CN104392701A - 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路 - Google Patents

用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路 Download PDF

Info

Publication number
CN104392701A
CN104392701A CN201410626091.XA CN201410626091A CN104392701A CN 104392701 A CN104392701 A CN 104392701A CN 201410626091 A CN201410626091 A CN 201410626091A CN 104392701 A CN104392701 A CN 104392701A
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
electrically connected
node
grid
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410626091.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104392701B (zh
Inventor
戴超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201410626091.XA priority Critical patent/CN104392701B/zh
Priority to US14/424,371 priority patent/US9501991B1/en
Priority to GB1703825.8A priority patent/GB2544694B/en
Priority to JP2017519242A priority patent/JP6419325B2/ja
Priority to PCT/CN2015/072360 priority patent/WO2016070515A1/zh
Priority to KR1020177007045A priority patent/KR101943235B1/ko
Publication of CN104392701A publication Critical patent/CN104392701A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104392701B publication Critical patent/CN104392701B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
    • G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0404—Matrix technologies
    • G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
    • G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
    • G09G2320/045—Compensation of drifts in the characteristics of light emitting or modulating elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，该用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的下拉维持电路部分(600)具有主反相器与辅助反相器，引入一个恒压低电位(DCL)，且设置恒压低电位(DCL)<第二负电位(VSS2)<第一负电位(VSS1)，能够避免氧化物半导体薄膜晶体管电性对扫描驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的功能性不良，确保下拉维持电路部分(600)能够在作用期间正常拉低，在非作用期间处于较高的电位，有效维持第一节点(Q(N))和输出端(G(N))处于低电位。

Description

用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路。 
背景技术
GOA(Gate Drive On Array)，是利用薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)液晶显示器阵列(Array)制程将栅极驱动器制作在薄膜晶体管阵列基板上，以实现逐行扫描的驱动方式。 
通常，GOA电路主要由上拉部分(Pull-up part)、上拉控制部分(Pull-up control part)、下传部分(Transfer part)、下拉部分(Pull-down part)、下拉维持电路部分(Pull-down Holding part)、以及负责电位抬升的上升部分(Boost part)组成，上升部分一般由一自举电容构成。 
上拉部分主要负责将输入的时钟信号(Clock)输出至薄膜晶体管的栅极，作为液晶显示器的驱动信号。上拉控制部分主要负责控制上拉部分的打开，一般是由上级GOA电路传递来的信号作用。下拉部分主要负责在输出扫描信号后，快速地将扫描信号(亦即薄膜晶体管的栅极的电位)拉低为低电平。下拉维持电路部分则主要负责将扫描信号和上拉部分的信号保持在关闭状态(即设定的负电位)。上升部分则主要负责对上拉部分的电位进行二次抬升，确保上拉部分的正常输出。 
随着氧化物半导体薄膜晶体管的发展，氧化物半导体相应的面板周边集成电路也成为关注的焦点。氧化物薄膜晶体管的载流子迁移率是非晶硅薄膜晶体管的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能。因此，氧化物半导体薄膜晶体管的GOA电路未来有可能取代非晶硅的GOA电路，而现有技术中针对氧化 物半导体薄膜晶体管的GOA电路的开发较少，尤其需要克服很多由于氧化物薄膜晶体管电性本身带来的问题。例如：传统的非晶硅薄膜晶体管的电学特性中阈值电压一般大于0V，而且亚阈值区域的电压相对于电流的摆幅较大，这样在电路设计中即使某些晶体管在操作时晶体管栅极与源极之间的电压Vgs在等于0V附近产生的漏电流也较小。但氧化物半导体薄膜晶体管由于其材料本身的特性与非晶硅有明显的差异，其阈值电压值在0V左右，而且亚阈值区域的摆幅较小，而GOA电路在关态时很多元件操作在Vgs＝0V，这样就会增加氧化物半导体薄膜晶体管GOA电路设计的难度，一些适用于非晶硅半导体的扫描驱动电路应用到氧化物半导体时就会存在一些功能性问题。此外，在某些外在因素的诱导和应力作用下，氧化物半导体薄膜晶体管有时候也会产生阈值电压往负值减小的趋势，这样将会直接导致氧化物半导体薄膜晶体管GOA电路无法工作，因此在设计电路时还必须要考虑这种元件特性对GOA电路的影响。 
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，解决氧化物薄膜晶体管电性对GOA驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的功能性不良，解决目前的氧化物薄膜晶体管扫描驱动电路中下拉维持电路部分在非作用期间不能处于较高的电位的问题。 
针对上述目的，本发明提供了一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，包括级联的多个GOA单元，设N为正整数，第N级GOA单元包括一上拉控制部分、一上拉部分、一下传部分、一第一下拉部分、一自举电容部分和一下拉维持电路部分； 
所述上拉控制部分，包括第十一晶体管，所述第十一晶体管的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的驱动输出端，漏级电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的输出端，源极电性连接于第一节点； 
所述第一下拉部分包括一第四十一晶体管，所述第四十一晶体管的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的下两级GOA单元第N+2级GOA单元的输出端，漏极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二负电位或输出端； 
所述下拉维持部分，包括第五十一晶体管，所述第五十一晶体管的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第四节点；第五十二晶体管，所述第五十二晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第四节点，源极电性连接于第一负电位；第五十三晶体管，所述第五十三晶体管的栅极电性连接于第四节点，漏极电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第二节点；第五十四晶体管，所述第五十四晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第二节点，源极电性连接第三节点；第七十三晶体管，所述第七十三晶体管的栅极电性连接于第四节点，漏极电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第三节点；第七十四晶体管，所述第七十四晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第三节点，源极电性连接于恒压低电位；第四十二晶体管，所述第四十二晶体管的栅极电性连接于第二节点，漏极电性连接于第一节点，源极电性连接于第二负电位；第三十二晶体管，所述第三十二晶体管的栅极电性连接于第二节点，漏极电性连接于输出端，源极电性连接于第一负电位； 
所述第五十一晶体管、第五十二晶体管、第五十三晶体管、第五十四晶体管构成主反相器，所述主反相器用于控制第三十二晶体管与第四十二晶体管；所述第七十三晶体管、第七十四晶体管构成辅助反相器，所述辅助反相器在作用期间提供给主反相器低电位，在非作用期间提供给主反相器高电位； 
所述第一负电位、第二负电位与恒压低电位的关系为：恒压低电位<第二负电位<第一负电位。 
所述辅助反相器还包括第七十一晶体管，所述第七十一晶体管的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位，源极电性连接于第七十三晶体管的栅极；第七十二晶体管，所述第七十二晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于第七十三晶体管的栅极，源极电性连接于恒压低电位；所述第七十三晶体管的栅极与第四节点断开。 
所述扫描驱动电路采用的级传方式是第N-2级传给第N级。 
所述上拉部分，包括第二十一晶体管，所述第二十一晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于时钟信号，源极电性连接于输出端； 
所述下传部分包括第二十二晶体管，所述第二十二晶体管的栅极电性连接于第一节点，漏极电性连接于时钟信号，源极电性连接于驱动输出端； 
所述自举电容部分，包括一电容，所述电容的一端电性连接于第一节点， 另一端电性连接于输出端。 
所述扫描驱动电路的第一级连接关系中，第十一晶体管的栅极电性连接于电路的启动信号端，漏极电性连接于电路的启动信号端； 
所述扫描驱动电路的第二级连接关系中，第十一晶体管的栅极与漏极均电性连接于电路的启动信号端。 
所述扫描驱动电路的最后一级连接关系中，第四十一晶体管的栅极电性连接于电路的启动信号端； 
所述扫描驱动电路的倒数第二级连接关系中，第四十一晶体管的栅极电性连接于电路的启动信号端。 
所述时钟信号的波形占空比小于50/50。 
所述时钟信号的波形占空比为40/60。 
所述第一节点的信号输出波形呈“凸”字形。 
所述时钟信号包含四组时钟信号：第一时钟信号、第二时钟信号、第三时钟信号、第四时钟信号。 
本发明的有益效果：本发明提供了一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，该用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的下拉维持电路部分具有主反相器与辅助反相器，引入一个恒压低电位，且设置恒压低电位<第二负电位<第一负电位，能够避免氧化物半导体薄膜晶体管电性对扫描驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的功能性不良，确保下拉维持电路部分能够在作用期间正常拉低，在非作用期间处于较高的电位，有效维持第一节点和输出端处于低电位。 
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。 
附图中， 
图1为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第一实施例的电路图； 
图2为图1所示第一实施例的第一级GOA单元的电路图； 
图3为图1所示第一实施例的第二级GOA单元的电路图； 
图4为图1所示第一实施例的倒数第二级GOA单元的电路图； 
图5为图1所示第一实施例的最后一级即倒数第一级的GOA单元的电路图； 
图6为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第二实施例的电路图； 
图7为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第三实施例的电路图； 
图8为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第四实施例的电路图； 
图9为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的波形设置和关键节点的输出波形图。 
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。 
请参阅图1-5，为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第一实施例。如图1所示，所述用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路为铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)薄膜晶体管的扫描驱动电路，包括级联的多个GOA单元，设N为正整数，第N级GOA单元包括一上拉控制部分100、一上拉部分200、一下传部分300、一第一下拉部分400、一自举电容部分500和一下拉维持电路部分600。 
上述各部分的组成以及具体的连接方式如下： 
所述上拉控制部分100包括第十一晶体管T11，所述第十一晶体管T11的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的驱动输出端ST(N-2)，漏级电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的输出端G(N-2)，源极电性连接于第一节点Q(N)； 
所述上拉部分200包括第二十一晶体管T21，所述第二十一晶体管T21的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于时钟信号CK(M)，源极电性连接于输出端G(N)； 
所述下传部分300包括第二十二晶体管T22，所述第二十二晶体管T22的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于时钟信号CK(M)，源极电性连接于驱动输出端ST(N)； 
所述第一下拉部分400包括一第四十一晶体管T41，所述第四十一晶体管T41的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的下两级GOA单元第N+2级GOA单元的输出端G(N+2)，漏极电性连接于第一节点Q(N)，源极电性连接于第二负电位VSS2； 
所述自举电容部分500包括一电容Cb，所述电容Cb的一端电性连接于第一节点Q(N)，另一端电性连接于输出端G(N)； 
所述下拉维持部分600包括第五十一晶体管T51，所述第五十一晶体管T51的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位DCH，源极电性连接于第四节点S(N)； 
第五十二晶体管T52，所述第五十二晶体管T52的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于第四节点S(N)，源极电性连接于第一负电位VSS1； 
第五十三晶体管T53，所述第五十三晶体管T53的栅极电性连接于第四节点S(N)，漏极电性连接于恒压高电位DCH，源极电性连接于第二节点P(N)； 
第五十四晶体管T54，所述第五十四晶体管T54的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于第二节点P(N)，源极电性连接第三节点K(N)； 
第七十一晶体管T71，所述第七十一晶体管T71的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位DCH，源极电性连接于第七十三晶体管T73的栅极； 
第七十二晶体管T72，所述第七十二晶体管T72的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于第七十三晶体管T73的栅极，源极电性连接于恒压低电位DCL； 
第七十三晶体管T73，所述第七十三晶体管T73的栅极电性连接于第七十一晶体管T71的源极，漏极电性连接于恒压高电位DCH，源极电性连接于第三节点K(N)； 
第七十四晶体管T74，所述第七十四晶体管T74的栅极电性连接于第一节点Q(N)，漏极电性连接于第三节点K(N)，源极电性连接于恒压低电位DCL； 
第四十二晶体管T42，所述第四十二晶体管T42的栅极电性连接于第二节点P(N)，漏极电性连接于第一节点Q(N)，源极电性连接于第二负电位VSS2； 
第三十二晶体管T32，所述第三十二晶体管T32的栅极电性连接于第二节 点P(N)，漏极电性连接于输出端G(N)，源极电性连接于第一负电位VSS1。 
需要特别说明的是，首先，所述第一负电位VSS1、第二负电位VSS2与恒压低电位DCL的关系为：恒压低电位DCL<第二负电位VSS2<第一负电位VSS1。 
其次，该扫描驱动电路采用的级传方式是第N-2级传给第N级，如图2所示，所述扫描驱动电路的第一级连接关系中，第十一晶体管T11的栅极与漏极电性连接于电路的启动信号端STV。 
如图3所示，所述扫描驱动电路的第二级连接关系中，第十一晶体管T11的栅极与漏极均电性连接于电路的启动信号端STV。 
如图4所示，所述扫描驱动电路的倒数第二级连接关系中，第四十一晶体管T41的栅极电性连接于电路的启动信号端STV。 
如图5所示，所述扫描驱动电路的最后一级即倒数第一极连接关系中，第四十一晶体管T41的栅极电性连接于电路的启动信号端STV。 
再次，第一下拉部分400只有第四十一晶体管T41负责下拉第一节点Q(N)，且第四十一晶体管T41的栅极电性连接于第N+2级GOA单元的输出端G(N+2)，T41的源极电性连接于第二负电位VSS2。所述时钟信号CK(M)包含四组时钟信号：第一时钟信号CK(1)、第二时钟信号CK(2)、第三时钟信号CK(3)、第四时钟信号CK(4)，而且时钟信号CK(M)的占空比设置需要小于50/50，以确保第一节点Q(N)呈“凸”字形，优选的，所述时钟信号CK(M)的波形占空比为40/60。 
最为重要的是，所述下拉维持电路部分600采用了特殊的双重反相器设计。其中第五十一晶体管T51、第五十二晶体管T52、第五十三晶体管T53、第五十四晶体管T54四个晶体管构成主反相器，第七十一晶体管T71、第七十二晶体管T72、第七十三晶体管T73、第七十四晶体管T74四个晶体管构成辅助反相器。所述主反相器的作用是控制第三十二晶体管T32和第四十二晶体管T42两个晶体管，所述辅助反相器的作用是在作用期间提供给主反相器低电位，在非作用期间提供给主反相器一个适当的高电位来降低第五十四晶体管T54的漏电，以确保主反相器在非作用期间能够产生较高的电位。 
在作用期间，辅助反相器经恒压高电位DCH与恒压低电位DCL高/低电压驱动后，第五十二晶体管T52被下拉至第一负电位VSS1，第七十四晶体管T74、 第七十二晶体管T72在第一节点Q(N)为高电位时开启并下拉恒压高电位DCH，导致第三节点K(N)为更低电位，第二节点P(N)也被下拉到一更低电位，即辅助反相器在作用期间给主反相器提供了低电位，因而可以杜绝第三十二晶体管T32、第四十二晶体管T42因阈值电压较低或趋近于0V的物理特性所引发的漏电情况发生，确保所述下拉维持电路部分600能够在作用期间正常拉低。 
在非作用期间，第五十二晶体管T52、第五十四晶体管T54、第七十二晶体管T72、第七十四晶体管T74均截止关闭。由于第五十四晶体管T54的栅极电性连接于第一节点Q(N)，源极电性连接于第三节点K(N)，所述第五十四晶体管T54的栅极为负电位，源极为正电位，这样Vgs是一个相对来说非常负值的电位，可以将第五十四晶体管T54关闭得很好，减少它的漏电，即辅助反相器在非作用期间给主反相器提供了一个适当的高电位来降低第五十四晶体管T54的漏电，确保所述下拉维持电路部分600在非作用期间处于较高的电位，有效维持第一节点Q(N)和输出端G(N)处于低电位。此外，在第三节点K(N)为高电位时，还存在电阻分压的功能，可以将第二节点P(N)的电位推得更高，因而可以稳定第二节点P(N)的电位。 
请参阅图6，为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第二实施例。所述第二实施例与第一实施例的区别在于，所述第四十一晶体管T41的源极电性连接于输出端G(N)，通过将第四十一晶体管T41的源极电性连接于输出端G(N)，可以降低第一节点Q(N)在作用期间通过所述第四十一晶体管T41的漏电。除此之外，图6与图1中具有相同标号部分的组成、连接关系、功用与操作原理相同，在此不再赘述。 
请参阅图7，为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第三实施例。所述第三实施例与第一实施例的区别在于，所述辅助反相器部分删减了第七十一晶体管T71与第七十二晶体管T72，将所述第七十三晶体管T73的栅极电性连接到第四节点S(N)，仅由第七十三晶体管T73与第七十四晶体管T74构成辅助反相器，该辅助反相器引用主反相器中的第四节点S(N)来控制第七十三晶体管T73，可以减少辅助反相器的元件数量，不需要额外的元件来产生类似于S(N)节点的波形控制第七十三晶体管T73。 
在作用期间，辅助反相器经第四节点S(N)与恒压低电位DCL高/低电压驱 动后，第五十二晶体管T52被下拉至第一负电位VSS1，第七十四晶体管T74、在第一节点Q(N)为高电位时开启并下拉恒压高电位DCH，导致第三节点K(N)为更低电位，第二节点P(N)也被下拉到一更低电位，即辅助反相器在作用期间给主反相器提供了低电位，因而可以杜绝第三十二晶体管T32、第四十二晶体管T42因阈值电压较低或趋近于0V的物理特性所引发的漏电情况发生，确保所述下拉维持电路部分600能够在作用期间正常拉低。 
在非作用期间，第五十二晶体管T52、第五十四晶体管T54、第七十四晶体管T74均截止关闭。由于第五十四晶体管T54的栅极电性连接于第一节点Q(N)，源极电性连接于第三节点K(N)，所述第五十四晶体管T54的栅极为负电位，源极为正电位，这样Vgs是一个相对来说非常负值的电位，可以将第五十四晶体管T54关闭得很好，减少它的漏电，即辅助反相器在非作用期间给主反相器提供了一个适当的高电位来降低第五十四晶体管T54的漏电，确保所述下拉维持电路部分600在非作用期间处于较高的电位，有效维持第一节点Q(N)和输出端G(N)处于低电位。此外，在第三节点K(N)为高电位时，还存在电阻分压的功能，可以将第二节点P(N)的电位推得更高，因而可以稳定第二节点P(N)的电位。除此之外，图7与图1中具有相同标号部分的组成、连接关系、功用与操作原理相同，在此不再赘述。 
请参阅图8，为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的第四实施例。所述第四实施例与第三实施例的区别在于，所述第四十一晶体管T41的源极电性连接于输出端G(N)，通过将第四十一晶体管T41的源极电性连接于输出端G(N)，可以降低第一节点Q(N)在作用期间通过所述第四十一晶体管T41的漏电。除此之外，图8与图7中具有相同标号部分的组成、连接关系、功用与操作原理相同，在此不再赘述。 
请参阅图9，为本发明用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的波形设置和关键节点的输出波形图。其中STV是电路的启动信号；CK(1)-CK(4)是电路的时钟信号，可以看出这里示意的时钟信号波形的占空比为40/60，可以确保第一节点的Q(N)的信号输出波形呈“凸”字形；VSS1、VSS2、DCH、DCL为输入的恒压控制信号，DCH为高电位，VSS1、VSS2、DCL均为恒压低电位，且DCL<VSS2<VSS1；其它为电路关键节点产生的输出信号波形。由图可知：第一节点Q(N)的信号输出波形呈“凸”字形，输出端G(N)正常输出； 在非作用期间，第一节点Q(N)和输出端G(N)处于低电位。 
综上所述，本发明的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路的下拉维持电路部分具有主反相器与辅助反相器，引入一个恒压低电位，且设置恒压低电位<第二负电位<第一负电位，能够避免氧化物半导体薄膜晶体管电性对扫描驱动电路的影响，尤其是漏电问题带来的功能性不良，确保下拉维持电路部分能够在作用期间正常拉低，在非作用期间处于较高的电位，有效维持第一节点和输出端处于低电位。 
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，但该较佳实施例并非用以限制本发明，该领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。 

Claims (10)

1.一种用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，包括级联的多个GOA单元，设N为正整数，第N级GOA单元包括一上拉控制部分(100)、一上拉部分(200)、一下传部分(300)、一第一下拉部分(400)、一自举电容部分(500)和一下拉维持电路部分(600)；
所述上拉控制部分(100)包括一第十一晶体管(T11)，所述第十一晶体管(T11)的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的驱动输出端(ST(N-2))，漏极电性连接于所述第N级GOA单元的前两级GOA单元第N-2级GOA单元的输出端(G(N-2))，源极电性连接于第一节点(Q(N))；
所述第一下拉部分(400)包括一第四十一晶体管(T41)，所述第四十一晶体管(T41)的栅极电性连接于所述第N级GOA单元的下两级GOA单元第N+2级GOA单元的输出端(G(N+2))，漏极电性连接于第一节点(Q(N))，源极电性连接于第二负电位(VSS2)或输出端(G(N))；
所述下拉维持电路部分(600)包括第五十一晶体管(T51)，所述第五十一晶体管(T51)的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位(DCH)，源极电性连接于第四节点(S(N))；第五十二晶体管(T52)，所述第五十二晶体管(T52)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于第四节点(S(N))，源极电性连接于第一负电位(VSS1)；第五十三晶体管(T53)，所述第五十三晶体管(T53)的栅极电性连接于第四节点(S(N))，漏极电性连接于恒压高电位(DCH)，源极电性连接于第二节点(P(N))；第五十四晶体管(T54)，所述第五十四晶体管(T54)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于第二节点(P(N))，源极电性连接第三节点(K(N))；第七十三晶体管(T73)，所述第七十三晶体管(T73)的栅极电性连接于第四节点(S(N))，漏极电性连接于恒压高电位(DCH)，源极电性连接于第三节点(K(N))；第七十四晶体管(T74)，所述第七十四晶体管(T74)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于第三节点(K(N))，源极电性连接于恒压低电位(DCL)；第四十二晶体管(T42)，所述第四十二晶体管(T42)的栅极电性连接于第二节点(P(N))，漏极电性连接于第一节点(Q(N))，源极电性连接于第二负电位(VSS2)；第三十二晶体管(T32)，所述第三十二晶体管(T32)的栅极电性连接于第二节点(P(N))，漏极电性连接于输出端(G(N))，源极电性连接于第一负电位(VSS1)；
所述第五十一晶体管(T51)、第五十二晶体管(T52)、第五十三晶体管(T53)、第五十四晶体管(T54)构成主反相器，所述主反相器用于控制第三十二晶体管(T32)与第四十二晶体管(T42)；所述第七十三晶体管(T73)、第七十四晶体管(T74)构成辅助反相器，所述辅助反相器在作用期间提供给主反相器低电位，在非作用期间提供给主反相器高电位；
所述第一负电位(VSS1)、第二负电位(VSS2)与恒压低电位(DCL)的关系为：恒压低电位(DCL)<第二负电位(VSS2)<第一负电位(VSS1)。
2.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述辅助反相器还包括第七十一晶体管(T71)，所述第七十一晶体管(T71)的栅极与漏极均电性连接于恒压高电位(DCH)，源极电性连接于第七十三晶体管(T73)的栅极；第七十二晶体管(T72)，所述第七十二晶体管(T72)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于第七十三晶体管(T73)的栅极，源极电性连接于恒压低电位(DCL)；所述第七十三晶体管(T73)的栅极与第四节点(S(N))断开。
3.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，采用的级传方式是第N-2级传给第N级。
4.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述上拉部分(200)包括第二十一晶体管(T21)，所述第二十一晶体管(T21)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于时钟信号(CK(M))，源极电性连接于输出端(G(N))；
所述下传部分(300)包括第二十二晶体管(T22)，所述第二十二晶体管(T22)的栅极电性连接于第一节点(Q(N))，漏极电性连接于时钟信号(CK(M))，源极电性连接于驱动输出端(ST(N))；
所述自举电容部分(500)包括一电容(Cb)，所述电容(Cb)的一端电性连接于第一节点(Q(N))，另一端电性连接于输出端(G(N))。
5.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述扫描驱动电路的第一级连接关系中，第十一晶体管(T11)的栅极电性连接于电路的启动信号端(STV)，漏极电性连接于电路的启动信号端(STV)；
所述扫描驱动电路的第二级连接关系中，第十一晶体管(T11)的栅极与漏极均电性连接于电路的启动信号端(STV)。
6.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述扫描驱动电路的最后一级连接关系中，第四十一晶体管(T41)的栅极电性连接于电路的启动信号端(STV)；
所述扫描驱动电路的倒数第二级连接关系中，第四十一晶体管(T41)的栅极电性连接于电路的启动信号端(STV)。
7.如权利要求4所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述时钟信号(CK(M))的波形占空比小于50/50。
8.如权利要求7所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述时钟信号(CK(M))的波形占空比为40/60。
9.如权利要求1所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述第一节点(Q(N))的信号输出波形呈“凸”字形。
10.如权利要求4所述的用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路，其特征在于，所述时钟信号(CK(M))包含四组时钟信号：第一时钟信号(CK(1))、第二时钟信号(CK(2))、第三时钟信号(CK(3))、第四时钟信号(CK(4))。
CN201410626091.XA 2014-11-07 2014-11-07 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路 Active CN104392701B (zh)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410626091.XA CN104392701B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
US14/424,371 US9501991B1 (en) 2014-11-07 2015-02-06 Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors
GB1703825.8A GB2544694B (en) 2014-11-07 2015-02-06 Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors
JP2017519242A JP6419325B2 (ja) 2014-11-07 2015-02-06 酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるスキャン駆動回路
PCT/CN2015/072360 WO2016070515A1 (zh) 2014-11-07 2015-02-06 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
KR1020177007045A KR101943235B1 (ko) 2014-11-07 2015-02-06 산화물 반도체 박막 트랜지스터용 스캔 구동회로

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410626091.XA CN104392701B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104392701A true CN104392701A (zh) 2015-03-04
CN104392701B CN104392701B (zh) 2016-09-14

Family

ID=52610594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410626091.XA Active CN104392701B (zh) 2014-11-07 2014-11-07 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9501991B1 (zh)
JP (1) JP6419325B2 (zh)
KR (1) KR101943235B1 (zh)
CN (1) CN104392701B (zh)
GB (1) GB2544694B (zh)
WO (1) WO2016070515A1 (zh)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104882108A (zh) * 2015-06-08 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
CN105118459A (zh) * 2015-09-17 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa电路及液晶显示器
CN105321491A (zh) * 2015-11-18 2016-02-10 武汉华星光电技术有限公司 栅极驱动电路和使用栅极驱动电路的液晶显示器
CN106448590A (zh) * 2016-10-11 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的coa电路及显示装置
WO2017128771A1 (zh) * 2016-01-27 2017-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路、驱动方法及显示装置
CN107689221A (zh) * 2017-10-11 2018-02-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路
WO2018040389A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种栅极驱动电路
WO2020177243A1 (zh) * 2019-03-05 2020-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 Goa电路
WO2020206720A1 (zh) * 2019-04-08 2020-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路及显示面板
CN113327537A (zh) * 2021-06-17 2021-08-31 北京京东方显示技术有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409055B (zh) * 2014-11-07 2017-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
US10217429B1 (en) * 2017-10-25 2019-02-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. GOA circuit
US20190285930A1 (en) * 2018-03-13 2019-09-19 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Gate driver on array (goa) unit, goa circuit, and liquid crystal display (lcd) panel
CN108922485B (zh) * 2018-07-17 2020-06-12 惠科股份有限公司 栅极驱动电路结构、显示面板、以及栅极驱动电路结构的驱动方法
US20200035179A1 (en) * 2018-07-26 2020-01-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Liquid crystal panel including goa circuit and driving method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070171115A1 (en) * 2006-01-10 2007-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driver, and thin film transistor substrate and liquid crystal display having the same
CN101079243A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 三菱电机株式会社 移位寄存器电路及具有该移位寄存器电路的图像显示装置
CN101110420A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 国际商业机器公司 减少集成电路泄漏电流的方法和设备
TW201040931A (en) * 2009-03-26 2010-11-16 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device including the same
US8188987B2 (en) * 2008-02-27 2012-05-29 Sony Corporation Display and imaging apparatus and object detecting method
CN103474038A (zh) * 2013-08-09 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器与显示装置
CN104064160A (zh) * 2014-07-17 2014-09-24 深圳市华星光电技术有限公司 具有自我补偿功能的栅极驱动电路

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100803163B1 (ko) * 2001-09-03 2008-02-14 삼성전자주식회사 액정표시장치
TWI398852B (zh) * 2008-06-06 2013-06-11 Au Optronics Corp 可降低時脈偶合效應之移位暫存器及移位暫存器單元
KR20100075141A (ko) * 2008-12-24 2010-07-02 삼성전자주식회사 게이트 구동회로 및 이를 구비한 표시 장치
TWI400686B (zh) * 2009-04-08 2013-07-01 Au Optronics Corp 液晶顯示器之移位暫存器
TWI511459B (zh) 2012-10-11 2015-12-01 Au Optronics Corp 可防止漏電之閘極驅動電路
TWI505245B (zh) * 2012-10-12 2015-10-21 Au Optronics Corp 移位暫存器
JP6116665B2 (ja) * 2013-03-21 2017-04-19 シャープ株式会社 シフトレジスタ
TWI473059B (zh) * 2013-05-28 2015-02-11 Au Optronics Corp 移位暫存器電路
CN103680386B (zh) 2013-12-18 2016-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 用于平板显示的goa电路及显示装置
CN103680453B (zh) * 2013-12-20 2015-09-16 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板行驱动电路
CN103680388B (zh) * 2013-12-26 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 用于平板显示的可修复的goa电路及显示装置
CN103761952B (zh) * 2013-12-31 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶面板的扫描驱动电路、液晶面板和一种驱动方法
CN103928009B (zh) 2014-04-29 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 用于窄边框液晶显示器的栅极驱动器
CN104008741A (zh) * 2014-05-20 2014-08-27 深圳市华星光电技术有限公司 一种扫描驱动电路及液晶显示装置
CN104008742B (zh) * 2014-05-20 2016-06-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种扫描驱动电路及一种液晶显示装置
US9390674B2 (en) * 2014-11-03 2016-07-12 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT
US9407260B2 (en) * 2014-11-03 2016-08-02 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd GOA circuit based on LTPS semiconductor TFT
CN104464662B (zh) * 2014-11-03 2017-01-25 深圳市华星光电技术有限公司 基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的goa电路
US9418613B2 (en) * 2014-11-03 2016-08-16 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. GOA circuit of LTPS semiconductor TFT
CN104409058B (zh) * 2014-11-14 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种扫描驱动电路

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070171115A1 (en) * 2006-01-10 2007-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Gate driver, and thin film transistor substrate and liquid crystal display having the same
CN101079243A (zh) * 2006-05-25 2007-11-28 三菱电机株式会社 移位寄存器电路及具有该移位寄存器电路的图像显示装置
CN101110420A (zh) * 2006-07-19 2008-01-23 国际商业机器公司 减少集成电路泄漏电流的方法和设备
US8188987B2 (en) * 2008-02-27 2012-05-29 Sony Corporation Display and imaging apparatus and object detecting method
TW201040931A (en) * 2009-03-26 2010-11-16 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device including the same
CN103474038A (zh) * 2013-08-09 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器与显示装置
CN104064160A (zh) * 2014-07-17 2014-09-24 深圳市华星光电技术有限公司 具有自我补偿功能的栅极驱动电路

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016197403A1 (zh) * 2015-06-08 2016-12-15 深圳市华星光电技术有限公司 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
GB2545856B (en) * 2015-06-08 2021-03-24 Shenzhen China Star Optoelect GOA circuit based on oxide semiconductor thin film transistor
GB2545856A (en) * 2015-06-08 2017-06-28 Shenzhen China Star Optoelect GOA circuit based on oxide semiconductor thin-film transistor
CN104882108A (zh) * 2015-06-08 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
CN105118459A (zh) * 2015-09-17 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa电路及液晶显示器
WO2017045220A1 (zh) * 2015-09-17 2017-03-23 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa电路及液晶显示器
CN105118459B (zh) * 2015-09-17 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种goa电路及液晶显示器
CN105321491B (zh) * 2015-11-18 2017-11-17 武汉华星光电技术有限公司 栅极驱动电路和使用栅极驱动电路的液晶显示器
CN105321491A (zh) * 2015-11-18 2016-02-10 武汉华星光电技术有限公司 栅极驱动电路和使用栅极驱动电路的液晶显示器
US10019959B2 (en) 2016-01-27 2018-07-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Gate driving circuit, driving method and display device
WO2017128771A1 (zh) * 2016-01-27 2017-08-03 京东方科技集团股份有限公司 一种栅极驱动电路、驱动方法及显示装置
WO2018040389A1 (zh) * 2016-08-31 2018-03-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种栅极驱动电路
US10453410B2 (en) 2016-08-31 2019-10-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Gate driving circuit
CN106448590A (zh) * 2016-10-11 2017-02-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板的coa电路及显示装置
CN107689221A (zh) * 2017-10-11 2018-02-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路
WO2020177243A1 (zh) * 2019-03-05 2020-09-10 深圳市华星光电技术有限公司 Goa电路
WO2020206720A1 (zh) * 2019-04-08 2020-10-15 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Goa电路及显示面板
CN113327537A (zh) * 2021-06-17 2021-08-31 北京京东方显示技术有限公司 移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US9501991B1 (en) 2016-11-22
CN104392701B (zh) 2016-09-14
KR20170042352A (ko) 2017-04-18
GB201703825D0 (en) 2017-04-26
US20160343329A1 (en) 2016-11-24
KR101943235B1 (ko) 2019-04-17
GB2544694A (en) 2017-05-24
JP6419325B2 (ja) 2018-11-07
JP2018500583A (ja) 2018-01-11
GB2544694B (en) 2021-03-03
WO2016070515A1 (zh) 2016-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104392701A (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
CN104409055A (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
KR101944641B1 (ko) Igzo 프로세스 기반인 게이트 전극 구동회로
CN104392700A (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
EP3614369B1 (en) Scan drive circuit
KR101944640B1 (ko) Igzo 프로세스 기반인 게이트 전극 구동회로
CN104464662B (zh) 基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的goa电路
CN104882108A (zh) 基于氧化物半导体薄膜晶体管的goa电路
CN104505050B (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的扫描驱动电路
CN106683631A (zh) 一种igzo薄膜晶体管的goa电路及显示装置
CN104269152B (zh) 用于氧化物半导体薄膜晶体管的行驱动电路
EP3564944B1 (en) Goa circuit, and liquid crystal display
CN104464661A (zh) 基于低温多晶硅半导体薄膜晶体管的goa电路
US10475390B2 (en) Scanning driving circuit and display apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant