CN104393185A - 一种叠层有机电致发光器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种叠层有机电致发光器件及其制作方法，属于发光器件领域，以减少叠层有机电致发光器件的层数，提高其发光效率。所述叠层有机电致发光器件包括用于连接相邻两个发光单元的连接层；所述连接层包括依次连接的下子连接层和上子连接层，其中，至少一层子连接层为梯度掺杂连接层。本发明可用于制造叠层有机电致发光器件。

Description

一种叠层有机电致发光器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及发光器件领域，尤其涉及一种叠层有机电致发光器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有能耗低、驱动电压低、色域广、制备工艺简单、视角宽、响应快等特点，是近年来国际上的研究热点。
为了更好地实现有机电致发光器件的功能，研究人员在有机电致发光器件中叠加有多个发光单元，且在发光单元之间用连接层进行连接，以形成叠层有机电致发光器件，该器件具有电流密度较低的特点，从而可有效地避免过剩电流作用导致的热猝灭效应，提高有机电致发光器件的电流效率、亮度、寿命等。
然而，由于叠层有机电致发光器件中包括的功能层数较多，使得载流子在进入发光层的过程中需克服相对较大界面势垒，从而易于累积在各界面上。为了使载流子能够克服界面势垒，正常进入发光层以形成激子进而发光，则必须提高其驱动电压，但这就会出现叠层有机电致发光器件的发光效率降低的问题。为此，提供一种能够有效提高发光效率的叠层有机电致发光器件是本领域技术人员所面临的重要课题。
发明内容
本发明实施例提供了一种叠层有机电致发光器件及其制作方法，以减少叠层有机电致发光器件的层数，提高其发光效率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种叠层有机电致发光器件，包括用于连接相邻两个发光单元的连接层；
所述连接层包括依次连接的下子连接层和上子连接层，其中，至少一层子连接层为梯度掺杂连接层。
可选地，所述梯度掺杂连接层由主体和掺杂客体构成，其中，所述掺杂客体的质量百分比在所述梯度掺杂连接层中接触所述发光单元一侧为0，并向未接触所述发光单元的一侧递增，最终在所述未接触所述发光单元的一侧达到最大值。
进一步地，当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30wt％；
当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；
当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。
更进一步地，所述金属选自锂、钾、铷、铯、镁、钙和钠中的至少一种；
所述金属化合物选自三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、氯化钠、氯化铁和四氧化三铁中的至少一种；
所述有机物选自C60、并五苯、F4-TCNQ和酞箐类衍生物中的至少一种。
可选地，在所述上子连接层为N型梯度掺杂层时，所述下子连接层为P型均匀掺杂层和P型非掺杂层中的任意一种；
在所述上子连接层为P型梯度掺杂层时，所述下子连接层为N型均匀掺杂层、N型非掺杂层和N型梯度掺杂层中的任意一种。
一种由上述技术方案所提供的叠层有机电致发光器件的制作方法，包括：
在发光单元上依次沉积下子连接层和上子连接层；
当所述下子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀提高所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述下子连接层厚度的增加而均匀提高，直至所述掺杂客体的质量百分比达到最大值；和/或
当所述上子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀降低所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述上子连接层厚度的增加而由最大值开始均匀降低，直至所述掺杂客体的质量百分比降至0为止。
可选地，当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30wt％；
当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；
当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。
可选地，利用选自真空蒸镀、旋涂、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、丝网印刷以及喷墨打印中的任意一种方法在所述发光单元上依次沉积所述下子连接层和所述上子连接层。
可选地，所述掺杂客体的蒸发速率的范围为0-0.2nm/s～0.4nm/s。
可选地，所述梯度掺杂连接层的厚度为20nm-120nm。
本发明实施例提供了一种叠层有机电致发光器件及其制作方法，在该叠层有机电致发光器件中，将连接层中的至少一层子连接层设置为梯度掺杂连接层，由于梯度掺杂连接层能够代替注入层和传输层以辅助载流子的注入和传输，使得在本发明所提供的叠层有机电致发光器件中，不需在发光层和连接层之间设置注入层和传输层，从而能够减少叠层有机电致发光器件中所包含的功能层数，降低叠层有机电致发光器件的所需的驱动电压，进而提高其发光效率。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供了一种叠层有机电致发光器件，包括用于连接相邻两个发光单元的连接层；所述连接层包括依次连接的下子连接层和上子连接层，其中，至少一层子连接层为梯度掺杂连接层。
目前，叠层有机电致发光器件中的每个发光单元都包括有传输层和注入层，此外，为了避免激子淬灭而导致发光效率降低的问题，通常还会在传输层与发光单元之间***电荷缓冲层，使得器件所包含的功能层数大大增加。但功能层数的增加无疑会导致器件内各层间界面势垒升高，进而导致器件的工作电压升高，影响叠层有机电致发光器件的发光效率。所以，为了减少叠层有机电致发光器件所包含的层数，降低其所需的工作电压，提高其发光效率，本发明的实施例将连接层中的至少一层子连接层设置为梯度掺杂连接层。本发明实施例中所设置的梯度掺杂连接层具有与现有技术传输层材料相同的主体材料，能够较好地实现载流子的传输；并且，梯度掺杂连接层中的各组分质量百分比是随其厚度增加而均匀变化，并不存在突变，还可有效地降低各层间的界面势垒。
本发明实施例提供了一种叠层有机电致发光器件，在该叠层有机电致发光器件中，将连接层中的至少一层子连接层设置为梯度掺杂连接层，由于梯度掺杂连接层能够代替注入层和传输层以辅助载流子的注入和传输，使得在本发明所提供的叠层有机发光器件中，不需在发光层和连接层之间设置注入层和传输层，从而能够减少叠层有机电致发光器件中所包含的功能层数，降低叠层有机电致发光器件的所需的驱动电压，进而提高其发光效率。
在本发明的一实施例中，所述梯度掺杂连接层由主体和掺杂客体构成，其中，所述掺杂客体的质量百分比在所述梯度掺杂连接层中接触所述发光单元一侧为0，并向未接触所述发光单元的一侧递增，最终在所述未接触所述发光单元的一侧达到最大值。
为了更好地进行载流子的传输，将梯度掺杂连接层中的掺杂客体的质量百分比在接触发光单元一侧设置为0，而使其在未接触所述发光单元的一侧(连接层中上子连接层与下子连接层的交界处)设置达到最大值，其用意在于将梯度掺杂连接层中掺杂客体的质量百分比在接近发光单元的一侧设置的相对较低，使其能够更好地完成载流子的传输，而在远离发光单元的一侧设置的相对较高，使其能够更好地完成载流子的注入。所以，由本实施例提供的梯度掺杂连接层能够更好地取代注入层和传输层，以减少叠层有机电致发光器件所包含的功能层数，从而降低其所需的工作电压，提高其发光效率。
在本发明的另一实施例中，当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30％wt％；当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。
由本实施例提供的掺杂客体在连接层中主要起到提供载流子的作用，由于掺杂客体(如某些金属)随着时间延长会在有机主体中扩散，导致器件寿命下降，因此需要使掺杂客体的质量百分比保持在一个合理的范围内，以避免掺杂客体的质量百分比因过低或过高而发生的不良现象。
由于金属内部的自由电子较多，具有良好的电子传输特性(即高电子迁移率)、良好的电子亲和能以及较高的电离能，所以其易于向发光层中注入电子，且能够良好地阻挡空穴的注入，因此一般用作N型掺杂层的掺杂客体；而有机物具有良好的空穴传输特性(即高空穴迁移率)、较低的电子亲和能，易于向发光层中注入空穴，且能够良好地阻挡电子的注入，所以一般用作P型掺杂层的掺杂客体，金属氧化物载流子注入特性则介于两者之间，本领域技术人员可以根据实际情况选择合适的掺杂客体。
这里需要说明的是，由于金属掺杂客体的导电性较强、提供载流子的能力较高，化学性质较为活泼，所以其所占的质量百分比的上限相对较低，约在30wt％左右；相比之下，有机物掺杂客体的导电性较弱、提供载流子的能力也相对较弱，所以其所占的质量百分比的上限相对较高，约在80wt％左右；而金属氧化物掺杂客体则介于二者之间，所以其所占的质量百分比的上限通常约在50wt％左右。只有对应上述所选用的掺杂客体选择合适的质量百分比范围，才能够有效地使梯度掺杂连接层既能够向发光层提供足够的载流子，且导电性适中，又能够避免连接层的变质。
在本发明的又一实施例中，所述金属选自锂、钾、铷、铯、镁、钙和钠中的至少一种；所述金属化合物选自三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、氯化钠、氯化铁和四氧化三铁中的至少一种；所述有机物选自C60、并五苯、F4-TCNQ(2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌)和酞箐类衍生物中的至少一种。
上述内容已经提到，梯度掺杂连接层基本可以完成载流子的传输，为了使载流子更顺利地注入发光层，还需要选择合适的掺杂客体。本发明实施例中所提供的掺杂客体应具有良好的成膜性和热稳定性，且不易结晶，从而最终能够形成质地均一致密的膜层。可以理解的是，梯度掺杂连接层中所使用的掺杂客体并不仅局限于上述材料，上述材料仅为可作为掺杂客体的优选例子，本领域技术人员还可根据掺杂客体所具有的特点在更广泛的范围内选择适宜材料。
在本发明的又一实施例中，在所述上子连接层为N型梯度掺杂层时，所述下子连接层为P型均匀掺杂层和P型非掺杂层中的任意一种；在所述上子连接层为P型梯度掺杂层时，所述下子连接层为N型均匀掺杂层、N型非掺杂层和N型梯度掺杂层中的任意一种。
本领域技术人员可以根据实际情况从上述五种结构中选择最合适的方案。其中，优选结构为N型梯度掺杂层和P型梯度掺杂层的组合，如上述内容所提到的，由于梯度掺杂连接层可以代替注入层和传输层对载流子进行注入和传输(N型梯度掺杂层对电子载流子进行注入和传输；P型梯度掺杂层对空穴载流子进行注入和传输)，因此，为了更大程度地减少叠层有机电致发光器件中包含的功能层数，将连接层中的上下两子连接层均设置为梯度掺杂连接层，以最大限度地提高发光效率。
需要说明的是，在连接层和发光单元之间还可设置传输层，由于传输层可以更好地进行载流子的传输，因此设置传输层有利于提高叠层有机电致发光器件的发光能力。但由于设置传输层虽会在一定程度上提高器件的发光能力，但不可忽视的是其也会对发光效率产生一定影响，所以，本领域技术人员需要根据实际情况作出判断，以选择是否在连接层两侧合理地设置电子传输层和/或空穴传输层。
可以理解的是，本发明实施例提供的连接层用于连接叠层有机电致发光器件中的相邻发光单元，根据发光单元的数量，单个叠层有机电致发光器件可包括有多个上述连接层，以更好地减少叠层有机电致发光器件所包含的层数，提高发光效率。需要说明的是，本发明的发光单元的发光颜色可为红色、绿色以及蓝色，且各发光单元中的发光层可为掺杂层或非掺杂层，本领域技术人员可根据实际需要选择合适的发光单元制备叠层有机电致发光器件。
本发明实施例还提供了一种由上述实施例提供的叠层有机电致发光器件的制作方法，包括：在发光单元上依次沉积下子连接层和上子连接层；当所述下子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀提高所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述下子连接层厚度的增加而均匀提高，直至所述掺杂客体的质量百分比达到最大值；
当所述上子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀降低所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述上子连接层厚度的增加而由最大值开始均匀降低，直至所述掺杂客体的质量百分比降至0为止。
在本发明实施例中，通过对主体材料和掺杂客体材料同时蒸发并沉积的方法，以实现在膜层中掺杂的目的。由于梯度掺杂连接层中主体材料和掺杂客体材料的质量百分比取决于其蒸汽沉积速率，而主体材料和掺杂客体材料蒸汽沉积速率又取决于其蒸发速率，所以本发明实施例通过均匀改变掺杂客体材料的蒸发速率，使掺杂客体的质量百分比随着厚度的增加均匀变化的方法，以制造梯度掺杂连接层。
具体来说，当下子连接层为梯度掺杂连接层时，由于其下底面与发光单元相接触，所以掺杂客体的质量百分比在下底面为0，而在上表面(即连接层中上下两子连接层的交界处)达到最大。在制备时，首先使主体材料以及掺杂客体材料预热，主体材料的蒸发速率达到设定值并保持不变时，使掺杂客体材料加热开始蒸发，并在主体材料开始沉积的同时，从0开始均匀提高掺杂客体材料的蒸发速率，与主体材料一同开始沉积，直至掺杂客体材料的蒸发速率达到预先设定的最大值。
可以理解的是，在下子连接层的制备过程中，也可以使掺杂客体材料的蒸发速率保持为设定值，均匀降低主体材料的蒸发速率；或在掺杂客体材料的蒸发速率提高的同时，均匀降低主体材料的蒸发速率，以使掺杂客体的质量百分比随着下子连接层厚度的增加而均匀增加。本领域技术人员可以根据实际设备以及工艺条件选择较合适的速率控制模式，需要说明的是，各材料的蒸发速率是由其温度决定的，因此，本领域技术人员可以通过控制各材料的温度来控制其蒸发速率。
与下子连接层相对的，上子连接层的掺杂客体的质量百分比在下底面(即两子连接层的交界处)为最大值，并从下底面向上表面均匀降低，在上表面降低至0。因此在制备上子连接层时，可以使掺杂客体材料和主体材料预热，在各自达到预先设定的蒸发速率后，同时开始沉积，并在开始沉积的同时使掺杂客体材料的蒸发速率由设定的最大值开始均匀降低，直至降至0为止，以使上子连接层中掺杂客体的质量百分比随着上子连接层厚度的增加而均匀降低。可以理解的是，在上连接层的制备过程中，也可以使掺杂客体材料的蒸发速率不变，均匀提高主体材料的蒸发速率；或在掺杂客体材料的蒸发速率均匀降低的同时，均匀提高主体材料的蒸发速率，以使掺杂客体的质量百分比随着上子连接层的厚度的增加而均匀降低，其原理在上述下子连接层的制备中已提及，此处不再赘述。
本发明实施例还提供了一种叠层有机电致发光器件的制作方法，在制作梯度掺杂连接层的过程中，通过控制主体和掺杂客体的蒸发速率，以调节主体和掺杂客体在梯度掺杂连接层中所占的质量百分比，从而能够在不引入新设备的前提下制作梯度掺杂连接层，进而降低了本发明所提供的叠层有机电致发光器件的制作成本以及制作难度。
在本发明的再一实施例中，当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30wt％；当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。关于不同的掺杂客体对于梯度掺杂连接层的功能的影响，以及各种掺杂客体的质量百分比的设置原理，上述内容已经提及，此处不再赘述。需要说明的是，由于在制作梯度掺杂连接层的过程中，各材料的质量百分比取决于各自的蒸发速率，而蒸发速率又对应于材料的温度，所以需要根据材料特性、设备、环境等因素来设置材料的温度值，以使梯度掺杂连接层中的掺杂客体的质量百分比范围符合器件的要求。
在本发明的又一实施例中，利用选自真空蒸镀、旋涂、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、丝网印刷以及喷墨打印中的任意一种方法在发光单元上依次沉积所述下子连接层和所述上子连接层。目前发光器件的制膜方法多种多样，并各自具有不同的优点和缺点：如旋涂工艺简单易于操作，但对于材料的利用率不高；有机气相沉积工艺所制造的膜层纯度较高，但成本也相对较高等。而在本发明的实施例中，优选真空蒸镀工艺来制备梯度掺杂连接层，真空蒸镀工艺是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的一种工艺，其优势在于成膜质量均匀致密，成膜速度较快，且不需要改进现有蒸镀设备就能够完成本发明中的梯度掺杂连接层的制造，可以很好地降低连接层的制造成本。可以理解的是，在发光单元上依次沉积下子连接层和上子连接层的方法并不仅局限于上述方法，本领域技术人员可以根据实际情况选择其它方法。
在本发明的又一实施例中，所述掺杂客体的蒸发速率的范围为0-0.2nm/s～0.4nm/s。由于掺杂客体的蒸发速率对梯度掺杂连接层的成型有着较大的影响，蒸发速率过慢会导致梯度掺杂连接层成型较慢，而过快又会导致梯度掺杂连接层中各组分的质量百分比不易控制，因此本发明的实施例优选掺杂客体的蒸发速率在0-0.2nm/s～0.4nm/s范围内，其中优选蒸发速率为0.3nm/s，该优选值能够在蒸镀设备所允许的范围内，高效率地制造高性能的梯度掺杂连接层。
在本发明的又一实施例中，所述梯度掺杂连接层的厚度为20nm-120nm。由于梯度掺杂连接层与传统的连接层的作用效果不同，其需同时完成现有技术中的传输层和注入层的功能，因此其必须保证一定的厚度，以使掺杂客体的质量百分比有着足够的调整空间，以能够良好地完成注入层的功能；进一步，还应使掺杂客体的重量百分较低的部分具有合适的厚度，以使其能够良好地完成传输层的功能。因此在本发明的实施例中，将梯度掺杂连接层的厚度设置在20nm-120nm范围内，优选厚度为30-60nm，更优选厚度为30-35nm，在该优选厚度范围内能够使梯度掺杂连接层既良好地支持发光单元发光，又不致因过厚而使器件的发光效率降低。
为了更好地说明本发明提供的叠层有机电致发光器件及其制造方法，下面以具体的实施例进行详细说明。
实施例1
在本实施例中，叠层有机电致发光器件中的连接层结构为N型梯度掺杂层/P型非掺杂层，其各功能层结构如表1所示。
表1.实施例1的叠层结构
其中，ITO玻璃基底为带有氧化铟锡薄膜的透明玻璃；发光层的主体材料选择MAND，掺杂客体材料选择DSA-Ph；N型梯度掺杂连接层的主体材料选择Bphen，掺杂客体材料选择金属Li。具体制备过程如下：
在带有ITO的(其面电阻<30Ω/□)透明玻璃基底上，通过光刻蚀形成ITO图案电极；然后将ITO玻璃基底依次在去离子水、丙酮、和无水乙醇中进行超声清洗；超声清洗结束后用N2吹干并进行O2等离子体的处理；将处理完毕后的的基片置于蒸镀腔室中，调节蒸镀腔室内的气压至低于5×10-4Pa后，通过真空热蒸镀的方式，在ITO面依次蒸镀表1中的功能层，其中，发光层中的掺杂客体占发光层的质量百分比为3wt％，N型梯度掺杂连接层中，掺杂客体的质量百分比在下底面为0，在上表面(即连接层中的NP界面)为10wt％。需要说明的是，在上述蒸镀过程中，除Al使用金属阴极掩膜版(metal mask)且蒸发速率为0.3nm/s外，其余各层均使用开放掩膜版(open mask)且蒸发速率为0.1nm/s(梯度掺杂层的主体材料和掺杂客体材料的蒸发速率需要根据实际情况设置)。
该叠层有机电致发光器件为蓝光器件，其发光面积为3mm×3mm，。发光主峰位于470nm，肩峰位于496nm，工作电压为18V，电流发光效率为25.9cd/A。
实施例2
在本实施例中，叠层有机电致发光器件的连接层结构为N型均匀掺杂层/P型梯度掺杂层，其各功能层结构如表2所示，该器件的制作工艺参照实施例1。
表2.实施例2的叠层结构
该叠层有机电致发光器件为蓝光器件，其发光面积为3mm×3mm，。发光主峰位于470nm，肩峰位于496nm。
实施例3
在本实施例中，叠层有机电致发光器件的连接层结构为N型梯度掺杂层/P型梯度掺杂层，其各功能层结构如表3所示，该器件的制作工艺参照实施例1。
表3实施例3的叠层结构
该叠层有机电致发光器件为蓝光器件，其发光面积为3mm×3mm，。发光主峰位于470nm，肩峰位于496nm。
对比例
对比上述三个实施例，本发明提供了一个利用现有技术制造的叠层有机电致发光器件，其各功能层结构如表4所示。
表4.对比例的叠层结构
该叠层有机电致发光器件为蓝光器件，其发光面积为3mm×3mm，发光主峰位于470nm，肩峰位于496nm。
将上述三个实施例与对比例进行比较，在电流密度均为2mA/cm2的条件下进行发光效率测试，可以得到表5所述的结果：
表5.本发明实施例与对比例的对比结果表
器件 工作电压(V) 发光效率(cd/A)
实施例1 18 24.5
实施例2 16 25.9
实施例3 11 27.3
对比例 18 18.5
由表5可知，在相同的电流密度下，实施例1、2、3的发光效率分别为24.5cd/A、25.9cd/A、27.3cd/A，而对比例的发光效率为18.3cd/A，由此可以得出，本发明所提供的叠层有机发光电致器件确实提高了发光效率，从工作电压来看，实施例2和3的工作电压分别为16V、11V，均小于现有技术的工作电压，因此本发明所提供的叠层有机发光电致器件可有效降低工作电压，
对比实施例1、2、3可以发现，实施例3相对于实施例1和2而言，具有较高的发光效率和较低的工作电压，这主要是因为实施例1和2中的连接层分别只包含一层梯度掺杂连接层，而实施例3中的两子连接层均为梯度掺杂子连接层，这说明本发明所优选的上下两子连接层均为梯度掺杂连接层的连接层结构确实能使叠层有机电致发光器件有着更高的发光效率。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围。

Claims (10)

1.一种叠层有机电致发光器件，其特征在于，包括用于连接相邻两个发光单元的连接层；
所述连接层包括依次连接的下子连接层和上子连接层，其中，至少一层子连接层为梯度掺杂连接层。
2.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，
所述梯度掺杂连接层由主体和掺杂客体构成，其中，所述掺杂客体的质量百分比在所述梯度掺杂连接层中接触所述发光单元一侧为0，并向未接触所述发光单元的一侧递增，最终在所述未接触所述发光单元的一侧达到最大值。
3.根据权利要求2所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，
当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30wt％；
当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；
当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。
4.根据权利要求3所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，
所述金属选自锂、钾、铷、铯、镁、钙和钠中的至少一种；
所述金属化合物选自三氧化钼、五氧化二钒、三氧化钨、碳酸铯、氟化锂、碳酸锂、氯化钠、氯化铁和四氧化三铁中的至少一种；
所述有机物选自C60、并五苯、F4-TCNQ和酞箐类衍生物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的叠层有机电致发光器件，其特征在于，
在所述上子连接层为N型梯度掺杂层时，所述下子连接层为P型均匀掺杂层和P型非掺杂层中的任意一种；
在所述上子连接层为P型梯度掺杂层时，所述下子连接层为N型均匀掺杂层、N型非掺杂层和N型梯度掺杂层中的任意一种。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的叠层有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
在发光单元上依次沉积下子连接层和上子连接层；
当所述下子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀提高所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述下子连接层厚度的增加而均匀提高，直至所述掺杂客体的质量百分比达到最大值；和/或
当所述上子连接层为梯度掺杂连接层时，通过保持所述主体的蒸发速率不变、均匀降低所述掺杂客体的蒸发速率，使所述掺杂客体的质量百分比随所述上子连接层厚度的增加而由最大值开始均匀降低，直至所述掺杂客体的质量百分比降至0为止。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，
当所述掺杂客体为金属时，所述最大值为0-30wt％；
当所述掺杂客体为金属化合物时，所述最大值为0-50wt％；
当所述掺杂客体为有机物时，所述最大值为0-80wt％。
8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，利用选自真空蒸镀、旋涂、有机蒸汽喷印、有机气相沉积、丝网印刷以及喷墨打印中的任意一种方法在所述发光单元上依次沉积所述下子连接层和所述上子连接层。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述掺杂客体的蒸发速率的范围为0-0.2nm/s～0.4nm/s。
10.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述梯度掺杂连接层的厚度为20nm-120nm。
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