CN104460144A - 薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置 - Google Patents

薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括扫描线、第一数据线以及第二数据线。所述第一数据线与第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体管基板的方向上，所述第一数据线与所述第二数据线的位置至少部分重叠。任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交错界定出一像素单元。位于同一竖列的一部分像素单元包括与所述第一数据线电性连接的第一薄膜晶体管，位于该竖列的另一部分像素单元包括与所述第二数据线电性连接的第二薄膜晶体管。本发明能够在一个时序内驱动两行扫描线所对应的两行薄膜晶体管，扫描速度快，尤其应用于高解析度的显示装置时，相较于传统的薄膜晶体管基板在扫描速度方面具有明显的优势。

Description

薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板、一种驱动该薄膜晶体管基板的驱动方法以及一种显示装置。
背景技术
传统的薄膜晶体管基板上通常设置有相互交错排列的扫描线与数据线，并在所述扫描线与数据线相交处设置有薄膜晶体管作为传输显示信号的开关元件。当应用于高解析度的显示面板时，每一个薄膜晶体管的充电时间会被压缩，充电时间不够会影响显示效果，可能导致显示效果不佳。
发明内容
鉴于此，有必要提供一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括扫描线、第一数据线以及第二数据线。所述第一数据线与第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体管基板的方向上，所述第一数据线与所述第二数据线的位置至少部分重叠。任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交错界定出一像素单元。位于同一竖列的一部分像素单元包括与所述第一数据线电性连接的第一薄膜晶体管，位于该竖列的另一部分像素单元包括与所述第二数据线电性连接的第二薄膜晶体管。
还有必要提供一种显示装置。该显示装置包括上述薄膜晶体管基板。
还有必要提供一种驱动上述薄膜晶体管的驱动方法。该方法包括：在一个时序中，同时向所述第一数据线与第二数据线传输数据，并同时开启一条与所述第一薄膜晶体管对应的扫描线与一条与所述第二薄膜晶体管对应的扫描线。
相较于现有技术，本发明能够将薄膜晶体管充电的时间增加一倍，充电时间更长，尤其在应用于高解析度的显示装置时，相较于传统的薄膜晶体管基板，显示效果更稳定。
附图说明
图1是本发明具体实施方式所提供的显示装置的示意图。
图2是图1中的薄膜晶体管基板之电路结构示意图。
图3是图2中A区域的放大图。
图4是图2中B区域的放大图。
图5是图3中A区域的剖面示意图。
图6是图4中B区域的剖面示意图。
图7是该薄膜晶体管基板工作时扫描方式的示意图。
主要元件符号说明
显示装置 100
薄膜晶体管基板 1
对向基板 2
液晶层 3
扫描线 GL、Gate1、Gate2、Gate3
第一数据线 S1、S3、S5、S7、S9
第二数据线 S2、S4、S6、S8、S10
像素单元 P
第一薄膜晶体管 110
第一栅极 111
第一源极 112
第一汲极 113
第一通道 114
第一像素电极 120
第二薄膜晶体管 210
第二栅极 211
第二源极 212
第二汲极 213
第二通道 214
第二像素电极 220
透明基板 300
第一绝缘层 400
第二绝缘层 500
连接部 600
第一通孔 510
第二通孔 520
第三通孔 530
时序 t1、t2
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
如图1所示，本发明具体实施方式所提供的显示装置100包括薄膜晶体管基板1、对向基板2以及夹于所述薄膜晶体管基板 1和对向基板2之间的液晶层3。
如图2所示，所述薄膜晶体管基板1包括扫描线GL（Gate1、Gate2、Gate3…）、第一数据线S1（S3、S5、S7、S9…）以及第二数据线S2（S4、S6、S8、S10…）。所述扫描线GL用于提供扫描信号。所述第一数据线S1与第二数据线S2用于提供数据信号。所述第一数据线S1与所述扫描线GL相互绝缘且交错设置。所述第二数据线S2与所述扫描线GL相互绝缘且交错设置。所述第一数据线S1与所述第二数据线S2相互绝缘。在垂直于所述薄膜晶体管基板1的方向上，所述第一数据线S1与所述第二数据线S2的位置至少部分重叠。可以理解的是，虽然在图中所述第一数据线S1与第二数据线S2在垂直于所述薄膜晶体管基板1的方向上是相邻而并非重叠的，但此仅为使读者更方便地理解本发明，所述第一数据线S1与所述第二数据线S2的位置应当是至少部分重叠的。
任意两条相邻的扫描线GL与任意两条相邻的第一数据线S1交错所界定出一像素单元P。每一像素单元P包括第一薄膜晶体管110或第二薄膜晶体管210。其中，所述第一薄膜晶体管110与所述第一数据线S1电性连接，所述第二薄膜晶体管210与所述第二数据线S2电性连接。具体地，位于同一竖列的一部分像素单元P包括与所述第一数据线S1电性连接的第一薄膜晶体管110，而位于该竖列的另一部分像素单元P包括与所述第二数据线S2电性连接的第二薄膜晶体管210。在每一像素单元P中，所述第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管210的数量之和为一。也就是说，在每一个像素单元P中不会既有第一薄膜晶体管110又有第二薄膜晶体管210。所述薄膜晶体管基板1还包括与所述第一薄膜晶体管110对应并覆盖对应的像素单元P的第一像素电极120以及与所述第二薄膜晶体管210对应并覆盖对应的像素单元P的第二像素电极220。在本实施方式中，在沿所述第一数据线S1的方向上，所述第一薄膜晶体管110与所述第二薄膜晶体管210交替设置在各像素单元P中。优选地，所述扫描线GL的数量为偶数，位于同一竖列的全部像素单元P的集合中，所述第一薄膜晶体管110的数量总和与第二薄膜晶体管210的数量总和相等。所述第一薄膜晶体管110与第二薄膜晶体管210对应的像素单元P均为完整且独立的像素单元P，能够被所述第一数据线S1与第二数据线S2分别控制。
如图3所示，所述第一薄膜晶体管110包括第一栅极111、第一源极112、第一汲极113以及第一通道114。所述第一栅极111与所述扫描线GL电性连接。所述第一源极112与所述第一数据线S1电性连接，并与所述第二数据线S2相互绝缘。所述第一像素电极120通过所述第一汲极113与所述第一薄膜晶体管110电性连接。所述第一通道114的两端分别与所述第一源极112和第一汲极113电性连接。当所述扫描线GL施加电压时，所述第一通道114将所述第一源极112与第一汲极113导通，进而所述第一数据线S1通过所述第一源极112、第一通道114、第一汲极113与所述第一像素电极120导通以实现电性连接。
如图4所示，所述第二薄膜晶体管210包括第二栅极211、第二源极212、第二汲极213以及第二通道214。所述第二栅极211与所述扫描线GL电性连接。所述第二源极212与所述第二数据线S2电性连接，并与所述第一数据线S1相互绝缘。所述第二像素电极220通过所述第二汲极213与所述第二薄膜晶体管210电性连接。所述第二通道214的两端分别与所述第二源极212和第二汲极213电性连接。当所述扫描线GL施加电压时，所述第二通道214将所述第二源极212与第二汲极213导通，进而所述第二数据线S2通过所述第二源极212、第二通道214、第二汲极213与所述第二像素电极220导通以实现电性连接。
如图5与图6所示，所述薄膜晶体管基板1还包括透明基板300、第一绝缘层400、第二绝缘层500以及连接部600。所述扫描线GL（未示出）、第一栅极111以及第二栅极211形成在所述透明基板300上。所述第一绝缘层400形成在所述透明基板300上，并覆盖所述扫描线GL、第一栅极111以及第二栅极211。所述第一通道114、第二通道214以及第二数据线S2形成在所述第一绝缘层400上，且所述第一通道114正对所述第一栅极111，所述第二通道214正对所述第二栅极211。所述第一源极112以及第一汲极113形成在所述第一绝缘层400与所述第一通道114上，且彼此间隔以暴露所述第一通道114。所述第一源极112与所述第二数据线S2相互间隔以绝缘。所述第二源极212以及第二汲极213形成在所述第一绝缘层400与所述第二通道214上，且彼此间隔以暴露所述第二通道214。所述第二源极212向远离所述第二通道214的一侧延伸至与所述第二数据线S2电性连接。所述第二绝缘层500形成在所述第一绝缘层400上，并覆盖所述第二数据线S2、第一源极112、第二源极212、第一汲极113、第二汲极213、第一通道114以及第二通道214。
所述第二绝缘层500上开设有第一通孔510、第二通孔520以及第三通孔530。所述第一通孔510正对所述第一汲极113且贯穿所述第二绝缘层500直至所述第一汲极113。所述第二通孔520正对所述第二汲极213且贯穿所述第二绝缘层500直至所述第二汲极213。所述第三通孔530正对所述第一源极112且贯穿所述第二绝缘层500直至所述第一源极112。所述第一像素电极120形成在所述第二绝缘层500上，并通过所述第一通孔510与所述第一汲极113电性连接。所述第二像素电极220形成在所述第二绝缘层500上，并通过所述第二通孔520与所述第二汲极213电性连接。所述第一数据线S1与连接部600共同形成在所述第二绝缘层500上且相互电性连接，其中，所述第一数据线S1对应所述第二数据线S2设置，所述连接部600对应所述第三通孔530与第一源极112设置。所述连接部600通过所述第三通孔530与所述第一源极112电性连接，进而所述第一数据线S1通过所述连接部600与所述第一源极112实现了电性连接。同时。所述第二源极212通过所述第二绝缘层500与所述第一数据线S1相互绝缘。
在本实施方式中，所述第一绝缘层400是栅极绝缘层。所述第二绝缘层500是钝化层。所述第一像素电极120与第二像素电极220的材质是氧化铟锡（Indium tin oxide，ITO）。所述第一数据线S1、第二数据线S2以及连接部600的材质是金属，且所述第一数据线S1与所述连接部600是通过同一道黄光蚀刻工艺形成的。
如图7所示，当所述薄膜晶体管基板1工作时，可以在一个时序中，同时向所述第一数据线S1与第二数据线S2传输数据，并同时开启一条与所述第一薄膜晶体管对应的扫描线GL与一条与所述第二薄膜晶体管对应的扫描线GL，以此在同一时序内同时对两横行薄膜晶体管进行充电。例如在本实施方式中，可以在第一时序t1同时开启扫描线Gate1与Gate2，并同时向所述第一数据线S1与第二数据线S2传输数据，以此在该时序t1同时对扫描线Gate1与Gate2对应的两行薄膜晶体管进行充电。而在第二时序t2，同时开启扫描线Gate3与Gate4以同时对接下来的两行薄膜晶体管进行充电，依次类推。本发明具体实施方式所提供的薄膜晶体管基板1能够在一个时序内同时对两个薄膜晶体管进行充电，从而将单个薄膜晶体管充电的时间增加一倍，充电时间更长，显示效果更加稳定。尤其在应用于高解析度的显示装置时，相较于传统的薄膜晶体管基板在充电时间方面具有明显的优势。而由于所述第一数据线S1与第二数据线S2在垂直于所述薄膜晶体管基板1的方向上的位置是重叠的，并不会对该薄膜晶体管基板1的开口率产生影响。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (13)

1.一种薄膜晶体管基板，包括扫描线、第一数据线以及第二数据线，所述第一数据线与第二数据线相互绝缘，且在垂直于所述薄膜晶体管基板的方向上，所述第一数据线与所述第二数据线的位置至少部分重叠，任意两条相邻的扫描线与任意两条相邻的第一数据线交错界定出一像素单元，位于同一竖列的一部分像素单元包括与所述第一数据线电性连接的第一薄膜晶体管，位于该竖列的另一部分像素单元包括与所述第二数据线电性连接的第二薄膜晶体管。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在每一像素单元中，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的数量之和为一。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，位于同一竖列的全部像素单元的集合中，所述第一薄膜晶体管的数量总和与所述第二薄膜晶体管的数量总和相等。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在沿所述第一数据线的方向上，所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管交替设置在各像素单元中。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一汲极以及第一通道，所述第一栅极与所述扫描线电连接，所述第一源极与所述第一数据线电连接，所述第一通道的两端分别与所述第一源极和第一汲极电连接，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二汲极以及第二通道，所述第二栅极与所述扫描线电连接，所述第二源极与所述第二数据线电连接，所述第二通道的两端分别与所述第二源极和第二汲极电连接。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管对应的像素单元均为完整且独立的像素单元，所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管对应的像素单元能够被所述第一数据线与第二数据线分别控制。
7.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二源极与所述第一数据线相互绝缘，所述第一源极与所述第二数据线相互绝缘。
8.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括透明基板、第一绝缘层以及第二绝缘层，所述扫描线、第一栅极以及第二栅极形成在所述透明基板上，所述第一绝缘层覆盖所述透明基板、扫描线、第一栅极以及第二栅极，所述第一通道、第二通道以及第二数据线形成在所述第一绝缘层上，且所述第一通道正对所述第一栅极，所述第二通道正对所述第二栅极，所述第一源极与第一汲极形成在所述绝缘层与所述第一通道上，且彼此间隔以暴露出所述第一通道，所述第二源极与第二汲极形成在所述绝缘层与所述第二通道上，且彼此间隔以暴露出所述第二通道，所述第二源极向远离所述第二通道的一侧延伸至与所述第二数据线电性连接，所述第一源极与所述第二数据线相互间隔以绝缘，所述第二绝缘层形成在所述第一绝缘层上并覆盖所述第二数据线、第一源极、第二源极、第一通道、第二通道、第一汲极以及第二汲极。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述薄膜晶体管基板还包括与所述第一薄膜晶体管对应并覆盖对应的像素单元的第一像素电极以及与所述第二薄膜晶体管对应并覆盖对应的像素单元的第二像素电极，所述第二绝缘层上正对所述第一汲极的位置开设有贯穿所述第二绝缘层直至所述第一汲极的第一通孔，所述第二绝缘层上正对所述第二汲极的位置开设有贯穿所属第二绝缘层直至所述第二汲极的第二通孔，所述第一像素电极形成在所述第二绝缘层上并通过所述第一通孔与所述第一汲极电连接，所述第二像素电极形成在所述第二绝缘层上并通过所述第二通孔与所述第二汲极电连接。
10.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二绝缘层上正对所述第一源极的位置开设有正对所述第一源极且贯穿所述第二绝缘层直至所述第一源极的第三通孔，所述薄膜晶体管基板还包括连接部，所述第一数据线与所述连接部共同形成在所述第二绝缘层上且相互电性连接，所述第一数据线对应所述第二数据线设置，所述连接部对应所述第三通孔与第一源极设置，所述连接部通过所述第三通孔与所述第一源极电性连接，所述第一数据线通过所述连接部与所述第一源极电性连接。
11.如权利要求10所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一数据线与所述连接部是通过同一道黄光蚀刻工艺形成的。
12.一种显示装置，该显示装置包括如权利要求1至11项中任意一项所述的薄膜晶体管基板。
13.一种驱动所述权利要求1至11项中任意一项所述的薄膜晶体管基板的驱动方法，包括：
在一个时序中，同时向所述第一数据线与第二数据线传输数据，并同时开启一条与所述第一薄膜晶体管对应的扫描线与一条与所述第二薄膜晶体管对应的扫描线。
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