CN104553126B - 减反射玻璃及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种以铝硅玻璃为衬底、可见光全波段平均透过率≥94.5％、镀膜面单面全波段平均反射率≤1％、高硬度、耐刮花、耐酸碱、后续加工性强的减反射玻璃，减反射玻璃包括依次层叠的铝硅玻璃基板、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率第五高折射率层；第一低折射率层的材料为SiO2；第一高折射率层的材料为Nb2O5。这种减反射玻璃镀膜面单面全波段平均反射率更低、硬度更高，特别适合后加工工序中的酸碱处理，从而适应工序更多、适用范围更广。本发明还公开了上述减反射玻璃的制备方法。

Description

减反射玻璃及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种以铝硅玻璃为衬底、可见光全波段平均透过率≥94.5％、镀膜面单面全波段平均反射率≤1％、高硬度、耐刮花、耐酸碱、后续加工性强的减反射玻璃及其制备方法。
背景技术
随着智能触控手机、平板的畅销，越来越多的人养成使用触摸电子产品的习惯。触摸电子产品的屏幕上方具有盖板玻璃，但由于玻璃具有反射光的作用，在室外阳光或室内强光强于LCD背光源的透射光时，玻璃的每个表面都会存在4.2％左右的反射光线反射进人眼，导致眼睛看不清屏幕上显示内容，影响产品的使用。
现有的减反射玻璃在玻璃基板的单面或者双面制备减反射层，从而在室外阳光或者室内强光下，光的反射率较低，创造清晰透明的视觉空间，提升触摸电子产品在阳光下或者强光下的可读性。
电容屏技术的OGS(大片玻璃加工制程工艺--One Glass Solution，简称OGS)或TOL(小片制程工艺--Touch On Lens，简称TOL)，为进一步提高用户体验，提高产品卖点，增强同其它电容屏技术间的竞争优势，往往将减反射膜层制备在OGS玻璃或TOL玻璃的正面。此时，如果先生产OGS或TOL传感器，再在正面制备减反射层，则由于减反射增透过效果，传感器的消影效果、金属或ITO桥点的隐藏效果都被破坏，结果传感器的ITO线条和桥点会更明显，影响使用者的满意度。同时，由于OGS或TOL的BM(黑色边框--Black Matrix，简称BM)往往并非纯黑色，而是通常偏红系或偏蓝色。这种情况下，先有Sensor再制备减反层时，BM的偏红系或偏蓝系将更加明显而偏离设计本意。如果先制备减反射层，再制备功能面，则后续Sensor面的加工过程中，减反射层需经过多道清洗、镀膜、光刻加工。如果减反层硬度过低，Sensor加工过程中减反层往往会被划伤而影响生产良率，导致成本居高不下；同时，蚀刻过程中多需要碱液显影、酸液蚀刻、碱液脱膜、超声清洗等多道工序，如果减反射层不耐酸碱侵蚀，则经过Sensor工序后，减反射膜层会遭到破坏而达不到减反射的目的。
目前市场上的AR膜多采用Nb2O5或TiO2做为高折射率材料、SiO2做为低折射率材料生产，利用蒸镀或磁控溅射生产。对于大片产品，蒸镀产能将受到制约而难以发挥；且蒸镀生产的AR膜层在致密性、硬度上难以同磁控溅射生产的AR膜层相比较。对AR膜层的硬度和致密性有要求的产品，生产工艺首选还是磁控溅射。
采用TiO2生产的AR膜层虽在硬度上更硬，但TiO2在UV光照射下会出现黑斑，虽然此黑斑随时间延长而逐渐变淡，但经UV照射后又再出现，影响产品的视觉效果。而Nb2O5则溶解于碱液，表层采用Nb2O5的AR产品在后续加工工序中若用碱液清洗、碱液超声，会出现部分Nb2O5层溶解现象，破坏了光学膜层，从而破坏了减反膜的光学效果；同时Nb2O5和SiO2的维氏硬度仅为560Hv和640Hv，若全部膜层均采用此两种材料，则生成的减反膜在后续加工过程中、终端客户使用过程中容易划伤，影响产品的美观和客户接受度。
发明内容
基于此，有必要提供一种硬度较高、耐刮花、耐酸碱、后续加工性强的减反射玻璃及其制备方法。
一种减反射玻璃，所述减反射玻璃包括依次层叠的铝硅玻璃基板、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层；
所述第一低折射率层的材料为SiO2；
所述第一高折射率层的材料为Nb2O5；
所述第二低折射率层的材料为SiO2；
所述第二高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4；
所述第三低折射率层的材料为SiO2；
所述第三高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4；
所述第四低折射率层的材料为SiO2；
所述第四高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4；
所述第五低折射率层的材料为SiO2；
所述第五高折射率层的材料为Si3N4；
所述第一低折射率层的厚度为
所述第一高折射率层的厚度为
所述第二低折射率层的厚度为
所述第二高折射率层的厚度为
所述第三低折射率层的厚度为
所述第三高折射率层的厚度为
所述第四低折射率层的厚度为
所述第四高折射率层的厚度为
所述第五低折射率层的厚度为
所述第五高折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的折射率为1.50～1.52。
在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的厚度为0.33～1.1mm。
在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第三低折射率层的厚度为所述第三高折射率层的厚度为所述第四低折射率层的厚度为所述第四高折射率层的厚度为所述第五低折射率层的厚度为所述第五高折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第三低折射率层的厚度为所述第三高折射率层的材料为Si3N4，厚度为所述第四低折射率层的厚度为所述第四高折射率层的厚度为所述第五低折射率层的厚度为所述第五高折射率层的厚度为
在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第三低折射率层的厚度为所述第三高折射率层的厚度为所述第四低折射率层的厚度为所述第四高折射率层的厚度为所述第五低折射率层的厚度为所述第五高折射率层的厚度为
一种减反射玻璃的制备方法，包括如下步骤：
提供玻璃基板；
在所述玻璃基板的表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层，得到所述减反射玻璃，其中，所述第一低折射率层的材料为SiO2，所述第一高折射率层的材料为Nb2O5，所述第二低折射率层的材料为SiO2，所述第二高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4，所述第三低折射率层的材料为SiO2，所述第三高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4，所述第四低折射率层的材料为SiO2，所述第四高折射率层的材料为Nb2O5或Si3N4，所述第五低折射率层的材料为SiO2，所述第四高折射率层的材料为Si3N4，所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第三低折射率层的厚度为所述第三高折射率层的厚度为所述第四低折射率层的厚度为所述第四高折射率层的厚度为所述第五低折射率层的厚度为所述第五高折射率层的厚度为
在一个实施例中，还包括步骤：对所述铝硅玻璃基板进行清洗并干燥。
在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的折射率为1.50～1.52。
在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的厚度为0.33～1.1mm。
这种减反射玻璃，包括第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层，透过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得减反射玻璃减反射效果更好；应用于电子产品时，在室外阳光或室内强光下镀膜面单面可见光全波段范围内平均反射率≤1％；通过第五高折射率层与至少六层膜层的结合，既保证了减反射玻璃的光学效果，也提高了AR膜层的硬度和耐酸碱特性，使得AR膜层在耐酸碱腐蚀方面得以明显改善，保证减反射玻璃在耐久性、耐摩擦性等方面更具优势。
附图说明
图1为一实施方式的减反射玻璃的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
如图1所示的一实施方式减反射玻璃100，包括依次层叠的铝硅玻璃基板10、第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50、第三低折射率层60、第三高折射率层70、第四低折射率层80、第四高折射率层85、第五低折射率层90及第五高折射率层95。
优选的，铝硅玻璃基板10的厚度为0.4～0.7mm。
优选的，铝硅玻璃基板10的折射率为1.50～1.52。
第一低折射率层20的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透过率相对较高。
第一低折射率层20的厚度为在一个特别的实施例中，第一低折射率层20的厚度为也就是说，第一低折射率层20可以省略。
第一高折射率层30的材料为Nb2O5。Nb2O5的折射率为2.3。采用Nb2O5作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
第一高折射率层30的厚度可以为在一个特别的实施例中，第一高折射率层30的厚度为也就是说，第一高折射率层30可以省略。
第二低折射率层40的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透过率相对较高。
第二低折射率层40的厚度为在一个特别的实施例中，第二低折射率层40的厚度为也就是说，第二低折射率层40可以省略。
第二高折射率层50的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
第二高折射率层50的厚度为
第三低折射率层60的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第三低折射率层60的材料，使得第三低折射率层60的透过率相对较高。
第三低折射率层60的厚度为
第三高折射率层70的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第三高折射率层70的材料，使得第三高折射率层70的透过率相对较低。
第三高折射率层70的厚度为
第四低折射率层80的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第四低折射率层80的材料，使得第四低折射率层80的透过率相对较高。
第四低折射率层80的厚度为
第四高折射率层85的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第四高折射率层85的材料，使得第四高折射率层85的透过率相对较低。
第四高折射率层85的厚度为
第五低折射率层90的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第五低折射率层90的材料，使得第五低折射率层90的透过率相对较高。
第五低折射率层90的厚度为
第五高折射率层95的材料为Si3N4。Si3N4的折射率为2.0。采用Si3N4作为最外层的材料，使得第五高折射率层95的透过率相对第五低折射率层90较低。
第五高折射率层95的厚度为
这种减反射玻璃，包括第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50、第三低折射率层60、第三高折射率层70、第四低折射率层80、第四高折射率层85、第五低折射率层90及第五高折射率层95，透过率高低结合的合适厚度的膜层结构，使得减反射玻璃减反射效果更好；应用于电子产品时，在室外阳光或室内强光下镀膜面单面可见光范围内全波段平均反射率≤1％。通过第五高折射率层与至少六层膜层的结合，既保证了减反射玻璃的光学效果，同时氮化硅的维氏硬度为1720Hv、且耐酸碱腐蚀，从而提高了AR膜层的硬度和耐酸碱性能，使得AR膜层在耐酸碱腐蚀方面得以明显改善，保证减反射玻璃在耐久性、耐摩擦性等方面更具优势。
上述减反射玻璃的制备方法，包括如下步骤：
S10、提供铝硅玻璃基板10。
优选的，铝硅玻璃基板10的厚度为0.4～0.7mm。
优选的，铝硅玻璃基板10的折射率为1.50～1.52。
优选的，先对铝硅玻璃基板10进行清洗并干燥。
S20、将清洗后的铝硅玻璃基板10表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层20、第一高折射率层30、第二低折射率层40、第二高折射率层50、第三低折射率层60、第三高折射率层70、第四低折射率层80、第四高折射率层85、第五低折射率层90及第五高折射率层95，得到减反射玻璃。
第一低折射率层20的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第一低折射率层20的材料，使得第一低折射率层20的透过率相对较高。
第一低折射率层20的厚度在一个特别的实施例中，第一低折射率层20的厚度为也就是说，第一低折射率层20可以省略。
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第一低折射率层20的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为0～60Kw。
第一高折射率层30的材料为Nb2O5。Nb2O5的折射率为2.3。采用Nb2O5作为第一高折射率层30的材料，使得第一高折射率层30的透过率相对较低。
第一高折射率层30的厚度可以为在一个特别的实施例中，第一高折射率层30的厚度为也就是说，第一高折射率层30可以省略。
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第一高折射率层30的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为0～40Kw。
第二低折射率层40的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第二低折射率层40的材料，使得第二低折射率层40的透过率相对较高。
第二低折射率层40的厚度为在一个特别的实施例中，第二低折射率层40的厚度为也就是说，第二低折射率层40可以省略。
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第二低折射率层40的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为0～20Kw。
第二高折射率层50的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第二高折射率层50的材料，使得第二高折射率层50的透过率相对较低。
第二高折射率层50的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第二高折射率层50的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为0～20Kw。
第三低折射率层60的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第三低折射率层60的材料，使得第三低折射率层60的透过率相对较高。
第三低折射率层60的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第三低折射率层60的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为4～40Kw。
第三高折射率层70的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第三高折射率层70的材料，使得第三高折射率层70的透过率相对较低。
第三高折射率层70的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第三高折射率层70的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为4～60Kw。
第四低折射率层80的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第四低折射率层80的材料，使得第四低折射率层80的透过率相对较高。
第四低折射率层80的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第四低折射率层80的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为4～15Kw。
第四高折射率层85的材料为Nb2O5或Si3N4。Nb2O5的折射率为2.3，Si3N4的折射率为2.0。采用Nb2O5或Si3N4作为第四高折射率层85的材料，使得第四高折射率层85的透过率相对较低。
第四高折射率层85的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第四高折射率层85的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为4～80Kw。
第五低折射率层90的材料为SiO2。SiO2的折射率为1.48。采用SiO2作为第五低折射率层90的材料，使得第五低折射率层90的透过率相对较高。
第五低折射率层90的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第五低折射率层90的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为8～20Kw。
第五高折射率层95的材料为Si3N4。Si3N4的折射率为2.0。采用Si3N4作为最外层的材料，使得第五高折射率层95的透过率相对第五低折射率层90较低。
第五高折射率层95的厚度为
具体在本实施方式中，磁控溅射制备第五高折射率层95的参数为：本底真空度为0.1～0.005Pa，镀膜腔的真空度为0.1Pa～0.5Pa，功率为2～30Kw。
上述减反射玻璃的制备方法，工艺简单；制备的减反射玻璃，减反射效果更好、硬度更高、耐酸碱腐蚀，后续加工性更强。
下面为具体实施例。
实施例1
实施例1的减反射玻璃的结构为玻璃基板/SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Si3N4 其中，“/”表示层叠结构，括号内的数值代表厚度，以下实施例相同。
实施例1的玻璃基板的材料为铝硅玻璃，厚度为0.7mm。
实施例1的减反射玻璃通过使用日本电色的SD-6000对波长为380～780nm可见光范围测量其全波段透过率和反射率，测得平均透过率≥94.5％，镀膜面单面平均反射率≤1％。
使用铅笔硬度计对该减反射玻璃进行硬度测试，结果硬度为7H。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为10wt％、温度为40℃的NaOH溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5％、温度为40℃的HCl溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5wt％、温度为50℃的NaOH溶液、频率为40Hz、功率为1500W的超声槽超声，超声20分钟。测试超声后样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
实施例2
实施例2的减反射玻璃的结构为玻璃基板/Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Si3N4
实施例1的玻璃基板的材料为铝硅玻璃，厚度为1.1mm。
实施例2的减反射玻璃通过使用日本电色的SD-6000对波长为380～780nm可见光范围测量其全波段透过率和反射率，测得平均透过率≥94.5％，镀膜面单面平均反射率≤1％。
使用铅笔硬度计对该减反射玻璃减反射膜层进行硬度测试，结果硬度为7H。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为10wt％、温度为40℃的NaOH溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5％、温度为40℃的HCl溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5wt％、温度为50℃的NaOH溶液、频率为40Hz、功率为1500W的超声槽超声，超声20分钟。测试超声后样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
实施例3
实施例3的减反射玻璃的结构为玻璃基板/SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Si3N4 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Si3N4
实施例3的玻璃基板的材料为铝硅玻璃，厚度为0.7mm。
实施例3的减反射玻璃通过使用日本电色的SD-6000对波长为380～780nm可见光范围测量其全波段透过率和反射率，测得平均透过率≥94.5％，镀膜面单面平均反射率≤1％。
使用铅笔硬度计对该减反射玻璃减反射膜层进行硬度测试，结果硬度为7H。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为10wt％、温度为40℃的NaOH溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5％、温度为40℃的HCl溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5wt％、温度为50℃的NaOH溶液、频率为40Hz、功率为1500W的超声槽超声，超声20分钟。测试超声后样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
实施例4
实施例4的减反射玻璃的结构为玻璃基板/Nb2O5 /SiO2 /Si3N4 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Si3N4
实施例4的玻璃基板的材料为铝硅玻璃，厚度为0.55mm。
实施例4的减反射玻璃通过使用日本电色的SD-6000对波长为380～780nm可见光范围测量其全波段透过率和反射率，测得平均透过率≥94.5％，镀膜面单面平均反射率≤1％。
使用铅笔硬度计对该减反射玻璃减反射膜层进行硬度测试，结果硬度为7H。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为10wt％、温度为40℃的NaOH溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5％、温度为40℃的HCl溶液，浸泡2H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5wt％、温度为50℃的NaOH溶液、频率为40Hz、功率为1500W的超声槽超声，超声20分钟。测试超声后样片的光谱，同浸泡前光谱相比，重合度非常好；测试百格，附着力仍然为5B。
对比例
对比例1的减反射玻璃的结构为玻璃基板Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 /Nb2O5 /SiO2 得到减反射玻璃。
对比例1的玻璃基板的材料为铝硅玻璃，厚度为0.7mm。
对比例1的减反射玻璃通过使用测试仪器为日本电色的SD-6000，可见光范围测量其全波段透过率和反射率，测得平均透过率≥94.5％，镀膜面单面平均反射率≤1％。
使用铅笔硬度计对该该减反射玻璃减反射膜层进行硬度测试，结果硬度为4H。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为10wt％、温度为40℃的NaOH溶液，浸泡1H。测试浸泡后的样片的光谱，同浸泡前光谱相比，反射率变差；测试百格，部分位置存在点状或片状掉膜现象，整片玻璃存在较重颜色不一致的色差现象。
取一定数量的该减反射玻璃，采用浓度为5wt％、温度为50℃的NaOH溶液、频率为40Hz、功率为1500W的超声槽超声，超声10分钟。观察该样片，具备位置存在点状或片状掉膜，整片玻璃存在较重的颜色不一致引起的色差现象。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种减反射玻璃，其特征在于，所述减反射玻璃包括依次层叠的铝硅玻璃基板、第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层；
所述第一低折射率层的材料为SiO2；
所述第一高折射率层的材料为Nb2O5；
所述第二低折射率层的材料为SiO2；
所述第二高折射率层的材料为Nb2O5；
所述第三低折射率层的材料为SiO2；
所述第三高折射率层的材料为Nb2O5；
所述第四低折射率层的材料为SiO2；
所述第四高折射率层的材料为Nb2O5；
所述第五低折射率层的材料为SiO2；
所述第五高折射率层的材料为Si3N4；
所述第一低折射率层的厚度为
所述第一高折射率层的厚度为
所述第二低折射率层的厚度为
所述第二高折射率层的厚度为
所述第三低折射率层的厚度为
所述第三高折射率层的厚度为
所述第四低折射率层的厚度为
所述第四高折射率层的厚度为
所述第五低折射率层的厚度为
所述第五高折射率层的厚度为
所述玻璃基板的厚度为0.7mm。
2.根据权利要求1所述的减反射玻璃，其特征在于，所述铝硅玻璃基板的折射率为1.50～1.52。
3.一种减反射玻璃的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供铝硅玻璃基板；
在所述铝硅玻璃基板的表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层，得到所述减反射玻璃，其中，所述第一低折射率层的材料为SiO2，所述第一高折射率层的材料为Nb2O5，所述第二低折射率层的材料为SiO2，所述第二高折射率层的材料为Nb2O5，所述第三低折射率层的材料为SiO2，所述第三高折射率层的材料为Nb2O5，所述第四低折射率层的材料为SiO2，所述第四高折射率层的材料为Nb2O5，所述第五低折射率层的材料为SiO2，所述第五高折射率层的材料为Si3N4，所述第一低折射率层的厚度为所述第一高折射率层的厚度为所述第二低折射率层的厚度为所述第二高折射率层的厚度为所述第三低折射率层的厚度为所述第三高折射率层的厚度为所述第四低折射率层的厚度为所述第四高折射率层的厚度为所述第五低折射率层的厚度为所述第五高折射率层的厚度为所述玻璃基板的厚度为0.7mm。
4.根据权利要求3所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，还包括步骤：对所述铝硅玻璃基板进行清洗并干燥。
5.根据权利要求3所述的减反射玻璃的制备方法，其特征在于，所述铝硅玻璃基板的折射率为1.50～1.52。
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