CN104317450A - 一种导电走线制作工艺 - Google Patents

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Abstract

一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括：铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，其四周具有遮挡，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面，使其均匀分布。烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行低温烧结。回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。上述导电走线制作工艺无需在黄光工作室进行，剩余的纳米导电材料颗粒可以进行回收，制作成本低，速度快。并且高能光束的工艺精度高，纳米导电材料颗粒材料均匀，走线宽度均匀，并能够完成各种图形和线宽的走线。

Description

一种导电走线制作工艺
技术领域
本发明涉及一种导电走线的制作工艺，尤其是一种触摸屏的导电走线制作工艺。
背景技术
随着科学技术的发展，触摸屏已逐渐取代按键应用于手机、笔记本等个人数码产品，近年来，电磁炉冰箱等家用电器以及ATM机、自助服务终端机等生活设施也开始应用触摸屏进行操作，触摸屏已经渗透到人们生活的各个方面。
现有的触摸屏制作方法中，一种是采用ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)作为原材料，在利用溅射、蒸镀等工艺将ITO铺设于绝缘基材上，并在黄光工作室的条件下，通过干式刻蚀或者湿式刻蚀工艺形成导电走线。另一种为金属网格的制备，通常是通过印刷的方式，在绝缘基材上形成导电走线。还有一种方式是通过在绝缘基材上设置走线凹槽，在走线凹槽中填充导电材料，构成导电走线。
上述两种制备方式中，ITO为原材料的制备方法随让刻蚀技术相对成熟，但是阻抗高，影响电容屏的反应速度，在多指划线时会有延时产生，并且ITO的制作成本相对较高。而金属网格的制备过程中，金属网格的走线宽度受到限制，金属网格的走线宽度为5um时，能够在触摸屏表面看到走线，影响视觉效果，走线宽度达到2um时，光线发射大，会产生雾化效果，造成画面模糊，并且，通过印刷的方式的进行制备时，网格容易不均匀，合格率不足。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种制作成本低、走线宽度均匀且不受限制的导电走线制作工艺。
为了实现上述目的，本发明提供一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括：
(1)铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，其四周具有遮挡，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面，使其均匀分布；
(2)烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行低温烧结；
(3)回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。
进一步的，所述铺设工艺中，将所述绝缘基底放置于所述工作台面的凹槽内，并使用框形治具压住绝缘基底。或者将所述绝缘基底放置于所述工作台面上，使用框形治具压住绝缘基底的四周。
进一步的，所述铺设工艺中，通过振动，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。或者通过治具刮擦操作，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。
进一步的，所述铺设工艺中，将纳米导电材料颗粒置于所述绝缘基底的中心位置，通过水平转动所述绝缘基底，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。
还提供了另一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括：
(1)铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，所述绝缘基底具有根据预先设计的导电线路设置的沟槽，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面的沟槽内；
(2)烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行烧结；
这两种导电走线制作工艺中，所述烧结工艺，根据纳米导电材料颗粒的直径，设置调节烧结的温度和时间。
进一步的，所述烧结工艺中，所述单个高能光束工作或者多个高能光束共同工作。
与现有技术相比，本发明的导电走线制作工艺无需在黄光工作室进行，剩余的纳米导电材料颗粒可以进行回收，制作成本低，速度快。并且高能光束的工艺精度高，纳米导电材料颗粒材料均匀，走线宽度均匀，并能够完成各种图形和线宽的走线。
附图说明
图1是本发明一种导电走线制作工艺的流程图。
图2是本发明导电走线制作工艺的具体步骤。
图3是本发明另一种导电走线制作工艺的流程图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
触摸屏包括绝缘基底和设置于绝缘基底上的导电走线，绝缘基底为曲面结构或者平面结构，并具有一定的透明度，采用玻璃、石英、金刚石等，主要起到绝缘和支撑的作用。需要说明的是上述材料的列举，只是举例说明，并不是限定绝缘基底的材料。导电走线采用纳米导电材料颗粒，可以是银、铜等，纳米导电材料颗粒的直径小于100纳米，所述纳米导电材料颗粒直径的大小关系到导电走线的线宽。通过将所述纳米导电材料颗粒在所述绝缘基底上形成图形，实现触摸检测的目的，因本发明主要介绍的是导电走线的制作工艺，因此对导电走线的图形未做具体介绍，可根据需要设置。需要说明的是上述材料的列举，只是举例说明，并不是限定绝缘基底和纳米导电材料颗粒的材料。
本发明的导电走线制作工艺需在净化车间内进行，所需的工作台面所述工作台面设置有凹槽，所述凹槽面积大于绝缘基底的面积，且所述凹槽的底部平整。所述工作台面上也可以不设置凹槽，通过框形治具固定绝缘基底，并和绝缘基底共同构成凹槽。
下面具体介绍其中一种导电走线的制作工艺。
具体的工艺流程如图1和图2所示，包括铺设工艺、烧结工艺和回收工艺三个部分。
铺设工艺，将绝缘基底放置于平整的工作台面的凹槽上，使用框形治具压住绝缘基底的四周，使其保持整齐。或者将所述绝缘基底放置于所述工作台面上，使用框形治具压住绝缘基底的四周，使其保持整齐。向绝缘基底表面注入纳米导电材料颗粒，然后通过振动所述绝缘基底，使其上的纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。可以通过在所述工作台面的前后两侧安装滚轮或者左右两侧安装滚轮或者两者的结合，带动所述绝缘基底前后振动或者左右振动。也可以通过治具在基台表面一定高度处进行刮擦操作，使得所述纳米导电材料可以均匀分布在所述绝缘基底上。还有一种方式是将需要铺设在所述绝缘基底的纳米导电材料放置于所述绝缘基底的中心位置，通过电机带动，水平转动所述绝缘基底，使得其上的纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上，所述电机设置在所述绝缘基底中心位置的正下方。
烧结工艺，根据设计好的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行低温烧结，可以通过移动的方式完成所有的线路烧结。所使用的高能光束可以是激光、红外线等，根据纳米导电材料颗粒的直径，设置调节烧结的温度和时间。可以使用单个高能光束进行工作，也可以使用多个高能光束分别烧结不同位置，共同工作。
回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收。未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒，未固定于绝缘基底上，因此将绝缘基底上未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒倒入回收盘即可，或者通过溶液对绝缘基底进行冲刷，对未烧结的纳米导电材料颗粒进行回收。
下面具体介绍另一种导电走线制作工艺。
如图3所示，其工艺步骤包括：
铺设工艺，将绝缘基底放置于平整的工作台面的凹槽上，使用框形治具压住绝缘基底的四周，使其保持整齐。或者将所述绝缘基底放置于所述工作台面上，使用框形治具压住绝缘基底的四周，使其保持整齐；也可以直接将所述绝缘基底放置于平整的工作台面上。在所述绝缘基底上根据预先设计好的导电线路走线方式设置沟槽，可以通过刻、划、压等多种方式实现；也可以事先在所述绝缘基底上设置沟槽，然后再放置一所述工作台面上。然后，依据绝缘基底上的沟槽，向绝缘基底的沟槽内注入纳米导电材料颗粒。
烧结工艺，在向所述绝缘基底的沟槽内注入纳米导电材料颗粒的同时，使用高能光束聚光在已经注入纳米导电材料颗粒的位置进行低温烧结，这样铺设工艺和烧结工艺可以同时进行，提高速度。
回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收。若沟槽宽度与走线宽度相一致，未有未烧结的纳米导电材料颗粒，此步骤可省略。
本发明的导电走线制作工艺无需在黄光工作室进行，且加工速度快，剩余的纳米导电材料颗粒可以进行回收，制作成本低。并且高能光束的工艺精度高，纳米导电材料颗粒材料均匀，走线宽度均匀，并能够完成各种图形和线宽的走线。

Claims (10)

1.一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括： 
(1)铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，其四周具有遮挡，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面，使其均匀分布； 
(2)烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要烧结的位置，进行烧结； 
(3)回收工艺，将未被高能光束烧结的纳米导电材料颗粒回收至回收盘中。 
2.如权利要求1所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述铺设工艺中，将所述绝缘基底放置于所述工作台面的凹槽内。 
3.如权利要求1或者2所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述铺设工艺中，使用框形治具压住绝缘基底的四周。 
4.如权利要求1或者2所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述铺设工艺中，通过振动所述绝缘基底，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。 
5.如权利要求1或者2所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述铺设工艺中，通过治具刮擦操作，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。 
6.如权利要求1或者2所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述铺设工艺中，将纳米导电材料颗粒置于所述绝缘基底的中心位置，通过水平转动所述绝缘基底，使所述纳米导电材料颗粒均匀分布在所述绝缘基底上。 
7.一种导电走线的制作工艺，其工艺步骤包括： 
(1)铺设工艺，将绝缘基底放置于工作台面上，所述绝缘基底具有根据预先设计的导电线路设置的沟槽，将纳米导电材料颗粒注入绝缘基底表面的沟槽内； 
(2)烧结工艺，根据预先设计的导电线路走线方式，使用高能光束聚光在需要 烧结的位置，进行烧结。 
8.如权利要求7所述的导电走线制作工艺，其特征在于：在所述铺设工艺进行的同时，进行烧结工艺。 
9.如权利要求1、2、7或者8所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述烧结工艺中，根据纳米导电材料颗粒的直径，设置调节烧结的温度和时间。 
10.如权利要求1、2、7或者8所述的导电走线制作工艺，其特征在于：所述烧结工艺中，所述单个高能光束工作或者多个高能光束共同工作。 
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