表面和轨道槽内壁汽化污渍，利用等离子体或者其他化学微蚀法进行清洁。
根据清洁类型不同，在清理完毕后，内壁纳米级微孔往往会携带正电或者负电；对于带负电的催化剂微粒，需要进行电荷调整，使微孔带上正电；而对于带正电的催化剂微粒，则要调整微孔带上负电。
将调整完毕的基材浸润到含有催化颗粒的溶液中，催化粒子渗透孔洞吸附在轨道内壁，形成活化催化层。催化剂溶液是由含有纳米金属胶体或者离子的稳定分散溶液体系，纳米金属胶体或者微粒作为后续还原形成金属镀层的催化中心，所以在内壁需要有较强的吸附作用，甚至渗透到孔洞内部，提高催化效果。常用的催化金属如胶体钯，纳米金属颗粒，纳米碳等。催化层厚度可以调整，根据实际需要改变。
轨道内表面形成催化层后就有了进行化学填铜的基础，通常将材料浸润到化学镀液中，催化中心发生氧化还原反应形成镀层金属，镀层金属上又发生自催化反应，使得化学镀过程继续进行，最终使得金属填满凹槽，形成电路导线。
本发明利用激光烧蚀同时实现填铜部分的活化，进而化学填铜形成导电铜线，将物理改性和化学作用结合，通过激光照射材料完成材料表面粗化前处理过程，较为方便的实现表面改性，为催化剂的附体提供了良好的条件，而且得到的铜导线线形较好。
附图说明
图1是未作处理的基底材料示意图；
图2是对基底进行激光蚀刻的示意图；
图3是基底激光照射留下微小孔洞示意图；
图4是轨道槽内表面吸附催化剂形成活化催化层的示意图；
图5是基底表面化学填铜的示意图；
图6是填铜完成示意图；其中，A是一种基底材料，如树脂材料FR-4，液晶高分子材料LCP等；B是活化层；C是催化层；D是混合层；E是金属层；F是导体线路。
具体实施方式
如图1至图6所示，下面根据发明工艺通过具体实施方式来详细说明。以下实施实例只是为了更好地将本发明技术原理阐释清楚，并不代表本发明只能限制使用该实施实例。
实施例一：
（1）利用液晶高分子聚合物（LCP）作为基底材料，并在该材料表面实现烧蚀填铜，形成导体图案。
（2）选择机械加工，热性能优异的液晶高分子聚合物（LCP）作为基底材料A，并切割成适合加工的尺寸。
（3）切割好的基材进行酸洗一次，水洗三次并烘干，除去基材表面污腻，保证后期激光处理的一致性。
（4）将基材置于激光加工设备中，输入激光图案文件后，对基材进行表面图形烧蚀，并在烧蚀周期末控制激光参数，利用激光再次照射烧蚀成的凹槽表面，使凹槽内面形成纳米孔洞。具体做法是，在激光烧蚀周期中，激光脉冲能量控制在70-90mJ，聚焦高度控制在0-10mm，激光频率控制在50-60kHz，激光脉冲宽度控制在102-120nms，光束直径控制在15-20mm；在激光烧蚀周期末，降低激光功率，激光脉冲能量控制在40-50mJ，聚焦高度控制在0-5mm，激光频率控制在60-70kHz，激光脉冲宽度控制在102-120nm，光束直径控制在15-20mm，使得激光照射基材凹槽时基材有机成分不致完全汽化，而是部分汽化，并借此在内壁形成纳米级孔洞。
（5）将刻槽后的基板放入等离子清洗设备中，对基材表面和凹槽内面微小孔洞进行清洁，有利于催化颗粒的吸附。
（6）根据清洁类型不同，在清理完毕后，内壁纳米级微孔往往会携带正电或者负电；对于带负电的催化剂微粒，需要进行电荷调整，使微孔带上正电；而对于带正电的催化剂微粒，则要调整微孔带上负电。
（7）调节完电荷的基板材料需要浸没到催化剂溶液中，本实例使用的催化剂溶液是纳米石墨溶液。浸没温度控制在40℃左右，浸没时间5～10min，可以在浸没设备加入震荡装置，以便催化成分与基板表面充分结合。
（8）基材吸附碳微粒后在40℃的热风条件下吹干，干燥的温度和时间不易过多，影响催化层结构和组成，最好加入气体保护。
（9）将吸附催化剂的基板材料浸入化学镀铜溶液中，镀铜液即普通的商业镀铜溶液。温度控制在25℃，时间控制在20min，使凹槽内表面均匀的镀上铜层，并继续填铜直到形成电路导线。
实施例二：
（1）利用聚酰亚胺（PI）作为基底材料，并在该材料表面实现烧蚀填铜，形成导体图案。
（2）选择聚酰亚胺（PI）作为基底材料A，聚酰亚胺薄膜厚度25微米，并切割成适合加工的尺寸。
（3）切割好的基材进行酸洗一次，水洗三次并烘干，除去基材表面污腻，保证后期激光处理的一致性。
（4）切割好的基材进行酸洗一次，水洗三次并烘干，除去基材表面污腻，保证后期激光处理的一致性。
（5）将基材置于激光加工设备中，输入激光图案文件后，对基材进行表面图形烧蚀，并在烧蚀周期末控制激光参数，利用激光再次照射烧蚀成的凹槽表面，使凹槽内面形成纳米孔洞。具体做法是，在激光烧蚀周期中，激光脉冲能量控制在50-60mJ，聚焦高度控制在0-10mm，激光频率控制在50-60kHz，激光脉冲宽度控制在102-120 nm，光束直径控制在15-20mm；在激光烧蚀周期末，降低激光功率，激光脉冲能量控制在30-40mJ，聚焦高度控制在0-5mm，激光频率控制在60-70kHz，激光脉冲宽度控制在102nms-120nm，光束直径控制在15-20mm，使得激光照射基材凹槽时基材有机成分不致完全汽化，而是部分汽化，并借此在内壁形成纳米级孔洞。
（6）将刻槽后的基板放入等离子清洗设备中，对基材表面和凹槽内面微小孔洞进行清洁，有利于催化颗粒的吸附。
（7）根据清洁类型不同，在清理完毕后，内壁纳米级微孔往往会携带正电或者负电；对于带负电的催化剂微粒，需要进行电荷调整，使微孔带上正电；而对于带正电的催化剂微粒，则要调整微孔带上负电。
（8）调节完电荷的基板材料需要浸没到催化剂溶液中，本实例使用的催化剂溶液是商业纳米银催化剂溶液。浸没温度控制在40℃左右，浸没时间5min，可以在浸没设备加入震荡装置，以便催化成分与基板表面充分结合。
（9）基材吸附纳米银微粒后在40℃的热风条件下吹干，干燥的温度和时间不易过多，防止影响催化层结构和组成，并加入气体保护。
（10）将吸附催化剂的基板材料浸入化学镀铜溶液中，镀铜液即普通的商业镀铜溶液。温度控制在25℃，时间控制在20min，使凹槽内表面均匀的镀上铜层，并继续填铜直到形成电路导线。
部分板材可能需要磨板，微蚀，得到光滑铜线的电路板。
上述两个实例可以看出，可以应用本发明方法的基材种类很多，包括但不限于热固性树脂，热塑性树脂或者两者共混物。
上述两种实例对本发明做了详细的说明，但不不意味着本发明仅仅局限于这两种实例。在不脱离本发明技术原理的情况下，对其进行改进和变形在本发明权利要求和技术之内，也应属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
（1）对绝缘基底材料表面使用激光烧蚀形成线路轨道图形，同时在激光照射作用下，基材轨道表面形成纳米级孔洞；激光烧蚀过程中，激光的脉冲能量控制在80-100mJ，聚焦高度控制在50-60mm，频率控制在40-60 kHz，脉冲宽度控制在102-120nms，光束直径控制在15-20mm;在进行激光烧蚀的后段，激光的脉冲能量控制在10-40mJ，聚焦高度控制在50-60mm，频率控制在48-60 kHz，脉冲宽度控制在102-120nms，光束直径控制在15-20mm；
（2）将催化粒子渗透孔洞，吸附在材料表面，形成活化催化层，所述活化催化层的厚度为20nm-200nm；
（3）金属通过化学填铜的方法在凹槽内填铜形成导电图案。
2.根据权利要求1所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：在所述步骤（1）中，使用激光烧蚀的同时，使轨道侧壁和底部出现纳米级孔洞。
3.根据权利要求1所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：所述步骤（2）中，所述催化粒子包括但不限于胶体钯，纳米金属颗粒，纳米碳。
4.根据权利要求1所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：所述步骤（2）中，在纳米粒子吸附形成催化层后，对材料表面进行干燥。
5.根据权利要求1所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：所述步骤（3）中，化学填铜包括但不限于化学镀铜、镀镍、镀银、镀金、镀镍磷硼，后再进行填铜。
6.根据权利要求1所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：所述催化粒子的粒径小于或等于100nm，所述催化粒子应均匀悬浮在液态分散体系。
7.根据权利要求5所述的一种加成法制作线路板的激光活化技术方法，其特征在于：化学填铜时应将凹槽填满铜为止。
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