CN104421802A - 光源装置、具备该光源装置的照明装置和车辆 - Google Patents

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Abstract

本发明的课题是使使用半导体发光元件的光源装置的发光效率提高，所述半导体发光元件发出具有高能量密度的光。一种光源装置，其包含半导体发光元件和波长变换部件，所述波长变换部件对从所述半导体发光元件发出的光进行波长变换，所述半导体发光元件的发光峰波长为380nm以上420nm以下，从该半导体发光元件发出的光的光能量密度为0.2kW/cm2以上，所述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种，其中0≤x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1。

Description

光源装置、具备该光源装置的照明装置和车辆
技术领域
本发明涉及包含半导体发光元件(特别是激光二极管)和波长变换部件的光源装置，所述波长变换部件变换从该半导体发光元件发出的光的波长。本发明还涉及具备该光源装置的照明装置(特别是车辆用照明装置)。本发明进而涉及具备车辆用照明装置的车辆。
背景技术
一直以来在开发具备半导体发光元件和波长变换部件的光源装置。这样的光源装置在各种照明装置中被使用。其中，高输出的光源装置对车辆用照明装置(例如头灯)有用。这样就开发了高输出的光源装置。
专利文献1公开了一种产生光的灯具，该灯具具备：半导体发光元件，其产生光；荧光体，其与半导体发光元件间隔开地设置；第1光学部件，其向荧光体汇聚半导体发光元件产生的光；第2光学部件，其在设有荧光体的位置具有光学中心，并将荧光体根据由第1光学部件汇聚的光而产生的光向灯具的外部照射。在专利文献1中，使用产生紫外光的激光二极管作为半导体发光元件。专利文献1公开了该灯具被用于车辆用头灯的情况。
在先技术文献
专利文献1：日本特开2005-150041号公报
发明内容
本发明的目的是使使用半导体发光元件的光源装置的发光效率提高，所述半导体发光元件发出具有高能量密度的光。
本发明是一种光源装置，其具备半导体发光元件和波长变换部件，所述波长变换部件将从上述半导体发光元件发出的光的波长变换为更长的波长，其中，
上述半导体发光元件发出具有380纳米以上420纳米以下的发光峰波长的光，
从上述半导体发光元件发出的光具有0.2kW/cm2以上的光能量密度，并且
上述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种荧光体。
在本发明中，使用半导体发光元件的光源装置的发光效率提高，所述半导体发光元件发出具有高能量密度的光。
附图说明
图1表示第1实施方式的光源装置的概略图。
图2表示第2实施方式的光源装置的概略图。
图3表示第3实施方式的照明装置(车辆用头灯)的概略图。
图4是第4实施方式的车辆的概略图。
图5是表示实施例1和比较例1的蓝色荧光体的发光效率的激励光能量密度依赖性的图。
图6是表示实施例1和比较例1的绿色荧光体的发光效率的激励光能量密度依赖性的图。
图7是表示实施例1和比较例1的红色荧光体的发光效率的激励光能量密度依赖性的图。
图8是表示实施例2和比较例2的光源装置的发光效率的激励光能量密度依赖性的图。
图9是表示实施例3和比较例3的光源装置的发光效率的激励光能量密度依赖性的图。
附图标记说明
20、40  光源装置
21、41  波长变换部件
12  半导体发光元件
22  第1荧光体层
23  第2荧光体层
24  第3荧光体层
25  第1荧光体粒子
26  第2荧光体粒子
27  第3荧光体粒子
28  第1粘合剂
29  第2粘合剂
30  第3粘合剂
19  入射光学***
120  车辆用头灯
121  波长截止滤波器
122  出射光学***
130  车辆
131  电力供给源
132  发电机
具体实施方式
以下，一边参照附图一边详细说明本发明。
(第1实施方式)
图1表示第1实施方式的光源装置20的概略图。光源装置20具备波长变换部件21和半导体发光元件12。
半导体发光元件12发出蓝紫光。在本说明书中，「蓝紫光」意指具有380纳米以上420纳米以下的峰波长的光。发出蓝紫光的半导体发光元件12具有比发出紫外光的半导体发光元件高的发光效率。在发出蓝紫光的半导体发光元件12具有405纳米的发光峰波长的情况下，发出蓝紫光的半导体发光元件12具有最高的发光效率。因此，半导体发光元件12可具有385纳米以上、优选390纳米以上的发光峰波长。另一方面，半导体发光元件12可具有415纳米以下、优选410纳米以下的发光峰波长。
从半导体发光元件12发出的光具有0.2kW/cm2以上的光能量密度。倘若从半导体发光元件12发出的光具有低于0.2kW/cm2的光能量密度的情况下，变得难以构成高输出的光源装置。从半导体发光元件12发出的光可具有0.3kW/cm2以上的光能量密度。优选为0.5kW/cm2以上，更优选为1kW/cm2以上。另一方面，如果从半导体发光元件12发出的光的能量密度过高，则波长变换部件21所含有的荧光体中的发热量的增大成为原因，会对光源装置造成恶劣影响。因此，从半导体发光元件12发出的光可具有3.5kW/cm2以下的光能量密度。优选为3kW/cm2以下，更优选为2.5kW/cm2以下，进一步优选为2kW/cm2以下。
只要从半导体发光元件12发出的光具有0.2kW/cm2以上的光能量密度，就不限定半导体发光元件12。半导体发光元件12的例子为激光二极管。半导体发光元件12可由1个激光二极管构成。代替之，半导体发光元件12可由光学耦合的多个激光二极管构成。半导体发光元件12具备例如由具有非极性面或半极性面的生长面的氮化物半导体层形成的发光层。
在第1实施方式中，说明半导体发光元件12为发出具有405纳米的波长的光的激光二极管的情况。
波长变换部件21将从半导体发光元件12发出的光变换为具有更长的波长的光。波长变换部件21含有选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种。这样的荧光体将从半导体发光元件12发出的光变换为具有更长的波长的光。
(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和Eu3+激活荧光体，即使是激励光(即从半导体发光元件12发出的光)具有高能量密度的情况，也以高的效率将光变换为具有更长的波长的光。因此，这样的荧光体，即使是使用了发出具有高能量密度的光的半导体发光元件的情况，也提高光源装置的发光效率。通过这样的荧光体与具有380纳米以上420纳米以下的发光峰波长的半导体发光元件12的组合，光源装置的发光效率得到提高。
在荧光体包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少2种的情况下，能实现更有利的发光效率。
Eu3+激活荧光体的例子为LiLaW2O8:Eu3+荧光体、Ca2W2O8:Eu3+荧光体、或LiGdW2O8:Eu3+荧光体。这些荧光体可单独或组合2种以上来使用。这些荧光体具有非常高的发光效率。这些荧光体，相对于具有395纳米以上405纳米以下的波长的激励光具有特别高的发光效率。
上述的荧光体可按照公知的方法制造。
波长变换部件可以是混合有多种荧光体的一层波长变换层。代替之，波长变换部件可具有由含有单独一种或多种荧光体的2层以上的波长变换层构成的层叠结构。
在第1实施方式中，说明作为波长变换部件21使用由3层的波长变换层构成的层叠结构的情况。该层叠结构具有：含有(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体的第1荧光体层22；含有(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体的第2荧光体层23；和含有LiGdW2O8:Eu3+荧光体的第3荧光体层24。第1荧光体层22、第2荧光体层23、以及第3荧光体层24，分别含有多个第1荧光体粒子25、多个第2荧光体粒子26、以及多个第3荧光体粒子27。第1荧光体层22、第2荧光体层23、以及第3荧光体层24，可分别含有第1粘合剂28、第2粘合剂29、第3粘合剂30。第1粘合剂28、第2粘合剂29、第3粘合剂30的材料的例子为树脂、玻璃、或透明结晶体。第1粘合剂28、第2粘合剂29、和第3粘合剂30的材料，可以相互相同，也可以不同。第1荧光体层22、第2荧光体层23、和第3荧光体层24，可以仅由荧光体粒子构成。
将从半导体发光元件12发出的光导向第3荧光体层24的入射光学***19，可设置在波长变换部件21与半导体发光元件12之间。入射光学***19具备例如透镜、反射镜和/或光纤。
接着，说明光源装置20的工作。从半导体发光元件12发出的蓝紫光，通过入射光学***19，入射到第3荧光体层24。由该入射光激励第3荧光体层24中含有的多个第3荧光体粒子27，发出红色光。接着，未由第3荧光体层24吸收而透过了第3荧光体层24的蓝紫光的一部分，入射到第2荧光体层23。由该入射光激励第2荧光体层23中含有的多个第2荧光体粒子26，发出绿色光。而且，未由第2荧光体层23吸收而透过了第2荧光体层23的蓝紫光的一部分，入射到第1荧光体层22。由该入射光激励第1荧光体层22中含有的多个第1荧光体粒子25，发出蓝色光。这些红色光、绿色光和蓝色光混合而成为白色光。
在波长变换部件包含蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体的情况下，白色光的演色性得到提高。在波长变换部件含有作为蓝色荧光体的(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、作为绿色荧光体的(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和作为红色荧光体的Eu3+激活荧光体的情况下，蓝色荧光体、绿色荧光体、和红色荧光体的全部，即使在出射光(激励光)具有高能量密度的情况下，也以高的效率将光变换为具有更长的波长的光。因此，光源装置的演色性和发光效率两者都得到提高。
第1荧光体层22、第2荧光体层23、和第3荧光体层24的厚度，可调整为从半导体发光元件12发出的蓝紫光不透过第1荧光体层22。可将第1荧光体层22、第2荧光体层23、和第3荧光体层24的厚度调整为蓝紫光透过第1荧光体层22，并且，光源装置设置用于吸收透过的蓝紫光的吸收层或用于反射该光的反射层。由于从半导体发光元件12发出的光本身未必需要作为白色光的构成要素，因此根据吸收层或反射层，可抑制从半导体发光元件12发出的相干的激光向光源装置的外部发出，因此可提高光源装置20的安全性。
第1实施方式的光源装置，例如能够用作为用于顶棚灯之类的一般照明装置、聚光灯、体育场用照明、或摄影室(studio)用照明之类的特殊照明装置、头灯之类的车辆用照明装置、投影仪(projector)或抬头显示器(head up display)之类的投影装置、内窥镜用灯、数字照相机、便携式电话机、智能手机之类的摄像装置、或者个人计算机用监视器、笔记本型个人计算机、电视、便携式信息终端(PDA)、智能手机、平板PC、或便携式电话之类的液晶显示装置的光源。
从激光二极管发出的光，与从以往就用作为半导体发光元件的发光二极管(以下称为「LED」)发出的光相比，具有高的能量密度。已知各种各样的荧光体。本发明人发现了一直以来所使用的荧光体的发光效率随着激励光的能量密度的增加而降低的问题。该问题也成为在发出具有高能量密度的光(即激励光)的半导体发光元件与一直以来所使用的荧光体一起被使用的光源装置中发光效率降低的问题的原因。第1实施方式的光源装置20解决了上述问题。
(第2实施方式)
图2表示第2实施方式的光源装置40的概略图。第2实施方式的光源装置40具备波长变换部件41和半导体发光元件12。
波长变换部件41包含荧光体。该荧光体将从半导体发光元件12发出的光变换为具有更长的波长的光。波长变换部件41具有选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少两种荧光体混合而成的波长变换层。在第2实施方式中，说明波长变换部件41通过混合(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+[0≤x≤1]荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+[0≤y＜1，0≤z＜1]荧光体、和LiLaW2O8:Eu3+荧光体这3种荧光体而形成的情况。3种荧光体的混合比率可根据所希望的白色色度来适当地调整。波长变换部件41可以含有粘合剂28。粘合剂28的材料的例子为树脂、玻璃、或透明结晶。粘合剂28可以由单一的材质形成。代替之，粘合剂28可以由两种以上的材质形成。作为波长变换部件41的荧光体层可以仅由荧光体粒子构成。
从半导体发光元件12发出的蓝紫光，通过入射光学***19，照射到波长变换部件41。蓝紫光由波长变换部件41中所含有的蓝色荧光体25、绿色荧光体26和红色荧光体27分别变换为蓝色光、绿色光、红色光。并且，这3色的光混合而成为白色光。在第2实施方式中，也与第1实施方式同样地，光源装置的演色性和发光效率这两者得到提高。
波长变换部件41的厚度可调整为从半导体发光元件12发出的蓝紫光不透过波长变换部件41。可以将波长变换部件41的厚度调整为蓝紫光透过的厚度，并且，在光源装置中设置吸收透过的蓝紫光的吸收层或反射该光的反射层。与第1实施方式的情况同样地，根据吸收层或反射层，可提高光源装置40的安全性。
第2实施方式的光源装置40，可用于与第1实施方式的光源装置20相同的用途。
(第3实施方式)
第3实施方式的照明装置，具备第1实施方式或第2实施方式的光源装置。照明装置的例子为顶棚灯之类的一般照明装置、聚光灯、体育场用照明、摄影室用照明之类的特殊照明装置、或头灯之类的车辆用照明装置。使用该照明装置作为要求高照度的照明装置(例如特殊照明装置和车辆用照明装置)有益。在本说明书中使用的术语「车辆」意指汽车、铁道车辆、路面电车、两轮车(例如摩托车)、或特殊车辆(例如建筑车辆或农业车辆)。
作为一例，说明使用第3实施方式的照明装置作为车辆用照明装置(例如头灯)的情况。
图3表示第3实施方式的车辆用头灯120的概略图。第3实施方式的车辆用头灯120，具备第1实施方式的光源装置20或第2实施方式的光源装置40、和将从该光源装置发出的光导向前方的出射光学***122。为防止从光源装置所包含的半导体发光元件发出的蓝紫光向头灯120的外部发出，可以设置吸收或反射蓝紫光的波长截止滤波器121。出射光学***122的例子为反射器(reflector)。出射光学***122，在内侧的表面具有由Al或Ag形成的金属膜。在金属膜上可以形成保护膜。车辆用头灯120可以是反射器型车辆用头灯或投影仪型车辆用头灯。
第3实施方式的照明装置具有高的输出且高的发光效率。
(第4实施方式)
第4实施方式的车辆，具备第3实施方式的照明装置来作为车辆用照明装置。车辆可以是发动机车辆、电动车辆、或混合动力车辆。
图4表示第4实施方式的车辆130的概略图。车辆130具备第3实施方式的车辆用头灯120、和电力供给源131。车辆130可以具有通过由发动机之类的驱动源驱动而产生电的发电机132。由发电机132产生的电积蓄于电力供给源131。电力供给源131的例子为二次电池。车辆用头灯120利用从电力供给源131供给的电来点亮。
第4实施方式的车辆具备具有高的输出且高的发光效率的灯具。
(实施例)
以下，一边参照实施例和比较例，一边进一步详细地说明本发明。本发明不被以下的实施例限定。
在实施例中，使用Sr3MgSi2O8:Eu2+蓝色荧光体、Y3(Al0.7，Ga0.3)5O12:Ce3+绿色荧光体、和LiGdW2O8:Eu3+红色荧光体。另一方面，在比较例中，使用作为一般的近紫外光激励用蓝色荧光体的BaMgAl10O17:Eu2+蓝色荧光体、作为一般的近紫外激励用绿色荧光体的Si2Al4O4N4:Eu2+(β-塞隆陶瓷：β-sialon)绿色荧光体、以及作为一般的近紫外激励用红色荧光体的CaAlSiN3:Eu2+红色荧光体。
(实施例1和比较例1：单色下的发光效率特性评价)
实施例和比较例的各荧光体成形为层状。使用具有405纳米的发光峰波长的激光二极管作为半导体发光元件，对成形了的各荧光体层照射激光。由荧光体变换了波长的光进入积分球中，使用多通道光谱器(ラブスフェア公司制，从オーシャンオプティクス公司购得，型号：USB2000)测定了发光效率。控制激光二极管的输出，测定了在0.02kW/cm2、0.08kW/cm2、0.24kW/cm2、0.55kW/cm2以及1.56kW/cm2的光能量密度下激励各荧光体时的发光效率。表1示出其结果。表1中所包含的值，是通过测定到的发光效率除以在0.02kW/cm2的光能量密度下荧光体激励了时测定到的发光效率而算出的相对值。图5、图6和图7分别是分别表示表1中记述的蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体的激励光能量密度和发光效率比的关系的曲线图。
表1
由表1和图5～7明显看出，与比较例1的各荧光体相比，在实施例1的各荧光体中，与激励光能量密度的增加相伴的发光效率的降低更小。即使是实施例1的各荧光体的激励光具有0.2kW/cm2以上的能量密度的情况，也维持了高的发光效率。
(实施例2和比较例2：第1实施方式的光源装置的评价)
在实施例2中，使用具有405纳米的发光峰波长的激光二极管和实施例1的荧光体，制作了与第1实施方式的光源装置同样的光源装置。
比较例2，使用了比较例1的荧光体来代替实施例1的荧光体，除此以外与实施例2相同。这些光源装置具有由3层荧光体层的层叠结构形成的波长变换部件。激光二极管作为半导体发光元件使用。
在实施例2的光源装置中，波长变换部件21由含有Sr3MgSi2O8:Eu2+荧光体的第1荧光体层22、含有Y3(Al0.7，Ga0.3)5O12:Ce3+荧光体的第2荧光体层23、和含有LiGdW2O8:Eu3+荧光体的第3荧光体层24的层叠结构形成。在比较例2的光源装置中，波长变换部件21由含有BaMgAl10O17:Eu2+荧光体的第1荧光体层、含有Si2Al4O4N4:Eu2+(β-sialon)荧光体的第2荧光体层、和含有CaAlSiN3:Eu2+荧光体的第3荧光体层的层叠结构形成。
一边通过控制激光二极管的输出使向波长变换部件21照射的激励光能量密度变化，一边测定了实施例2和比较例2的光源装置的发光效率的变化。表2示出其结果。表2中所包含的值，是通过测定到的发光效率除以在0.02kW/cm2的光能量密度下激励时测定到的发光效率而算出的相对值。图8是表示表2中记述的激励光能量密度与发光效率比的关系的曲线图。
表2
光能量密度[kW/cm2] 0.02 0.08 0.24 0.55 1.56
实施例2 100％ 98％ 97％ 95％ 92％
比较例2 100％ 93％ 84％ 78％ 64％
由表2和图8明显看出，在实施例2中，与比较例2相比，与激励光能量密度的增加相伴的发光效率的降低小。在实施例2的光源装置中，即使是激励光具有0.2kW/cm2以上的能量密度的情况，也维持了高的发光效率。
(实施例3和比较例3：第2实施方式的光源装置的评价)
在实施例3中，使用具有405纳米的发光峰波长的激光二极管和实施例1的荧光体，制作了与第2实施方式的光源装置同样的光源装置。
比较例3，使用比较例1的荧光体来代替实施例1的荧光体，除此以外与实施例2相同。这些光源装置具有波长变换部件，所述波长变换部件具有通过混合3种荧光体而形成的1层荧光体层。激光二极管作为半导体发光元件使用。
在实施例3的光源装置中，波长变换部件41具有通过将(Sr0.2，Ba0.8)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y0.8，Gd0.2)3(Al0.8，Ga0.2)5O12:Ce3+荧光体、和LiLaW2O8:Eu3+荧光体这3种荧光体混合而形成的荧光体层。在比较例3的光源装置中，波长变换部件41具有通过将BaMgAl10O17:Eu2+荧光体、Si2Al4O4N4:Eu2+(β-sialon)荧光体、和CaAlSiN3:Eu2+荧光体这3种荧光体混合而形成的荧光体层。
一边通过控制激光二极管的输出使向波长变换部件41照射的激励光能量密度变化，一边测定了实施例3和比较例3的光源装置的发光效率的变化。表3示出其结果。表3中所包含的值，是通过测定到的发光效率除以在0.02kW/cm2的光能量密度下激励时测定到的发光效率而算出的相对值。图9是表示表3中记述的激励光能量密度和发光效率比的关系的曲线图。
表3
光能量密度[kW/cm2] 0.02 0.08 0.24 0.55 1.56
实施例3 100％ 99％ 96％ 93％ 87％
比较例3 100％ 89％ 80％ 69％ 55％
由表3和图9明确了：在实施例3中，与比较例3相比，与激励光能量密度的增加相伴的发光效率的降低小。实施例3的光源装置，即使是激励光具有0.2kW/cm2以上的能量密度的情况下，也维持了高的发光效率。产业上的利用可能性
本发明的光源装置，例如，能够用作为用于顶棚灯之类的一般照明装置、聚光灯、体育场用照明、或摄影室用照明之类的特殊照明装置、头灯之类的车辆用照明装置、投影仪、抬头显示器之类的投影装置、内窥镜用灯、数字照相机、移动电话、智能手机之类的摄像装置、或是个人计算机显示器、笔记本型个人计算机、电视、便携式信息终端(PDA)、智能手机、平板PC、或移动电话之类的液晶显示装置的光源。

Claims (12)

1.一种光源装置，其具备半导体发光元件和波长变换部件，所述波长变换部件将从所述半导体发光元件发出的光的波长变换为更长的波长，其中，
所述半导体发光元件发出具有380纳米以上420纳米以下的发光峰波长的光，
从所述半导体发光元件发出的光具有0.2kW/cm2以上的光能量密度，并且，
所述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少1种荧光体，其中0≤x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1。
2.根据权利要求1所述的光源装置，
所述波长变换部件包含选自(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体、(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体、和Eu3+激活荧光体中的至少两种荧光体，其中0≤x≤1、0≤y＜1、0≤z＜1。
3.根据权利要求1所述的光源装置，
所述波长变换部件包含蓝色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体。
4.根据权利要求3所述的光源装置，
所述蓝色荧光体为所述(Sr1-x，Bax)3MgSi2O8:Eu2+荧光体，其中0≤x≤1，
所述绿色荧光体为所述(Y1-y，Gdy)3(Al1-z，Gaz)5O12:Ce3+荧光体，其中0≤y＜1、0≤z＜1，并且，
所述红色荧光体为所述Eu3+激活荧光体。
5.根据权利要求1所述的光源装置，
所述Eu3+激活荧光体包含选自LiLaW2O8:Eu3+荧光体、Ca2W2O8:Eu3+荧光体和LiGdW2O8:Eu3+荧光体中的至少1种。
6.根据权利要求1所述的光源装置，
所述波长变换部件具备第1荧光体层和第2荧光体层，
所述第2荧光体层夹在所述第1荧光体层和所述半导体发光元件之间，并且，
所述第2荧光体层具有比第1荧光体层长的峰波长。
7.根据权利要求3所述的光源装置，
所述波长变换部件由含有所述蓝色荧光体的第1荧光体层、含有所述绿色荧光体的第2荧光体层、和含有所述红色荧光体的第3荧光体层的层叠结构形成。
8.根据权利要求7所述的光源装置，
所述第3荧光体层夹在所述半导体发光元件和所述第2荧光体层之间，并且，
所述第2荧光体层夹在所述第1荧光体层和所述第3荧光体层之间。
9.根据权利要求3所述的光源装置，
所述波长变换部件由所述蓝色荧光体、所述绿色荧光体和所述红色荧光体的混合物形成。
10.一种照明装置，其具备权利要求1所述的光源装置。
11.根据权利要求10所述的照明装置，所述照明装置为车辆用照明装置。
12.一种车辆，其具备权利要求11所述的车辆用照明装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106369371A (zh) * 2015-07-23 2017-02-01 松下知识产权经营株式会社 波长转换部件、光源装置、照明装置、车辆及波长转换部件的制造方法
CN107304984A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 松下电器产业株式会社 波长转换部件以及投光灯
CN107305921A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 松下知识产权经营株式会社 波长转换部件、光源以及车辆用前照灯
CN110036090A (zh) * 2016-10-21 2019-07-19 西博勒Ip I私人有限公司 转换器***
CN111987583A (zh) * 2020-09-01 2020-11-24 深圳大学 一种随机激光器及其制备方法和应用

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104169637B (zh) * 2012-06-21 2015-09-16 松下知识产权经营株式会社 发光装置以及投影装置
JP6195117B2 (ja) * 2013-12-03 2017-09-13 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 酸塩化物蛍光体、発光装置、照明装置、及び車両
JP6568706B2 (ja) * 2015-04-17 2019-08-28 株式会社小糸製作所 車両用灯具
JP2017084939A (ja) * 2015-10-27 2017-05-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 レーザー発光装置及び該レーザー発光装置を備える撮像装置
DE102016200582A1 (de) * 2016-01-19 2017-07-20 Robert Bosch Gmbh Lichtquellenanordnung, Fahrzeugscheinwerfer und Herstellungsverfahren für eine Lichtquellenanordnung
WO2018055849A1 (ja) * 2016-09-26 2018-03-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体、並びにそれを用いた波長変換部材及び電子装置
DE102016120743A1 (de) * 2016-10-31 2018-05-03 Biolitec Unternehmensbeteiligungs Ii Ag Beleuchtungseinheit
KR101848842B1 (ko) 2017-05-08 2018-04-13 주식회사 유제이엘 레이저 조명 장치
WO2020012923A1 (ja) * 2018-07-12 2020-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置、プロジェクタ及び車両
ES2806725T3 (es) * 2018-07-26 2021-02-18 Wm Beautysystems Ag & Co Kg Dispositivo de irradiación para la irradiación de la piel humana
KR102607698B1 (ko) 2018-08-06 2023-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2023153574A (ja) * 2022-04-05 2023-10-18 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 表示装置および波長変換基板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060119660A (ko) * 2005-05-17 2006-11-24 가부시키가이샤 화인 라버 겐큐쇼 발광장치 및 적색 발광 형광체 입자
EP2287644A2 (en) * 2009-08-18 2011-02-23 Mitsubishi Electric Corporation Light source device and method of producing the same
CN102136541A (zh) * 2010-01-22 2011-07-27 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种透明陶瓷白光led器件
US20120008647A1 (en) * 2010-07-06 2012-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
WO2012124587A1 (ja) * 2011-03-16 2012-09-20 シャープ株式会社 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4223879B2 (ja) 2003-06-18 2009-02-12 化成オプトニクス株式会社 Ｓｍ付活赤色発光蛍光体及びこれを用いた発光素子
JP4047266B2 (ja) * 2003-11-19 2008-02-13 株式会社小糸製作所 灯具
JP4128564B2 (ja) * 2004-04-27 2008-07-30 松下電器産業株式会社 発光装置
JP4645089B2 (ja) 2004-07-26 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置および蛍光体
JP2006348262A (ja) 2005-05-17 2006-12-28 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 発光装置及び赤色発光蛍光体粒子
JP2007324475A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Sharp Corp 波長変換部材および発光装置
JP2008007644A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Fine Rubber Kenkyusho:Kk 赤色発光蛍光体及び発光装置
TWI405838B (zh) * 2009-03-27 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 紅光螢光材料及其製造方法、及白光發光裝置
KR101565988B1 (ko) * 2009-10-23 2015-11-05 삼성전자주식회사 적색형광체, 그 제조방법, 이를 이용한 발광소자 패키지, 조명장치
JP2011243369A (ja) 2010-05-17 2011-12-01 Sharp Corp 発光装置、照明装置および車両用前照灯
US8436527B2 (en) 2010-09-07 2013-05-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
WO2012114692A1 (ja) * 2011-02-24 2012-08-30 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP2013161889A (ja) * 2012-02-02 2013-08-19 Sharp Corp 発光装置、車両用前照灯および発光装置の色み調整方法
CN104169637B (zh) * 2012-06-21 2015-09-16 松下知识产权经营株式会社 发光装置以及投影装置
DE112013005555B4 (de) 2012-11-20 2020-07-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Leuchtstoff und Verwendung des Leuchtstoffs in einer Lichtemissionseinrichtung, einer Bildaufnahmevorrichtung, einer Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung, einer Beleuchtungsvorrichtung und einem Fahrzeug

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060119660A (ko) * 2005-05-17 2006-11-24 가부시키가이샤 화인 라버 겐큐쇼 발광장치 및 적색 발광 형광체 입자
EP2287644A2 (en) * 2009-08-18 2011-02-23 Mitsubishi Electric Corporation Light source device and method of producing the same
CN102136541A (zh) * 2010-01-22 2011-07-27 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种透明陶瓷白光led器件
US20120008647A1 (en) * 2010-07-06 2012-01-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
JP2012018977A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Toshiba Corp 発光デバイス
WO2012124587A1 (ja) * 2011-03-16 2012-09-20 シャープ株式会社 波長変換部材およびその製造方法、ならびに、発光装置、照明装置および前照灯

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BETTENTRUP, HELGA: "Untersuchung der Lumineszenzeigenschaften Eu3+ und Sm3+ aktivierter Wolframatverbindungen", 《INSTITUTIONELLES REPOSITORIUM DER UNIVERSITÄT OSNABRÜCK》 *
谢安: "白光LED用钼酸盐红色荧光粉的合成和光谱研究", 《中国博士学位论文全文数据库 基础科学辑》 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106369371A (zh) * 2015-07-23 2017-02-01 松下知识产权经营株式会社 波长转换部件、光源装置、照明装置、车辆及波长转换部件的制造方法
CN107305921A (zh) * 2016-04-20 2017-10-31 松下知识产权经营株式会社 波长转换部件、光源以及车辆用前照灯
CN107304984A (zh) * 2016-04-22 2017-10-31 松下电器产业株式会社 波长转换部件以及投光灯
CN107304984B (zh) * 2016-04-22 2020-06-09 松下电器产业株式会社 波长转换部件以及投光灯
CN110036090A (zh) * 2016-10-21 2019-07-19 西博勒Ip I私人有限公司 转换器***
CN111987583A (zh) * 2020-09-01 2020-11-24 深圳大学 一种随机激光器及其制备方法和应用

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