CN105789260B - 一种透明显示面板及其制备方法 - Google Patents

一种透明显示面板及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105789260B
CN105789260B CN201610268688.0A CN201610268688A CN105789260B CN 105789260 B CN105789260 B CN 105789260B CN 201610268688 A CN201610268688 A CN 201610268688A CN 105789260 B CN105789260 B CN 105789260B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
transparent
pixel
light emitting
area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610268688.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105789260A (zh
Inventor
陈亚文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Research America Inc
Original Assignee
TCL Research America Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Research America Inc filed Critical TCL Research America Inc
Priority to CN201610268688.0A priority Critical patent/CN105789260B/zh
Publication of CN105789260A publication Critical patent/CN105789260A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105789260B publication Critical patent/CN105789260B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种透明显示面板及其制备方法。所述透明显示面板包括设置在基板上的像素发光区和非像素发光区，所述像素发光区设置有发光元器件，其中，所述发光元器件包括依次设置的反射电极、透明像素电极、发光层和透明顶电极，其中，所述反射电极设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，使得所述发光元器件形成设置有所述反射电极的反射区和所述反射区以外的透光区。

Description

一种透明显示面板及其制备方法
技术领域
本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种透明显示面板及其制备方法。
背景技术
透明显示作为一种全新的显示技术，可以让观察者透过显示屏看到显示屏后方的背景，这种显示技术拓展了传统显示技术的应用领域，并可以用于手机、电脑、冰箱、展示、广告牌等领域。
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调、使用寿命长等优点，是目前显示器件研究的两个主要方向。由于这两种器件均为自主发光的薄膜器件，整体的器件结构通常只有100-200nm，因此，自然光的透过率较高，可以用于透明显示面板。目前的透明显示面板，大多聚焦于改善透明显示性能，没有兼顾透明显示面板的透明显示状态和发光性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透明显示面板，旨在解决现有的透明显示面板没有兼顾透明显示状态和发光性能的问题。
本发明的另一目的在于提供一种透明显示面板的制备方法。
本发明是这样实现的，一种透明显示面板，包括设置在基板上的像素发光区和非像素发光区，所述像素发光区设置有发光元器件，其中，所述发光元器件包括依次设置的反射电极、透明像素电极、发光层和透明顶电极，其中，所述反射电极设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，使得所述发光元器件形成设置有所述反射电极的反射区和所述反射区以外的透光区。
以及，一种透明显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板，所述基板包括用于设置发光元器件的像素发光区和所述像素发光区以外的非像素发光区；
在所述基板上沉积反射电极，且使得所述反射电极设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，形成图案化反射电极；
在所述像素发光区沉积透明像素电极；
在所述非像素发光区制作像素Bank形成Bank层，使得所述Bank层在所述像素发光区形成开口向上的凹槽；
在所述透明像素电极上依次沉积发光层和透明顶电极。
本发明提供的透明显示面板，采用透明像素电极以及透明顶电极实现透明显示。更重要的是，本发明在所述像素发光区的内边缘区域、所述透明像素电极下端引入反射电极，一方面，所述反射电极能够提高所述透明像素电极的电流注入均匀性，从而提高发光均匀性；另一方面，可以提高面板显示端(即面板主要出光测)的发光强度，从而提高透明面板的显示对比度。本发明所述反射电极的设置，将所述发光元器件分为反射区和透光区，其中，所述反射区能够发射发光元件发射的光，从而提高面板显示端的发光性能(发光均匀性和显示对比度)；而所述透光区能够透过自然光，从而为所述透明显示面板具有透光性提供了保证，由此，所述透明显示面板能够兼具透明显示状态和优良的发光性能。
本发明提供的透明显示面板的制备方法，只需在所述像素发光区的内边缘区域、所述透明像素电极下端沉积反射电极并可形成性能优异的透明显示面板。该方法简单易控，具有较好的市场前景。
附图说明
图1是本发明实施例提供的透明显示面板纵向剖面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的具有TFT驱动阵列的基板示意图；
图3是本发明实施例提供的在基板上沉积完反射电极后的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的沉积完透明像素电极后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的制作像素Bank后的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
结合图1，本发明实施例提供了一种透明显示面板1，包括设置在基板11上的像素发光区和非像素发光区，所述像素发光区设置有发光元器件(图中未标出)，其中，所述发光元器件包括依次设置的反射电极12、透明像素电极13、发光层14和透明顶电极15，其中，所述反射电极12设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，使得所述发光元器件形成设置有所述反射电极12的反射区a和所述反射区a以外的透光区b。
本发明实施例所述透明显示面板1包括多个相互独立的发光元器件，设置有所述发光元器件的区域为像素发光区，所述发光元器件以外的、相互连通的区域为非像素发光区。其中，所述发光元器件包括依次设置的透明像素电极13、发光层14和透明顶电极15，且在所述透明像素电极13的下端设置有所述反射电极12，且所述反射电极12设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，如图1所示，其中，10表示所述非像素发光区的像素Bank。
具体的，本发明实施例所述基板11为具有TFT驱动阵列的TFT基板，且所述TFT驱动阵列位于所述非像素发光区的下方，用于驱动所述发光元器件。
本发明实施例在所述透明像素电极13下端设置所述反射电极12，所述反射电极12一方面能够提高所述透明像素电极13的电流注入均匀性(所述反射电极12的导电性优于所述透明像素电极13，特别是反射金属电极)，从而提高发光均匀性；另一方面，可以提高面板显示端(即面板主要出光测)的发光强度，从而提高透明面板的显示对比度。
进一步的，所述反射电极12设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区(即所述反射电极12的一部分位于所述像素发光区，另一部分位于所述非像素发光区)。其中，位于所述非像素发光区的所述反射电极12被像素Bank 10覆盖，可以防止所述反射电极12由于边缘突起导致的短路和其他对所述透明显示面板1性能的影响。所述反射电极12的设置，使得所述发光元器件形成设置有所述反射电极12的反射区a和所述反射区a以外的透光区b。其中，所述反射区a能够发射发光元件发射的光，从而提高面板显示端的发光性能(发光均匀性和显示对比度)；而所述透光区b能够透过自然光，从而为所述透明显示面板1具有透光性提供了保证，由此，所述透明显示面板1能够兼具透明显示状态和优良的发光性能。此处，应当理解，每一个所述发光元器件均设置有对应的所述反射电极12，且每一个所述反射电极12也彼此独立。
作为优选实施例，所述反射电极12为反射金属电极，该优选的电极具有更好的导电性，从而能够更好地提高所述透明像素电极13的电流注入均匀性，进而提高发光均匀性。作为具体优选实施例，所述反射金属电极的材料包括但不限于Al、Ag、Au中的至少一种。作为另一个优选实施例，所述反射电极12的厚度为40-200nm。该优选的厚度，在不造成材料浪费的前提下能够保证所述透明显示面板1具有良好的发光性能和透光性。
本发明实施例所述透明像素电极13设置在所述像素发光区，通过连接孔(图中未标出)与驱动TFT的S/D电极(图中未标出)相连。进一步的，为了防止所述反射电极12造成破坏，可优选将所述透明像素电极13完全覆盖所述反射电极12。本发明实施例所述透明像素电极13为采用透明材料制备的电极，具体的，所述透明像素电极13为透明导电金属氧化物，包括但不限于包括ITO、IZO、FTO的一种。
作为优选实施例，所述发光层14为多层叠层，包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层和光发射层。其中，根据发光元件的不同，所述光发射层可以为有机发光层或者量子点发光层。作为较佳实施例，所述发光层14包括空穴注入层、空穴传输层、光发射层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层中的多层叠层。
作为优选实施例，所述透明顶电极15为透明导电金属氧化物、导电金属薄膜、导电石墨烯薄膜、导电碳纳米管薄膜中的至少一种。当所述透明顶电极15选用导电金属薄膜时，为了保证透光性，所述导电金属薄膜的厚度优选为5-30nm，更优选为10-15nm。由于所述透明顶电极15为所述透明显示面板1的主要出光侧，因此，为了保证所述透明显示面板1具有良好的透光性，所述透明顶电极15的可见光透过率优选＞60％，更优选＞80％。
本发明实施例所述透明像素电极13和所述透明顶电极15的设置，保证所述透明显示面板1的透光性。
本发明实施例中，所述非像素发光区的结构为本领域常规，即在非像素发光区形成像素Bank 10，所述像素Bank 10定义了所述发光元器件的位置以及所述像素发光区的大小。具体的，所述像素Bank 10由光阻性材料制备，其厚度为500-2000nm。
本发明实施例提供的透明显示面板，采用透明像素电极以及透明顶电极实现透明显示。更重要的是，本发明实施例在所述像素发光区的内边缘区域、所述透明像素电极下端引入反射电极，一方面，所述反射电极能够提高所述透明像素电极的电流注入均匀性，从而提高发光均匀性；另一方面，可以提高面板显示端(即面板主要出光测)的发光强度，从而提高透明面板的显示对比度。本发明实施例所述反射电极的设置，将所述发光元器件分为反射区和透光区，其中，所述反射区能够发射发光元件发射的光，从而提高面板显示端的发光性能(发光均匀性和显示对比度)；而所述透光区能够透过自然光，从而为所述透明显示面板具有透光性提供了保证，由此，所述透明显示面板能够兼具透明显示状态和优良的发光性能。
本发明实施例所述显示基板，可以通过下述方法制备获得。
相应的，结合图1-5，本发明实施例还提供了一种透明显示面板的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供一基板11，所述基板11包括用于设置发光元器件的像素发光区和所述像素发光区以外的非像素发光区；
S02.在所述基板11上沉积反射电极12，且使得所述反射电极12设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，形成图案化反射电极；
S03.在所述像素发光区沉积透明像素电极13；
S04.在所述非像素发光区制作像素Bank10形成Bank层，使得所述Bank层在所述像素发光区形成开口向上的凹槽；
S05.在所述透明像素电极13上依次沉积发光层14和透明顶电极15。
具体的，上述步骤S01中，提供一具有TFT驱动阵列的基板11，如图2所示。所述基板11的选用没有明确限制，可采用本领域常规的TFT基板。所述基板11可以根据待设置的发光元器件，分为用于设置发光元器件的像素发光区和所述像素发光区以外的非像素发光区。
上述步骤S02中，沉积的所述反射电极12位于定义的所述像素发光区的内边缘区域(占据一定的像素发光区)、并向外延伸至所述非像素发光区，沉积完所述反射电极12后的结构如图3所示。作为优选实施例，为了便于所述透明像素电极13的沉积，所述反射电极12可设置成切面为梯形的结构。
上述步骤S03中，在所述像素发光区沉积透明像素电极13，优选的，所述透明像素电极13完全覆盖所述反射电极12(即所述透明像素电极13外延至所述非像素发光区)，由此防止制备过程中对所述反射电极12造成的破损。本发明实施例沉积完所述透明像素电极13后的结构如图4所示。
上述步骤S04中，在所述非像素发光区制作像素Bank 10形成Bank层，使得所述Bank层在所述像素发光区形成开口向上的凹槽。优选的，为了缓解使用溶液加工方法制备所述发光层14和透明顶电极15时刻蚀液横向侵蚀对像素Bank12的影响、提高印刷显示面板像素的均匀性，优选的，所述凹槽为倒梯形结构。
本发明实施例中，所述像素Bank 10覆盖所述反射电极12外延至所述非像素发光区的区域。进一步的，当所述透明像素电极13完全覆盖所述反射电极12时，所述Bank 10还覆盖外延至所述非像素发光区的所述透明像素电极13。本发明实施例制作完所述像素Bank10后的结构如图5所示。
上述步骤S05中，所述透明像素电极13上依次沉积所述发光层14和透明顶电极15的方法可采用常规方法实现。沉积完所述发光层14和所述透明顶电极15后的透明显示面板1的结构如图1所示。
进一步的，在沉积完所述透明顶电极后，还包括对所述透明显示面板1进行封装处理，以防止水氧渗透对所述透明显示面板1性能的影响。
本发明实施例提供的透明显示面板的制备方法，只需在所述像素发光区的内边缘区域、所述透明像素电极下端沉积反射电极并可形成性能优异的透明显示面板。该方法简单易控，具有较好的市场前景。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种透明显示面板，其特征在于，包括设置在基板上的像素发光区和非像素发光区，所述像素发光区设置有发光元器件，其中，所述发光元器件包括反射电极，设置在所述反射电极上的透明像素电极，所述在所述透明像素电极背离所述反射电极的表面的发光层，设置在所述发光层背离所述透明像素电极的表面的透明顶电极，其中，所述反射电极设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，使得所述发光元器件形成设置有所述反射电极的反射区和所述反射区以外的透光区，且所述透明像素电极完全覆盖所述反射电极；所述透明顶电极选自光透过率＞80％的导电石墨烯薄膜、导电碳纳米管薄膜中的至少一种，所述反射电极设置成切面为梯形的结构；所述反射电极的导电性优于所述透明像素电极。
2.如权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述透明像素电极为透明导电金属氧化物。
3.如权利要求2所述的透明显示面板，其特征在于，所述透明导电金属氧化物为ITO、IZO或者FTO。
4.如权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述透明顶电极的材料为透明导电金属氧化物、导电金属薄膜、导电石墨烯薄膜、导电碳纳米管薄膜中的至少一种。
5.如权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述反射电极为反射金属电极。
6.如权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述反射电极的厚度为40-200nm。
7.如权利要求1-6任一所述的透明显示面板，其特征在于，所述发光层为多层叠层，包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层和光发射层。
8.一种透明显示面板的制备方法，包括以下步骤：
提供一基板，所述基板包括用于设置发光元器件的像素发光区和所述像素发光区以外的非像素发光区；
在所述基板上沉积反射电极，且使得所述反射电极设置在所述像素发光区的内边缘区域、并向外延伸至所述非像素发光区，形成图案化反射电极；
在所述像素发光区沉积透明像素电极，且所述透明像素电极完全覆盖所述反射电极，所述反射电极设置成切面为梯形的结构；所述反射电极的导电性优于所述透明像素电极；
在所述非像素发光区制作像素Bank形成Bank层，使得所述Bank层在所述像素发光区形成开口向上的凹槽；
在所述透明像素电极上依次沉积发光层和透明顶电极；所述透明顶电极选自光透过率＞80％的导电石墨烯薄膜、导电碳纳米管薄膜中的至少一种。
9.如权利要求8所述的透明显示面板的制备方法，其特征在于，在制备所述透明像素电极的步骤中，所述透明像素电极完全覆盖所述反射电极。
10.如权利要求8或9所述的透明显示面板的制备方法，其特征在于，在沉积完所述透明顶电极后，还包括对透明显示面板进行封装处理。
CN201610268688.0A 2016-04-26 2016-04-26 一种透明显示面板及其制备方法 Active CN105789260B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610268688.0A CN105789260B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种透明显示面板及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610268688.0A CN105789260B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种透明显示面板及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105789260A CN105789260A (zh) 2016-07-20
CN105789260B true CN105789260B (zh) 2020-04-21

Family

ID=56398737

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610268688.0A Active CN105789260B (zh) 2016-04-26 2016-04-26 一种透明显示面板及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105789260B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10333098B2 (en) 2017-06-15 2019-06-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Transparent OLED display panel and manufacturing method thereof
CN107359268B (zh) * 2017-06-15 2019-04-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 透明oled显示面板及其制作方法
CN108254963A (zh) * 2018-03-20 2018-07-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示组件、显示装置及其驱动方法
CN108874226B (zh) * 2018-06-29 2021-06-11 信利光电股份有限公司 一种触摸屏ito膜层的刻蚀方法及触摸屏组件
CN109860272B (zh) * 2019-04-17 2021-01-29 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置
CN110148621B (zh) * 2019-06-28 2021-07-30 昆山国显光电有限公司 透明显示基板、阵列基板、显示面板及显示装置
CN110429115B (zh) 2019-07-23 2021-04-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110783394A (zh) * 2019-11-28 2020-02-11 昆山国显光电有限公司 透光显示面板、显示面板以及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1780017A (zh) * 2004-11-10 2006-05-31 三星Sdi株式会社 双面发光有机电致发光显示器件及其制造方法
CN103474448A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及显示装置
CN104885250A (zh) * 2012-12-27 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1780017A (zh) * 2004-11-10 2006-05-31 三星Sdi株式会社 双面发光有机电致发光显示器件及其制造方法
CN104885250A (zh) * 2012-12-27 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明有机发光显示装置及其制造方法
CN103474448A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN105789260A (zh) 2016-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105789260B (zh) 一种透明显示面板及其制备方法
US10651427B2 (en) Organic light emitting diode display device
TWI278253B (en) Organic electroluminescent display panel and production method thereof
US8853676B2 (en) Organic light emitting diode and manufacturing method thereof
CN107994059B (zh) 阵列基板及其制造方法
US9620568B2 (en) Display substrate, fabricating method thereof and display apparatus
WO2020001040A1 (zh) 发光器件及其制作方法、电子装置
KR20150061921A (ko) 유기전계발광표시장치
US8193698B2 (en) Organic light emitting diode and method for producing an organic light emitting diode
US10553809B2 (en) Laminated organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof, and display device
KR20130093187A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108987431B (zh) 像素结构及其制作方法
US9722210B2 (en) OLED light emitting device and display device
CN105826356B (zh) 一种高开口率的显示面板及其制作方法
CN108493210B (zh) 一种有机发光显示面板及其有机发光显示装置
CN106486512B (zh) 一种有机发光二极管器件及有机发光显示器
US10777618B2 (en) Transparent display panel, fabricating method for the same, and display device
JP2014191329A (ja) 両面表示装置
CN113764489B (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法以及显示装置
CN110071159B (zh) 像素电极结构及像素电极结构制作方法
CN110993822B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN113555509A (zh) 显示装置及显示面板
CN102956677B (zh) 一种oled显示装置及其制作方法
WO2020073573A1 (en) Display substrate, preparation method thereof, and display apparatus
JP2002352962A (ja) 有機発光素子およびその製造方法、有機発光表示装置および照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant