规模化制备大片石墨烯的方法
技术领域
本发明涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法。
背景技术
石墨烯是由碳原子通过sp2杂化构成的单原子层蜂窝状二维网格结构。石墨烯以二维晶体结构存在,厚度只有0.334nm,是目前世界上已知的最薄的材料,也是构筑其它维度炭质材料的基本单元,它可以包裹起来形成零维的富勒烯,卷起来形成一维的碳纳米管,层层堆积形成三维的石墨(Allen M J,Tung V C,Kaner R B.Honeycombcarbon:A review of graphene[J].Chemical Reviews,2010,110(1):132-145.)。得益于这种特殊的二维结构,石墨烯具有许多特殊的性能。其理论比表面积高达2630m2/g,拥有超高的杨氏模量(~1100GPa)和断裂强度(125GPa),以及优良的热传导性(~5000W/(m×k))和载流子传导率(2×105cm2/v),此外,石墨烯在电和磁学性能等方面也有很多其他的特性,如室温量子霍尔效应、双极性电场效应、铁磁性、超导性等。这些优异的性能使得石墨烯在纳米电子器件、气体传感器、能量存储及复合材料等领域有广阔的应用前景(Geim A K,Novoselov K S.The rise of graphene[J].NatureMaterials,2007,6(3):183-191.)。
至今虽然世界各国已提出了制备石墨烯的多种方法,但所制备石墨烯片层径向尺度均较小,尤其是后续需要超声剥离的工艺过程对石墨烯边沿结构破坏非常严重。由于超声波提供的瞬时巨大冲击能量以及物料与介质作用部分瞬间的高温微环境,使石墨烯片层受到强剪切力和冲击力而碎裂为微米、亚微米甚至是纳米级别的片层径向尺寸。因而现有的液相氧化-还原方法的化学氧化和超声剥离制备过程很难得到片层结构大尺寸的石墨烯。同时,目前化学剥离法都离不开水洗过程,水洗后的氧化石墨片层之间产生巨大的内聚力,使得氧化石墨的粘度瞬间变得非常大。这样不但使进一步去除离子和杂质的清洗过程变的异常困难而需要更长的时间和消耗更大的动力来完成氧化石墨的洗涤、过滤和干燥。而且强大内聚力使得插层后的氧化石墨片层间的间距逆向发展即氧化石墨片层的间距会有所减小,这一结果使石墨烯的剥离变得愈加困难,非常不利于片层的剥离。若要达到有效的超声剥离和片层分离就需要更大功率和更长时间的超声处理来实现。可以想见氧化石墨长时间处于强烈超声和空化状态其晶体结构就会发生严重的破坏而导致所制备石墨烯部分性能的损失。这是目前液相氧化-还原的化学剥离法制备石墨烯的又一瓶颈问题。此外,目前液相氧化-还原的化学剥离法需要非常长的时间和十分巨大的动力消耗用来解决氧化石墨的洗涤和过滤过程,这一制约因素使其产品的制备成本大幅提高,生产效率急剧降低。总之,目前液相化学剥离方法制备石墨烯的过程普遍存在制备条件苛刻、工艺复杂、效率较低、片层径向尺度小。所制备石墨烯由于氧化过度和反应剧烈而导致晶格缺陷多、SP2杂化结构破坏严重、本征性能丧失较大。因而,开发一种温和插层、工艺简便、生产高效、片层径向尺寸大及规模制备的石墨烯的制备方法是必要而迫切的。
石墨烯的片层大小对电子器件、复合材料的导电性和石墨烯-聚合物纳米复合材料的机械性能、抗静电性、抗气体阻隔性、导电性和导热性等性能均有着决定性的影响(LinX,Shen X,Zheng Q,Yousefi N,Ye L,Mai Y-W,et a1.Fabrication of Highly-Aligned,Conductive,and Strong Graphene Papers Using UltralargeGraphene Oxide Sheets.ACS Nano.2012;6(12):10708-19)。片层径向尺寸较大的石墨烯,能够有效地在所构筑材料基体内形成较完整的网络结构,联通和搭桥式的网络结构可以显著地提高材料的抗静电性、抗气体阻隔性、导电性和导热性等综合性能,与普通小片石墨烯相比,径向尺度较大的大片石墨烯使用较低的添加量就可以实现和达到所构筑材料的上述功能性。因此大片石墨烯的制备和规模化生产技术是迫切而关键的。目前,已经有以小粒度石墨粉或膨胀石墨为原料,采用改进的Hummers法制备氧化石墨烯的专利报道,然而以小粒径石墨粉为原料时,其氧化效率较高。现有技术以大粒度鳞片状石墨为原料时,其氧化效率及氧化石墨的可剥离度均较差,产品需要进行后续的分级分离,产率低,工艺繁琐。例如闵永刚等[CN 103741264 A]先用强酸对石墨进行插层,高温膨胀,再用Hummers法进行氧化,离心、透析后得到大片的氧化石墨烯,所得石墨烯产品的片层径向尺寸较小(20~80μm),制备工艺复杂,成本较高。
发明内容
本发明的目的在于针对上述现有技术存在的不足,提供一种原料成本低廉、易得、操作简便及工艺简单(效率高)、产率高、片层径向尺寸大且晶体结构完好(质量高)的规模化制备大片石墨烯的方法。
本发明所述的规模化制备大片石墨烯的方法,由石墨氧化---稀盐酸清洗---高温处理三个步骤构成。实现了高质量大片石墨烯规模化制备的低成本、高效率、低能耗及环境友好的途径。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
本发明涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,通过用酸和氧化剂在温和的条件下对石墨粉进行插层处理,用稀盐酸洗去其中的金属及无机离子,过滤干燥,高温处理得到所述大片石墨烯。避免了目前氧化-还原的方法需要高温、持续和多步氧化的处理过程,并且杜绝了传统方法水洗后的氧化石墨片层之间产生巨大的内聚力而使氧化石墨的粘度瞬间变得非常大的致命缺陷。粘度增大可使石墨烯制备过程中去除离子和杂质的清洗过程变的异常困难而需要更长的时间和消耗更大的动力来完成氧化石墨的洗涤、过滤和干燥。同时,本发明有效破解了目前氧化-还原方法中氧化石墨后处理时产生的片层间强大的范德华力和内聚力,而使得插层后的氧化石墨片层间的间距逆向发展即氧化石墨片层的间距会迅速减小的问题得到有效解决。因为氧化石墨片层间作用力的增强会使得氧化后石墨的剥离变得愈加困难,非常不利于氧化石墨片层的剥离而获得片层更薄的石墨烯。
作为优选技术方案,所述酸选自浓硫酸、浓硝酸、磷酸、高氯酸中一种或几种的混合物。
作为优选技术方案,所述氧化剂选自高锰酸钾、氯酸钾、氯酸钠、过硫酸钾以及重铬酸钾中的一种或几种。
作为优选技术方案,所述石墨粉选自天然鳞片石墨粉、可膨胀石墨粉、膨胀石墨粉中的一种或几种的组合。所述石墨粉的片层径向尺寸为300~500μm。
作为优选技术方案,所制备得到的大片石墨烯的片层径向尺度分布在20um~200um之间,并且可以通过对反应的物料配比、反应时间、搅拌速率等动力学条件控制来调控石墨烯的径向尺度大小和分布。
作为优选技术方案,每克石墨粉对应的酸用量为20~60ml;每克石墨粉对应的氧化剂用量为5~10g。
作为优选技术方案,每克石墨粉对应的稀盐酸用量为150~350ml;所述稀盐酸的体积百分比浓度为0.5~10%。
作为优选技术方案,所述高温处理的温度为500~1050℃。本发明中采用高温处理实现片层剥离。片层剥离不需要传统氧化-还原方法采用的超声剥离和长时间高能量剪切与高速研磨处理来实现。避免了氧化石墨长时间处于强烈超声、空化状态及强能量作用下其晶体结构发生严重破坏而导致所制备石墨烯本征性能的丧失。
作为优选技术方案,所述方法具体包括如下步骤:
A、将石墨粉与酸混合,在冰浴中缓慢加入氧化剂,混合均匀后在冰浴中反应2~48小时,升温到35℃,继续氧化36~120小时后,用水稀释,加入过氧化氢,得到含有氧化石墨的混合水溶液;
B、将所述含有氧化石墨的混合水溶液抽滤过滤,先用10%(V/V)稀盐酸清洗,再用0.5~1%(V/V)的稀盐酸将残留的金属离子及无机离子清洗干净,过滤、干燥,得滤饼;
C、将所述滤饼粉碎,高温处理15~30秒,即得所述大片石墨烯。
作为优选技术方案,步骤A中,每克石墨粉对应的过氧化氢用量为2~20ml;每克石墨粉对应的水的用量为150~200ml。
作为优选技术方案,步骤B中,所述干燥温度为30~85℃,干燥时间为48~200小时。
作为优选技术方案,步骤C中,所述粉碎设备采用轮碾机、振动磨、涡轮粉碎机、气流粉碎机、风扇磨煤机、砂磨机、胶体磨、球磨机、家用粉碎机中的一种。
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1、本发明所用原料廉价,工艺简便,效率高且不需要水洗,不需要超声剥离,少量可挥发性的盐酸分子吸附在氧化石墨的片层之间,在高温处理时,氧化石墨的含氧基团快速分解,产生大量的气体促使片层分离。同时吸附有盐酸分子的氧化石墨片也能膨胀和释放出气体而使其瞬间剥离,上述双重作用便实现了氧化石墨的高效剥离,并且避免了用超声剥离时对石墨烯晶体结构严重破坏和片层径向尺寸的连续打碎的弊端,从而获得片层径向尺寸大且质量高的石墨烯,易实现工业化大批量生产。
2、本发明制备的石墨烯的片层径向尺度分布在20um~200um之间,可以通过对石墨原料及反应条件控制来调控石墨烯的径向尺度大小和分布,制备的石墨烯缺陷少、质量高、比表面积大,尤其是其机械性能、电学性能和导热性能损失小。石墨烯分散在N-甲基吡咯烷酮中,抽滤成膜的导电率在600S/cm以上,可满足复合材料、电子工业领域对高质量石墨烯产品的要求。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明专利的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为制备石墨烯的工艺流程图;
图2为实施例1中石墨、氧化石墨和石墨烯的X射线衍射图谱;
图3为石墨烯的SEM照片;
图4为石墨烯片的局部TEM照片;
图5为实施例2中石墨烯、氧化石墨、石墨粉的拉曼图谱。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。应当指出的是,对本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进。这些都属于本发明的保护范围。
本发明涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,通过用酸和氧化剂对大片石墨进行插层和修饰处理,用稀盐酸洗去其中的金属及无机离子,过滤干燥,高温处理得到高质量的大片石墨烯,有效避免了常规方法用水洗至中性而产生的一系列制约高质量石墨烯高效率制备的问题。本发明包括以下步骤:
(1)将石墨与酸混合,在冰浴中缓慢加入氧化剂,混合均匀后在冰浴中反应2~48小时,升温到35℃,继续氧化36~120小时后,用水稀释,加入一定量的过氧化氢,得到含有氧化石墨的混合水溶液。石墨可为天然鳞片石墨、可膨胀石墨或膨胀石墨的一种或几种的组合,石墨的片层大小可选择300~500μm。酸(公认为是98%的酸)为浓硫酸、浓硝酸、磷酸、高氯酸中一种或几种混合物。氧化剂为高锰酸钾、氯酸钾、氯酸钠、过硫酸钾以及重铬酸钾中的一种或几种。石墨与酸的比例为1g∶20~60ml,石墨与氧化剂的比例为1g∶5~10g,石墨与20%(V/V)过氧化氢水溶液的比例为1g∶2~20ml。
(2)将上述得到的氧化石墨的混合水溶液真空过滤,用10%盐酸水溶液清洗,将残留的金属离子及无机离子清洗干净并过滤后,在一定的温度下干燥。石墨与清洗用稀盐酸的比例为1g∶300~500ml,过滤后氧化石墨滤饼的干燥温度为30~85℃,氧化石墨滤饼的干燥温度时间为48~200小时。
(3)将稀盐酸清洗后得到的滤饼用机械粉碎,在一定的高温下处理15~30秒,即可得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在90%以上。粉碎设备为轮碾机、振动磨、涡轮粉碎机、气流粉碎机、风扇磨煤机、砂磨机、胶体磨、球磨机、家用粉碎机等的一种。氧化石墨粉处理的高温范围500~1350℃。具体见以下各实施例:
实施例1
本实施例涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,具体制备工艺如图1所示:
将12g 500μm天然鳞片石墨与260ml浓硫酸混合,在冰浴条件下缓慢加入60g高锰酸钾,混合均匀后在冰浴中反应2小时,升温到35℃,继续氧化48小时后,缓慢加入1.8L水,加入30ml20%(V/V)的过氧化氢水溶液,得到含有氧化石墨的混合水溶液。氧化石墨的混合水溶液真空过滤,分别用1L 10%(V/V)和1L 0.5%(V/V)盐酸清洗,将残留的金属离子及无机离子清洗干净,在60℃下干燥48小时。用家用粉碎机将滤饼粉碎成粉末,在1050℃下处理15s得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在90%以上。
上述所得的大片石墨烯,石墨烯片层径向尺寸在20~100um之间的有50%,石墨烯片层径向尺寸大于100μm的有15%。
图2为石墨、氧化石墨和石墨烯的X射线衍射图,由图2可知,天然石墨粉的特征峰在26.4°,为石墨晶体的(002)晶面。根据布拉格衍射方程计算,层间距为0.34nm。当天然石墨粉被氧化后,天然石墨粉的(002)峰消失,氧化石墨的特征峰在10.8°,为(001)晶面特征峰,对应层间距为0.84nm。而石墨烯在26.4°的位置出现特征峰(002),相对于天然石墨粉的特征峰,石墨烯在此位置的特征峰明显宽化,表明石墨烯比天然石墨粉的片层间距增大,即天然石墨粉被剥离成了石墨烯。
图3为本实施例制得的石墨烯的SEM照片,图4为石墨烯片的局部TEM照片。由图3、4可知,本发明所制备的石墨烯片层径向尺寸大、片结构平展、晶体缺陷少、质量高。
实施例2
本实施例涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,具体制备工艺如图1所示:
将12g 500μm可膨胀石墨与720ml浓硫酸混合,在冰浴条件下缓慢加入120g氯酸钾,混合均匀后在冰浴中反应48小时,升温到35℃,继续氧化36小时后,缓慢加入2L水,加入240ml的过氧化氢,得到含有氧化石墨的混合水溶液。氧化石墨的混合水溶液真空过滤,分别用2L 10%(V/V)和1L 0.5%(V/V)的盐酸清洗,将残留的金属离子及无机离子清洗干净,在85℃下干燥100小时。用家用粉碎机将滤饼粉碎成粉末,在850℃下处理30s得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在90%以上。
上述所得的大片石墨烯,石墨烯片层径向尺寸在20~100um之间的有65%,石墨烯片层径向尺寸大于100μm的有13%。
图5为本实施例制得的石墨烯、氧化石墨、石墨粉的拉曼图,石墨稀的拉曼光谱的主要特征峰是D峰(位于1340cm-1)、G峰(1580cm-1)和2D峰(2700cm-1)。D峰的产生过程涉及缺陷对入射光子的散射过程因此能反映石墨稀由于基团、缺陷和边缘引起的无序度。缺陷越多,无序度越高,D峰越强。石墨粉经氧化插层后,缺陷增多,D峰高,经过高温膨胀还原后,D峰明显减弱,说明该发明制备的石墨烯缺陷少、质量高。
实施例3
本实施例涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,具体制备工艺如图1所示:
将12g 300μm石墨粉与480ml高氯酸混合,在冰浴条件下缓慢加入90g过硫酸钾,混合均匀后在冰浴中反应20小时,升温到35℃,继续氧化120小时后,缓慢加入2.4L水,加入24ml的过氧化氢,得到含有氧化石墨的混合水溶液。氧化石墨的混合水溶液真空过滤,分别用1.4L 10%(V/V)和1L 1%(V/V)的盐酸清洗,将残留的金属离子及无机离子清洗干净,在30℃下干燥200小时。用家用粉碎机将滤饼粉碎成粉末,在500℃下处理30s得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在85%以上。
上述所得的大片石墨烯,石墨烯片层径向尺寸在20~100um之间的有80%,石墨烯片层径向尺寸大于100μm的有5%。
实施例4
本实施例涉及一种规模化制备大片石墨烯的方法,具体制备工艺如图1所示:
将12g 400μm膨胀石墨与240ml磷酸混合,在冰浴条件下缓慢加入60g重铬酸钾,混合均匀后在冰浴中反应2小时,升温到35℃,继续氧化48小时后,缓慢加入1.8L水,加入30ml的过氧化氢,得到含有氧化石墨的混合水溶液。氧化石墨的混合水溶液真空过滤,分别用1L 10%(V/V)和1L 0.8%(V/V)的盐酸清洗,将残留的金属离子及无机离子清洗干净,在60℃下干燥。用家用粉碎机将滤饼粉碎成粉末,在1050℃下处理15s得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在90%以上。
上述所得的大片石墨烯,石墨烯片层径向尺寸在20~100um之间的有70%,石墨烯片层径向尺寸大于100μm的有8%。
实施例5
将实施例1所制备氧化石墨,采用1350℃下处理15s得到大片石墨烯,层数在10层以下的石墨烯产率在90%以上。与实施例1相比1350℃处理后所获得石墨烯的质量更高,拉曼光谱中的D峰基本上消失即石墨烯的缺陷和结构不完整性在更高的温度下极大地减少和降低。说明采用更高温度(譬如1350℃)剥离和还原氧化石墨在1050℃剥离和还原的过程获得更少缺陷和更大还原程度即还原更加彻底的高质量石墨烯。所制备大片石墨烯的诸如导电、导热等本征性能会进一步提升。
综上所述,本发明的规模化制备大片石墨烯的方法中,石墨插层过程采用温和方式,插层处理后的氧化石墨的洗涤、过滤和干燥等后处理过程非常简便和高效,避免了用大量蒸馏水水将氧化石墨洗至中性时产生的一系列制约石墨烯高质量、高效率制备的问题。本发明所用原料廉价,条件温和、工艺简便,能耗低、环境友好且不需要水洗和超声剥离,易实现工业化大批量生产。本发明所制备的石墨烯的尺度分布在20um~200um之间,可以通过对石墨原料选择及反应条件控制来实现石墨烯片层的径向尺度和尺寸分布的调控。本发明所制备的石墨烯缺陷少、质量高,基本能够保持其本征性能尤其是电学性能和导热性。石墨烯分散液抽滤成膜的导电率在600S/cm以上,可满足石墨烯薄膜、纤维及复合材料等利用其机械性能和电子材料与功能涂层等发挥其功能性特性领域对高质量石墨烯产品的要求。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是,本发明并不局限于上述特定实施方式,本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改,这并不影响本发明的实质内容。