JPS59104197A - 過マンガン酸塩および苛性処理溶液を使用してプリント回路板の孔を浄化する加工法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は絶縁性基質上に銅を無電解析出させる改良した
加工法に関するものである。本発明はまた、絶縁性基質
に形成した孔の内壁上の樹脂汚れを除去する改良した方
法に関するものでもある。 樹脂含有物質に孔を形成する操作は、しばしば孔の内壁
ないしは胴部に樹脂の汚れを生じることがある。この樹
脂汚れは孔を形成する操作の間に物質の樹脂成分の融点
を越える温度の発生あるいは利用に主として原因がある
。 たとえば、孔をエポキシ含浸ガラメ繊維ラミネート物質
にドリルで穿孔する場合、物質に対するドリルの刃の摩
擦が刃の温度を上昇させる。 数値制御ドＩＪ　／し穿孔機が今日では一般に使用され
、そして１分間に２００個の孔あけまで、非常に迅速な
連続ドリル穿孔が可能である。この条件下で、ドリルの
刃の温度は２６０″Ｃないし３１５”Ｃに達し、そして
」二記温度は多くの樹脂系の融解温度を越える。それ故
、ドリルの刃がドリル穿孔する物質から融解樹脂を拾い
上げ、そしてこの融解付着物が孔の胴部を汚す。レーザ
ー穿孔して有機絶縁性基質中に内部導電体を接続する場
合、類似の樹脂付着物あるいは汚れを露出した導電体表
面上に展開させる。 孔壁上を汚した樹脂はある適用例では無視できるけれど
も、時には除去することが不可避となる。たとえば、複
数の平行な平面金属導電体を含む樹脂含有物質に、二個
以−にの平行な金属導電体、すなわち多層回路板に垂直
で、かつ連絡する孔を形成することを考えよう。二個以
上の金属導電体間に導電路を作るために孔壁を金属化す
ることが必要であれば、金属化した孔壁と金属導電体と
の間の導電性接続を達成するために、金属導電体を貫通
する孔のエツジから樹脂汚れを除去しなければならない
。たとえば、銅被覆基材プラスチックラミネートを貫通
して、あるいは多層回路板におけるように中間層導電体
平面を含むプラスチックラミネートを貫通して回路板の
孔をドリル穿孔するとき、孔壁に露出した金属表面上の
樹脂汚れを除去して、メッキした貫通孔の固有の機能を
達成させなければならない。 上述のメッキ貫通孔は、両面に金属導電体を有するプリ
ント回路間、あるいは多層板における二層以上の種々の
表面と表面導電体層との間を電気的に接わ１〕するのに
有効である。この機能に必要な電気的および機械的保全
は、孔によって露出した金属導電性層の部分の全内部周
辺から樹脂物質の完全な除去を確保することによっての
み達成できる。 樹脂汚れの除去を必須とする他の例として、米国特許第
３，６４６，５７２５°；第３，６７４．．９１４号；
および第４＊０９７Ｔ８６４号に開示される電線組立品
がある。この発明は電線で線引きした回路板として既知
であり、寸たマルチワイヤという商標で製造されている
。」二記電線組立品は、たとえば基質表面に張り付けた
繊細な絶縁電線の回路網を含んでもよく、」−配電線と
他の導電体との間の内部接続は、たとえば孔を電線平面
に垂直に電線と交差するような直径および位置にドリル
穿孔し、孔の胴部と電線の交差した先端とを金属化し、
そして金属化した孔に接続するハンダ付けを行うことに
よって達成できる。樹脂汚れが孔壁および電線の先端か
ら完全に除去されなければ、金属化した孔壁と電線の先
端との間の電気的接続は劣悪もしくは皆無となる。さら
に、浄化しない孔を金属化したとき、たとえ容認できる
電気的接続が最初達成されたとしても、後のハンダ付は
操作で、金属孔壁と交差した電線との間の物理的接触を
破壊する樹脂汚れの拡張のために上記接続は失われるか
も知れない。 樹脂汚れを除去するための多くρ方法が知られている。 一つの試みは機械的な方法で、研磨剤の粒子の乾燥ない
しは湿潤流れを上記の孔全体に通過させることを含む。 類似の方法は水圧を使用して研磨剤物質の濃いスラリー
を孔に無理に通過させることである。機械的方法は一般
に、比較的遅くかつ制御が困難である。その上、所要の
回路板中の全ての孔に対して良好な再生を達成すること
が困難なため、完全な汚れ除去ができるのは稀れである
。 汚れ除去の他の方法には汚れ樹脂コーティングを侵食す
る薬剤の使用が含まれる。 約９０％濃度まで落した濃硫酸はよく使用されてきた。 普通的２５．４　ｐｍ　（０，００１インチ）厚さ以下
であるエポキシ樹脂汚れは、上記薬剤を用いて約１分間
の処理で除去することができる。 残念ながら、効果的な汚れ除去に必要な高濃度（９２％
〜９８％）の硫酸は操作する人達に異常な危険性を強要
する。また、この処理では好ましくない粗雑な孔壁を作
る。濃硫酸は急速に水を吸収し、そして効力を無くする
ので、その有効寿命期間には限界がある。汚れを除去す
るための浸漬時間は吸収した水とともに変化する。 他の汚れ除去剤は濃厚なりロム酸である。硫酸よりも作
用は緩慢で、等価な汚れを除去するのに５ないし１５分
間を要する。操作する人の警戒および特別なタンク内張
りと浸漬ラックとを必要とする。その上厳密な水質の調
節および生態学的に申し分のない手段で濃厚なりロム酸
金属残留物を処置することが備しいこともまた、本方法
の汚れ除去に備えて重要視される。要するに、クロム酸
は毒性の問題、洗浄水の廃棄処理の難しさを呈し、また
無電解メッキを妨げるクロム残留物を残す。 種々の割合で組合せた硫酸と弗素含有酸とを汚れ除去剤
として使用するが、−上記は毒性を有し、特別に設計し
た装置を必要とする。 過マンガン酸塩は特別な装置および操作する人に対する
異常な安全予防策を必要とせず、また廃棄物の処置に全
く生態学的危険を示さないので、機械的およびレーザに
よってあけた孔の汚れ除去にも使用されている。たとえ
ば、約１３以上のｐＨを有するアルカリ性過マンガン酸
塩溶液を使用することを開示した英国特許第１゜４　’
ｉ’　９，５５６号明細書を謬照されたい。１３以上の
ｐＨを有する過マンガン酸塩溶液をマルチワイヤ回路板
に使用して、電線からエポキシ汚れを除去し、そして電
線を囲むポリイミド絶縁物をエツチング後退させる。高
いｐＬｌ　の過マンガン酸塩溶液を使用すると、局所的
に不活性の部分をつくり、そしてその結果、後で無電解
メッキしたときピンホールあるいはメッキ欠損を形成す
る。 米国特許第４．０４．２．’ｉ’　２９号および第４，
０５”４，６９３号明細書は、１１ないし］３のｐＴ−
Ｉ　を有する過マンガン酸塩溶液を使用すると、樹脂製
基質に対して金属の良好な接着が達成されることを開示
している。しかしながら、−に記ｐＨはポリイミド被覆
電線を用いた電線線引き分離配線板で迅速なポリイミド
除去を達成するにはあまりにも低すぎる。 電線で線引きした板をｌｕ作する加工法において、過マ
ンガン酸塩処理は中に孔のドリル穿孔工程によって生じ
た汚れを除去するだけではなく、ポリイミド電線絶縁物
をある程度までエツチング後退させるためにもまた使用
されていた。 過マンガン酸塩処理後、孔を１中和」しそして洗浄する
。ＳｎＣ召。、ホルムアルデヒドあるいはヒドラジン水
和物溶液のような中和剤が使用されてきた。しかしなが
ら、本過マンガン酸塩処理はまた、予め触媒化した基材
物質の触媒活性を減じる。その結果、二種の異る方式で
無電解銅メッキ浴を操作することが必要であった。 上記先行技術の孔浄化加工法における最初の方式では、
銅メッキ浴を十分に高い活性につくり、第一の銅層を形
成させる。上記第一の銅層を形成させた後、浴組成を低
い活性化および十分に安定な状態に戻して、適当な品質
と厚さの銅析出物を生成させる。しかしながら、第一銅
層を形成させる時間は長い。二種の方式の間の切換えは
往々にして制御が困知である。また、銅メッキ浴は連続
的な基礎−１−に使用することはできない。この問題は
本発明の改良された孔浄化溶液によって克服された。 多層板は慣用のシーディング無電解加工法を必要とする
。これは孔浄化後に別個の触媒工程を伴う。多層加工に
付Ｆｆｆｌする他の難しさは非常に高いｐＴ−Ｔ　の過
マンガン酸塩順化溶液を使用した後無電解メッキを行う
と、ピンホールあるいはメッキ欠損が形成されることで
ある。 多層型板および二面全体をメッキした板の孔浄化は、過
マンガン酸塩溶液で板を処理し、次に中和および洗浄を
行うことによって達成された。代表的には処理した板を
引続きシーディング製法、すなわちパラジウム−錫−塩
化物溶液に露出するのであるが、「ピンホール」あるい
は他のメッキ欠損の発生をｉｌ？ｉｌけるために注意深
い工程制御が必要である。他方、二重シーディングある
いはパラジウム−錫−塩化物溶液および無電解銅を通じ
て両方に二重の同じ加工処理を行う必要がある。 過マンガン酸塩処理後の中和工程を省くと、基質上に過
マンガン酸Ｊ４．に残留物の高度に活性な種を残すこと
になる。高度に活ｔ’ｔＥな過マンガン酸塩残留物は、
無電解メッキ溶液中で銅粉子を形成する引金となる。メ
ッキ浴中に」二記残留物が入ると、浴は不安定、かつ比
較的短い使用期間後に自然分解するようになる。 本発明の目的は、マルチワイヤあるいは多層型の基質」
二に銅を析出させる、より効果的、かつ容易に制御でき
る加工法を提供することであるＯ 本発明の目的は、樹脂製基質に形成した孔の内壁上に好
捷しくない残留物を残すことなく、上記内壁から樹脂の
汚れを浄化する改良された加工法を提供することである
。 本発明の目的は、マルチワイヤおよび多層回路板に適切
な改良された孔浄化加工法を提供することである。 本発明の目的は、メッキ工程の信頼性を改良し、そして
連続操作メッキ溶液の使用を許すマルチワイヤ回路板を
製作する改良された加工法を提供することである。 本発明の目的は、樹脂製基質に形成した孔の内壁から樹
脂汚れを同時に除去し、捷た＋１着する金属析出物に対
して上記基質の外層の接着性を同時に増進する改良され
た加工法を提供することである。 本発明は基質の表面上に残った残留マンガンと後続の無
電解金属析出との間に関係があるという発見にノ１１．
：いている。残留マンガンは王水を用いて基質からマン
ガンを溶解し、そして次に原子吸光スペクトルυζ（Ａ
ＡＳ　）で分析することによって検出できる。１１１１
１３以」−を有するアルカリ性過マンガン酸」ブ、、Ｘ
処即溶液を使用したとき、多量の残留マンガンを９出し
た。ここに使用する全てのｐＨ値は２５°Ｃで測定した
ものである。 基質上に析出した商ｐＴＴ　ＭｊＭマンガン酸塩溶液、
ｐＴ−１１３以十、を中和しなかったとき、後続の無電
解金属析出は速いけれども、しかし無電解金属浴は自然
に分解した。高ｐ■１　過マンガン酸塩処理溶液を中和
したとき、金属を引続き無電解析出させるどきに、基質
−１−に残留した残留物は孔の中に欠損を生じる。 約１１ないし１３の間のｐＴｌ　を有するアルカリ性過
マンガン酸塩処理溶液を使用すると、孔の中にマンガン
は少しも残らず、そしてメッキ欠損の発生が減じること
を見出した。引続き水酸化物処理を行うと基質」二の残
留マンガンはさらに減じ、後続の無電解金属メッキを妨
害する認識できるマンガン残留物は少しも残らない。 これは後続の触媒化工程でパラジウム−錫触媒の吸収を
容易にし、そしてその結果、無電解メッキを改良するこ
とになる。水酸化物処理はまた、ポリイミド樹脂から生
じるような樹脂汚れ、また同様に粒子状樹脂製物質を除
去することを助ける。 要するに、本発明は、−面において、金属化に先立ち、
金属化しようとする基質の表面を以下の工程からなる前
処理によって調製する、樹脂製基質を金属化する加工法
を提供する。 （ａ）　　アルカリ性過マンガン酸塩処理溶液と」−記
基質を十分な時間接触させて、表面の接着性を増進させ
； （ｂ）　　過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化
合物と上記基質を十分な時間接触させて、上記基質上に
析出したマンガン残留物を低い酸化状態まで還元し；そ
して （Ｃ）　　アルカリ金属水酸化物溶液と上記基質を、約
４０″Ｃないし約９５°Ｃの間の温度で十分な時間接触
させて、マンガン残留物の殆んど全部を除去する。 他面、本発明は上層、中間層（弔数捷たけ複数）、およ
び下層からなる少くとも三層の導電体層を有する多層回
路板」二に金属を無電解析出させる加工法の改良法を提
供するもので、中間層（学数寸たは複数）は絶縁性物質
と金属導電体とからなシ、回路板は少くとも一個の貫通
孔を有し、」二配孔の内壁はその−にに樹脂汚れを有し
、中間層（単数又は複数）の金属導電体は孔壁の一部を
形成し、この改良は以下からなっている。 無電解金属析出に先立ち、アルカリ性過マンガン酸塩処
理溶液と回路板を十分な時間接触させて、樹脂汚れある
いは樹脂残留物を除去し；過マンガン酸塩によって酸化
可能な水溶性化合物と回路板を十分な時間接触させて、
板上に析出したマンガン残留物を低い酸化状態まで還元
し；そして 上記マンガン残留物の殆んど全部を除去し、その結果無
電解金属析出に先立って、上記回路板の表面からマンガ
ンを実質的になくする。 本発明はまた、基質の表面に張９つけるかあるいは基質
中に埋設した少くとも一個以」二の絶縁電線と電線およ
び板を貫通する少くとも一個の孔とを有し、孔の内壁の
電線部分上に樹脂汚れあるいは樹脂残留物を有する電線
回路板上に金属を無電解析出させる加工法における改良
法を提供する。その改良法は以下の工程を有する。 金属析出に先立ち、回路板をアルカリ性過マンガン酸塩
処理溶液と十分々時間接触させて、樹脂汚れあるいは樹
脂残留物を除去し；板ヲ過マンガン酸塩によって酸化可
能な水溶性化合物と十分な時間接触させて、板上に析出
したマンガン残留物を低い酸化状態まで還元し；そして マンガン残留物の殆んど全部を除去し、その結果無電解
金属析出に先立って、上記回路板の表面からマンガンを
実質的になくし、寸だ孔と電線の接合点で電線の突出部
からポリイミド絶縁物を除去して、清浄な金属電線表面
を露出するＯ 本発明のある実施例を示す添付した図面を参照しながら
本発明をより完全に後文に記述し、また実施例と合せて
本発明の詳細な説明するのに役立てる。図面は本発明の
教示による電線で線引きした板に頁面接続を形成する工
程を示す。 より詳細には、第１図は両面−にに接着剤層０２）ヲモ
つエポキシーガラスラミネー１−　（Ｉｎ）　ヲ示す。 電線（１３）回路図形を接着剤層（１２１に線引きする
。電線はポリイミド絶縁被覆（Ｉ４）を有する。エポキ
シ樹脂で含１畳したガラス布の中−シー）ｔ１５１を各
電線回路図形全体に加熱および加目＝下で接着して電線
図形を保護する１、加圧増感接着剤によって接着したポ
リエチレンフィルム層（Ｉ［ｉｌ　ｌｄ　後Ｈのメッキ
操作中一時的マスクを提供する。 第２図では、ｄ面接続のための孔（１７）を電線で線引
きした回路板にドｌ））し穿孔し、樹脂汚れ（１８）が
できる。第３図ではポリエチレンフィルムｔｌｆｉｔを
加熱によって孔のエツジから収縮後退させている。樹脂
汚れはアルカリ性過マンガン酸塩溶液中に浸漬すると七
によって除去され、そして水酸化物エツチング剤中に浸
漬することによって電線のポリイミド絶縁物をエツチン
グによって後退０９）させる。 第４図はメッキした貫通孔を示す。メッキした銅（２（
刀は樹脂汚れにＵｊげられることなく電線０３）にしっ
かりと接着される。 少くとも約１０９／ｌの程度まで水に可溶かつ安定な過
マンガン酸の全ての金属塩が使用できるが、しかし望ま
しい特徴はアルカリ金属、たとえばナトリウム、カリウ
ム、リチウムあるいはセシウム等、あるいはアルカリ土
金属、たとえばマグネシウムおよび類似物の過マンガン
酸塩を使用することである。適度な価格と良好な溶解度
の点で有効な特に望ましいものは過マンガン酸ナトリウ
ムと過マンガン酸カリウムとである。 溶液中に使用される過マンガン酸塩の量は広い範囲、た
とえば約１０９　／　ｅから媒体中での過マンガン酸塩
の溶解限界まで変えることができる。しかしながら、過
マンガン酸ナトリウム結合座席の形成速度は約６ｏ９／
（ｔ′！ｉ：で増加するが、しかしこの水準以上では速
度のそれ以上の増加は認められなかった。１０ｇ／ｌ以
下では、速度は良好な生産速度に対していくらか低すぎ
た。過マンガン酸塩の濃度を増すと、よシ多くのマンガ
ン残留物がＭ室上に残る。それ数的６０ｆｌ／ｌ以−ヒ
の過マンガン酸カリウムは基質からマンガンを完全に除
去することが一層困難となる。 過マンガン酸塩溶液のｐＨは必要に応じて酸あるいは塩
基を加えることにより制御できる。 慣用の分析法は、（１）適尚な量を分取し、そして測定
器の温度、たとえば２０〜２５”ｃ！ｆで冷却し＋　（
ｉｉ）適切な慣用の装置、たとえばｐＨ計を用いてｐｉ
−Ｔ　を測定し；　（ｉｉｉ）　ｐＴＴが所要の水ｄ１
に達するまでｐＴＴ調節剤を加え；　（ｉｖ）使用した
量を書き留め；そして（Ｖ）次に比例した足のｐＴＴ　
調節剤を主塔に加える。例えば、浴は空気からＣＯ２を
吸収して、たとえば１１．５４でｐＴ−Ｔが普通低下す
るだろう。ｐＴ（が１２．５に達する壕で儂ＫＯ！−１
水溶液を分取に点滴添加する。次にＫＯＴ−１の計算量
を主塔に加える。 必要であれば、弗素化、ｆ炭化水素湿潤剤のような酸化
防止湿潤剤を処理組成物に含ませてもよい。 処理工程の時間と温度は種々で、また一般に高い温度は
短時間で活性化を促進する。普通、約３５°Ｃないし１
００″Ｃの温度で５分間ないし２時間、あるいはそれ以
上でさえ使用できる。 しかしながら、約４０”Ｃと約８０°Ｃの間で、約２０
ないし約７５分間の時間範囲内で最良の結果が得られる
。接触は浸没、浸漬、噴霧、および慣用の類似法によっ
て行い、樹脂製表面を処理する。 ここで使用する［樹脂製表面を有する物体」という語は
プラスチック物質、たとえば鋳型製品、ラミキー１−製
品、樹脂コーティングした製品および類似物を指すもの
で、その全体が樹脂製か、あるいは少くとも外側に樹脂
製表面を噛えたものである。 本発明の特徴としては更に接着性樹脂層からなる表面を
有する物体の使用からなり、層は酸化可能で、かつ退化
可能な合成あるいは天然ゴムからなる巖細に粉砕したｆ
１７子を均一に分散させである。この秤の基材は米国特
許第３，６２５゜７５８号明細Ｎ）に開示される。 本発明の加工法の実施は捷た、一種以上の樹脂製物質を
エツチングしようとする場合、所要の相互エツチングを
最も効果的にするには、溶液成分を均衡させることが必
要である。たとえば、電線組立品の孔をエツチングしよ
うとする場合、絶縁電線はポリイミド被覆を有してもよ
く、基材ラミネートはエポキシ−ガラスラミネートでも
よく、基材表面上に樹脂製接清剤を形成するのに第三の
樹脂成分が存在してもよい。 −に記電線組立品に形成した孔の中の樹脂汚れはおそら
く三種の樹脂成分全ての混合物であろう。 その上、電線の先端と金属化した孔壁との間の堅固な接
続を保証し、また貫゛通孔メッキ後の単純に突き出た結
合を避けるために、孔胴部から樹脂汚れを浄化すると同
時に電線の先端上のポリイミド絶縁物をエツチングして
後退させることが望ましい。本発明の望ましい加工法は
ここに記述した電線組立品に適用されるし、また当業者
は特定の適用例に開示した過マンガン酸塩エツチング剤
および樹脂含有化合物を容易に適当に応用できるだろう
。 過マンガン酸塩溶液中での汚れ除去は約５ないし約７５
分間の時間に頁って行うのが望ましく、最も望ましい処
理時間は約２０ないし約４５分間の範囲である。 汚れの完全な除去に長時間を必要とするならば、過マン
ガン酸塩溶液中で２０ないし４５分間処理することが望
ましく、多層あるいは分離電線板を中和溶液に移しｉ洗
浄しツそして汚れを完全に除去するために過マンガン酸
塩溶液に戻して付加的に３０ないし４５分間処理する。 汚れ除去に時間がかかる孔の中のマンガン残留物は還元
されるものと信じる。 汚れの除去速度は過マンガン酸塩の濃度の増加に伴って
増加する。しかしながら、残留マンガンもまた濃度とと
もに増加する。最も望ましい過マンガン酸塩濃度は約４
５ないし６０９７１２　ａマンガン酸カリウムである。 汚れ除去速度は処理溶液の温度に直接比例し、約４０”
Ｃから約８０°Ｃまで温度が上昇するにつれて満足でき
る結果が得られる。望ましい温度は約６０℃である。約
４０”Ｃよりも相当低い温度で本発明による汚れ除去塔
を操作すると一般に、不満足な遅い汚れ除去速度となシ
、また溶液中に十分量の過マンガン酸塩を維持すること
が困信となる。６０″ｃ、ｘｉ）も相当高い？黒度では
、見かけ−１−何の利益もなく、すなわち処理工程全体
は殆んど早くならない。 アルカリ性過マンガン酸塩処理溶液は、約１１ないし１
４のｐＩ−１で最も良好に操作され、望ましいｐＴ−Ｔ
　は約１２．５である。ナ１−リウムあるいはカリウム
の水酸化物は望寸しいｐＴ−１調節剤である。本文のｐ
Ｈ値は全て約２５°Ｃで測定している。１１より相当低
いｐｔＴ　を使用すれば、全体に亘るエツチング速度は
減少する。 弗素化炭化水素湿潤剤のような湿潤剤の少量を添加する
ことによって、改良した汚れ除去が得られる。適当な弗
素化炭化水素課潤＾１１は陰イオン界面活性剤、弗素化
アルキルカルボン酸カリウムであって、３Ｍ社から商品
名ＦｌｕｏｒａｄＦＣ１２Ｂ　　およびＦｌｕｏｒａｄ
　ＰＣ１２９として１１反売店れている。 望ましい実施例では、アルカリ性過マンガン酸塩溶液で
処理した後、触媒化および無電解金属析出前に、中和剤
を用いて基質」二に残留する過マンガン酸塩を１中和」
する。」−泥中和剤は樹脂製表面から過剰の過マンガン
酸塩を全て除去することを助ける働きをし、そして加工
処理における後続の工程および処即浴に対して残留強酸
化剤に基因する稀釈および他の起り得る効果を予防する
。中和剤としては酸性塩化錫Ｉ′Ｉｌ）浴、たとえばＳ
　ｎ　Ｃ１２−Ｔ−ＴＣｌとして提供されるようなデヒ
ド、蔗糖、あるいは夾するに過マンガン酸塩によって酸
化可能な衆知の水溶性化合物の全てがまた適切である。 所要の中和効果を達成するには、次工程を実施する前に
、過マンガン酸塩処理した基質を、濃度、たとえば２な
いし１ｏ　ｏ　１７　／　（Ｊの中和剤水溶液中に短時
間浸漬し、その後すぐに水洗する。他の適切な中和剤は
、例えば米国特許第４，０５４，６９３号明細書に開示
されている。 本発明の加工法の加熱水酸化物エツチング工程はアルカ
リ金属水酸化物を使用する。適切な水酸化物にはリチウ
ム、ナ１−リウム、カリウム、セシウム、およびテトラ
アルキルアンモニウムが含まれる。溶液中に使用する水
酸化物の量は広範囲、たとえば約１５ないし約７７ｏｙ
／ｌに変えることができる。任意ではあるが、エチレン
ジアミン四酢酸塩（ＥＴ）ＴＡ、）、酒石酸塩類および
類似物のようなマンガンに対する錯化剤をアルカリ性水
酸化物溶液中に入れることができる。 慣用の湿潤剤をアルカリ性水酸化物溶液中に入れてもよ
い。 水酸化物エツチングの加工処伸時間は濃度に応じて、ま
た約４０″Ｃないし約９０″Ｃの温度で、約１０分間な
いし約３０分間の範囲である。約７６０９　／　ｌで、
また約９５”Ｃで水酸化す）　ＩＪウム溶液はマンガン
残留物を除去するのに最も有効である。しかしながら、
」−記溶液には操作性に難しさがあるので、より低い約
６０″Ｃの温度とより低い約１５０ｇ／ａの濃度が適当
である。水酸化物エツチングの直後に水洗する。 二丁程低ｐＨ１１３以下、過マンガン酸塩／水酸化物エ
ツチング加工処ｌ］ｐは、電線線引き回路板に対する現
在の中−高ｐＬＴ　、］−３以」−１過マンガン酸塩溶
液よりも改良された工程制御を提供する。マルチワイヤ
の製法は垂直な貫通孔壁と交差する水平電線を囲むポリ
イミド絶縁物をエツチングして後退させることが必要で
ある。電線表面からエポキシ汚れを除去することにこれ
現在の一工程高ｐＨ過マンガン酸塩系では、水酸化物の
含有量をｐＨ電極あるいは単純滴定で測定することが困
難である。水酸化物の含有量を正確に測定することが不
可能なことは、ポリイミドのエツチング後退の制御を困
難にする。 低ｐＴ（，１３以下、過マンガン酸塩／水酸化物エツチ
ング系を用いると、ポリイミドのエツチングは別個の水
酸化物エツチング後退で行われる。 本溶液には過マンガン酸塩が存在しないので、単純な酸
−塩基滴定分析を通じて水酸化物濃度を測定することが
容易となる。より低い過マンガン酸塩溶液のｐＨはｐＨ
電極で測定することができ、また適当な１２．５に制御
できる。 無電解金属の析出に対して表面が先天的に活性でない、
たとえば樹脂製物体中にパラジウム化合物あるいは酸化
銅等のような触媒を含んでいなければ、予備処理後、孔
壁上の樹脂汚れを除去し、そして本発明による結合座席
の活性化を促進させて、無電解金属析出浴と接触させる
前に、活性化した表面を無電解金属の受は容れに対して
触媒性とする工程を必要とすることは無電解金属析出技
術の習熟者には理解されるだろう。表面を触媒性にする
には多くの衆知の手段がある。その中でも、物体を最初
錫１Ｔｌ）イオン溶液中に浸漬し、その後上記処理を行
った物体を貴金属、たとえばパラジウムあるいは白金の
イオンの酸性溶液中に浸漬するような連続加工法がある
。他方、米国特許第３，０１１，９２０号明細書に記載
されたコロイド゛状パラジウムおよび錫イオン分散系、
あるいは望ましくは米国特許第３．６　’ｉ’　２，９
３８号明細書に記載された貴金属、錫（１）イオンおよ
び陰イオンの可溶性錯化物のような単−浴を−１−舵口
的に使用することができる。 上記のように／ｌＴ７性化した（捷た必要であれば触媒
化した）樹脂製物体を次に、無電解析出によって、実際
には本技術で既知である慣用の次亜燐酸ニッケル浴から
ニッケル層を析出させることによって金属化する。無電
解ニッケルの代りに、調印イオンに対する還元剤に加え
て、錯化剤、および他の慣用の成分を含有する慣用の鋼
杭出浴から無電解銅を適用できる。適切な無電解銅浴は
以下のものを混合することによって調製できる。すなわ
ち、Ｃｕ　Ｓ　Ｏ，・５Ｉ−Ｉ２０、］、　０９／ｌ＋
エチレンシアミンチｌ−ライツブロバノール、１７　ｍ
ｅ／　Ｏｉホルムアルデヒｌ”　（３７％溶液）、１５
　ｙｎｌ　／　ｌ　ｉ　Ｎ　ａ　ＣＮ　ｓ　３０　ｍ　
ｌ’／　ｌ　＋　ハス７−ワイアンドツト社から商業的
に入手できるＰ−Ｉｕｒｏｎｉｃ　Ｐ　−８５（〆早潤
剤）、１　ｍ９／　１　Ｂ水およびＮａ０Ｔ−Ｔ　（必
要容量および可Ｔ　］、２．８　）である。 他の適切な無電解金属浴は米国特許第３，４３３゜８２
８号讐第３，４８５，６４３号；第３，６０７，３１７
号；第３，６２５．’ｉ’　５８号の各明細書に記載さ
れている。また金、銀、コバルトおよび他の無電解浴は
当業者には既知である。 本発明の加工法は操作因子の制御に多くの利益を提供す
る。過マンガン酸塩溶液のｐＴＩ　は十分低いので、普
通のｐＴＴ電棒で正確に測定でき、また慣用のエレクｌ
−ロニクヌで制菌できる。過マンガン酸塩の濃度は波長
５２５　ｎｍ　における分光光度法、あるいは電位差滴
定法によって測定できる。 過マンガン酸塩溶液の電位差滴定は、バリウムイオンの
存在する過マンガン酸塩溶液中で、飽和したカロメル電
極のような参照電極に対する白金電極の酸化還元電位の
変化を含む。蟻酸ナトリウムのような還元剤は過マンガ
ン酸塩をマンガン酸塩に還元する。マンガン酸塩イオン
はバリウムと反応して、不溶性のマンガン酸バリウム塩
を形成する。滴定の平衡点で、白金電極の酸化還元電位
に急激な変化がある。 本発明の別個の水酸化物エッチングエ稈は、標準強度の
酸を用いてｐＩ　Ｔ　＋　ｌ−＋性捷で、水酸化物の分
取を滴定して制御することができる。水酸化物濃度を非
常に厳密に制御することは必要でない。 電線で線引きしたパネルを米国特許第３，６４６．５　
’ｉ’　２号、第３．６７４．．９　］−４号、および
第４，０９７，８６４号の各明細用記載の製法によって
調製した。米国特許第３，６００，３３０号明細書に記
載された種類の触媒性充填物を含有するＢ段階エポキシ
で含浸したガラス布の層を、触媒性接着剤Ｑ、１ｌｌｌ
ｌｌｌ厚さで両面コーティングした。これを触媒性（Ｐ
Ｒ−４）エポキシガラスラミネート１．６闘厚さのシー
トにラミネートした。電線回路図形を０，０１３闘厚さ
のポリイミド絶縁物でコーティングしたＱ、１５朋直径
の銅電線を使用して接着剤表面上に線引きした。配線工
程の後、触媒性充填物を含有するエポキシ樹脂で含浸し
たガラス布の層を電線で線引きした回路図形全体に加熱
および加圧によってラミネートした。次にパネルの両表
面上に感圧接着剤で接着したポリエチレンフィルムをコ
ーティングした。 線引きした電線と交差および通過して電気的接続を設け
ようとする点にパネルを貫通して直径１．１７ｆｆｌの
孔をＦ　リル穿孔□した。電線の先端が孔壁の一部を形
成する電線上に生じた樹脂汚れを過マンガン酸塩酸化溶
液によって除去した。樹脂汚れを除去した後、パネルは
孔を通して銅で普通に無電解メッキされる。 ポリエチレンフィルムはパネルの外面上の無電解メッキ
を妨げる。本実施例では、孔を無電解メッキする代シに
、過マンガン酸塩および中和溶液で処理した後、回路板
上に残った残留マンガンを、王水で板からマンガンを溶
解しそして次に王水を原子吸光ヌベク）／し法によって
分析して測定する。各試験はエポキシ−ガラス孔構造、
すなわち１０００個の孔の同一既知表面積を含んでいる
。 ＪＬ　　　？瓦−〕シーー周−朋一 本実施例に使用した孔浄化周期は、以下に記載するよう
な過マンガン酸塩溶液中に６０”Ｃで１時間浸漬し、塩
化錫（１１）ｚｏｇ／ｆｆおよび塩酸３００　ｖｔｔ　
／　（ｌの水溶液中に５分間浸漬して中和した。中和後
水洗し、そして試料（５）だけを洗浄後７６０ｇのＮａ
ＯＨを含む９５°Ｃの熱アルカリ性溶液に浸漬した。過
マンガン酸塩／水酸化物エツチング周期の条件を変えた
結果を表に示す。 本実施例は、ｐＴｌｌ　３．６の先行技術の孔浄溶液は
１／３ないし１／２のマンガン残留物を残し、オたアル
カリ水酸化物溶液は％かに検出可能な水準までマンガン
残留物を著しく減じる。 」−記検査に無電解メッキの結果を補う。プリント回路
上の残留マンガン含有量が高い程無電解銅メッキの難し
さは大きくなる。無電解銅メッキの欠損発生およびマル
チワイヤ加工処理の無電解銅メッキに必要な過剰時間は
エポキシガラ７、基質の高い残留マンガン含有量に関係
することを示した。慣用の多層加工処理では、ｐＴ−Ｔ
　　１３．６の標準の高ｐＬＴ　過マンガン酸塩処理後
、パラジウム触媒で活性化した後でさえ欠損を見イマ１
けた。 孔を浄化するのに高ｐＨ過マンガン酸塩溶液（ｐｔＴ　
　＝　１３．６　）を使用すると、孔壁表面にマンガン
／樹脂結合の形成を伴うと考えられる。 正確な機構は確かでは々いけれども、慣用のパラジウム
活性化工程（多層加工処理）あるいはパラジウムをエポ
キシ樹ｌ旨ラミネート、たとえばマルチワイヤ中に分散
させた全アディティブ加工法のいずれを使用しても、」
二記結合したマンガンは次に孔壁−１−の無電解銅形成
を妨害する。 残留マンガンを含有する板をメッキするために無電解銅
浴中に導入すると無電解銅浴は不安定となる。この不安
定化は銅１０子が孔壁よシもむしろ溶液の槽内に形成す
る悪影響を及ぼす。 この不安定化はマンガンを触媒化する平行反応中におこ
るかもしれない。 平行反応−無電解銅 ＋２　　０　　　　　＋２　　　＋１ Ｃｕ　　−＋Ｃｔ＋　　　　Ｃｔ＋　　−＋Ｃｕ＋１　
　０　　　＋２ 孔壁　　　　　２Ｃｔ＋　　−＋Ｃｕ　＋Ｃｕ溶液の槽
内 マンガン汚染と結びついた欠損問題を克服する高活性の
無電解銅浴を処方する場合、マンガンを触媒化する平行
反応が急速に進み、無電解銅浴を不安定にする原因とな
る。高ホルムアルデヒドおよび高ｐＨは活性を増加と欠
損の克服を示すが、しかしマンガン汚染の存在は不安定
ガメツキ浴ができる。 実　　施　　例　　〔２〕 過マンガン酸カリウム６０９／　（１，ｐＨ１３，６お
よび弗素化カルボン酸アルキ／Ｉ／（ＦＣ−１ｚ８）ｏ
、２Ｑ／ｌのただ一種の浄化溶液を使用することを除い
て、実施例〔１〕の製法を繰返した。孔浄化溶液中の浸
漬時間は３０分間だけであった。中和および洗浄後、−
個のパネルを７６０９／（！のＮａＯＨ溶液中に９５°
Ｃで２０分間浸漬し、また−個は行わなかった。次に両
方のパネルを王水中に浸漬してマンガン残留物を除去し
、そして王水溶液のマンガンを分析した。分析は水酸化
ナトリウム溶液の作用を受けなかった試料パネルが０．
１０　ｍ９　　のマンガンを含有し、また水酸化ナトリ
ウム溶液に浸漬した試料がたった０、０４　ｍＦｌ　　
のマンガンを含有していたことを示した。 実　　施　　例　　〔３〕 本実施例は多層回路板に対する本発明の加工法の適用を
説明する。板は」−下に各３５μｍ厚さの銅層および各
エツチングした銅層が３５μｍＨさのエツチングした銅
図形の六層の内層を有した。銅層は１００ないし１５０
μｍ厚さのガラス強化エポキシ物質で分離されていた。 この回路板は標準的なラミネート技術で調製された。多
層板には約１ｆｉ直径の貫通孔があった。数個の孔の断
面部を顕巖鏡で検査したところ、銅層を含む孔壁上に、
Ｆ’　！Ｊル穿孔によって生じた樹脂汚れが見られた。 貫通孔を有する多層板を次の加工工程によって処理して
、樹脂汚れを除去しそして金属化した。 １、次の成分からなる溶液中で作業片を振動させなから
６５°Ｃで２０分間板を浸漬する。 過マンガン酸カリウム　　　　４δ９／ｌ弗素化カルボ
ン酸アルキル （Ｆｌｕｏｒａｄ　ＦＣ−１２９）界面活性剤　　０．
４　ｍＶｌ水酸化ナトリウム　ｐｌ−Ｉ　　　　１２．
８まで２、次の成分からなる溶液中で作業片を振動させ
ながら周囲温度で３分間中和する。 重亜硫酸ナトリウム　　　　２０ｇ／β硫酸　ｐＩ−ｒ
　　　　　　　　　　　４．５まで３、次の成分からな
る溶液中で作業片を振動させながら周囲温度で３分間さ
らに中和する。 重亜硫酸すｌ・リウム　　　　２０ｆｌ／１硫酸　ｐＨ
４，，５捷で ４、循環流水中で５分間洗浄する。 ５、次の成分からなる溶液中で作業片を振動させながら
６０″Ｃで２０分間板を浸漬する。 水酸化ナトリウム　　　　］、　５０　ｙ　／　１パラ
ノニルフエノオキシボリ グリシド−ル界面活性剤　　　　　　　　’Ｊ、９７１
６、循環流水中で５分間洗浄する。 ’７．１．２０″Ｃで１時間炉内で板を焼成して、水分
を除く。 ８、作業片を振動させながら６０°Ｃで６分間水性調整
剤中に板を浸漬する。本溶液は陽イオン界面活性剤、非
イオン界面活性剤の組合せとｐＴ−１（４でアルカメー
ルアミンとを含有する。 ９、循環流水中で５分間洗浄する。 １０６次の成分からなるゆるやかな銅エツチング溶液中
に作業片を振動させながら周囲温度で１分間浸漬する。 過硫酸ナトリウム　　　　　６０　ｉｉｌ　／　ｌ硫酸
　ｐＨ２，５寸で １１、循環流水中で５分間洗浄する。 １２、　　次の成分からなる脱酸ｆ：ａ液Ｆｐに作業片
を振動させながら周囲温度で１分間板を浸漬する。 水　　　　　　　　　　　　　　　　　　９００屑ｌ／
４硫酸　　　　　　　　　　１００渭ｔ／（Ｊ１３、循
環流水中で５分間洗浄する。 １４、塩化ナトリウム塩水に溶解した塩化錫の酸性溶液
中に周囲温度で３分間浸漬する。 １５、パラジウム−錫−塩化物触媒溶液中に作業片を振
動させながら４０”Ｃで１０分間浸漬する。触媒溶液は
９７０　ｙｘｔの２０％塩化ナトリウム塩水に米国特許
第３，９６１，１０９号実施例〔ｌ）の記載に従って調
製した溶液３０ｇ＋／を加えることによって作成した。 １６、循環流水中で５分間洗浄する。 １７、稀薄な硼弗素酸水溶液中に作業片を振動させなが
ら周囲温度で２分間浸漬する。 １８、循環流水中で５分間洗浄する。 １９、　　次の成分からなる無電解銅浴中に作業片を振
動させながら周囲ｌ都度で３０分間浸漬する。 エチレンジアミンテトラ２− プロパツール　　　　　　　　　　１７ｇ／召硫酸銅五
水和物　　　　　　　　　　９９／（Ｊ＊）ｖムフルデ
ヒド（３７％）　　　　２ｏｗｌ／（Ｊ水酸化ナトリウ
ム　　　　　　　　２２９／１２シアン化ナトリウム　
　　　　　　　　ｏ、ｏ１ｇ／ｊ？硫酸カリ　　　　　
　　　　　　　　　　０．８　ｍ９　／　１２−メルカ
プトベンゾチアゾール　　ｏ、ｏ　ｓ　ｍ９　／　／エ
チレンオキシドとプロピレンオ ギシドのブロック共重合体　　　　　ｏ、ｏ　０１　ｙ
　／β（パスフーワイヤンドット社から Ｐｌｕｒｏｎｉｃ　Ｐ−８５として商 業的に入手可能） 無電解メッキ溶液は孔壁および銅表面上に２μｍの銅を
析出した。洗ｆｑＥ後、多層板を炉乾燥し、そして標準
的な技術によって＃ｌ電解メッキを行い、全厚さ３ＯＮ
３５μｍの銅を孔壁上に生成した。 次に上下銅層に慣用のレジスト像を提供し、そして慣用
の手段で外層回路図形をエツチングした。 できた多層板は、銅内層」−にエポキシ残留物あるいは
汚れなしに平滑な孔壁を有し、そして完全に欠損のない
銅析出物を生じた。メッキした銅と箔層との間の結合は
優れていた。 実　　施　　例　　〔４〕 本実施例はポリイミド゛−ガラス多層回路に対する本発
明の詳細な説明する。この回路板は各３５μｍ厚さの」
−下銅層と各３５μｍ／”１さの六層の内部銅層とを有
していた。銅層は１００〜１５０μｍ厚さのガラス強化
ポリイミド物質によって分離されていた。ポリイミド−
ガラス層と銅層との間は、銅にポリイミドガラス物質を
接着するために使用した非常に薄いアクリル酸樹脂層が
ある。多層板に直径約１　ｔｎｍの孔をドリル穿孔した
。顕微鏡検査は、アクリル酸接着剤閘脂あるいは接着剤
とポリイミドの混合物と考えられる残留物を銅層」−に
示した。 この板を実施例〔３〕に従って浄化かつ金属化した。で
きた多層板は残留物がなく、欠損あるいはメッキされな
かった部分の形跡がない平岱な孔壁を有していた。 本実施例は本発明に従って加工処理したエポキシ−ガラ
ス多層板の孔壁からマンガン残留物を除去するためにア
ルカリ処理を必要とすることを説明する。 各３５μｍ厚さの二層の外部銅層と二層のエツチング図
形内部銅層とを有し、銅層が４５０μ〃１厚さのエボギ
シーガラス層で分離されている一連のエポキシ−ガラス
多層板を、実施例〔３〕に記載した加工処理に従って浄
化および金属化した。 できた多層孔壁はエポキシ残留物、汚れ、および欠損が
なく、またメッキした銅と銅箔層との間は優れた結合を
有してい念。 第一のものと同じ第二の一連の多層板を、実施例〔３〕
の製法の工程（５）および（６）を除く全ての工程を通
して加工処理した。エポキシ残留物あるいは汚れがなく
、またメッキした銅と銅箔との間の結合が良好であって
さえ、多層孔壁の相当数に小さな欠損部分が見られた。 多層製造工場では、これらの板は欠損部分に鋼を析出さ
せるために再加工しなければならないだろう。この結果
は本加工法にアルカリ処理が必要なことを示す。 実　　施　　例　　〔６〕 本実施例はアルカリ金属水酸化物中に錯化剤を使用する
ことを示す。接着剤をラミネートし、電線で線引きを行
って、エポキシ−ガラス布をラミキー１−シ、ポリエチ
レンフィルムでコーティングし、そしてドリル穿孔する
ことによって、実施例〔１〕に記載したように、電線で
線引きした回路板を調製する。孔を浄化する加工法は次
の通りである。 Ｊ、過マンガン酸カリウム６０　ｙ　／　ｌと弗素化力
／ｌ／ボン酸７　／Ｌ’キ／Ｌ／（Ｆｌｕｏｒａｄ　１
２８　）ｏ、２！／Ｂとの水溶液中に、ｐＴ−１１２，
５捷た６０”Ｃで、１時間浸漬する。 ２、実施例〔１〕に記載したように、３０ｇ／ｅ塩化賜
＜ＩＩ）中和剤中に３分間浸漬する。 ３．３９／ｌ塩化錫（’ＩＩ）中和剤中に５分間浸漬す
る。 ４．５分間洗浄する。 ５、次の溶液中に４５°Ｃで３０分間浸漬する。 酒石酸ナトワウ１１カリウノ、　　　１００ｇ／ｌ水酸
化ナトリウム　　　　　　　］２ｏ９／１弗素化カルボ
ン酸アルギル　　　　　ｏ、ｚ９＃Ｊ（Ｆ　　ｌ　　１
１　　（ｌ　　ｒ　　ａ　　（−１ＰＣ−１２８）エチ
レンオキシＩ’重合体　　　　　　ｚｍｌ／１（ユニオ
ンカーバイ１−社から Ｐｏ１ｙｏｘ　Ｃｏａｇｕｌａｎｔと して商業的に入手可能） ６．５分間洗浄する。 ７、次の溶液中で無電解銅メッキする。 銅　　　　　　　　　　　　　　０．０４モル／４エチ
レンジアミンテトラ ２−プロパツール　　　　　　０．０６モル／ｌ（錯化
剤） ホルムアルデヒド　　　　　　０．０７モル／ｅシアン
化ナトリウム安定剤　　０，００６モ）Ｌ／／１硫黄安
定剤　　　　　　　　　３　　　μモル／ｌ燐酸エヌテ
ル界面活性剤　　　０．１５ｍ９７１工チレンオキシド
重合体１　　　　ｍｙ＃（Ｐｏ１ｙｎｘ　Ｃｏａｇｕｌ
ａｎｔ　）温度　　　６２′Ｃ ρＩ−７１２，７ ８時間メッキして、電線の先端に良好に抜屑した５０μ
ｍ厚さの均一な銅層を孔の中に析出した。 実　　施　　例　　〔７〕 本実施例は四層多層回路板に対する本発明の加工法の適
用を説明する。板は銅の上下層と中間二層およびエポキ
シ−ガラス物質の介在層を有している。多層板はドリル
穿孔した貫通孔を有し、孔の内壁上に樹脂汚れを含み、
そして次の生り法で金属化する。 Ａ０次の成分からなる溶液中に攪拌しながら６０°Ｃで
１時間板を浸漬する。 ＫＭｎ　０４　　　　　　　　　６０９／１ＮａＯＴ−
Ｉ　　　ｐＬＴ　　　　　　　　１２　、５１でプリン
ト回路をラックの中の垂直平面に保持しながら加−Ｆ処
理する薬品中に浸漬する。次にラックを水平方向に前後
に５０．８ないし７６．２問（２ないし３インチ）、１
分間にほぼ１５ないし２０回の周期で移動する水平運動
を維持する。 ８０次の成分からなる溶液中で振動させながら２０〜２
５”Ｃで５分間中和する。 Ｓ　ｎ　Ｃβ２・２Ｉ−Ｔ０ｎ　　　　　　　：ｖｏＱ
／１１濃Ｔ−Ｔ　Ｃ、ｅ　（３７％　）　　　　　　　
　　　　　　　　　　　３００簿／／ｄＣ，２０〜２５
°Ｃで５分間流水洗浄する。 ９６次の成分からなる溶液中に振動させながら６０′Ｃ
で２０分間浸漬する。 ＮａＯＨ１５０ｇ／ｆｆ Ｅ、　　２分間流水洗浄する。 １６次の成分からなる溶液中で３分間脱酸する。 １１２Ｓ０４　　　　　　　　　　　　　　１８０ｇＡ
Ｏ，２０〜２５”Ｃｆ１分ｕｌ’ｌ　Ｒｙｋ洗浄する。 Ｔ−Ｔ、　　次の成分からなり塩化パラジウム−塩化錫
（Ｉｔ）錯化物を形成する増感溶液（米国特許第３，６
７２，９３８号）中に１０分間浸漬する。 塩化パラジウム　　　　　　　　　　　　１ｙ７ｇ塩化
錫（１）　　　　　　　　　　　　　　　６０１／１濃
Ｔ−ＴＣ４（３”７％）　　　　　　　　　Ｎｏ（１／
４■。水洗する。 Ｊ、たとえば米国特許第３．６　’７２，９８６号実施
例〔７〕に記載された無電解銅浴中に５５°Ｃで５０時
間浸漬して、約２５．４　ｐｍ　　（１ミル）厚さの無
電解銅を析出させる。 Ｋ、空気乾燥する。 慣用のレジストプリントおよびエツチング技術によって
回路図形を外層上に作成する。 四層の銅層に対する無電解銅の結合は強固で、また孔壁
」二にメッキした無電解銅には欠損はない。 アディティブ多層は」−下の銅層に、米国特許第３，６
３５，７５８号明珂書に記載されたように、接πイ剤層
を置き換えることによって作成できることは明白である
。外層の回路図形をエツチングすることを不必要にする
工程（Ｉ）の後、任意ではあるが板を乾燥し、そしてレ
ジスト像を適用できた。 他のアディティブ多層加圧法では、エポキシガラス物質
はＬｅｅｃｈらの米国特許第３，６゜Ｏ，３３０号明細
書に記載されたように触媒を含有してもよく、また接着
剤表面層もまた触媒を含有する。次に工程σ山を省略し
、そしてレジスト印画後無電解メッキを続行できる。 実　　施　　例　　〔８〕 実施例Ｃ７〕ＣＡ）の過マンガン酸塩Ｋ　Ｍ　ｎ　０４
を１’：４／ｌに、０のＮ　ａ　ＯＴ−Ｔ　　を７ツＯ
ｇ／ｌに置き換え、９０°Ｃで２０分間実施例〔７〕の
製法を繰返す。銅−内層に優れた接盾カでメッキした欠
損のない銅析出物を得る。 実　　施　　例　　〔９〕 実施例〔６〕の工程（２）および（３）の代シに、１分
間さらに水洗し、次に以下の成分からなる溶液中に浸漬
することに置き換えて実施例〔６〕の製法を繰り返す。 ヒドロキシルアミン塩酸５０　（１／１濃ＨＣＩ（３７
％）　　　　　　　　　　　　２０ｍ１／１また、工程
（５）で酒石酸ナトリウムカリウムを使用しない。これ
は異る中和溶液の使用を示す。 実施例〔７〕の工程Ｄ）の代シに、以下に置き換えて実
施例〔７〕の製法を繰シ返す。 次からなる溶液に６０°Ｃで２０分間浸漬する。 ＫＯＨ１００ｇ／ｌ 同等のメッキ品質を得る。 実　　施　　例　　〔１１〕 実施例〔７〕の工程（ｌ（）の代シに、以下に置き換え
て実施例〔７〕のり法を繰り返す。 次からなる溶液中に２０〜２５°Ｃで５分間浸漬する。 ＮａＴ−ＴＳＯ３３０９／１ ｐＩ（＝４．５ これは異る中和溶液の他の実施例である。 実　　施　　例　　〔１２〕 実施例〔７〕の工程０の代りに、以下に置き換えて実施
例〔７〕の製法を繰り返す。 ＬｉＯＨ１５０９／１ ６０°Ｃで２０分間 同等の結果を得る。 実　　礁−一例　　〔１３〕 実施例〔７〕の工程（Ａ）の代りに、以下に置き換えて
実施例〔７〕の製法を繰り返す。 ＮａＭｎＯ４６０９／１ Ｎａ（Ｈ−Ｔ　　ｐＨ＝１２．５まで ６０”Ｃ，１時間 同等の結果を得る。 実　　施　　例　　〔１４〕 実施例〔６〕の工程（５）の代シに、以下に置き換えて
実施例〔６〕の製法を繰シ返す。 水酸化テトラメチルアンモニウム １０％溶液 ６０”０１４０分間 同等の結果を得た。 実　　施　　例　　〔１５〕 実施例〔７〕の工程（ト）の代シに、以下に置き換えて
実施例〔７〕の製法を繰り返す。 ＫＭｎ　０４　　　　　　　　　　６０９／　（ＩＫ２
Ｃｏ３４０　Ｆ！／Ｉ ＫＯＨｐＩ−１＝１２．５まで ６０°Ｃ，１時間 同等の結果を得る。

【図面の簡単な説明】 第１図は電線で線引きした回路板の断面図、第２図は第
１図の回路板にドリル穿孔して孔を設けた状態を示す断
面図、第３図は第２図の回路板の孔を浄化した状態を示
す断面図、第４図は第３図の回路板の孔を頁面接続を施
すため無電解銅メッキをした状態を示す断面図である。 ＱＯ）・・・・・エポキシ−ガラスラミネート（１２１
・・・・・接着剤層 （１３）・・・・・電線 （１４）・０・・・ポリイミド絶縁被覆＋１５１０−−
−０シート ＋１６１００・・・ポリエチレンフィルム層ｆ１７１・
・・・・孔 （１（至）・・・・・樹脂汚れ ｔ２ｆｌｌ・・・・・銅 特許出願人　　　　　　コルモーゲン　テクノロジイズ
コーポレイション 代　　理　　人　　　　　　新　　実　　健　　部（外
１名） 手続補正書 １．事件の表示　　　昭）Ｆｌｌり＋を年特許願第１７
０５（ｉ；３す。 使用 “工θ； １（件との関係　　　　　　＃！ｔ、ｖ「出願人４、代
理人　　　　〒６０４ 亀 ４ＵぜＩタ ロ、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象　　明利１書、特、Ｔｌ’ｉｉｌ’ｆ求
σ捕０囲の欄８、補正の内容 （１１明細書、特許請求の範囲のＪで１を別紙の曲り補
正する。 特許請求の範囲 （１）　　樹脂製基質をアルカリ性１１勺マンガン酸塩
処理溶液と十分な時間接触させて、表面の接着性を増進
することを含む後続の金属化に対して樹脂製基質を調製
する加工法であって、上記基質をアルカリ性水酸化物溶
液と約４０°Ｃと約９５°Ｃとの間の温度で十分な時間
接触させて、上記マンガン残留物の殆んど全部を除去す
ることを特徴とする後続の金属化のために樹脂製基質を
調製する加工法。 （２）ａ　　樹脂製基質をアルカリ性過マンガン酸塩処
坤溶液と十分な時間接触させて、表面の接着性を増進し
； ｂ　」−記基質を過マンガン酸塩によって酸化可能な水
溶性化合物と十分な時間接触させて、−に記基室上に析
出したマンガン残留物を低い酸化状態壕で還元し；そし
て Ｃ」−記基質をアルカリ性水酸化物溶液と約４０°Ｃな
いし約９５°Ｃの温度で十分な時間接触させて、上記マ
ンガン残留物の殆んど全部を除去する 工程からなることを特徴とする特許、請求の範囲第（１
）項に記載する加工法。 （３）上記アルカリ性」向マンガン酸塩処理溶液が約］
］と約Ｔ４との間のｐＴ−１を自することを特徴とする
特許請求の範囲第＋２＋　Ｌｌ：＋に記載する加工法。 （４）」−詔ｐ　Ｉ−１が約］２と約１３との間である
ことを特徴とする特許請求の範囲第（３）項に記載する
加工法。 （５）　　上記アルカリ性過マンガン酸塩処坤溶液が約
１０９／ｌから飽和捷での過マンガン酸塩濃度をイ」す
ることを特徴とする特Ｆｌ’請求の範囲第（３）項に記
載した加工法。 （６）　」−記過マンガン酸塩ｌ農度が約］、Ｏおよび
約６０９／ｌの間であることを特徴とする特許請求の範
囲第＋’５１項に記載する加工法。 （７）　　過マンガン酸塩によって酸化可能な」−配水
溶性化合物が塩化錫、細亜硫酸す１−リウム、塩酸ある
いはヒドロキシルアミン塩化水素からなること全特徴と
する特許請求の範囲第（２）項に記載する加工法。 ｉｌｌ　　　Ｉｚ記アルカリ性水酸イ１′物１溶液がア
ルカリ金属水酸化物あるいは水酸化テトラアルキルアン
モニウムから選択された水酸化物であることを特徴とす
る特許請求の範囲第ｉ２１　Ｊ：［’ｉに記載する加工
法０ （１）ｌ　　上記水酸化物が水酸什、す１−リウトであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（８１項に記載す
る加工法。 （１０）　　上記水酸化す！−リウムの濃度が約１５ｇ
／＃と約ｔ′７ｏＦｌ／ｌとの間であることを特徴とす
る特Ｗ「請求の範囲第（９１項に記載する加工法。 （Ｉ　＋１　−１：記濃度が約４０Ｑ／ｐと約４００　
ｇ　７０　トの間であることを特徴とする特Ｗｒ請求の
範囲第（＋１＋ｉ項に記載する加工法３、 （Ｉ２）　　上記濃度が約１．００ｇ／召と約２００１
ｉｔ７１との間であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１１項に記載する加工法。 （１３＋　　−，１−記アルカリ性Ｊ向マンガン酸」♂
Ｘ処理溶液が約０、○ｌないし７約０．２ｆ／１０の？
！＋＋１潤剤を含有する・　ことを特徴とする特許請求
の範囲第（２）項に記載する加工法。 （１４１１記湿潤剤が弗素化炭化水素であることを特徴
とする特許請求の範囲第（１３）項に記載する加二［法
。 （１５）　　工程（１））の後に洗浄工程をさらに含め
ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項に記載す
る加工法。 （１６）　　工程（Ｃ）の後に洗浄工程をさらに含める
ことを特徴とする特許請求の範１７ｊ１第（２）頃に記
動する加工法。 （１９工程（Ｃ）における」−記接触時間が約２および
約６０分間の間であることを特徴とする特許請求の範囲
第（２）項に記載する方法。 （１８）　　工程中、上記基質を約Ｏな込し約６．１０
　ｍ７分の速度で水平に振動させること全特徴とする特
許請求の範囲第（２１項に記載する加工法。 （１９）　　回路板の中に埋設した少くとも一個の導電
体、および板の中で導電体と接触する孔を少くとも一個
有し、導電体がその上に＆＋ｌＩ脂汚れを有する回路板
を金属化する加工法において、加工法が約１１および約
１３の間のｐ　Ｈを有するアルカリ性過マンガン酸塩溶
液で根を処理して、孔に接触する導′ｔ■体から上記（
セｊ・ｌ　ＩＩ！１汚れを除去する工程を含み、上記金
属化に先立ち、回路板をアルカリ外水１１々化物溶液と
約４０°Ｃないし約９５°Ｃの温度で十分な時間接触さ
せて、回路板の表面および孔からマンガン残留物を除去
することを特徴とする加工法。 （２（力　　上層、少くとも一膚り」−の中間層、およ
び下層の少くとも三層を有する多層回路板を金庫化する
加工法において、上記中間層が絶縁性物質と金属導電体
とからなり、上詔板が少くとも一個の孔を儂し、 （ａ）　　上記回路板をアルカリ性過マンガン酸塩処坤
溶腋と十分な時間接触させて、上記孔の内壁から樹月旨
を除去し； （ｂ）　　上記回路板を過マンガン酸塩によって酸化ｒ
ｉＪ能な水溶性仕合物と十分な時間接触させて、上記回
路板上に析出したマンガン残留物を低い酸化状態寸で還
元し； ←）」−記回路板を水溶液で洗浄し；そして（′Ｉ）上
記回路板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０°Ｃおよび
約９５°Ｃの間の温度で十分な時間接触させて、殆んど
全てのマンガン残留物を除去する 工程からなる予備処理によって上記孔の内壁から樹脂を
化学的に除去することを特徴とする特許請求の範囲第（
＋９）項に記載する加工θミ。 （２１１上層、少くとも一層の中間層、および下層の少
くとも三層を有する多層回路板の表［１１１および孔を
金属化する加工法で、上記中間層が絶縁性物負と金属導
電体とからなり、回路板が少くとも一個の貫通孔を有し
、中間層の金属導電体がその孔壁の一部をＪ性成し、か
つ」−配孔壁がその上に樹脂汚れをイ」°するものにお
いて、上記金属化に先立って、 回路板をアルカリ性過マンガン酸塩溶液と十分な時間接
触させて、板から上記樹脂汚れを除去し； 板を過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化合物と
十分な時間接触させて、板」二に析出したマンガン残留
物を低い酸什状態まで還元し；そして 板をアルカリ性水酸化物溶液と約４−０°Ｃおよび約９
５°Ｃの間の温度で十分な時間接触させて、殆んど全て
のマンガン残留物を除去する 工程からなる予備処理を扱にイ１うことを特徴とする特
許請求の範囲第（１９）項に記載する加工法。 （２２１上面、少くとも一層の中間層、および下層の少
くとも三層を有する多層回路板」−に金属を無電解析出
させるカー＋工法であって、上記中間層が絶縁性物質と
金属導電体とからなり、回路板が少くとも一個の貫通孔
を有し、中間層の金属導電体がその孔壁の一部を形成し
、かつ上記孔壁がその」−に樹脂汚れを有するものにお
いて、貴金属を含有する溶ｒｌｔをその−にに析出させ
ることによって板の表面を活性化し、そして次に板の活
性化した表面および化上に金属を無電解析出させる工程
を含む上記無電解金属析出に先立って、 板をアルカリ性過マンガン酸塩処理溶液と十分な時間接
触させて、板から上記樹脂汚れを除去し； 板を過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化合物と
十分な時間接触させて、板上に析出したマンガン残留物
を低い酸化状態寸で還元し；そして 」二記回路板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０″Ｃお
よび約９５°Ｃの間の湿度で十分な時間接触させて、殆
んど全てのマンガン残留物を除去する 工程からなる予備処理を板に行うことからなることを特
徴とする特許請求の範囲第（円項に記載する加工法。 （２３１基質の表面に張り付けた、あるいは基質中に埋
設した少くとも一個の絶縁電線、および電線および板を
貫通する少くとも一個の孔を有する分離した電線回路板
を金属化する加工法であって、孔の内壁の電線部分がそ
の上に樹脂汚れを、伴う露出した金属表面を有するもの
において、回路板を、金属析出に先立ち、アルカリ性過
マンガン酸塩処理溶液と十分な時間接触さゼて、板から
樹脂を除去し、 板を過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化合物と
十分な時間接触させて、板」二に析出したマンガン残留
物を低い酸什状態捷で還元し；そして 板をアルカリ性水酸什物溶液と約４０’Ｃおよび約９５
°Ｃの間の温度で十分な時間接触させて、無電解金属析
出ｎＩＩに、殆んど全てのマンガン残留物を除去し、そ
して孔壁と電線の接合点で電線の突出部からポリイミド
絶縁物を除去して、清浄な金属電線表面を露出させる ことからなることを特徴とする加工法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ａ　　樹脂製基質をアルカリ性過マンガン酸塩処
   理、＠液と十分な時間接触させて、表面の接着性を増進
   し； ｂ　上記基質を過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶
   性化合物と十分な時間接触させて、上記基質上に析出し
   たマンガン残留物を低い酸化状態まで還元し；そして Ｃ上記基質をアルカリ性水酸化物溶液と約４０”Ｃない
   し約９５°Ｃの湿度で十分な時間接触させて、上記マン
   ガン残留物の殆んど全部を除去する 工程からなることを特許とする後続の金属化に対して樹
   脂製基質を調製する加工法。 （２）上記アルカリ性過マンガン酸塩処理溶液が約１］
   と約］４との間のｐＩＩ　を有することを特徴とする特
   許請求の範囲第（１）項に記載する加工法。 （３）上記ｐＴＩが約１２と約１３との間であることを
   特徴とする特許請求の範囲第（２）項に記載する加工法
   。 （４）上記アルカリ性過マンガン酸塩処理溶液が約１０
   　ｇ／　（Ｊから飽和までの過マンガン酸塩濃度を有す
   ることを特徴とする特許請求の範囲第（２）項に記載し
   た加工法。 （５）　　上記過マンガン酸塩濃度が約１０および約６
   ｏ　９　／　０の間であることを特徴とする特許請求の
   範囲第（４）項に記載する加工法。 （６）　　過マンガン酸塩によって酸化可能な上記水溶
   性化合物が塩化錫、重亜硫酸ナトリウム、塩酸あるいは
   ヒドロキシルアミン塩化水素からなることを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項に記載する加工法。 （７）上記アルカリ性水酸化物溶液がアルカリ金属水酸
   化物あるいは水酸化テトラアルギルアンモニウムから選
   択された水酸化物であることを特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項に記載する加工法。 （８）上記水酸化物が水酸化すトリウムであることを特
   徴とする特許請求の範囲第（７）項に記載する加工法。 （９）　　上記水酸化ナトリウノ・の濃度が約１５　ｆ
   ／　／　１と約７７０　ｙ　／　（Ｊとの間であること
   を特徴とする特許請求の範囲第（８）項に記ｌｉｔ？す
   るか１工法。 ００）」−記濃度が約４ｏｙ／（ｌと約４．００　ｙ　
   ／　（ｌどの間であることを特徴とする特許請求の範囲
   第（９）項に記載する加工法。 旧）　上記濃度が約１００ｇ／ｅと約２００ｇ／ｌとの
   間であることを特徴とする特許請求の範囲第（１０）項
   に記載する加工法。 ＋１２）　　ｌ記アルカリ性過マンガン酸塩処理溶液が
   約０．０１ないし約ｏ、２９／ｅの１Ｉ１１潤剤を含有
   することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載
   する加工法。 （１３）上記湿潤剤が弗累化炭化水才であることを特徴
   とする特許請求の範囲第（１２１項に記載する加工法・ ■　工程（ｂ）の後に洗顔工程をさらに含めることを特
   徴とする特許請求の範囲第（１）頃に記載する加工法。 ＋１５１　　Ｚ［稈（Ｃ）の後に洗浄工程をさらに含め
   ることを特徴とする特ｒ「請求の範囲第（１）項に記載
   する加工法。 （１６）　　工程（Ｃ）における上記接触時間が約２お
   よび約６０分間の間であることを特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項に記載する加工法。 （１７）　　工程中、−に記基質を約Ｏないし約６．１
   ０　ｍ７分の速度で水平に振動させることを特徴とする
   特許請求の範囲第（１）項に記載する加工法。 （１８）樹脂製基質をアルカリ性過マンガン酸塩処理溶
   液と十分な時間接触させて、表面の接Ｍ性を増進するこ
   とを含む後続の金属化に対して樹脂製基質を調製する加
   工法であって、上記基質をアルカリ岸輛２化物溶液と約
   ４０゛Ｃと約９５°Ｃとの間の温度で十分な時間接触さ
   せて、」−記過マンガ、ン残留物の殆んど全部を除去す
   ることを特徴どする加工法。 （１９）上層、少くとも一層す」―の中間層、および下
   層の少くとも三層を有する多層回路板を金属化する加工
   法において、上記中間層が絶縁性物質と金属導電体とか
   らなり、」二記板が少くとも一個の孔を有し、 （ａ）　　Ｊ二記回路板をアルカリ性過マンガン酸塩処
   理溶液と十分な時間接触させて、−上記孔の内壁から樹
   脂を除去し１ （１））　　ｌ−記回路板を過マンガン酸塩によって酸
   化可能な水溶性化合物と十分な時間接触させて、上記回
   路板上に析出したマンガン残留物を低い酸化状態寸で還
   元し； （ｃ）　　上記回路板を水溶液で洗浄し；そして（ｄ）
   　　上記回路板をアルカ！Ｊ　ｔ’ｔ：水酸化物溶液と
   約４０°Ｃおよび約９５°Ｃの間の温度で十分な時間接
   触させて、殆んど全てのマンガン残留物を除去する 工程からなる予備処理によって上記孔の内壁から樹脂を
   化学的に除去することを特徴とする加工法。 （２０）　　上層、少くとも一層の中間層、および下層
   の少くとも三層を有する多層回路板の表面および孔を金
   属化する加工法で、上記中間層が絶縁性物質と金属導電
   体とからなり、回路板が少くとも一個の貫通孔を有し、
   上記孔の内壁がその上に樹脂汚れを有するものにおいて
   、上記金属化に先立って、 回路板をアルカリ性過マンガン酸塩溶液と十分な時間接
   触させて、板から樹脂を除去し；板を過マンガン酸塩に
   よって酸化可能な水溶性化合物と十分な時間接触させて
   、板上に析出したマンガン残留物を低い酸化状態まで還
   元し；そして 板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０°Ｃおよび約９５
   ゛Ｃの間の温度で十分な時間接触させて、殆んど全ての
   マンガン残留物を除去する 工程からなる予備処理を板に行うことを特徴とする加工
   法。 （２１）　　上面、（Ｊ／くとも一層の中間１・、η、
   および下層の少くとも三層を有する多層回路板上に金属
   を無電解析出させる加工法において、上記中間層が絶縁
   性物質と金属導電体とからなり、回路板が少くとも一個
   の貞通孔を有し、−に配孔の内壁がその上に樹脂汚れを
   有し、貴金属を含有する溶液をその」二に析出させるこ
   とによって板の表面を活ｔ’ｌＥ化し、そして次に板の
   ｌ古性化した表面および化上に金属を無電解析出させる
   工程を含む−１−記無電解金属析出に先立って、 板をアルカリ性過マンガン酸塩処理溶液と十分な時間接
   触させて、板から樹脂を除去し；板ヲ過マンガン酸塩に
   よって酸化可能な水溶性化合物と十分な時間接触させて
   、板上に析出したマンガン残留物を低い酸化状態まで還
   元し；そして 」−記回路板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０°Ｃお
   よび約９５”Ｃの間のｒ黒度で十分な時間接触させて、
   殆んど全てのマンガン残留物を除去する 工程からなる予１荀処理を板に行うことからなることを
   特徴とする加工法。 （２２）　　基質の表面に張り付けた、あるいは基質中
   に埋設した少くとも一個の絶縁電線、および電線および
   板を貫°通ずる少くとも一個の孔を有する分離した電線
   回路板を金属化する加工法であって、孔の内壁の電線部
   分がその一層に樹脂汚れを伴う露出した金属表面を有す
   るものにおいて、回路板を、金属析出に先立ち、アルカ
   リ性過マンガン酸塩処理溶液と十分な時間接触させて、
   板から樹脂を除去し、 板を過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化合物と
   十分な時間接触させて、板上に析出したマンガン残留物
   を低い酸化状態まで還元し；そして 板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０°Ｃおよび約９５
   °Ｃの間の温度で十分な時間接触させて、無電解金属析
   出前に、殆んど全てのマンガン残留物を除去し、そして
   孔壁と電線の接合点で電線の突出部からポリイミド絶縁
   物を除去して、清浄な金属電線表面を露１１（１させる ことからなることを特徴とする加工法。 （２３）回路板の中に埋設した少くとも一個の導電体、
   および板の中で導電体と接触する孔を少くとも一個有し
   、導電体がその上に樹脂汚れを有する回路板を金属化す
   る加工法において、加工法が約１１および約１３の間の
   ｐＴＩ　を有するアルカリ性過マンガン酸塩溶液で板を
   処理して、孔に接触する導電体から上記樹脂汚れを除去
   する工程を含み、上記金属化に先立ち、回路板をアルカ
   リ性水酸化物溶液と約４０°Ｃ力いし約９５”Ｃの温度
   で十分な時間接触させて、回路板の表面および孔からマ
   ンガン残留物を除去することを特徴とする加工法。 ｃ！弔　　基質の表面に張り付けるか、あるいはその中
   に埋設した少くとも一個の絶縁電線を有し、また板の中
   で電線と交差する孔を少くとも一個有し、電線がその上
   に樹脂汚れを有する分離した電線回路板を金属化する加
   工法であって、約１１および約１３の間のｐＴ−Ｔ　を
   有するアルカリ性過マンガン酸塩溶液で回路板を処理し
   て、電線と交差する孔壁から上記樹脂汚れを除去する工
   程を含み、上記金属化に先立ち、回路板をアルカリ性水
   酸化物溶液と約４０”Ｃないし約９５°Ｃの温度で十分
   な時間接触させて、回路板の表面および孔からマンガン
   残留物を除去することを特徴とする加工法。 （２５）　　基質の表面に張り付けるか、あるいはその
   中に埋設した少くとも一個の絶縁電線を有し、また電線
   と板とを貫通する孔を少くとも一個有し、上記孔の内壁
   がその上に樹脂汚れを有する分離した電線回路板上に金
   属を無電解析出する加工法において、孔の内壁と電線の
   交差する先端とを無電解析出によって金属化し、上記無
   電解金属析出がアルカリ性過マンガン酸塩処理溶液中に
   板を浸漬することによって金属析出物を受は容れかつ保
   持するように回路板の表面を調整し、貴金属を含有する
   溶液をその上に析出させることによって板の表面を活性
   化し、そして次に活性化した板の表面上に金属を無電解
   析出させることを含むものであって、 中和工程に続き、また活性化工程で増感する前に、回路
   板をアルカリ性水酸化物溶液と約４０”Ｃないし約９５
   °Ｃの温度で十分な時間接触させて、回路板の表面から
   殆んど全てのマンガン残留物を除去する ことを特徴とする交差した電線の先端と板の中で電線と
   交差する孔壁との間に良好な導電性結合を保証する加工
   法。 ２６）　　ａ　　基質をアルカリ性過マンガン酸塩溶液
   中に十分な時間接触させて、樹脂汚れあるいは残留物を
   導電体と孔との交差点から除去し、また表面の接着性を
   増進し； ｂ　　板ヲ過マンガン酸塩によって酸化可能な水溶性化
   合物と十分な時間接触させて、」−記基質上に析出した
   マンガン残留物を低い酸化状態まで還元し；そして Ｃ上記基質をアルカリ性水酸化物溶液と約４０″Ｃない
   し約９５゛Ｃの温度で十分な時間接触させて、」二記マ
   ンガン残留物の殆んど全部を除去する ことを特徴とする、少くとも一個の内部金属製導電体と
   少くとも一個の孔とを有する絶縁性樹脂製基質を、その
   表面を接着性の良好な金属析出が行われるように調製し
   、または樹脂ｆｒ５Ｉ”’Ｌあるいは樹脂残留物を導電
   体と孔との交差点から除去して金属化する加工法。