CN104540322A - 一种半塞孔化银模块基板前处理方法 - Google Patents

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Abstract

一种半塞孔化银模块基板前处理方法，包括：（1）将半塞孔化银模块基板铜面进行磨刷；（2）对半塞孔化银模块基板表面进行脱脂处理；（3）采用超粗化液对半塞孔化银模块基板的铜面进行粗化处理；（4）对半塞孔化银模块基板进行化银前预处理流程，其流程包括一次水洗、酸洗、二次水洗、烘干；本发明的优点是：采用磨刷、脱脂能够有效地彻底清除半塞孔模块基板内的油渍；超粗化液采用HCOOH+CuCL2粗化体系，能够使铜面产生凹凸粗化的表面，较一般的化学药剂可得到较高的界面结合力，且易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改善作用，且粗化后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔化银板各种化学镀的前处理。

Description

一种半塞孔化银模块基板前处理方法
技术领域
本发明涉及一种模块基板前处理方法，尤其是涉及一种半塞孔化银模块基板前处理方法。
背景技术
在生产中，有时会碰到某些客户，要求部分孔塞孔，但又不能完全塞饱满，塞孔的背面阻焊开窗，且有深度要求，通俗称为“半塞孔”。因为半塞孔的区域是属于单边不通的盲孔状态,因此在孔口通常会产生半固化或固化不良的阻焊油墨，而通过常规的化银前处理方法又无法彻底清除半塞孔内的油渍，从而影响化银模块基板化银的效果，容易造成缺镀现象，影响产品的高频信号。
发明内容
为克服上述问题，能够更好地解决缺镀问题，提高了半塞孔化银模块基板的合格率，本发明采用如下技术方案：
一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，包括：
（1）将半塞孔化银模块基板铜面进行磨刷；
（2）对半塞孔化银模块基板表面进行脱脂处理；
（3）采用超粗化液对半塞孔化银模块基板的铜面进行粗化处理；
（4）对半塞孔化银模块基板进行化银前预处理流程，其流程包括一次水洗、酸洗、二次水洗、烘干。
所述步骤（1）中磨刷采用前后2组（上下磨刷为一组），第1组采用500目磨刷，第2组采用1200目尼龙磨刷。
所述步骤（2）中采用0.3～0.5%NaOH溶液对模块基板表面进行脱脂。
所述步骤（3）中超粗化液采用HCOOH+CuCL2粗化体系。
所述步骤（4）中所述化银前预处理流程中采用纯水，酸洗采用10～15%HCl溶液，烘干温度控制在80～90℃范围内。
本发明的优点是：采用磨刷、脱脂能够有效地彻底清除半塞孔模块基板内的油渍；超粗化液采用HCOOH+CuCL2粗化体系，能够使铜面产生凹凸粗化的表面，较一般的化学药剂可得到较高的界面结合力，且易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改善作用，且粗化后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔化银板各种化学镀的前处理。
附图说明
图1是本发明的方法流程图。
具体实施方式
如图1所示，一种半塞孔化银模块基板前处理方法，包括以下步骤：步骤一，采用2组分别为500目和1200目的尼龙磨刷对基板铜面进行磨刷处理后；步骤二，采用0.3～0.5%NaOH溶液对基板表面的阻焊层进行脱脂；步骤三，采用HCOOH+CuCL2超粗化体系对基板铜面进行粗化处理；步骤四，对基板液对基板表面进行酸洗，再进行二次纯水清洗，最后采用80～90℃对基板进行烘干处理。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (5)

1.一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，包括：
（1）将半塞孔化银模块基板铜面进行磨刷；
（2）对半塞孔化银模块基板表面进行脱脂处理；
（3）采用超粗化液对半塞孔化银模块基板的铜面进行粗化处理；
（4）对半塞孔化银模块基板进行化银前预处理流程，其流程包括一次水洗、酸洗、二次水洗、烘干。
2.根据权利要求1所述的一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，所述步骤（1）中磨刷采用前后2组（上下磨刷为一组），第1组采用500目磨刷，第2组采用1200目尼龙磨刷。
3.根据权利要求1所述的一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，所述步骤（2）中采用0.3～0.5%NaOH溶液对模块基板表面进行脱脂。
4.根据权利要求1所述的一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，所述步骤（3）中超粗化液采用HCOOH+CuCL2粗化体系。
5.根据权利要求1所述的一种半塞孔化银模块基板前处理方法，其特征在于，所述步骤（4）中所述化银前预处理流程中采用纯水，酸洗采用10～15%HCl溶液，烘干温度控制在80～90℃范围内。
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