CN104401934B - 玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片，其内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列；将玻璃圆片与其在真空中阳极键合；加热键合圆片使玻璃熔融填充满凹槽阵列内空隙，退火，冷却，形成回流圆片；完全研磨和抛光回流圆片的上部全玻璃衬底；完全刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具；电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具被刻蚀后留下的中空结构；刻蚀全高掺杂硅衬底与凹槽阵列之间的未刻蚀硅，得到埋入无源元件的玻璃衬底若干个；沉积金属粘附层，电镀金属导电层，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。本方法步骤简单，成本低廉，制备的无源元件性能优越。
Description
技术领域
本发明涉及微电子机械***封装技术领域，具体涉及一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法。
背景技术
传统射频微机电***中单元件的制造工艺使用表面加工工艺，该工艺制备的射频无源元件纵向延伸较短，直流电阻较大，电通路较小，属于2D平面型器件，通常采用转接板层层堆叠的方式实现3D互连，使用该工艺制备3D射频微机电***具有工艺繁琐复杂、成本昂贵、器件性能受到2D平面型特性的限制等缺点。
更高级3D***封装形式采用埋入型基板实现。新型3D射频微机电***采用埋入无源元件(电阻、电容、电感等)的硅基板实现3D互连。该工艺借鉴于导电硅通孔(TSV)的先打孔后电镀工艺，首先干法刻蚀硅基板形成埋入射频无源元件的空隙，然后通过化学沉积或硅高温氧化工艺制备绝缘的介质绝缘层，最后通过化学沉积种子层和电镀导电金属的工艺填充满硅基板内的空隙，制备出埋入硅基板的无源元件。然而，硅基材具有导电特性，而介电阻挡层的致密性与厚度受到纳米级尺寸的制约，致使埋入射频器件的电隔离在高频情况下失效。该工艺虽然比堆叠形成3D射频微机电***的方式更简单，但工艺步骤仍较繁琐，并且，干法刻蚀工艺形成空隙后，需要淀积种子层，再进行导电通孔的电镀。孔内种子层的致密性、均匀性以及与基板的粘附性直接决定了电镀金属的填充效果，因此，需要精细的加工工艺来制备优良的种子层，该工艺控制较复杂、昂贵。
传统的埋入玻璃基板器件的加工工艺延续埋入硅基板器件的加工工艺。首先，通过喷砂、HF湿法腐蚀、深反应离子刻蚀(DRIE)或激光钻孔等方法加工出玻璃内空腔，然后利用电镀工艺制备出导电金属填充的埋入玻璃器件。然而，喷砂制成的空腔呈锥形，且侧壁粗糙；HF湿法腐蚀工艺难以得到高深宽比的玻璃内空腔；DRIE需要复杂的掩膜加工工艺，其刻蚀速度也非常慢；激光钻孔会给玻璃引入残余应力与缺陷。空腔制备完成后，需要淀积均匀、致密的种子层，再通过电镀工艺使导电金属填充空腔，该工艺控制较复杂、昂贵。
发明内容
本发明目的是提供一种工艺简单、成本低、传输性能优良的新型玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，以解决上述问题。
本发明采用以下技术方案：
一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，包括如下步骤：
步骤一、干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片(1)，使高掺杂硅模具圆片(1)上包含内含埋入无源器件结构模具(2)的凹槽阵列(3)，凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4)用于后续器件分离；
步骤二、将玻璃圆片(5)与步骤一得到的高掺杂硅模具圆片(1)在真空中阳极键合，使得凹槽阵列(3)密封于键合圆片内；
步骤三、将步骤二得到的键合圆片放置在空气中加热，加热温度高于玻璃的软化点温度，并保温，直至熔融玻璃在凹槽内外压强差的作用下回流填充满凹槽阵列(3)内空隙，退火，冷却至常温，形成底部全高掺杂硅衬底(6)，中间埋入无源器件结构模具(2)的玻璃衬底和未刻蚀硅(4)的复合结构(7)，上部全玻璃衬底(8)的三重结构的回流圆片；
步骤四、完全研磨和抛光步骤三得到的回流圆片的全玻璃衬底(8)，使埋入无源器件结构模具(2)的上表面裸露在玻璃衬底上表面；
步骤五、干法刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具(2)；
步骤六、以全高掺杂硅衬底(6)为种子层，电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具(2)被刻蚀后留下的中空结构，电镀铜形成埋入玻璃衬底的无源元件(10)；
步骤七、湿法刻蚀全高掺杂硅衬底(6)与凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4)，得到免切割自分离的埋入无源元件(10)的玻璃基板(11)若干个；
步骤八、表面加工步骤七得到的玻璃基板，沉积金属粘附层(12)，电镀金属导电层(13)，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。
步骤一所述埋入无源器件结构模具(2)的形状包括圆柱形、环柱形、同轴柱形，或折线形柱、方形螺旋柱、六边形螺旋柱、八边形螺旋柱、圆形螺旋柱，或双长方体、同轴双环形柱。
步骤一所述高掺杂硅圆片所掺杂质为磷(P)或砷(As)，电阻率为0.001～0.005Ω·cm，厚度为300～600um；所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀，刻蚀深度小于高掺杂硅圆片厚度100um以上。
步骤二所述玻璃圆片(5)为硼硅玻璃，厚度300～500um；所述真空阳极键合工艺条件为：温度400℃，电压800V，真空度小于10-3Pa。
步骤三所述加热工艺条件为：加热温度为900～1100℃，加热保温时间6～10h；退火工艺条件为：退火温度510～560℃，退火保温时间30min；冷却至常温条件为自然冷却。
步骤四所述研磨和抛光为：采用自动研磨抛光机，首先对全玻璃衬底(8)实施研磨减薄工艺至基本去除全玻璃衬底(8)，再利用氧化铈抛光液抛光玻璃表面，至玻璃衬底裸露，此时埋入无源器件结构模具(2)的上表面裸露在光滑的玻璃衬底上表面。
步骤五所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀；刻蚀停止判别方法为正好完全刻蚀无源器件结构模具(2)，或完全刻蚀无源器件结构模具(2)并刻蚀底部全高掺杂硅衬底(6)不大于20um。
步骤六所述电镀铜的工艺条件为：酸性硫酸盐电镀铜镀液中，CuSO4·5H2O含量85g/L，H2SO4含量200g/L，Cl-含量79mg/L，电流密度为30mA/cm2。
步骤七所述湿法刻蚀的工艺条件为：刻蚀液为40wt％的氢氧化钾溶液，刻蚀温度70℃。
步骤八所述沉积金属粘附层(12)为Ti或Cr，所述电镀金属导电层(13)为Au或Cu。
本发明的有益效果：
1.本发明首先采用干法刻蚀工艺在高掺杂硅圆片上刻蚀形成无源器件结构模具，所刻结构垂直度高，粗糙度低，本工艺是一种所刻结构平面尺寸与厚度尺寸可设计性强的工艺,，使得埋入无源单元件的设计有更多可能性。本干法刻蚀工艺可制作圆柱、环柱和同轴柱等，用于制备埋入玻璃基板圆柱形导电通孔、环柱形导电通孔和同轴柱形导电通孔；可制作折线形柱、方形螺旋柱、六边形螺旋柱、八边形螺旋柱和圆形螺旋柱等，用于制备埋入玻璃基板电感；可制作双长方体和同轴双环形柱等，用于制备埋入玻璃基板电容。
2.本发明采用干法刻蚀工艺形成高掺杂硅模具圆片上的内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列，凹槽阵列将被玻璃填充形成玻璃基板，凹槽阵列间的硅分隔各玻璃基板，通过硅刻蚀工艺可将各玻璃基板释放、分离，无需额外切割工艺。
3.本发明采用高掺杂硅圆片作为玻璃基板上埋入无源元件的制作模具，硅基半导体工艺成熟，所做模具精准度高；通过将该高掺杂硅圆片与玻璃圆片阳极键合，该高掺杂硅圆片可作为玻璃圆片研磨和抛光时的保护用载片，无需额外使用粘结工艺制作新的载片-研磨片复合结构；该高掺杂硅圆片可重复利用为后续铜电镀时的种子层，无需额外沉积粘附层和种子层来保证铜电镀工艺的进行，本高掺杂硅圆片具有一片三用，缩短工艺步骤和降低成本等优点。
4.本发明采用绝缘玻璃基板代替有导电性的硅基板，玻璃的热膨胀系数比硅更低，热稳定性更好；玻璃是良介电材料，无需额外制备介质绝缘层，玻璃的生物兼容性与化学稳定性使玻璃基射频微机电***可植入于生物体内以进行射频监测与射频传输；玻璃的透明性也给内部器件与互连可靠性监测提供了有利条件。采用硼硅玻璃作为埋入无源元件的玻璃基板，例如采用美国Corning公司的Pyrex7740型号玻璃，其热膨胀系数低，且与硅热膨胀系数匹配，将玻璃圆片和硅圆片进行阳极键合时可对微腔进行高真空和低应力密封。
5.本发明采用阳极键合工艺将高掺杂导电硅圆片与玻璃圆片密封粘结，键合区域形成Si-O键，高温时该化学键仍能保持高结合强度，在高温回流过程中不易发生气体泄漏而使硅片凹槽内外压强相同，致使熔融玻璃不能填充凹槽的情况。在温度400℃，电流电压为800V的条件下，阳极键合能够达到更好的密封效果。
6.本发明采用高温回流工艺形成内含埋入无源器件结构模具的玻璃衬底，所加高温为900～1100℃，保温时间6～10h，该工艺步骤简单，所加温度保证玻璃和高掺杂硅材料不会发生温度引起的材料改性或相互渗透、反应等后果，玻璃和高掺杂硅材料热膨胀系数匹配，不会产生过大内应力从而使结构产生缺陷，高温回流工艺可制造出无孔洞包覆的埋入射频器件结构模具的玻璃衬底。采用玻璃回流工艺代替传统的先干法刻蚀出结构空隙，后沉积粘附层、阻挡层和种子层，再电镀金属导电结构制备埋入器件的半导体工艺，缩减生产时间，降低成本，获得高致密性、被玻璃基板无孔洞包覆的埋入无源元件。
7.本发明采用退火工艺消除玻璃回流过程中形成的内应力，从而增加结构强度。退火温度为510～560℃，保温时间为30min，然后缓慢自然冷却至室温，该温度处理既能有效消除结构内残余应力，又能保证不改变结构形状。
8.本发明采用研磨工艺去除上部全玻璃衬底，再利用氧化铈抛光液抛光玻璃表面，使得由埋入无源器件结构模具的玻璃衬底和未刻蚀硅的复合结构组成的中间部分裸露，抛光时玻璃表面微观凸出的部分较凹部分优先在氧化铈抛光液中溶解，从而得到表面粗糙度低、光亮、平整的玻璃面。
9.本发明采用研磨和抛光工艺使埋入无源器件结构模具的上表面裸露在玻璃表面，裸露区即为后续腐蚀埋入无源器件结构模具所开的腐蚀窗口，键合玻璃化学稳定性强，厚度大，致密性好，有效保护底部硅不被腐蚀，无需额外进行沉积腐蚀掩膜和开窗口工艺。
10.本发明采用干法刻蚀工艺去除埋入玻璃衬底的无源器件结构模具，该工艺各向异性好，选择比高，处理过程无污染引入，洁净度高，工艺纯熟。
11.本发明采用以剩余硅衬底为种子层的电镀工艺制备埋入玻璃基板的铜材料无源元件，该硅衬底是平整度高、致密性好、结构优良的种子层，所电镀铜填充率高，致密性好，无需额外制备种子层，缩减工艺步骤与成本。
12.本发明采用硅湿法腐蚀工艺去除残余硅衬底与玻璃基板之间的连接硅，得到免切割、自分离的埋入铜无源元件的玻璃基板，该工艺步骤简单，选择比高，可批量化进行，无需额外切割工艺。
13.本发明采用先沉积金属粘附层后电镀金属导电层对玻璃基板进行表面加工，制备埋入无源元件单元件，或制备应用于3D***封装的埋入无源元件玻璃转接板，金属粘附层增强导电金属和玻璃基板之间的粘附性，具有防剥离作用。
14.本发明所制备的埋入玻璃基板的无源元件本身就具备3D结构，埋入式元件缩短互连线长度，节省基板表面空间用于更多***元件集成，与表面组装和层层堆叠的3D***封装方式相比，具有制备工艺简单，成本低廉，封装更小型化等优点。
附图说明
图1是高掺杂硅模具圆片上刻蚀有内含埋入无源器件结构模具的凹槽阵列截面图。
图2是高掺杂硅模具圆片与玻璃圆片阳极键合后的键合圆片截面图。
图3是加热回流与退火后的回流圆片截面图。
图4是研磨抛光后的回流圆片截面图。
图5是干法刻蚀无源器件结构模具后的回流圆片截面图。
图6是埋入铜材料无源元件的回流圆片截面图。
图7是湿法刻蚀硅后自分离的埋入无源元件的玻璃基板截面图。
图8是经过表面加工工艺的玻璃基板截面图。
图9是玻璃基板上埋入导电通孔、折线电感和共面波导透视图。
图10是玻璃基板上埋入螺旋电感透视图。
图11是玻璃基板上埋入电容透视图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明做更进一步的解释。下列实施例仅用于说明本发明，但并不用来限定本发明的实施范围。
实施例1
一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，包括如下步骤：
步骤一、干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片1，使高掺杂硅模具圆片1上包含内含埋入无源器件结构模具2的凹槽阵列3，如图1所示，凹槽阵列3之间的未刻蚀硅4用于后续器件分离。所述高掺杂硅圆片所掺杂质为磷(P)，电阻率为0.001Ω·cm，厚度为500um。所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀，刻蚀深度为200um。所述埋入无源器件结构模具2的形状包括圆柱、环柱、同轴柱，用于互连共面波导的3排×2列圆柱阵列，用于制备埋入型折线电感的6个圆柱阵列。。
步骤二、将玻璃圆片5与步骤一得到的高掺杂硅模具圆片1在真空度小于10-3Pa、温度400℃，电压800V条件下进行阳极键合，使得凹槽阵列3密封于键合圆片内，如图2所示。所述玻璃圆片5为Pyrex7740玻璃，厚度300um。
步骤三、将步骤二得到的键合圆片放置在空气中加热，加热温度为900℃，并保温6h，直至熔融玻璃在凹槽内外压强差的作用下回流填充满凹槽阵列3内空隙，并在560℃下退火30min，自然冷却至常温，形成底部全高掺杂硅衬底6，中间埋入无源器件结构模具2的玻璃衬底和未刻蚀硅4的复合结构7，上部全玻璃衬底8的三重结构的回流圆片，如图3所示。
步骤四、采用自动研磨抛光机，首先对全玻璃衬底8实施研磨减薄工艺至基本去除全玻璃衬底8，再利用氧化铈抛光液抛光玻璃表面，至埋入无源器件结构模具2的上表面裸露在光滑的玻璃衬底上表面，如图4所示。
步骤五、深反应离子刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具2，如图5所示。刻蚀深度为200um。
步骤六、以全高掺杂硅衬底6为种子层，电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具2被刻蚀后留下的中空结构，电镀铜形成埋入玻璃衬底的无源元件10，如图6所示。所述电镀铜的工艺条件为：酸性硫酸盐电镀铜镀液中，CuSO4·5H2O含量85g/L，H2SO4含量200g/L，Cl-含量79mg/L，电流密度为30mA/cm2。
步骤七、湿法刻蚀全高掺杂硅衬底6与凹槽阵列3之间的未刻蚀硅4，得到免切割自分离的埋入无源元件10的玻璃基板11若干个，如图7所示。所述湿法刻蚀的工艺条件为：刻蚀液为40wt％的氢氧化钾溶液，刻蚀温度70℃。
步骤八、表面加工步骤七得到的玻璃基板11，沉积金属粘附层12Ti或Cr，电镀金属导电层13Au或Cu，如图8所示，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。所述圆柱形、环柱形、同轴柱形埋入无源器件结构模具2用于制备应用于3D器件互连的埋入玻璃基板圆柱形导电通孔14、环柱形导电通孔15和同轴柱形导电通孔16，如可互连共面波导17，或者应用于制备半埋入玻璃基板折线电感18，如图9所示。对于3排×2列铜圆柱阵列，制备波导线连接圆柱下表面，制备两条波导线分别连接每列圆柱的上表面，形成铜柱互连的共面波导17结构，波导线制备方法为：沉积金属粘附层12Ti或Cr，电镀金属导电层13Au；对于6个圆柱阵列，制备导线覆盖第1个圆柱的上表面，制备5条导线分别连接第1和第2圆柱的下表面，第2和第3圆柱的上表面，第3和第4圆柱的下表面，第4和第5圆柱的上表面，第5和第6圆柱的下表面，制备导线覆盖第6个圆柱的上表面，形成折现电感18，导线制备方法为：沉积金属粘附层12Ti或Cr，电镀金属导电层13Cu。可通过增加铜柱个数和制备不同形状导线形成不同种共面波导，折线电感。
实施例2
步骤一、干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片1，使高掺杂硅模具圆片1上包含内含埋入无源器件结构模具2的凹槽阵列3，如图1所示，凹槽阵列3之间的未刻蚀硅4用于后续器件分离。所述高掺杂硅圆片所掺杂质为砷(As)，电阻率为0.003Ω·cm，厚度为600um。所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀，刻蚀深度为300um。所述埋入无源器件结构模具2的形状包括折线形柱、方形螺旋柱、六边形螺旋柱、八边形螺旋柱、圆形螺旋柱，或双长方体、同轴双环形柱。
步骤二、将玻璃圆片5与步骤一得到的高掺杂硅模具圆片1在真空度小于10-3Pa、温度400℃，电压800V条件下进行阳极键合，使得凹槽阵列3密封于键合圆片内，如图2所示。所述玻璃圆片5为Pyrex7740玻璃，厚度500um。
步骤三、将步骤二得到的键合圆片放置在空气中加热，加热温度为1000℃，保温6h，直至熔融玻璃在凹槽内外压强差的作用下回流填充满凹槽阵列3内空隙，并在560℃下退火30min，自然冷却至常温，形成底部全高掺杂硅衬底6，中间埋入无源器件结构模具2的玻璃衬底和未刻蚀硅4的复合结构7，上部全玻璃衬底8的三重结构的回流圆片，如图3所示。
步骤四、采用自动研磨抛光机，首先对全玻璃衬底8实施研磨减薄工艺至基本去除全玻璃衬底8，再利用氧化铈抛光液抛光玻璃表面，至埋入无源器件结构模具2的上表面裸露在光滑的玻璃衬底上表面，如图4所示。
步骤五、深反应离子刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具2，如图5所示。刻蚀深度为300um。
步骤六、以全高掺杂硅衬底6为种子层，电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具2被刻蚀后留下的中空结构，电镀铜形成埋入玻璃衬底的无源元件10，如图6所示。所述电镀铜的工艺条件为：酸性硫酸盐电镀铜镀液中，CuSO4·5H2O含量85g/L，H2SO4含量200g/L，Cl-含量79mg/L，电流密度为30mA/cm2。
步骤七、湿法刻蚀全高掺杂硅衬底6与凹槽阵列3之间的未刻蚀硅4，得到免切割自分离的埋入无源元件10的玻璃基板11若干个，如图7所示。所述湿法刻蚀的工艺条件为：刻蚀液为40wt％的氢氧化钾溶液，刻蚀温度70℃。
步骤八、表面加工步骤七得到的玻璃基板11，沉积金属粘附层12Ti或Cr，电镀金属导电层13Au，如图8所示，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板，如图11所示。所述折线形柱、方形螺旋柱、六边形螺旋柱、八边形螺旋柱、圆形螺旋柱用于制备全埋入玻璃基板的折线形螺旋电感19、方形螺旋电感20、六边形螺旋电感21、八边形螺旋电感22、圆形螺旋电感23，如图10所示。所述双长方体用于制备全埋入玻璃基板的板型电容24，同轴双环形柱用于制备全埋入玻璃基板的环形电容25。所述电感电容可通过表面金属互连形成滤波器、放大器等元件。
Claims (11)
1.一种玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、干法刻蚀高掺杂硅圆片形成高掺杂硅模具圆片(1)，使高掺杂硅模具圆片(1)上包含内含埋入无源器件结构模具(2)的凹槽阵列(3)，凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4)用于后续器件分离；
步骤二、将玻璃圆片(5)与步骤一得到的高掺杂硅模具圆片(1)在真空中阳极键合，使得凹槽阵列(3)密封于键合圆片内；
步骤三、将步骤二得到的键合圆片放置在空气中加热，加热温度高于玻璃的软化点温度，并保温，直至熔融玻璃在凹槽内外压强差的作用下回流填充满凹槽阵列(3)内空隙，退火，冷却至常温，形成底部全高掺杂硅衬底(6)，中间埋入无源器件结构模具(2)的玻璃衬底和未刻蚀硅(4)的复合结构(7)，上部全玻璃衬底(8)的三重结构的回流圆片；
步骤四、完全研磨和抛光步骤三得到的回流圆片的全玻璃衬底(8)，使埋入无源器件结构模具(2)的上表面裸露在玻璃衬底上表面；
步骤五、干法刻蚀埋入玻璃衬底的无源器件结构模具(2)；
步骤六、以全高掺杂硅衬底(6)为种子层，电镀铜填充满玻璃衬底内无源器件结构模具(2)被刻蚀后留下的中空结构，电镀铜形成埋入玻璃衬底的无源元件(10)；
步骤七、湿法刻蚀全高掺杂硅衬底(6)与凹槽阵列(3)之间的未刻蚀硅(4)，得到免切割自分离的埋入无源元件(10)的玻璃基板(11)若干个；
步骤八、表面加工步骤七得到的玻璃基板，沉积金属粘附层(12)，电镀金属导电层(13)，用作无源元件单元件，或3D集成的玻璃转接板。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤一所述埋入无源器件结构模具(2)的形状包括圆柱形、环柱形、同轴柱形，或折线形柱、方形螺旋柱、六边形螺旋柱、八边形螺旋柱、圆形螺旋柱，或双长方体。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤一所述高掺杂硅圆片所掺杂质为磷(P)或砷(As)，电阻率为0.001～0.005Ω·cm，厚度为300～600um；所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀，刻蚀深度小于高掺杂硅圆片厚度100um以上。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤二所述玻璃圆片(5)为硼硅玻璃，厚度300～500um；所述真空阳极键合工艺条件为：温度400℃，电压800V，真空度小于10-3Pa。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤三所述加热工艺条件为：加热温度为900～1100℃，加热保温时间6～10h；退火工艺条件为：退火温度510～560℃，退火保温时间30min；冷却至常温条件为自然冷却。
6.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤四所述研磨和抛光为：采用自动研磨抛光机，首先对全玻璃衬底(8)实施研磨减薄工艺至基本去除全玻璃衬底(8)，再利用氧化铈抛光液抛光玻璃表面，至玻璃衬底裸露，此时埋入无源器件结构模具(2)的上表面裸露在光滑的玻璃衬底上表面。
7.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤五所述干法刻蚀为深反应离子刻蚀；刻蚀停止判别方法为正好完全刻蚀无源器件结构模具(2)，或完全刻蚀无源器件结构模具(2)并刻蚀底部全高掺杂硅衬底(6)不大于20um。
8.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤六所述电镀铜的工艺条件为：酸性硫酸盐电镀铜镀液中，CuSO4·5H2O含量85g/L，H2SO4含量200g/L，Cl-含量79mg/L，电流密度为30mA/cm2。
9.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤七所述湿法刻蚀的工艺条件为：刻蚀液为40wt％的氢氧化钾溶液，刻蚀温度70℃。
10.根据权利要求1或2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，步骤八所述沉积金属粘附层(12)为Ti或Cr，所述电镀金属导电层(13)为Au或Cu。
11.根据权利要求2所述的玻璃基板上埋入无源元件的圆片级制造方法，其特征在于，所述同轴柱形为同轴双环形柱。
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