CN104218158A - 有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
有机电致发光器件,包括依次层叠的透光基底、第一透明电极层、反射层、第二透明电极层、有机发光功能层、半透明电极层及光补偿层,透光基底包括相对设置的第一出光面和覆盖面,第一透明电极层覆盖于覆盖面;反射层分散覆盖于第一透明电极层的表面形成遮光区,反射层与第一透明电极层的面积之比为20%~80%,反射层未覆盖于第一透明电极层的表面形成透光区;第二透明电极层覆盖于遮光区和透光区;有机发光功能层覆盖于第二透明电极层表面;半透明电极层覆盖于有机发光功能层表面;光补偿层仅覆盖于透光区对应的半透明电极层表面。该有机电致发光器件的两出光面发光强度均匀一致。还公开了该有机电致发光器件的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及发光器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光(Organic Light Emission Diode,简称OLED),具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性,同时拥有高清晰、广视角,以及响应速度快等优势,是一种极具潜力的显示技术和光源,符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势,以及绿色照明技术的要求,是目前国内外众多研究者的关注重点。
现有的有机电致发光技术,大部分只能将光从阳极或者阴极的一侧取出,制得底发射或顶发射有机电致发光器件。一些研究者发明的双面发光显示的有机电致发光器件,采用两个有机电致发光单元背靠背贴合在一起,此结构较复杂,制程较多。也有研究者采用透明的阳极和阴极,获得双面出光的效果。但通常采用的阴极是薄层金属薄膜,其透过率一般只能达到50-70%。而采用的阳极是透明氧化物薄膜,其透过率一般可以达到80%以上,因此,在阳极和阴极的出光面处,发光强度存在差异,影响有机电致发光器件的发光均匀性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供一种双面发光且两个出光面发光强度较为均匀的有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的透光基底、第一透明电极层、反射层、第二透明电极层、有机发光功能层、半透明电极层及光补偿层,
所述透光基底包括相对设置的第一出光面和覆盖面,所述第一透明电极层覆盖于所述覆盖面;所述反射层分散覆盖于所述第一透明电极层的表面形成遮光区,所述反射层未覆盖于所述第一透明电极层的表面形成透光区,所述反射层与所述第一透明电极层的面积之比为20%~80%;所述第二透明电极层覆盖于所述遮光区和所述透光区;所述有机发光功能层覆盖于所述第二透明电极层表面;所述半透明电极层覆盖于所述有机发光功能层表面;所述光补偿层仅覆盖于所述透光区对应的所述半透明电极层表面,所述光补偿层与所述反射层形状互补,所述半透明电极层和所述光补偿层表面形成第二出光面,所述光补偿层的材料选自硫化锌或硒化锌中的一种。
其中,所述第一透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的一种或多种,所述第一透明电极层的厚度为70~200nm;所述第二透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的一种或多种,所述第二透明电极层的厚度为30~70nm。
其中,所述反射层的材料选自为银、铝、金、铂、镍、铜或铬中的一种,所述反射层的厚度为40~70nm。
其中,所述遮光区及所述透光区均呈长条状,所述遮光区与所述透光区交替排布。
其中,所述遮光区及所述透光区均为正方形,所述遮光区与所述透光区交替排布,且每一个所述遮光区的至少两条边与相邻的所述透光区的边贴合,每一个所述遮光区的至少一个角与另一个所述遮光区的一角相抵接。
其中,所述遮光区为正方形,多个所述遮光区间隔排布且互不连接。
其中,所述有机发光功能层包括空穴注入层,空穴传输层,发光层,电子传输层及电子注入层,所述空穴注入层覆盖于所述第二透明电极层表面,所述空穴传输层覆盖于空穴注入层的表面,所述发光层覆盖于所述空穴传输层的表面,所述电子传输层覆盖于所述发光层的表面,所述电子注入层覆盖于所述电子传输层的表面,所述半透明电极层覆盖于所述电子注入层的表面。
其中,所述半透明电极层的材料选自为银、铝、钐、镱、银铝合金、银镁合金、铝镁合金中的一种,所述半透明电极层的厚度为18~35nm。
其中,所述光补偿层的厚度为40~80nm,所述光补偿层与所述半透明电极层的面积之比为20%~80%。
本发明的实施例提供了上述有机电致发光器件的制备方法,包括步骤如下:
提供一透光基底;
在所述透光基底上通过磁控溅射法制备第一透明电极层,溅射速度为0.1~2nm/s;
提供第一掩膜版,所述第一掩膜版贴合于所述第一透明电极层表面;
采用蒸镀或磁控溅射法,在所述第一掩膜版表面制备反射层,制备速度为0.1~2nm/s;
取下所述第一掩膜版,所述反射层分散覆盖于所述第一透明电极层的表面形成遮光区,所述反射层未覆盖于所述第一透明电极层的表面形成透光区,在所述遮光区和透光区表面,通过磁控溅射法制备第二透明电极层,溅射速度为0.1~2nm/s;
采用真空热镀膜法,在所述第二透明电极层表面制备有机发光功能层;
采用真空热镀膜法,在所述有机发光功能层表面制备半透明电极层;
提供第二掩膜版,所述第二掩膜版与所述第一掩膜版形状互补配合,所述第二掩膜版贴合于所述半透明电极层表面,采用蒸镀或是磁控溅射法制备光补偿层;
取下所述第二掩膜版,制备得到所述有机电致发光器件。
上述有机电致发光器件中,所述光补偿层与所述反射层的形状互补,所述光补偿层通过光线干涉相消作用,降低出射光线在所述半透明电极层与空气界面的反射,增加出射光线在所述半透明电机层与空气界面处的透射,从而增加了所述有机电致发光器件在所述第二出光面上,所述光补偿层处的发光强度。
所述反射层设于所述第一透明电极层与第二透明电极层之间,增加出射光线在所述第一出光面的反射,减小出射光线在所述第一出光面的透射,进而减小了所述有机电致发光器件在所述第一出光面处所述反射层的发光强度,增加了在所述第二出光面处所述反射层的发光强度。因而使得在所述第二出光面上,所述反射层和所述光补偿层处的发光强度均增强。另外,再通过调节所述反射层的厚度,和所述反射层与所述第一透明电极层的面积比,使得所述第二出光面整个平面的光强均匀性较强。
由于在现有的有机电致发光器件中,在未设反射层和光补偿层的情况下,所述第二出光面的发光强度小于所述第一出光面处的发光强度。本实施例提供的所述有机电致发光器件中,增加了所述第二出光面的发光强度,也相对降低了所述第一出光面处的发光强度,从而使得所述有机电致发光器件的两个出光面的发光强度均匀性较强。
另外,由于所述反射层的导电性良好,相当于所述第一透明电极层、反射层和第二透明电极层形成了并联电极层,降低了电阻,所述反射层从而还提高了所述第一透明电极层和第二透明电极层的导电性。
本发明实施例提供所述有机电致发光器件,其相对的所述第一出光面和第二出光面的发光强度均匀一致。此外,所述反射层的排布方式根据所述第一掩膜版和第二掩膜版的形状改变,从而稳定均匀出光,制备方法简单,便于推广应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的有机电致发光器件的结构示意图;
图2为本发明实施例第一实施方式提供的遮光区与透光区的组合示意图;
图3为本发明实施例提供的有机电致发光器件的制备方法流程图;
图4为本发明实施例第二实施方式提供的遮光区与透光区的组合示意图;
图5为本发明实施例第三实施方式提供的遮光区与透光区的组合示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
下面参考附图对本发明的实施例进行描述。参见图1,为本发明第一实施方式中,有机电致发光器件100(OLED)的结构示意图。所述有机电致发光器件100包括依次层叠的透光基底10、第一透明电极层20、反射层30、第二透明电极层40、有机发光功能层50、半透明电极层60及光补偿层70。
所述透光基底10包括相对设置的第一出光面11和覆盖面12,其材质为玻璃。
所述第一透明电极层20覆盖于所述覆盖面12,其材质为铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)及镓锌氧化物(GZO)中的一种或多种,厚度为70~200nm。所述第一透明电极层20的透光率高,导电性良好。
参见图2,所述反射层30分散覆盖于所述第一透明电极层20的表面形成遮光区31,所述反射层30未覆盖于所述第一透明电极层20的表面形成透光区32。其中,所述“分散覆盖”为所述反射层30在不同区域覆盖于所述第一透明电极层20表面之意。所述反射层30为金属材质,具体的,反射层30的材料可为银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)或铬(Cr)中的一种。所述反射层30的厚度为40~70nm,所述反射层30与所述第一透明电极层20的面积之比为20%~80%。所述反射层30用于降低所述有机电致发光器件100的透光率。通过调节所述反射层30的厚度和所述反射层30与所述第一透明电极层20的面积比,调节有机电致发光器件100的透光率。
本实施方式中,所述遮光区31及所述透光区32均呈长条状,所述遮光区31与所述透光区32交替排布。且所述遮光区31所述透光区32的大小相等。在其他实施方式中,所述遮光区31与所述透光区32的形状和大小可不同。
综合参见图1和图2,所述第二透明电极层40覆盖于所述遮光区31和所述透光区32,从而形成一连续的导电薄膜层。所述第二透明电极层40的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的一种或多种,所述第二透明电极层40的厚度为30~70nm。
所述有机发光功能层50覆盖于所述第二透明电极层40表面。具体的,所述有机发光功能层50包括空穴注入层,空穴传输层,发光层,电子传输层及电子注入层。所述空穴注入层覆盖于所述第二透明电极层40表面,所述空穴传输层覆盖于空穴注入层的表面,所述发光层覆盖于所述空穴传输层的表面,所述电子传输层覆盖于所述发光层的表面,所述电子注入层覆盖于所述电子传输层的表面。所述有机发光功能层50用于发光。
所述半透明电极层60覆盖于所述有机发光功能层50表面。具体的,所述半透明电极层60覆盖于所述电子注入层的表面。所述半透明电极层60为金属材质,具体的材料选自银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)、镱(Yb)、银铝(Ag-Al)合金、银镁(Ag-Mg)合金、铝镁(Al-Mg)合金中的一种。所述半透明电极层60的厚度为18~35nm。所述半透明电极层60的透光率为50%~70%,略低于所述第一透明电极层20的80%以上的透光率。
所述光补偿层70与所述反射层30的形状互补,所述光补偿层70通过光线干涉相消作用,降低出射光线在所述半透明电极层60与空气界面的反射,增加出射光线在所述半透明电机层60与空气界面处的透射,从而增加了所述有机电致发光器件100在所述第二出光面71上,所述光补偿层70处的发光强度。
所述反射层30设于所述第一透明电极层20与第二透明电极层40之间,增加出射光线在所述第一出光面11的反射,减小出射光线在所述第一出光面11的透射,进而减小了所述有机电致发光器件100在所述第一出光面11处所述反射层30的发光强度,增加了在所述第二出光面71处所述反射层30的发光强度。因而使得在所述第二出光面71上,所述反射层30和所述光补偿层70处的发光强度均增强。另外,再通过调节所述反射层30的厚度,和所述反射层30与所述第一透明电极层20的面积比,使得所述第二出光面71整个平面的光强均匀性较强。
由于在现有的有机电致发光器件100中,在未设反射层30和光补偿层70的情况下,导致所述第二出光面71的发光强度小于所述第一出光面11处的发光强度。本实施例提供的所述有机电致发光器件100中,增加了所述第二出光面71的发光强度,也相对降低了所述第一出光面11处的发光强度,从而使得所述有机电致发光器件100的两个出光面的发光强度均匀性较强。
参见图3,本发明实施例还提供了上述有机电致发光器件100的制备方法。其具体步骤包括:
步骤S1,提供一透光基底10,所述透光基底10的材质为玻璃。
步骤S2,在所述透光基底10上通过磁控溅射法制备第一透明电极层20,溅射速度为0.1~2nm/s。
步骤S3,提供第一掩膜版,所述第一掩膜版贴合于所述第一透明电极层20表面。
步骤S4,采用蒸镀或磁控溅射法,在所述第一掩膜版表面制备反射层30,制备速度为0.1~2nm/s。
步骤S5,取下所述第一掩膜版,所述反射层30分散覆盖于所述第一透明电极层20的表面形成遮光区31,所述反射层30未覆盖于所述第一透明电极层20的表面形成透光区32。在所述遮光区31和透光区32表面,通过磁控溅射法制备第二透明电极层40,溅射速度为0.1~2nm/s。
步骤S6,采用真空热镀膜法,在所述第二透明电极层40表面制备有机发光功能层50。所述真空镀膜***中,真空度为5×10-4Pa。
步骤S7,采用真空热镀膜法,在所述有机发光功能层50表面制备半透明电极层60;
步骤S8,提供第二掩膜版,所述第二掩膜版与所述第一掩膜版形状互补配合,所述第二掩膜版贴合于所述半透明电极层60表面,采用蒸镀或是磁控溅射法制备光补偿层70;
步骤S9,取下所述第二掩膜版,制备得到所述有机电致发光器件100。
本发明实施例提供所述有机电致发光器件100,其相对的所述第一出光面11和第二出光面71的发光强度均匀一致。此外,所述反射层30的排布方式根据所述第一掩膜版和第二掩膜版的形状改变,从而稳定均匀出光,制备方法简单,便于推广应用。
请参阅图4,本发明第二实施方式的有机电致发光器件200,与有机电致发光器件100的结构大致相同,其不同在于:所述遮光区131及所述透光区132均为正方形,所述遮光区131与所述透光区132交替排布,且每一个所述遮光区131的至少两条边与相邻的所述透光区132的边贴合,每一个所述遮光区131的至少一个角与另一个所述遮光区131的一角相抵接。
请参阅图5,本发明第三实施方式的有机电致发光器件300,与有机电致发光器件100的结构大致相同,其不同在于:所述遮光区231为正方形,多个所述遮光区231间隔排布且互不连接,所述透光区232与所述遮光区231形状互补。
以上所述的实施方式,并不构成对该技术方案保护范围的限定。任何在上述实施方式的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等,均应包含在该技术方案的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的透光基底、第一透明电极层、反射层、第二透明电极层、有机发光功能层、半透明电极层及光补偿层,
所述透光基底包括相对设置的第一出光面和覆盖面,所述第一透明电极层覆盖于所述覆盖面;所述反射层分散覆盖于所述第一透明电极层的表面形成遮光区,所述反射层未覆盖于所述第一透明电极层的表面形成透光区,所述反射层与所述第一透明电极层的面积之比为20%~80%;所述第二透明电极层覆盖于所述遮光区和所述透光区;所述有机发光功能层覆盖于所述第二透明电极层表面;所述半透明电极层覆盖于所述有机发光功能层表面;所述光补偿层仅覆盖于所述透光区对应的所述半透明电极层表面,所述光补偿层与所述反射层形状互补,所述半透明电极层和所述光补偿层表面形成第二出光面,所述光补偿层的材料选自硫化锌或硒化锌中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的一种或多种,所述第一透明电极层的厚度为70~200nm;所述第二透明电极层的材质为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物及镓锌氧化物中的一种或多种,所述第二透明电极层的厚度为30~70nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述反射层的材料选自为银、铝、金、铂、镍、铜或铬中的一种,所述反射层的厚度为40~70nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述遮光区及所述透光区均呈长条状,所述遮光区与所述透光区交替排布。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述遮光区及所述透光区均为正方形,所述遮光区与所述透光区交替排布,且每一个所述遮光区的至少两条边与相邻的所述透光区的边贴合,每一个所述遮光区的至少一个角与另一个所述遮光区的一角相抵接。
6.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述遮光区为正方形,多个所述遮光区间隔排布且互不连接。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述有机发光功能层包括空穴注入层,空穴传输层,发光层,电子传输层及电子注入层,所述空穴注入层覆盖于所述第二透明电极层表面,所述空穴传输层覆盖于空穴注入层的表面,所述发光层覆盖于所述空穴传输层的表面,所述电子传输层覆盖于所述发光层的表面,所述电子注入层覆盖于所述电子传输层的表面,所述半透明电极层覆盖于所述电子注入层的表面。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述半透明电极层的材料选自为银、铝、钐、镱、银铝合金、银镁合金、铝镁合金中的一种,所述半透明电极层的厚度为18~35nm。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述光补偿层的厚度为40~80nm,所述光补偿层与所述半透明电极层的面积之比为20%~80%。
10.一种如权利要求1~9任一项所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:
提供一透光基底;
在所述透光基底上通过磁控溅射法制备第一透明电极层,溅射速度为0.1~2nm/s;
提供第一掩膜版,所述第一掩膜版贴合于所述第一透明电极层表面;
采用蒸镀或磁控溅射法,在所述第一掩膜版表面制备反射层,制备速度为0.1~2nm/s;
取下所述第一掩膜版,所述反射层分散覆盖于所述第一透明电极层的表面形成遮光区,所述反射层未覆盖于所述第一透明电极层的表面形成透光区,在所述遮光区和透光区表面,通过磁控溅射法制备第二透明电极层,溅射速度为0.1~2nm/s;
采用真空热镀膜法,在所述第二透明电极层表面制备有机发光功能层;
采用真空热镀膜法,在所述有机发光功能层表面制备半透明电极层;
提供第二掩膜版,所述第二掩膜版与所述第一掩膜版形状互补配合,所述第二掩膜版贴合于所述半透明电极层表面,采用蒸镀或是磁控溅射法制备光补偿层;
取下所述第二掩膜版,制备得到所述有机电致发光器件。
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