CN101364017B - 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法 - Google Patents

薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101364017B
CN101364017B CN2008101310207A CN200810131020A CN101364017B CN 101364017 B CN101364017 B CN 101364017B CN 2008101310207 A CN2008101310207 A CN 2008101310207A CN 200810131020 A CN200810131020 A CN 200810131020A CN 101364017 B CN101364017 B CN 101364017B
Authority
CN
China
Prior art keywords
film transistor
thin film
electrode
liquid crystal
tft
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101310207A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101364017A (zh
Inventor
陈建丞
陈弘育
林育正
洪文明
吴勇勋
陈鹊如
林萤聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Shenzhen Co Ltd
Chi Mei Optoelectronics Corp
Original Assignee
Innolux Shenzhen Co Ltd
Chi Mei Optoelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Shenzhen Co Ltd, Chi Mei Optoelectronics Corp filed Critical Innolux Shenzhen Co Ltd
Priority to CN2008101310207A priority Critical patent/CN101364017B/zh
Publication of CN101364017A publication Critical patent/CN101364017A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101364017B publication Critical patent/CN101364017B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/13624—Active matrix addressed cells having more than one switching element per pixel
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
    • G09G2300/0447—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations for multi-domain technique to improve the viewing angle in a liquid crystal display, such as multi-vertical alignment [MVA]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一种薄膜晶体管基板，其包括一基底，设置在该基底的多条扫描线，设置在该基底的多条数据线，多个第一开关元件及多个第二开关元件及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一该第一开关元件及一该第二开关元件，每一子画素单元内的第一薄膜开关元件及第二开关元件均由同一条该扫描线控制；每一画素单元内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，该第一画素电极经由该第一开关元件由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二开关元件及一分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号，且该第一开关元件及该第二开关元件由同一扫描线控制。

Description

薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明是关于一种薄膜晶体管基板、该薄膜晶体管基板制造方法、采用该薄膜晶体管基板的液晶显示装置及该液晶显示装置驱动方法。本发明尤其是关于一种基板利用率较高的垂直配向型液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置具有无辐射、轻薄及省电等优点，已广泛应用于各种信息、通讯、消费性产品中。传统液晶显示装置通常存在视角窄及色偏问题，因此业界提出一种能较好解决该问题的八域垂直配向型液晶显示装置。
请参阅图1，其是一种现有技术八域垂直配向型液晶显示装置的平面结构示意图。该液晶显示装置100包括一第一基底(图未示)、一与该第一基底相对设置的第二基底(图未示)及一夹在该第一基底与该第二基底之间的液晶层(图未示)。该液晶层由介电常数差为负且各向异性的液晶分子131构成。
该第一基底邻近该液晶层一侧设置有一彩色滤光片(图未示)、一公共电极(图未示)及多个第一突起119。该彩色滤光片包括多个红色滤光单元R(图未示)、绿色滤光单元G(图未示)及蓝色滤光单元B(图未示)。该第一突起119呈开口向右的“V”形，且相互平行间隔设置。
该第二基底邻近该液晶层一侧设置有多条公共电极线121、多条扫描线122、多条第一数据线123、多条第二数据线124、多个第一薄膜晶体管125、多个第二薄膜晶体管126、多个第一画素电极127、多个第二画素电极128及多个第二突起129。
该多条公共电极线121与该扫描线122相互平行交替间隔设置，该第一数据线123、该第二数据线124相互平行交替间隔设置，并与该扫描线122及公共电极线121垂直绝缘相交。每一第一数据线123、一相邻的第二数据线124及二相邻的公共电极线121交叉形成的区域定义为一画素单元10，一画素单元10对应该彩色滤光片的一滤光单元R、G、B。该扫描线122穿过该画素单元10，并将该画素单元10划分为一第一子画素单元101及一第二子画素单元102。
在每一画素单元10内，该第一薄膜晶体管125设置在该第一数据线123与该扫描线122的相交处，该第二薄膜晶体管126设置在该第二数据线124与该扫描线122的相交处，且该二薄膜晶体管125、126的栅极均连接至该扫描线122，该第一薄膜晶体管125的源极连接至该第一数据线123，该第二薄膜晶体管126的源极连接至该第二数据线124。该第一画素电极127设置在该第一子画素单元101内，并且电连接至该第一薄膜晶体管125的漏极。该第二画素电极128设置在该第二子画素单元102内，并且电连接至该第二薄膜晶体管126的漏极。至此，该第一画素电极127可以经由该第一数据线123及第一薄膜晶体管125加载第一灰阶电压，该第二画素电极128可以经由该第二数据线124及第二薄膜晶体管126加载第二灰阶电压，使该二灰阶电压独立加载。
该第二突起129呈开口向右的“V”形，相互平行间隔设置，且与该第一突起119交错设置。
请一并参阅图2，其是图1所示第一子画素单元内的液晶分子的站向的俯视示意图。当该第一画素电极127与相对的该公共电极分别加载第一灰阶电压及公共电压时，二者之间形成一电场。该电场使得夹在二电极、127之间的液晶分子131均向着垂直于该电场方向扭转。该液晶分子131受该第一突起119与该第二突起129的作用，沿该二突起119、129的斜面倾斜，该液晶分子131倾向于具有A、B、C、D四个不同方向的站向。
同理，该第二画素电极128与相对的公共电极加载电压时，其间的液晶分子131也倾向于具有A、B、C、D四个不同方向的站向。
请再一并参阅图3，其是图1所示二子画素单元内的液晶分子的站向的侧视示意图。当该二画素电极127、128加载的灰阶电压不同时，该二子画素单元101、102内的电场不同，使该二子画素单元101、102的液晶分子131的倾斜角θ1、θ2不同。因此，该二子画素单元101、102的四个站向互不相同，使该液晶显示装置100能够实现八域显示。
但是，由于该液晶显示装置100的一画素单元10需二数据线123、124驱动以获得二不同的驱动电压实现八域显示，又由于该二数据线123、124的平面式设计使其各自占用一定的基板面积，因此该液晶显示装置100的基板利用率较低。
发明内容
为了解决现有技术基板利用率较低的问题，有必要提供一种基板利用串较高的薄膜晶体管基板。
同时，也有必要提供上述薄膜晶体管基板的制造方法。
同时，也有必要提供采用该薄膜晶体管基板的液晶显示装置。
同时，也有必要提供上述液晶显示装置的驱动方法。
一种薄膜晶体管基板，其包括一基底，设置在该基底的多条扫描线，设置在该基底的多条数据线，多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一该第一薄膜晶体管及一该第二薄膜晶体管，每一子画素单元内的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管均连接至同一条扫描线；每一子画素单元内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，该第一薄膜晶体管的源极连接至一数据线，该第二薄膜晶体管的源极经由一分压元件连接至同一条该数据线，该第一画素电极经由该第一薄膜晶体管由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二薄膜晶体管及该分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号。
一种液晶显示装置，其包括一对向基板，一与该对向基板相对设置薄膜晶体管基板及一位于该对向基板与该薄膜晶体管基板间的液晶层，其中，该薄膜晶体管基板包括一基底，设置在该基底的多条扫描线，设置在该基底的多条数据线，多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一该第一薄膜晶体管及一该第二薄膜晶体管，每一子画素单元内的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管均连接至同一条扫描线；每一子画素单元内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，该第一画素电极经由该第一薄膜晶体管由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二薄膜晶体管及该分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号。
一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：提供一基底；在该基底上形成多条扫描线、多个第一薄膜晶体管的栅极及多个第二薄膜晶体管的栅极；在该基底、该扫描线及该栅极上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成半导体图案；在该栅极绝缘层及该半导体图案上形成多条与该扫描线交叉的数据线、多个第一薄膜晶体管的源极及漏极、多个第二薄膜晶体管的源极及漏极；在该栅极绝缘层、该半导体图案、该数据线、该源极及该漏极上形成一钝化层；在该钝化层上形成多个第一通孔、多个第二通孔及多个第三通孔；在该钝化层上形成多个第一画素电极、多个第二画素电极及多个偶合电极；其中，该多条扫描线与多条数据线交叉形成多个画素单元，每一画素单元内设置一该第一薄膜晶体管、一该第二薄膜晶体管、一该第一画素电极、一该第二画素电极及至少一该偶合电极，在每一画素单元内，该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极均电连接至同一扫描线，该第一画素电极通过该第一通孔电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极通过该第二通孔电连接至该第二薄膜晶体管的漏极，该第一薄膜晶体管的源极连接至对应的数据线，该偶合电极通过该第三通孔电连接至该第该第二薄膜晶体管的源极，且该偶合电极与该第一薄膜晶体管的源极所连接的数据线交迭以形成一偶合电容作为一分压元件，该第二薄膜晶体管的源极经由该分压元件连接至同一条该数据线。
一种液晶显示装置，其包括多条扫描线、多条与该扫描线绝缘相交的数据线及多个该扫描线与数据线相交构成的最小区域定义的画素单元。每一画素单元包括一第一子画素单元及一第二子画素单元，该第一子画素单元包括一第一薄膜晶体管及一第一液晶电容，该第二子画素单元包括一第二薄膜晶体管、一电阻及一第二液晶电容，其中，第一液晶电容包括一第一画素电极、一公共电极及位于其间的液晶分子，第二液晶电容包括一第二画素电极、一公共电极及位于其间的液晶分子，该第一薄膜晶体管的栅极连接该扫描线，源极连接该数据线，漏极连接该第一画素电极，该第二薄膜晶体管的栅极连接该扫描线，源极经该电阻连接该数据线，漏极连接该第二画素电极，该第一液晶电容经由该第一薄膜晶体管连接该扫描线及数据线，该第二液晶电容经由该第二薄膜晶体管及该电阻连接该扫描线及数据线。
一种上述液晶显示装置的驱动方法，其包括如下步骤：a.施加第i次扫描信号至该第n列扫描线，该数据在线的灰阶电压经由该第一薄膜晶体管给该第一液晶电容充电，经由该第二薄膜晶体管及该电阻给该第二液晶电容充电；及b.停止施加扫描信号至该第n列扫描线，该第一及第二薄膜晶体管关闭，使该第二液晶电容未完全充电。
相对于现有技术，由于本发明薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法所制成的薄膜晶体管基板及液晶显示装置采用了该分压元件，使得本发明薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法所制成的薄膜晶体管基板及液晶显示装置在减少一半数据线的情况下也可以实现同一子画素单元不同的电压而实现八域显示，进而使得薄膜晶体管基板、薄膜晶体管基板制造方法所制成的薄膜晶体管基板及液晶显示装置布线简单、成本较低。
附图说明
图1是一种现有技术八域垂直配向型液晶显示装置的平面结构示意图。
图2是图1所示第一子画素单元内的液晶分子的站向的俯视示意图。
图3是图1所示二子画素单元内的液晶分子的站向的侧视示意图。
图4是本发明液晶显示装置第一实施方式的立体结构示意图。
图5是图4所示薄膜晶体管基板的平面结构示意图。
图6是图5所示薄膜晶体管基板沿VI-VI方向剖视示意图。
图7是图5所示薄膜晶体管基板沿VII-VII方向剖视示意图。
图8是图5所示薄膜晶体管基板中一子画素单元的等效电路图。
图9是图5所示薄膜晶体管基板中一子画素单元内对应该第一画素电极的液晶分子的站向的俯视示意图。
图10是图5所示薄膜晶体管基板中二画素电极所对应的液晶分子的站向的侧视示意图。
图11是本发明液晶显示装置第二实施方式的薄膜晶体管基板的平面结构示意图。
图12是图11所示薄膜晶体管基板沿XII-XII方向剖视示意图。
图13是本发明液晶显示装置第三实施方式的薄膜晶体管基板的平面结构示意图。
图14是图13所示薄膜晶体管基板沿XIV-XIV方向剖视示意图。
图15是本发明液晶显示装置第四实施方式的一子画素单元的等效电路图。
图16是本发明液晶显示装置第五实施方式的一子画素单元的等效电路图。
图17是本发明液晶显示装置第六实施方式的等效电路图。
图18是图17所示液晶显示装置一子画素单元的等效电路图。
图19是本发明液晶显示装置第七实施方式的一子画素单元的等效电路图。
具体实施方式
请参阅图4，其是本发明液晶显示装置第一实施方式的立体结构示意图。该液晶显示装置200为一垂直配向型液晶显示装置，其包括一彩色滤光片基板201、一与该彩色滤光片基板201相对设置的薄膜晶体管基板202及一夹在该彩色滤光片基板201与该薄膜晶体管基板202之间的液晶层230。该液晶层230介电常数为负且各向异性，且包括多个液晶分子231。
该彩色滤光片基板201包括一第一基底210，该第一基底210邻近该液晶层230一侧设置有一彩色滤光片213、一公共电极215及多个突起219。该彩色滤光片213包括多个红色滤光单元R(图未示)、绿色滤光单元G(图未示)及蓝色滤光单元B(图未示)。该突起219呈开口向左的“V”形，且相互平行间隔设置。
请一并参阅图5，其是图4所示薄膜晶体管基板的平面结构示意图。该薄膜晶体管基板202包括一第二基底220。该第二基底220邻近该液晶层230一侧设置有多条相互平行的扫描线221、多条相互平行且与该扫描线221垂直的数据线222。该多条扫描线221及该多条数据线222均间隔设置，使任意二相邻扫描线221与任意二相邻数据线222界定一矩形的子画素单元20，且每一子画素单元20在位置上对应该彩色滤光片213的一滤光单元R、G或者B。其中，每一条扫描线221对应并控制一列该子画素单元20，每一条数据线222对应并控制一行子画素单元20。
每一子画素单元20内设置有相互绝缘的一第一画素电极225及一第二画素电极226，每一子画素单元20邻近该扫描线221与该数据线222相交处还设置有一第一薄膜晶体管223及一第二薄膜晶体管224。每一薄膜晶体管223、224包括一源极(未标示)、一栅极(未标示)及一漏极(未标示)。对于每一子画素单元20，该二薄膜晶体管223、224的栅极电连接至该子画素单元20所对应的扫描线221，该第一薄膜晶体管223的漏极电连接至该第一画素电极225，该第二薄膜晶体管224的漏极电连接至该第二画素电极226，该第一薄膜晶体管223的源极电连接至该子画素单元20所对应的数据线222，该第二薄膜晶体管224的源极通过一用于分压的偶合电容228偶接至该数据线222。
该第一画素电极225及该第二画素电极226均包括多个沟槽227，该多个沟槽227呈开口向左的“V”形，且与该突起219交错设置。
请一并参阅图6及图7，图6是图5所示薄膜晶体管基板沿VI-VI方向剖视示意图，图7是图5所示薄膜晶体管基板沿VII-VII方向剖视示意图。该薄膜晶体管基板201还包括一栅极绝缘层252、一半导体图案250及一钝化层255，该偶合电容228包括一偶合电极229。
该二薄膜晶体管223、224的栅极251、261及该扫描线222设置在该第二基底220上，该栅极绝缘层252设置在该二栅极251、261、扫描线222及该第二基底220上，该半导体图案250对应该二栅极251、261设置在该栅极绝缘层252上，该漏极253、263及源极254、264设置在该半导体图案250及该栅极绝缘层252上，该数据线222设置在该栅极绝缘层252上，该钝化层255设置在该数据线222、栅极绝缘层252、漏极253、263及源极254、264上，该二画素电极225、226及一偶合电极229设置在该钝化层255上。该第一画素电极225通过一贯穿该钝化层255的第一通孔291连接该漏极253，该第二画素电极226通过一贯穿该钝化层255的第二通孔292连接该漏极263。该源极254延伸并连接至该数据线222。该偶合电极229的两端分别与该源极264及该数据线222交迭，且该偶合电极229一端通过一贯穿该钝化层255的第三通孔293连接至该源极264，另一端与该数据线222形成该偶合电容228。
该扫描线221、该栅极251、261由同一步骤形成的不透光金属制成，如铝(Al)是金属、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、或铜(Cu)等。该漏极253、263、源极254、264及该数据线222也为同一步骤形成的不透光金属制成。该二画素电极227、226及该偶合电极229由同一步骤形成的透明导电物制成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等。
描述至此，该薄膜晶体管基板201中一子画素单元20的等效电路图可如图8所示。
请一并参阅图9，其是图5所示子画素单元内对应该第一画素电极的液晶分子的站向的俯视示意图。当该第一画素电极225与相对的该公共电极215分别加载一灰阶电压及一公共电压时，二者之间形成一电场。该电场使得夹在二电极215、225之间的液晶分子231均向着垂直于该电场方向扭转。该液晶分子231受该突起219与该沟槽227的作用，沿该突起219的斜面倾斜，该液晶分子231倾向于具有A、B、C、D四个不同方向的站向。
同理，该第二画素电极226与相对的公共电极215加载电压时，其间的液晶分子231也倾向于具有A、B、C、D四个不同方向的站向。
请一并参阅图10，其是图5中二画素电极所对应的液晶分子的站向的侧视示意图。由于该第一薄膜晶体管223的源极254是直接电连接至该数据线222上，该第二薄膜晶体管224是通过该偶合电容228偶接至该数据线222上，该偶合电容228的分压作用使得该二源极254、264自该数据线222获得的电压不同，进而使该二画素电极225、226所加载的灰阶电压也不相同，因此该二画素电极225、226所对应的液晶分子231的倾斜角θ1、θ2不同。因此，该二画素电极225、226所对应的液晶分子231的四个站向互不相同，使该液晶显示装置200能够实现八域显示。
相较于现有技术，本发明液晶显示装置200由于在每一子画素单元20中，该第一薄膜晶体管223的源极254直接电连接至该数据线222上，该第二薄膜晶体管264通过该偶合电容228偶接至该数据线222上，使该二画素电极225、226所加载的灰阶电压也不相同，每一子画素单元20仅利用一条数据线222即实现了八域显示，因此液晶显示装置200基板面积利用率较高。
该液晶显示装置200所采用的薄膜晶体管基板202的制造方法包括如下步骤：
步骤S1：形成栅极金属层；
在该第二基板220上依序形成一栅极金属层及一第一光致抗蚀剂层。
步骤S2：形成栅极251、261及该扫描线221；
提供一第一掩膜对该第一光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该栅极金属层进行刻蚀，进而形成该栅极251、261及该扫描线221的图案，移除第一光致抗蚀剂层。
步骤S3：形成栅极绝缘层252及半导体层；
在该栅极251、261及该第二基板220上形成该栅极绝缘层252及该半导体层。
步骤S4：形成半导体图案250；
提供一第二掩膜对该第二光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该半导体层进行刻蚀，进而形成具有该半导体图案250，移除第二光致抗蚀剂层。
步骤S5：形成源/漏极金属层；
在该栅极绝缘层252及该半导体图案250上形成一源/漏极金属层及一第三光致抗蚀剂层。
步骤S6：形成源极254、264、漏极253、263及数据线222；
提供一第三掩膜对该第三光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该源/漏极金属层进行刻蚀，进而形成该源极254、264、漏极253、263及该数据线222。
步骤S7：形成钝化层薄膜；
在该栅极绝缘层252、源极254、264、漏极253、263及该数据线222上依序沈积一钝化层薄膜及一第四光致抗蚀剂层。
步骤S8：形成钝化层255及第一通孔291、第二通孔292及该第三通孔293；
提供一第四掩膜对该第四光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定图案；对该钝化层薄膜及该栅极绝缘层252进行刻蚀，进而定义出该钝化层255及该第一通孔291、第二通孔292及该第三通孔293，移除第四光致抗蚀剂层。
步骤S9：形成一透明导体层；
在该钝化层107上形成一透明导体层及一第五光致抗蚀剂层。
步骤S10：形成该二画素电极225、226及偶合电极229；
提供一第五掩膜对该第五光致抗蚀剂层进行曝光显影，从而形成一预定的光致抗蚀剂图案；对该导体层进行刻蚀，进而定义出一导体层图案，即偶合电极229及具有沟槽227的该二画素电极225、226，移除第五光致抗蚀剂层。
请一并参阅图11及图12，图11是本发明液晶显示装置第二实施方式的薄膜晶体管基板的平面结构示意图。图12是图11所示薄膜晶体管基板沿XII-XII方向剖视示意图。该液晶显示装置300与该液晶显示装置200大体相同，其主要区别在于：薄膜晶体管基板302的偶合电极329设置在该第二基底320与该栅极绝缘层352之间。该偶合电极329的两端分别与该源极364及该数据线322交迭，且该偶合电极329一端通过一贯穿该栅极绝缘层352的第三通孔393连接至该源极364，另一端与该数据线322形成该偶合电容328。该扫描线321、该栅极351、361由同一步骤形成的不透光金属制成，如铝是金属、钼、铬、钽、或铜等。
请一并参阅图13及图14，图13是本发明液晶显示装置第三实施方式的薄膜晶体管基板的平面结构示意图。图14是图13所示薄膜晶体管基板沿XIV-XIV方向剖视示意图。该液晶显示装置400与该液晶显示装置200大体相同，其主要区别在于：该薄膜晶体管基板402进一步包括一偶合电极430，该偶合电极430设置在该第二基底420与该栅极绝缘层452之间。偶合电极429及该偶合电极430通过一贯穿该栅极绝缘层452及钝化层455的第四通孔494电连接。该二偶合电极429、430中的至少一个与该数据线422交迭形成一偶合电容428。
相较于第一实施方式，由于该液晶显示装置400具有二电连接的偶合电极429、430，可以通过调整该二偶合电极429、430与该数据线422交迭的总面积来调整第二画素电极426上灰阶电压的大小，因此调节范围较宽。
该液晶显示装置400所采用的薄膜晶体管基板402的制造方法与薄膜晶体管基板202的制造方法大体相同，其主要区别在于：
形成栅极451、461、该扫描线421时一并形成该偶合电极430；
形成钝化层455及第一通孔491、第二通孔492及该第三通孔493时一并形成该第四通孔494。
请参阅图15，其是本发明液晶显示装置第四实施方式的一子画素单元的等效电路图。该液晶显示装置500与该液晶显示装置200大体相同，其主要区别在于：第二画素电极526经由第二薄膜晶体管524及偶合电容528串联形成的支路连接至第一薄膜晶体管523的漏极。
请参阅图16，其是本发明液晶显示装置第五实施方式的一子画素单元的等效电路图。该液晶显示装置600与该液晶显示装置200大体相同，其主要区别在于：第二画素电极626经由第二薄膜晶体管624及偶合电容628串联形成的支路连接至第一画素电极625
上述第四、第五实施方式中同样由于该第一薄膜晶体管523、623与该第二薄膜晶体管524、624由同一条扫描线521、621控制，使该第二薄膜晶体管524、624可以有效的控制该第二画素电极526、626在该扫描线521、621被扫描时段经由该偶合电容528、628所在支路充电，在该扫描线521、621未被扫描时段(即电压维持时段)断开该偶合电容528、628所在支路以防止第一画素电极525、625与第二画素电极526、626之间电压重新分配。
请参阅图17及图18，图17是本发明液晶显示装置第六实施方式的等效电路图，图18是图17所示液晶显示装置一子画素单元的等效电路图。该液晶显示装置700与该液晶显示装置600大体相同，其主要区别在于：该液晶显示装置700将该液晶显示装置200的偶合电容228替换为一分压电阻728用于分压。下面对该液晶显示装置700作进一步详细描述：
该液晶显示装置700包括多条相互平行的扫描线721及多条相互平行且与该扫描线721垂直绝缘相交的数据线722。该扫描线721与该数据线722相交构成的最小矩形区域定义多个子画素单元70。
每一子画素单元70包括一第一子画素区78及一第二子画素区79。该第一子画素区78包括一第一薄膜晶体管723、一第一画素电极725、一公共电极707及一第一存储电容708。该第二子画素区79包括一第二薄膜晶体管724、一分压电阻728、一第二画素电极726、一公共电极707及一第二存储电容709。该分压电阻728具较高阻抗，可由半导体材质制成。
该第一薄膜晶体管723的栅极(未标示)连接该扫描线721，源极(未标示)连接该数据线722，漏极(未标示)连接该第一画素电极725。该第二薄膜晶体管724的栅极(未标示)连接该扫描线721，源极(未标示)连接该数据线722，漏极(未标示)经由该电阻222连接该第二画素电极726。
该公共电极707与该第一画素电极725及位于其间的液晶分子(图未示)构成多个第一液晶电容718，也与该第二画素电极726及位于其间的液晶分子(图未示)构成多个第二液晶电容719。该第一液晶电容718与该第一存储电容708并联，该第二液晶电容719与该第二存储电容709并联。
该扫描线721用于控制该第一及第二薄膜晶体管723、724的开启及关闭。该数据线722用于在该第一及第二薄膜晶体管723、724开启时提供灰阶电压至该子画素单元70以实现显示。该第一子画素区78由该第一薄膜晶体管723驱动，该第二子画素区79由该第二薄膜晶体管724及该分压电阻728驱动。
该液晶显示装置700的工作原理如下：
当第n列扫描线721第i次被施加扫描信号期间，该列上的第一及第二薄膜晶体管723、724开启，同时，该数据线722上的灰阶电压经由该第一薄膜晶体管723的源极、漏极至该第一画素电极725，使该第一液晶电容718及第一存储电容708充电；也经由该第二薄膜晶体管724的源极、漏极及该分压电阻728至该第二画素电极726，使该第二液晶电容719及第二存储电容709充电。
由于该分压电阻728的分压作用，该灰阶电压经由该第二薄膜晶体管724及该分压电阻728给该第二液晶电容719充电的充电电流较其经由该第一薄膜晶体管723给该第一液晶电容718充电的充电电流小，从而该第二液晶电容719充电较第一液晶电容718慢，控制该第一及第二薄膜晶体管723、724的导通时间，使该第一液晶电容718完全充电及该第二液晶电容719未完全充电，进而该第二液晶电容719与第一液晶电容718具不同的电压。同理，该第一存储电容708及第二存储电容709也具不同的电压。
该n列扫描线721第i次扫描信号关闭至第i+1次被施加扫描信号的前，该第一存储电容708保持该第一液晶电容718的电压，该第二存储电容709保持该第二液晶电719的电压，以维持该第一子画素区78及第二子画素区79的显示。
相较于现有技术，本发明液晶显示装置700中，同一数据线722上的灰阶电压经由该第一薄膜晶体管723给该第一液晶电容718充电，经由该第二薄膜晶体管724及该电阻728给该第二液晶电容719充电，从而该二液晶电容718、719的充电电流不同，且使该第二液晶电容719未完全充电，进而该第一液晶电容718及第二液晶电容719具不同的电压而实现八域显示，由于该二子画素区78、79仅需一数据线722驱动，进而该液晶显示装置700布线简单、成本较低。
请参阅图19，其是本发明液晶显示装置第七实施方式的一子画素单元的等效电路图。该液晶显示装置800与第六实施方式的液晶显示装置700大体相同，其主要区别在于：第二薄膜晶体管824的源极(未标示)经由电阻828连接至该数据线822，漏极(未标示)连接第二画素电极826。
本发明液晶显示装置并不限于上述实施方式所述，也可具其它多种变更设计，如：
一、第六实施方式中的该第二薄膜晶体管724可不连接该数据线722，而连接第一薄膜晶体管723的漏极，该数据线722上的灰阶电压经由该第一薄膜晶体管723、第二薄膜晶体管724及分压电阻728写入该第二子画素区79。
二、第一至五实施方式中的该偶合电容与该第二薄膜晶体管串联形成的支路中，该偶合电容与该第二薄膜晶体管的连接顺序可以互换。即，第二画素电极可以经由偶合电容连接至第二薄膜晶体管的漏极，该第二薄膜晶体管的源极连接至数据线、第一薄膜晶体管的漏极及该第一画素电极之一；第二画素电极可以连接至第二薄膜晶体管的漏极，该第二薄膜晶体管的源极经由分压电阻连接至数据线、第一薄膜晶体管的漏极及该第一画素电极之一。
三、在每一实施方式中，第一薄膜晶体管的沟道宽长比(W/L)与第二薄膜晶体管的沟道宽长比可以相同，也可以不同。
四、在每一实施方式中，第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管可以是底栅极型晶体管，也可以是顶栅极型晶体管；第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管可以是对称式晶体管，也可以是非对称式晶体管。
五、任何具有分压功能的元件均可以作为分压元件代替上述实施方式中的偶合电容或分压电阻。

Claims (27)

1.一种薄膜晶体管基板，其包括一基底，设置在该基底的多条扫描线，设置在该基底的多条数据线，多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一该第一薄膜晶体管及一该第二薄膜晶体管，每一子画素单元内的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管的栅极均连接至同一条扫描线；每一子画素单元内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，其特征在于：该第一薄膜晶体管的源极连接至该子画素单元所对应的一数据线，该第二薄膜晶体管的源极经由一分压元件连接至同一条该数据线，该第一画素电极经由该第一薄膜晶体管由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二薄膜晶体管及该分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该分压元件为偶合电容。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一画素电极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄膜晶体管的漏极。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板的每一画素单元内进一步包括至少一偶合电极，每一偶合电极电连接至该第二薄膜晶体管，且该偶合电极与该画素单元对应的数据线相交迭，以形成该偶合电容。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，该偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上。
6.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该偶合电极、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，每一画素单元中该偶合电极的数量为二个，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该二偶合电极之一、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，另一偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上，该二偶合电极电连接。
8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该分压元件为分压电阻。
9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其特征在于：该第一画素电极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄膜晶体管的漏极。
10.一种液晶显示设备，其包括一对向基板，一与该对向基板相对设置薄膜晶体管基板及一位于该对向基板与该薄膜晶体管基板间的液晶层，其中，该薄膜晶体管基板包括一基底，设置在该基底的多条扫描线，设置在该基底的多条数据线，多个第一薄膜晶体管及多个第二薄膜晶体管及多个第一画素电极及多个第二画素电极，该数据线与该扫描线交叉并绝缘，且该数据线与该扫描线定义多个子画素单元；每一子画素单元对应一该第一薄膜晶体管及一该第二薄膜晶体管，每一子画素单元内的第一薄膜晶体管及第二薄膜晶体管均连接至同一条扫描线；每一子画素单元内设置有一第一画素电极及一第二画素电极，其特征在于：该第一薄膜晶体管的源极连接至该子画素单元所对应的一数据线，该第二薄膜晶体管的源极经由一分压元件连接至同一条该数据线，该第一画素电极经由该第一薄膜晶体管由该数据线获取显示信号，该第二画素电极是经由该第二薄膜晶体管及该分压元件串联所形成的支路由同一数据线获取显示信号。
11.如权利要求10所述的液晶显示设备，其特征在于：该分压元件为偶合电容。
12.如权利要求11所述的液晶显示设备，其特征在于：该第一画素电极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄膜晶体管的漏极。
13.如权利要求12所述的液晶显示设备，其特征在于：该薄膜晶体管基板的每一画素单元内进一步包括至少一偶合电极，每一偶合电极电连接至该第二薄膜晶体管，且该偶合电极与该画素单元对应的数据线相交迭，以形成该偶合电容。
14.如权利要求13所述的液晶显示设备，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，该偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上。
15.如权利要求13所述的液晶显示设备，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该偶合电极、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上。
16.如权利要求13所述的液晶显示设备，其特征在于：该薄膜晶体管基板进一步包括一栅极绝缘层及一钝化层，每一画素单元中该偶合电极的数量为二个，该栅极绝缘层位于该基底与该钝化层之间，该扫描线、该二偶合电极之一、该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极位于该基底与该栅极绝缘层之间，该数据线、该第一薄膜晶体管的源极及漏极及该第二薄膜晶体管的源极及漏极位于该栅极绝缘层与该钝化层之间，另一偶合电极、该第一画素电极及第二画素电极设置在该钝化层上，该二偶合电极电连接。
17.如权利要求10所述的液晶显示设备，其特征在于：该分压元件为分压电阻。
18.如权利要求17所述的液晶显示设备，其特征在于：该第一画素电极电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极电连接至该第二薄膜晶体管的漏极。
19.一种薄膜晶体管基板制造方法，其包括如下步骤：
提供一基底；
在该基底上形成多条扫描线、多个第一薄膜晶体管的栅极及多个第二薄膜晶体管的栅极；
在该基底、该扫描线及该栅极上形成一栅极绝缘层；
在该栅极绝缘层上形成半导体图案；
在该栅极绝缘层及该半导体图案上形成多条与该扫描线交叉的数据线、多个第一薄膜晶体管的源极及漏极、多个第二薄膜晶体管的源极及漏极；
在该栅极绝缘层、该半导体图案、该数据线、该源极及该漏极上形成一钝化层；
在该钝化层上形成多个第一通孔、多个第二通孔及多个第三通孔；
在该钝化层上形成多个第一画素电极、多个第二画素电极及多个偶合电极；
其中，该多条扫描线与多条数据线交叉形成多个画素单元，每一画素单元内设置一该第一薄膜晶体管、一该第二薄膜晶体管、一该第一画素电极、一该第二画素电极及至少一该偶合电极，在每一画素单元内，该第一薄膜晶体管的栅极及该第二薄膜晶体管的栅极均电连接至同一扫描线，该第一画素电极通过该第一通孔电连接至该第一薄膜晶体管的漏极，该第二画素电极通过该第二通孔电连接至该第二薄膜晶体管的漏极，该第一薄膜晶体管的源极连接至对应的数据线，该偶合电极通过该第三通孔电连接至该第该第二薄膜晶体管的源极，且该偶合电极与该第一薄膜晶体管的源极所连接的数据线交迭以形成一偶合电容作为一分压元件，该第二薄膜晶体管的源极经由该分压元件连接至同一条该数据线。
20.一种液晶显示设备，其包括多条扫描线、多条与该扫描线绝缘相交的数据线及多个该扫描线与数据线相交构成的最小区域定义的画素单元，每一画素单元包括一第一子画素单元及一第二子画素单元，该第一子画素单元包括一第一薄膜晶体管及一第一液晶电容，该第二子画素单元包括一第二薄膜晶体管、一电阻及一第二液晶电容，其特征在于：该第一薄膜晶体管的栅极连接该多条扫描线中的一条扫描线，源极连接该多条数据线中的一条数据线，漏极连接该第一画素电极，该第二薄膜晶体管的栅极连接至与该第一薄膜晶体管的栅极连接的该扫描线，源极经该电阻连接至与该第一薄膜晶体管的源极连接的该数据线，漏极连接该第二画素电极，该第一液晶电容经由该第一薄膜晶体管连接该扫描线及数据线，该第二液晶电容经由该第二薄膜晶体管及该电阻连接该扫描线及数据线。
21.如权利要求20所述的液晶显示设备，其特征在于：该第一子画素单元包括一第一存储电容，其与该第一液晶电容并联。
22.如权利要求20所述的液晶显示设备，其特征在于：该第二子画素单元包括一第二存储电容，其与该第二液晶电容并联。
23.如权利要求20所述的液晶显示设备的驱动方法，其包括如下步骤：
a.施加第i次扫描信号至该第n列扫描线，该数据线上的灰阶电压经由该第一薄膜晶体管给该第一液晶电容充电，经由该第二薄膜晶体管及该电阻给该第二液晶电容充电；及
b.停止施加扫描信号至该第n列扫描线，该第一及第二薄膜晶体管关闭，使该第二液晶电容未完全充电。
24.如权利要求23所述的液晶显示设备驱动方法，其特征在于：该第一子画素单元进一步包括一第一存储电容，该第一液晶电容与该第一存储电容并联，在该步骤a中，该第一存储电容处于充电状态。
25.如权利要求24所述的液晶显示设备驱动方法，其特征在于：在该步骤b中，该第一液晶电容完全充电，且该第一存储电容保持该第一液晶电容的电压。
26.如权利要求23所述的液晶显示设备驱动方法，其特征在于：该第二子画素单元包括一第二存储电容，该第二液晶电容与该第二存储电容并联，在该步骤a中，该第二存储电容处于充电状态。
27.如权利要求26所述的液晶显示设备驱动方法，其特征在于：在该步骤b中，该第二存储电容保持该第二液晶电容的电压。
CN2008101310207A 2007-08-10 2008-08-11 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法 Active CN101364017B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008101310207A CN101364017B (zh) 2007-08-10 2008-08-11 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200710075662 2007-08-10
CN200710075662.5 2007-08-10
CN2008101310207A CN101364017B (zh) 2007-08-10 2008-08-11 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101364017A CN101364017A (zh) 2009-02-11
CN101364017B true CN101364017B (zh) 2013-01-02

Family

ID=40346139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101310207A Active CN101364017B (zh) 2007-08-10 2008-08-11 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8174636B2 (zh)
CN (1) CN101364017B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634531B (zh) * 2017-07-13 2018-09-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列與驅動方法

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101398582B (zh) * 2007-09-28 2011-09-28 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
KR101659831B1 (ko) * 2010-04-22 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치, 이를 구동하는 방법 및 이의 제조 방법
KR101833498B1 (ko) 2010-10-29 2018-03-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN102324224B (zh) * 2011-09-27 2013-03-27 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其驱动方法
KR101941984B1 (ko) 2011-09-27 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101991371B1 (ko) * 2012-06-22 2019-06-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN103545307A (zh) * 2012-07-13 2014-01-29 群康科技(深圳)有限公司 显示装置及其显示面板
TWI628498B (zh) 2012-07-13 2018-07-01 群康科技(深圳)有限公司 顯示裝置及其顯示面板
CN103323995B (zh) * 2013-06-21 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 液晶阵列基板及电子装置
CN103353697B (zh) 2013-07-19 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN103928397B (zh) * 2013-10-08 2017-10-13 上海天马微电子有限公司 一种tft阵列基板及其制备方法和显示装置
US20150138169A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-21 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Display panel, pixel structure therein and driving method thereof
US9268184B2 (en) * 2014-01-23 2016-02-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Sub-pixel structure, liquid crystal display device and method for reducing colour shift
KR102239581B1 (ko) * 2015-01-26 2021-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102315811B1 (ko) * 2015-02-16 2021-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102342694B1 (ko) * 2015-02-17 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104698643A (zh) * 2015-03-23 2015-06-10 深圳市华星光电技术有限公司 电容分压式低色偏像素电路
KR102334360B1 (ko) * 2015-04-09 2021-12-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102307814B1 (ko) * 2015-04-16 2021-10-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102392672B1 (ko) * 2015-04-29 2022-04-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN204719374U (zh) * 2015-05-26 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
KR102354972B1 (ko) * 2015-06-01 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104950540B (zh) * 2015-07-20 2018-09-21 重庆京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法和显示装置
CN204925571U (zh) 2015-09-09 2015-12-30 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
WO2022067513A1 (zh) * 2020-09-29 2022-04-07 京东方科技集团股份有限公司 微流控芯片、文库制备芯片、液滴控制驱动方法
CN113391491B (zh) * 2021-06-16 2023-11-28 惠州华星光电显示有限公司 液晶显示面板及显示装置
CN115639712B (zh) * 2022-11-08 2023-09-26 滁州惠科光电科技有限公司 画素结构、阵列基板及电子纸

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1773355A (zh) * 2004-11-08 2006-05-17 夏普株式会社 液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器及驱动方法
CN1866087A (zh) * 2005-11-30 2006-11-22 友达光电股份有限公司 单间隙透反式液晶显示面板以及改善其光学特性的方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7016001B2 (en) 2002-03-14 2006-03-21 Hannstar Display Corp. MVA-LCD device with color filters on a TFT array substrate
KR20040105934A (ko) 2003-06-10 2004-12-17 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
CN100368916C (zh) 2005-07-11 2008-02-13 友达光电股份有限公司 垂直配向型液晶显示装置
TWI340286B (en) * 2006-10-12 2011-04-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Pixel structure
KR101260989B1 (ko) 2006-12-26 2013-05-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
CN100545725C (zh) * 2006-12-28 2009-09-30 中华映管股份有限公司 像素结构与液晶显示面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1773355A (zh) * 2004-11-08 2006-05-17 夏普株式会社 液晶显示器的基板、具有该基板的液晶显示器及驱动方法
CN1866087A (zh) * 2005-11-30 2006-11-22 友达光电股份有限公司 单间隙透反式液晶显示面板以及改善其光学特性的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI634531B (zh) * 2017-07-13 2018-09-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列與驅動方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101364017A (zh) 2009-02-11
US8174636B2 (en) 2012-05-08
US20090040413A1 (en) 2009-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101364017B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法、液晶显示装置及其驱动方法
CN101398581B (zh) 液晶显示面板
CN103472647B (zh) 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
CN104049429B (zh) 一种像素结构及其制作方法
CN204595382U (zh) 阵列基板及液晶显示面板及装置及已修复阵列基板
CN101285977B (zh) 液晶显示装置及其阵列基板
CN108711575A (zh) 显示面板和显示装置
CN102629059B (zh) 阵列基板及制造方法、液晶面板和液晶显示器
CN205827025U (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN101398582B (zh) 液晶显示装置
CN207183274U (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN102169259A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示装置
CN103176320B (zh) 横向排列的像素结构、液晶显示装置及其制作方法
CN206039105U (zh) 液晶显示装置
CN104280959B (zh) 像素结构、显示面板及其制造方法
CN105204252A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及液晶显示面板
CN105652547A (zh) 阵列基板、其制造方法、显示面板及显示装置
CN104007591A (zh) 一种像素结构及其制作方法
CN103323988B (zh) 透明电极、阵列基板和液晶显示装置
CN103412447A (zh) 一种液晶显示面板和显示装置
CN104460144A (zh) 薄膜晶体管基板、驱动薄膜晶体管基板的方法及显示装置
CN101382710B (zh) 液晶显示面板及液晶显示装置
CN105093606A (zh) 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN102053438A (zh) 液晶显示器
CN105068348A (zh) 一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其驱动方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: QIMEI ELECTRONIC CO LTD

Free format text: FORMER OWNER: INNOLUX DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20120229

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20120229

Address after: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4,

Applicant after: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd.

Co-applicant after: Chimei Optoelectronics Co., Ltd.

Address before: 518109 Longhua, Shenzhen, town, Foxconn science and Technology Industrial Park E District, building 1, floor 4,

Applicant before: Qunkang Technology (Shenzhen) Co., Ltd.

Co-applicant before: Innolux Display Group

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant