CN104466006A - 电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电致发光器件，包括：基底；设置于所述基底的一侧的第一电极、第二电极；夹设在所述第一电极、第二电极之间的电致发光层；所述电致发光层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极相接触，所述第二表面与所述第一电极相接触，所述第一表面具有第一凹凸图案，所述第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。本发明公开了一种上述电致发光器件的制备方法。在本发明中，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度，使得所述电致发光层呈弯曲层状，大大地增加了所述电致发光层的表面积，从而增加提高发光亮度，并有效地降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种电致发光器件及其制备方法。
背景技术
电致发光(Electro luminescence，简称EL)是物质在一定的电场作用下被相应的电能所激发而产生的发光现象。电致发光EL是一种直接将电能转化为光能的现象。电致发光作为一种平面光源引起了人们的极大爱好。人们企图实现照明光源从点光源、线光源到面光源的革命。自从无机发光板硫化锌和磷砷化镓化合物发明以来，电致发光已被广泛应用在很多领域取得了令人瞩目的成就。目前，电致发光器件主要包括：有机电致发光器件(OLED)、高分子电致发光器件(PLED)和无机电致发光器件。其中，有机电致发光器件由于具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富、易与集成电路匹配等优点，在平板显示和照明领域具有十分广泛的应用前景。
如图1所示，现有的电致发光器件1通常包括依次层叠的基底11、第一电极12、电致发光层13以及第二电极14。其发光机理是由第一电极12和第二电极14产生的空穴和电子在电致发光层13中复合成激子，激子的能量转移到发光分子，使发光分子中的电子被激发到激发态，而激发态是一个不稳定的状态，去激过程产生可见光。OLED的电致发光层13通常包括电子注入层、电子传输层、一个或多个发光层、空穴传输层和空穴注入层。一般情况下，第一电极12是阳极，第二电极14是阴极。然而，电致发光层13在单位面积的表面积有限，使得现有的电致发光器件1的发光效率低。
目前，基于有机电致发光器件的产品已经问世，但由于有机电致发光器件的发光效率不高，制造成本较高，阻碍了的有机电致发光器件的商品化进程。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种电致发光器件及其制备方法，以提高电致发光器件的发光效率。
为解决上述技术问题，本发明提供一种电致发光器件，包括：
基底；
设置于所述基底的一侧的第一电极、第二电极；以及
夹设在所述第一电极、第二电极之间的电致发光层；
其特征在于，所述电致发光层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极相接触，所述第二表面与所述第一电极相接触，所述电致发光层的第一表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层的第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。
可选的，在所述电致发光器件中，所述第一凹凸图案包括至少一种凹陷的球冠，所述第二凹凸图案包括至少一种凸起的球冠；或所述第一凹凸图案包括至少一种凸起的球冠，所述第二凹凸图案包括至少一种凹陷的球冠。
可选的，在所述电致发光器件中，所述第一凹凸图案包括多种高度不同的球冠或多种底面直径不同的球冠。
可选的，在所述电致发光器件中，所述第一电极的厚度为10nm～50nm，所述第二电极的厚度为50nm～200nm，所述电致发光层的厚度为100nm～1μm，所述第一凹凸图案的凹凸高度为2μm～2000μm，所述第一凹凸图案的凹凸宽度为10μm～10000μm。
可选的，在所述电致发光器件中，所述基底的材料和第一电极的材料均为透明材料，所述第二电极的材料为反射材料；或，所述第二电极和第一电极的材料均为透明材料，所述基底的材料为反射材料；或，所述第二电极的材料为透明材料，所述第一电极的材料为反射材料。
根据本发明的另一面，还提供一种电致发光器件的制备方法，包括：
在基底的一侧的表面制备第一凹凸图案；
在所述基底的一侧制备第一电极，所述第一电极面向所述基底一侧的表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一电极背离所述基底一侧的表面具有所述第一凹凸图案；
在所述第一电极背离所述基底的一侧制备电致发光层，所述电致发光层面向所述第一电极一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述电致发光层背离所述第一电极一侧的表面具有所述第一凹凸图案；以及
在所述电致发光层背离所述第一电极的一侧制备第二电极，所述第二电极面向所述电致发光层一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述第二电极背离所述电致发光层一侧的表面具有所述第一凹凸图案；
其中，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。
可选的，在所述电致发光器件的制备方法中，所述电致发光层为有机发光层，采用蒸镀工艺制备所述电致发光层。
可选的，在所述电致发光器件的制备方法中，所述第一电极的材料为反射材料，采用溅射工艺制备所述第一电极；或，所述第一电极为透明材料，采用蒸镀工艺制备所述第一电极。
可选的，在所述电致发光器件的制备方法中，所述第二电极的材料为反射材料，采用溅射工艺制备所述第二电极；或，所述第二电极为透明材料，采用蒸镀工艺制备所述第二电极。
可选的，在所述电致发光器件的制备方法中，通过压印或机械加工的方式在所述基底的一侧的表面制备所述第一凹凸图案。
在本发明提供一种电致发光器件及其制备方法中，所述电致发光层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极相接触，所述第二表面与所述第一电极相接触，所述电致发光层的第一表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层的第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，与现有技术相比，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度，使得所述电致发光层呈弯曲层状，大大地增加了所述电致发光层的表面积，可以在单位面积的所述基底上产生更多的激子，从而提高了电致发光器件的发光效率，提高了单位面积的发光亮度，可以使用较小面积的电致发光器件得到需要的广德亮度，可以有效地降低成本。
附图说明
图1为现有技术中电致发光器件的示意图；
图2为本发明第一实施例的电致发光器件的示意图；
图3为本发明第一实施例的电致发光器件发出会聚光的示意图；
图4为本发明第一实施例的电致发光器件的制备方法的流程图；
图5-图8为本发明第一实施例的电致发光器件的制备方法中器件结构的示意图；
图9为本发明第二实施例的电致发光器件的示意图；
图10为本发明第二实施例的电致发光器件发出发散光的示意图；
图11为本发明第三实施例的电致发光器件发出发散光的示意图；
图12为本发明第四实施例的电致发光器件发出发散光的示意图；
图13为本发明第五实施例的电致发光器件的示意图。
具体实施例
下面将结合示意图对本发明的电致发光器件进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，本发明提供一种电致发光器件，包括：基底；设置于所述基底的一侧的第一电极、第二电极；以及夹设在所述第一电极、第二电极之间的电致发光层；其特征在于，所述电致发光层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极相接触，所述第二表面与所述第一电极相接触，所述电致发光层的第一表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层的第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。所述电致发光层呈弯曲层状，大大地增加了所述电致发光层的表面积，可以在单位面积的所述基底上产生更多的激子，从而增加光的能量，在单位面积的所述基底上实现更高的发光亮度，提高了单位面积的发光亮度，可以使用较小面积的电致发光器件得到需要的广德亮度，可以有效地降低成本。
根据上述核心思想，本发明还提供一种电致发光器件的制备方法，包括：
步骤S11，在基底的一侧的表面制备第一凹凸图案；
步骤S12，在所述基底的一侧制备第一电极，所述第一电极面向所述基底一侧的表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一电极背离所述基底一侧的表面具有所述第一凹凸图案；
步骤S13，在所述第一电极背离所述基底的一侧制备电致发光层，所述电致发光层面向所述第一电极一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述电致发光层背离所述第一电极一侧的表面具有所述第一凹凸图案；以及
步骤S14，在所述电致发光层背离所述第一电极的一侧制备第二电极，所述第二电极面向所述电致发光层一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述第二电极背离所述电致发光层一侧的表面具有所述第一凹凸图案。
以下列举所述电致发光器件及其制备方法的几个实施例，以清楚说明本发明的内容，应当明确的是，本发明的内容并不限制于以下实施例，其他通过本领域普通技术人员的常规技术手段的改进亦在本发明的思想范围之内。
第一实施例
请参阅图2-图3具体说明本发明的第一实施例，其中，图2为本发明第一实施例的电致发光器件的示意图；图3为本发明第一实施例的电致发光器件发出会聚光的示意图。在本实施例中，所述第一凹凸图案包括一种凸起的球冠111。
如图2所示，所述电致发光器件2包括依次层叠的基底110、第一电极120、电致发光层130以及第二电极140。所述第一电极120和第二电极140通电后产生的空穴和电子在所述电致发光层130中复合成激子，激子的能量转移到发光分子，使发光分子中的电子被激发到激发态，而激发态是一个不稳定的状态，去激过程产生可见光。通常的，所述电致发光层130通常包括电子注入层、电子传输层、一个或多个发光层、空穴传输层和空穴注入层，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。一般情况下，第一电极120是阳极，第二电极140是阴极。
在本实施例中，所述基底110的材料为透明材料，例如蓝宝石、二氧化硅等透明绝缘材料中的一种或几种的组合。
所述第一电极120和第二电极140设置于所述基底110的一侧。在本实施例中，所述第一电极120的材料均为透明材料，例如氧化锌、氧化铟锡等透明导电材料，所述第二电极140的材料为反射材料，例如金属等可以反射光的导电材料。较佳的，所述第一电极120的厚度为10nm～50nm，例如20nm、30nm、40nm等等，所述第二电极140的厚度为50nm～200nm，例如100nm、150nm等等。所述第一电极120和第二电极140的厚度并不限于上述公开的范围，但是所述第一电极120和第二电极140的厚度一般在纳米级，不超过1μm。
所述电致发光层130夹设在所述第一电极120、第二电极140之间，在本实施例中，所述电致发光层130为有机发光层，所述电致发光器件2为有机电致发光器件。所述电致发光层130包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极140相接触，所述第二表面与所述第一电极120相接触，所述电致发光层130的第一表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层130的第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，即所述第一凹凸图案和所述第二凹凸图案相同，使得所述电致发光层130与所述第一电极120、第二电极140能够无缝吻合。
较佳的，如图2所示，所述基底110面向所述第一电极120一侧的表面、所述第一电极120面向所述电致发光层130一侧的表面、所述第二电极140背离所述电致发光层130一侧的表面均具有所述第一凹凸图案，所述第一电极120面向所述基底110一侧的表面、所述第二电极140面向所述电致发光层130一侧的表面均具有所述第二凹凸图案。
其中，所述第一凹凸图案的凹凸高度H1(所述第一凹凸图案的凸起最高点到所述第一凹凸图案的凹陷最低点之间的距离)大于所述电致发光层130的厚度T1，使得所述电致发光层130呈弯曲层状，可以大大地增加所述电致发光层130的表面积，从而提高单位面积的所述基底110上所述电致发光层130的发光强度。所述第一凹凸图案的凹凸宽度a1远远地大于可见光的波长。
在本实施例中，所述第一凹凸图案包括一种凸起的球冠111，则所述第二凹凸图案包括一种凹陷的球冠112。所述第一凹凸图案包括若干排列的凸起的球冠111。所述第一凹凸图案的凹凸高度H1为所述球冠111的高度，所述第一凹凸图案的凹凸宽度a1为所述球冠111的底面直径。
较佳的，所述电致发光层130的厚度为100nm～1μm，例如200nm、500nm、800nm等等。所述第一凹凸图案的凹凸高度H1为2μm～2000μm，例如10μm、50μm、1000μm等等。所述第一凹凸图案的凹凸宽度a1为10μm～10000μm，例如100μm、500μm、1000μm、5000μm等等。例如，在本实施例中，所述第一凹凸图案的凹凸高度H1为5μm，所述第一凹凸图案的凹凸宽度a1为20μm，则一个球冠111的表面积为：
S1＝π(a12/4+H12)
＝μm2
＝125πμm2
而直径为20μm的圆的平面面积为：
S2＝π×202/4μm2
＝100πμm2
S1比S2高出25％，则说明，采用本实施例中的所述电致发光层130比现有技术中的电致发光层的表面积高出大致25％，有利于提高所述电致发光层130的发光率。
如图3所示，在本实施例中，所述电致发光器件2为背光式电致发光器件，所述基底110和第一电极120为透明的，所述第二电极140具有反光性。当所述电致发光层130电致发光时，光线(如图3中的虚线箭头)被所述第二电极140反射后，从所述基底110背离所述第一电极120的一侧发出。由于所述第二电极140面向所述电致发光层130的一侧具有所述第二凹凸图案(若干排列的凹陷的球冠112)，反射的光线呈会聚状，从而可以得到特定的光分布。当然，不同的所述第二凹凸图案可以得到不同的光分布，具体可以根据需要进行设置。
以下结合图4-图9，具体说明本实施例中的电致发光器件的制备方法，其中，图4为本发明第一实施例的电致发光器件的制备方法的流程图；图5-图8为本发明第一实施例的电致发光器件的制备方法中器件结构的示意图。
首先，如图5所示，进行步骤S11，在所述基底110的一侧的表面制备第一凹凸图案。较佳的，可以通过压印或机械加工的方式在所述基底110的一侧的表面制备所述第一凹凸图案，以在所述基底110的一侧形成所述球冠111。当然，形成所述第一凹凸图案的方法并不限于压印或机械加工的方式，还可以通过刻蚀等方法形成所述第一凹凸图案。
然后，如图6所示，进行步骤S12，在所述基底110的一侧制备第一电极120，由于所述第一电极120的厚度小于所述第一凹凸图案的凹凸高度H1，所以，所述第一电极120对应于所述基底110上凸起(即所述球冠111)的部分向上凸出，并使所述第一电极120背离所述基底110一侧的表面形成凸起，所述基底110上的所述球冠111转移到所述第一电极120上，使得所述第一电极120呈弯曲层状，在所述第一电极120面向所述基底110一侧的表面形成有与所述第一凹凸图案相匹配的所述第二凹凸图案，在所述第一电极120背离所述基底110一侧的表面形成有所述第一凹凸图案。在本实施例中，所述第一电极120为透明材料，较佳的采用蒸镀工艺制备所述第一电极120。
接着，如图7所示，进行步骤S13，在所述第一电极120背离所述基底110的一侧制备所述电致发光层130，由于所述电致发光层130的厚度小于所述第一凹凸图案的凹凸高度H1，所以，所述电致发光层130对应于所述第一电极120上凸起的部分向上凸出，并使所述第一电极120背离所述基底110一侧的表面形成凸起，所述球冠111转移到所述电致发光层130上，使得所述电致发光层130呈弯曲层状，在所述电致发光层130面向所述第一电极120一侧的表面形成有所述第二凹凸图案，在所述电致发光层130背离所述第一电极120一侧的表面形成有所述第一凹凸图案。在本实施例中，所述电致发光层130为有机发光层，较佳的采用蒸镀工艺制备所述电致发光层130。
最后，如图8所示，进行步骤S14，在所述电致发光层130背离所述第一电极120的一侧制备第二电极140，由于所述第二电极140的厚度小于所述第一凹凸图案的凹凸高度H1，所以，所述球冠111转移到所述第二电极140上，使得所述第二电极140呈弯曲层状，所述第二电极140面向所述电致发光层130一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述第二电极140背离所述电致发光层130一侧的表面具有所述第一凹凸图案。在本实施例中，所述第二电极140的材料为反射材料，较佳的采用溅射工艺制备所述第二电极140。
在本实施例中，所述电致发光层130呈弯曲层状，大大地增加了所述电致发光层130的表面积，可以在单位面积的所述基底110上产生更多的激子，从而增加光的能量，在单位面积的所述基底100上实现更高的发光亮度，有效地降低成本。
第二实施例
请参阅图9，图9为本发明第二实施例的电致发光器件的示意图。在图9中，参考标号表示与图2-图3相同的表述与第一实施例相同的结构。所述第二实施例的电致发光器件3与所述第一实施例的电致发光器件2基本相同，其区别在于：所述第一凹凸图案包括至少一种凹陷的球冠211，所述第二凹凸图案包括至少一种凸起的球冠212。
在本实施例中，所述第一凹凸图案包括一种凹陷的球冠211，则所述第二凹凸图案包括一种凸起的球冠212。所述第一凹凸图案包括若干排列的凹陷的球冠211。所述第一凹凸图案的凹凸高度H2为所述球冠211的高度，所述第一凹凸图案的凹凸宽度a2为所述球冠211的底面直径。
其中，所述第一凹凸图案的凹凸高度H2大于所述电致发光层130的厚度T1，使得所述电致发光层130呈弯曲层状，可以大大地增加所述电致发光层130的表面积，从而提高单位面积的所述基底110上所述电致发光层130的发光强度。所述第一凹凸图案的凹凸宽度a2远远地大于可见光的波长。采用本实施例中的所述电致发光层130的表面积亦大于比现有技术中的电致发光层的表面积，亦有利于提高所述电致发光层130的发光率。
如图10所示，在本实施例中，所述电致发光器件3为背光式电致发光器件，所述基底110和第一电极120为透明的，所述第二电极140具有反光性。当所述电致发光层130电致发光时，光线(如图10中的虚线箭头)被所述第二电极140反射后，从所述基底110背离所述第一电极120的一侧发出。由于所述第二电极140面向所述电致发光层130的一侧具有所述第二凹凸图案(若干排列的凸起的球冠212)，反射的光线呈发散状，从而可以得到特定的光分布。当然，不同的所述第二凹凸图案可以得到不同的光分布，具体可以根据需要进行设置。
第三实施例
请参阅图11，图11为本发明第三实施例的电致发光器件的示意图。在图11中，参考标号表示与图2-图3相同的表述与第一实施例相同的结构。所述第三实施例的电致发光器件4与所述第一实施例的电致发光器件2基本相同，其区别在于：所述第二电极140的材料为透明材料，所述第一电极120的材料为反射材料，所述基底110的材料不做限制，可以为透明材料，也可以为反射材料等等。在本实施例中，所述电致发光器件4为前光式电致发光器件，当所述电致发光层130电致发光时，光线(如图11中的虚线箭头)被所述第一电极120反射后，从所述第二电极140背离所述电致发光层130的一侧发出。由于所述第一电极120面向所述电致发光层130的一侧具有所述第一凹凸图案(若干排列的凸起的球冠)，反射的光线呈发散状，从而可以得到发散的光分布。
在本实施例中，由于所述第一电极120的材料为反射材料，所以在所述步骤S12中，较佳的采用溅射工艺制备所述第一电极120；所述第二电极140为透明材料，所以在所述步骤S14中，较佳的采用蒸镀工艺制备所述第二电极140。
第四实施例
请参阅图12，图12为本发明第四实施例的电致发光器件的示意图。在图12中，参考标号表示与图2-图3相同的表述与第一实施例相同的结构。所述第四实施例的电致发光器件5与所述第一实施例的电致发光器件2基本相同，其区别在于：所述基底110的材料为反射材料，所述第一电极120和所述第二电极140的材料为透明材料。在本实施例中，所述电致发光器件4为前光式电致发光器件，当所述电致发光层130电致发光时，光线(如图12中的虚线箭头)被所述基底110反射后，从所述第二电极140背离所述电致发光层130的一侧发出。由于所述基底110面向所述第一电极120的一侧具有所述第一凹凸图案(若干排列的凸起的球冠)，反射的光线呈发散状，从而可以得到发散的光分布。
第五实施例
请参阅图13，图13为本发明第五实施例的电致发光器件的示意图。在图13中，参考标号表示与图2-图3相同的表述与第一实施例相同的结构。所述第五实施例的电致发光器件6与所述第一实施例的电致发光器件2基本相同，其区别在于：所述第一凹凸图案包括多种不同的球冠，所述球冠的高度不同，或所述球冠的底面直径不同，或所述球冠的高度以及底面直径均不同。
在图13中，以所述第一凹凸图案包括两种高度不同的球冠为例进行说明。所述电致发光层130背离所述基底110一侧的表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层130面向所述基底110一侧的表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案。在本实施例中，所述第一凹凸图案包括两种凸起的球冠：第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321，则所述第二凹凸图案包括两种凹陷的球冠：第一高度凹陷球冠312以及第二高度凹陷球冠322。
所述第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321可以在所述电致发光层130背离所述基底110一侧的表面间隔排列，所述第一高度凸起球冠311以及第二高度凸起球冠321还可以在所述电致发光层130背离所述基底110一侧的表面随机排列。所述第一凹凸图案具有两种凹凸高度：所述第一高度凸起球冠311的高度H4、所述第二高度凸起球冠321的高度H3，两种凹凸高度均大于所述电致发光层130的厚度。
所述第一凹凸图案具有两种凹凸宽度：所述第一高度凸起球冠311的底面直径a4、所述第二高度凸起球冠321的底面直径a3，在本实施例中，所述第一高度凸起球冠311的底面直径a4和所述第二高度凸起球冠321的底面直径a3相等，且均大于可见光的波长。
在本实施例中，其中，所述第一凹凸图案的凹凸高度(包括所述第一高度凸起球冠311的高度H4、所述第二高度凸起球冠321的高度H3)大于所述电致发光层130的厚度，使得所述电致发光层130呈弯曲层状，亦可以大大地增加所述电致发光层130的表面积，从而提高单位面积的所述基底110上所述电致发光层130的发光强度。
当然，所述多种不同的球冠并不限于所述球冠的高度不同，还可以所述球冠的底面直径不同，或所述球冠的高度以及底面直径均不同，根据本发明的上述描述，所述球冠的底面直径不同，或所述球冠的高度以及底面直径均不同的结构为本领域的普通技术人员可以理解，在此不作赘述。
本发明的较佳实施例如上所述，但是，本发明的电致发光器件并不限于上述公开的内容，例如：
在本发明的其它实施例中，所述电致发光层还可以为无机发光层，所述电致发光器件为无机电致发光器件，亦可以通过增加所述电致发光层的表面积增加所述电致发光层的发光效率，亦在本发明的思想范围之内；
在本发明中，所述第一凹凸图案并不限于包括若干凸起或凹陷的球冠，所述第一凹凸图案还可以包括若干凸起或凹陷的圆柱结构、梯形结构或锥型结构等等，亦可以增加所述电致发光层的表面积，亦在本发明的思想范围之内，根据本发明的上述描述，此为本领域的技术人员可以理解的，在此不作赘述。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种电致发光器件，包括：
基底；
设置于所述基底的一侧的第一电极、第二电极；以及
夹设在所述第一电极、第二电极之间的电致发光层；
其特征在于，所述电致发光层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述第二电极相接触，所述第二表面与所述第一电极相接触，所述电致发光层的第一表面具有第一凹凸图案，所述电致发光层的第二表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。
2.如权利要求1所述电致发光器件，其特征在于，所述第一凹凸图案包括至少一种凹陷的球冠，所述第二凹凸图案包括至少一种凸起的球冠；或所述第一凹凸图案包括至少一种凸起的球冠，所述第二凹凸图案包括至少一种凹陷的球冠。
3.如权利要求2所述电致发光器件，其特征在于，所述第一凹凸图案包括多种高度不同的球冠或多种底面直径不同的球冠。
4.如权利要求1所述电致发光器件，其特征在于，所述第一电极的厚度为10nm～50nm，所述第二电极的厚度为50nm～200nm，所述电致发光层的厚度为100nm～1μm，所述第一凹凸图案的凹凸高度为2μm～2000μm，所述第一凹凸图案的凹凸宽度为10μm～10000μm。
5.如权利要求1所述电致发光器件，其特征在于，所述基底的材料和第一电极的材料均为透明材料，所述第二电极的材料为反射材料；或，所述第二电极和第一电极的材料均为透明材料，所述基底的材料为反射材料；或，所述第二电极的材料为透明材料，所述第一电极的材料为反射材料。
6.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：
在基底的一侧的表面制备第一凹凸图案；
在所述基底的一侧制备第一电极，所述第一电极面向所述基底一侧的表面具有与所述第一凹凸图案相匹配的第二凹凸图案，所述第一电极背离所述基底一侧的表面具有所述第一凹凸图案；
在所述第一电极背离所述基底的一侧制备电致发光层，所述电致发光层面向所述第一电极一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述电致发光层背离所述第一电极一侧的表面具有所述第一凹凸图案；以及
在所述电致发光层背离所述第一电极的一侧制备第二电极，所述第二电极面向所述电致发光层一侧的表面具有所述第二凹凸图案，所述第二电极背离所述电致发光层一侧的表面具有所述第一凹凸图案；
其中，所述第一凹凸图案的凹凸高度大于所述电致发光层的厚度。
7.如权利要求6所述电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电致发光层为有机发光层，采用蒸镀工艺制备所述电致发光层。
8.如权利要求6所述电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材料为反射材料，采用溅射工艺制备所述第一电极；或，所述第一电极为透明材料，采用蒸镀工艺制备所述第一电极。
9.如权利要求6所述电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二电极的材料为反射材料，采用溅射工艺制备所述第二电极；或，所述第二电极为透明材料，采用蒸镀工艺制备所述第二电极。
10.如权利要求6所述电致发光器件的制备方法，其特征在于，通过压印或机械加工的方式在所述基底的一侧的表面制备所述第一凹凸图案。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108232020A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置 |
| CN108258134A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管显示装置 |
| CN108493771A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-09-04 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 激光发生器、激光投射模组、深度相机和电子装置 |
| CN108877573A (zh) * | 2017-05-08 | 2018-11-23 | 法雷奥市光（中国）车灯有限公司 | 图案化发光面板、发光装置、车灯和机动车辆 |
| CN109037283A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种基板、显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| CN109192765A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 |
| CN112259655A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN114171651A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-11 | 北京翌光医疗科技研究院有限公司 | 一种可拉伸发光装置 |
-
2014
- 2014-12-02 CN CN201410722612.1A patent/CN104466006A/zh active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11289683B2 (en) | 2016-12-20 | 2022-03-29 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode including convex curve or concave curve and organic light emitting device including the same |
| CN108232020A (zh) * | 2016-12-20 | 2018-06-29 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置 |
| US11812636B2 (en) | 2016-12-20 | 2023-11-07 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode having overcoat layer and organic light emitting device including the same |
| US10381601B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-08-13 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device including convex curve or concave curve and method of fabricating the same |
| CN111276626A (zh) * | 2016-12-20 | 2020-06-12 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置 |
| US10714709B2 (en) | 2016-12-20 | 2020-07-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device including convex curve or concave curve and method of fabricating the same |
| CN111276626B (zh) * | 2016-12-20 | 2023-07-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置 |
| CN108258134A (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 乐金显示有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管显示装置 |
| CN108258134B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-04-10 | 乐金显示有限公司 | 顶部发光型有机发光二极管显示装置 |
| CN108877573A (zh) * | 2017-05-08 | 2018-11-23 | 法雷奥市光（中国）车灯有限公司 | 图案化发光面板、发光装置、车灯和机动车辆 |
| CN108493771A (zh) * | 2018-03-12 | 2018-09-04 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 激光发生器、激光投射模组、深度相机和电子装置 |
| CN109037283A (zh) * | 2018-07-25 | 2018-12-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种基板、显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| CN109192765A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 |
| CN112259655B (zh) * | 2020-08-31 | 2021-08-06 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN112259655A (zh) * | 2020-08-31 | 2021-01-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
| CN114171651A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-03-11 | 北京翌光医疗科技研究院有限公司 | 一种可拉伸发光装置 |
| CN114171651B (zh) * | 2021-12-03 | 2024-03-05 | 北京翌光医疗科技研究院有限公司 | 一种可拉伸发光装置 |
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