CN104425274A - 一种dmos晶体管的制备方法及dmos晶体管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管,涉及半导体制造技术领域,包括:提供一硅片,在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极;在所述硅片正面沉积第一金属层,对所述第一金属层进行刻蚀形成源极;用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄,在所述硅片的背面沉积第二金属层做漏极,形成DMOS晶体管。改变现有减薄技术中采用的325目加600目工艺,增加了背面硅表面的粗糙度,使得背面金属与背面硅表面之间融合更好,源极与漏极之间电阻更小、Vfsd更小,从而解决了DMOS产品减薄后Vfsd扇形失效的问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别是DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管。
背景技术
分立型金属-氧化物-硅产品即DMOS产品(Discrete Metal-Oxide-Silicon的缩写)背面研磨,将硅片厚度从625μm减到300μm左右,可降低DMOS产品源漏之间的电阻,增加芯片的韧性、减少芯片体积,有利于芯片散热。研磨方式有切入式和缓进式两种,如图1所示,是切入式研磨减薄机,研磨轮1与载硅片的托盘2按相反方向不同转速相对旋转,同时研磨轮按一定的速度下降从而达到减薄效果,这样减薄后的纹路呈扇形分布。
如图2所示,是源漏间二极管正向导通压降Vfsd(Forward Voltage of diodebetween S,D)的测量方法:GS短接,S接地,SD加偏压Vsd,测量SD间电流Isd。增大Vsd,当Isd达到设定值时的Vsd测量值即为Vfsd;Vgs=0V,Isd=设定值。如图3所示,是Vfsd测量结果。
DMOS产品的背面金属化后作漏极(Drain),正面金属化后做源极(Source),源和漏之间的电阻直接决定到源(S)与漏(D)间的导通压降。V=I*R(Isd一定),如图4所示,对硅片5减薄,硅片表面磨痕4上的背面金属层3作为D极。减薄磨痕粗细关系到漏极电阻,磨痕粗糙时背面金属与硅片表面接触面积大,Ti与Si之间融合好,S、D间电阻小,Isd一定时Vfsd也小;反之,减薄磨痕细时,背面金属与硅片表面接触面积小,Ti与Si之间融合不好,S、D间电阻较大,Isd一定时Vfsd较大、容易超上限。
如图5所示是减薄后的背面磨痕图,通过研磨机减薄后的硅片表面磨痕6呈扇形分布,某些DMOS产品的Vfsd规范范围很窄(0~1.0V),很容易发生Vfsd超上限并呈扇形分布失效,如图6所示,Vfsd扇形失效区域是7。现有减薄技术是先采用磨痕粗糙的研磨轮减薄大部分,再用磨痕细的研磨轮减薄20um至要求厚度,这样因为背面的磨痕较细,背面金属与背面硅片的接触面积小、接触电阻大,导致Vfsd大、容易超上限,造成Vfsd扇形失效。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管,解决DMOS产品减薄后Vfsd扇形失效的问题。
为解决上述技术问题,本发明的实施例提供了一种DMOS晶体管的制备方法,包括:
提供一硅片;
在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极;
在所述硅片正面沉积源极所用的第一金属层;
对所述第一金属层进行刻蚀形成源极;
用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄;
在所述硅片背面沉积第二金属层做漏极,形成DMOS晶体管。
其中,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄的步骤后还包括:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀。
其中,用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀的步骤具体为:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面腐蚀20秒。
其中,所述含酸溶液为:氢氟酸和硝酸的混合溶液。
其中,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄的步骤具体为:
用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄,直至硅片减薄至设定的厚度值。
其中,在所述硅片背面沉积漏极所用的第二金属层的步骤具体为:
在所述硅片背面蒸发钛、镍或银作漏极。
其中,所述研磨轮为细度为325目的研磨轮。
为解决上述技术问题,本发明还提供了一种DMOS晶体管,所述DMOS晶体管是由如上所述方法制备的。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
上述方案中,通过只采用磨痕粗的研磨轮(即细度为325目的研磨轮)来减薄硅片背面,不仅提高了速度,也增加了表面磨痕的粗糙度,使源漏之间的电阻减小,Vfsd减小,大大降低了Vfsd扇形失效的几率,提高了减薄的成功率。
附图说明
图1为切入式研磨减薄机的工作示意图;
图2为源漏间二极管正向导通压降Vfsd的测量方法示意图;
图3为Vfsd测量结果;
图4为硅片表面磨痕示意图;
图5为减薄后背面磨痕图;
图6为Vfsd扇形失效图;
图7为现有技术减薄后磨痕示意图;
图8为本发明的实施例减薄后磨痕示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明针对现有的DMOS产品减薄后Vfsd扇形失效的问题,提供一种DMOS晶体管的制备方法及DMOS晶体管。
如图8所示,本发明的实施例一种DMOS晶体管的制备方法,包括:
步骤81,提供一硅片;
步骤82,在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极;
步骤83,在所述硅片正面沉积源极所用的第一金属层;其中第一金属为:Al或Si或Cu;
步骤84,对所述第一金属层进行刻蚀形成源极;
步骤85,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄;
步骤86,在所述硅片背面沉积第二金属层做漏极,形成DMOS晶体管。
目是表征成品细度的单位,用细度小于600目研磨轮代替用细度为325目加600目研磨轮减薄,不仅提高速度,也增加表面磨痕的粗糙度,与图7现有技术磨痕8相比,图8中本发明磨痕9的细度明显粗糙,这样,背面金属层3的金属与硅片5表面接触面积大,金属与硅之间的融合好,源极与漏极之间的电阻较小,Vfsd也小,不容易扇形失效。
但是磨痕粗,应力较大,就需要增加背面硅腐蚀时间来改善表观,消除应力,所以本发明的实施例一种DMOS的制备方法,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄的步骤后还包括:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀。
通过酸液的腐蚀,消除了用细度小于600目的研磨轮减薄后留下的较多的表面硅屑和应力,释放内部损伤。
其中,用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀的步骤具体为:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面腐蚀20秒。
由于用小于600目研磨轮减薄后,磨痕粗,应力大,所以增加背面硅腐蚀时间到20秒,以达到改善表观,消除应力的目的。
其中,所述含酸溶液为:氢氟酸和硝酸的混合溶液。
即用氢氟酸和硝酸混合液对硅片研磨面进行化学腐蚀,达到清除表面硅屑、释放内部损伤和应力的目的,反应式如下:
Si+4HNO3=SiO2+2H2O+4NO2
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
其中,用细度小于600目的研磨轮对硅片背面进行一次减薄的步骤为:
用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄,直至硅片减薄至设定的厚度值。
减少了对细度为600目的研磨轮的使用,通过细度小于600目的研磨轮直接将硅片减薄到设定的厚度值,不仅提高速度,也增加表面磨痕的粗糙度。
在实际应用中,以背面金属作为漏极,所以,本发明的实施例中,在所述硅片背面沉积漏极所用的第二金属层的步骤具体为:
在所述硅片背面蒸发钛、镍或银做漏极。
在上述实施例中,选用研磨轮细度小于600目的研磨轮,其中,所述研磨轮为细度为325目的研磨轮。
通过上述实施例,解决了DMOS产品减薄后Vfsd扇形失效问题,减少了因此失效导致的产品返工和报废。
为了更好地实现上述目的,本发明的实施例还提供一种DMOS晶体管,所述DMOS晶体管是由如上所述的方法制备的,所述方法的实施例的有益效果均适用于此DMOS晶体管。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,包括:
提供一硅片;
在所述硅片上形成栅绝缘层以及栅极;
在所述硅片正面沉积源极所用的第一金属层;
对所述第一金属层进行刻蚀形成源极;
用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄;
在所述硅片背面沉积第二金属层做漏极,形成DMOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄的步骤后还包括:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀。
3.根据权利要求2所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,用含酸溶液对减薄后的硅片背面进行腐蚀的步骤具体为:
用含酸溶液对减薄后的硅片背面腐蚀20秒。
4.根据权利要求2或3所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,所述含酸溶液为:氢氟酸和硝酸的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄的步骤具体为:
用细度小于600目的研磨轮对半导体硅片背面进行一次减薄,直至硅片减薄至设定的厚度值。
6.根据权利要求1所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,在所述硅片背面沉积漏极所用的第二金属层的步骤具体为:
在所述硅片背面蒸发钛、镍或银作漏极。
7.根据权利要求1所述的DMOS晶体管的制备方法,其特征在于,所述研磨轮为细度为325目的研磨轮。
8.一种DMOS晶体管,其特征在于,所述DMOS晶体管是由如权利要求1-7任一项所述的方法制备得到的。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150318 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |