CN102789334A - 一种纳米触控膜的生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示了一种纳米触控膜的生产方法,通过传送带连接实现流水线生产,经过涂布、喷印、烧结、电极化处理、封装和检测等步骤得到成品。本发明解决了高透明、大尺寸感应薄膜的低成本量产技术问题,突破了国际上现有ITO导电膜尺寸小、透明度低的技术瓶颈,打破国外行业垄断,同时实现了流水线生产,降低了生产成本,提高了生产效率和产品质量,节能环保。

Description

一种纳米触控膜的生产方法
技术领域
本发明涉及光学液晶工作单元纳米材料领域,尤其涉及一种纳米触控膜的生产方法。
背景技术
纳米触控膜是一种封装纳米导线为主的感应薄膜,集精准感应定位、柔性、高透明等多种功能于一体,用于10英寸以上触控屏的精准触控定位,还应用于精准互动投影及安防定位。目前,市场上还不存在能够独立完整规模性生产纳米触控膜的设备,其生产还处于小试规模阶段,其设备器械多为实验性精密设备,价格昂贵,生产成本高,其次,由于设备的局限性,操作工序更复杂,流水线生产不易,浪费人力物力,成品率不易控制。而且,国际上现有的ITO导电膜尺寸小、透明度低,产品上被国外行业垄断,严重影响我国触摸屏企业的国际竞争力。
发明内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的是提出一种纳米触控膜的生产方法,解决高透明、大尺寸感应薄膜的低成本量产技术问题,突破国际上现有ITO导电膜尺寸小、透明度低的技术瓶颈,同时实现流水线生产,降低生产成本,提高生产效率。
本发明的目的将通过以下技术方案得以实现:
一种纳米触控膜的生产方法,通过传送带连接实现流水线生产,所述流水线生产包括如下步骤:
步骤一,将基材放入流水线起始端,通过传送带运至涂布设备,通过涂布设备将透明胶层均匀涂抹在基材表面,用于增强基材表面的粘附力;
步骤二,将处理完表面的基材通过传送带运至喷印设备处,喷印设备将纳米导电油墨呈X轴方向均匀打印在基材表面;
步骤三,待处理完X轴打印,传送至烧结设备,加热至130℃~160℃,使之形成X轴纳米导线;
步骤四,X轴纳米导线形成后,传送带运至涂布设备进行涂胶处理,通过涂布设备将透明绝缘胶层均匀涂抹在基材表面;
步骤五,将步骤四所得的基材烘干,再一次传送至喷印设备处,通过喷印设备将纳米导电油墨呈Y轴方向均匀打印在基材表面;
步骤六,处理完Y轴打印,传送至烧结设备,加热至130℃~160℃,使之形成Y轴纳米导线;
步骤七,Y轴纳米导线形成后,传送至自动电极化处理装置,通过电极化处理将柔性板连接到甩尾预定区域;
步骤八,将步骤七所得的基材通过传送带传送至覆膜设备,通过覆膜设备与已经经过涂胶处理的覆盖基材进行封装处理;
步骤九,封装完毕后,传送至裁剪设备,裁去多余的部分,得到成品;
步骤十,将步骤九所得的成品传送至烘干室,在125℃~135℃下烘干处理30秒~120秒;
步骤十一,经干燥的成品传送至纳米导线断线检测装置进行断线测试,若测试通过则直接运送至仓库,若测试不通过则传送至废品区域。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述基材为改性PET膜,玻璃,亚克力板,成像膜或者超薄柔性成像设备中的任意一种。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述改性PET膜的抗热性大于160℃。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述覆盖基材为改性PET膜,玻璃,亚克力板或者成像膜中的任意一种。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述喷印设备具有独立的控制程序,所述喷印设备的出墨口径为5μm~10μm,喷印精度误差小于10μm。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述烧结设备为UV烧结机,所述UV烧结机具有独立的控制程序。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述自动化电极装置上设有高精度的定位焊接头,所述定位焊接头的定位精度小于10μm。
优选的,上述的一种纳米触控膜的生产方法,其中:所述纳米导电油墨中包含有粒径小于50nm的纳米银颗粒。
本发明的突出效果为:本发明解决了高透明、大尺寸感应薄膜的低成本量产技术问题,突破了国际上现有ITO导电膜尺寸小、透明度低的技术瓶颈,打破国外行业垄断,同时实现了流水线生产,降低了生产成本,提高了生产效率和产品质量,节能环保。
以下便结合实施例附图,对本发明的具体实施方式作进一步的详述,以使本发明技术方案更易于理解、掌握。
附图说明
图1是本发明实施例的生产流程图。
具体实施方式
实施例:
本实施例的一种纳米触控膜的生产方法,通过传送带连接实现流水线生产,如图1所示,流水线生产包括如下步骤:
步骤一,将基材放入流水线起始端,通过传送带运至涂布设备,通过涂布设备将透明胶层均匀涂抹在基材表面,用于增强基材表面的粘附力;
步骤二,将处理完表面的基材通过传送带运至喷印设备处,喷印设备具有独立的控制程序,喷印设备的出墨口径为5μm~10μm,喷印精度误差小于10μm。喷印设备将纳米导电油墨呈X轴方向均匀打印在基材表面;
步骤三,待处理完X轴打印,传送至烧结设备,烧结设备为UV烧结机, UV烧结机具有独立的控制程序,加热至130℃~160℃,使之形成X轴纳米导线;
步骤四,X轴纳米导线形成后,传送带运至涂布设备进行涂胶处理,通过涂布设备将透明绝缘胶层均匀涂抹在基材表面;
步骤五,将步骤四所得的基材烘干,再一次传送至喷印设备处,通过喷印设备将纳米导电油墨呈Y轴方向均匀打印在基材表面;
步骤六,处理完Y轴打印,传送至烧结设备,加热至130℃~160℃,使之形成Y轴纳米导线;
步骤七,Y轴纳米导线形成后,传送至自动电极化处理装置,通过电极化处理将柔性板连接到甩尾预定区域,自动化电极装置上设有高精度的定位焊接头,定位焊接头的定位精度小于10μm;
步骤八,将步骤七所得的基材通过传送带传送至覆膜设备,通过覆膜设备与已经经过涂胶处理的覆盖基材进行封装处理;
步骤九,封装完毕后,传送至裁剪设备,裁去多余的部分,得到成品;
步骤十,将步骤九所得的成品传送至烘干室,在125℃~135℃下烘干处理30秒~120秒;
步骤十一,经干燥的成品传送至纳米导线断线检测装置进行断线测试,若测试通过则直接运送至仓库,若测试不通过则传送至废品区域。
其中,基材为改性PET膜(改性PET膜的抗热性大于160℃),玻璃,亚克力板,成像膜或者超薄柔性成像设备中的任意一种。覆盖基材为改性PET膜,玻璃,亚克力板或者成像膜中的任意一种。纳米导电油墨中包含有粒径小于50nm的纳米银颗粒。
本实施例解决了高透明、大尺寸感应薄膜的低成本量产技术问题,突破了国际上现有ITO导电膜尺寸小、透明度低的技术瓶颈,打破国外行业垄断,同时实现了流水线生产,降低了生产成本,提高了生产效率和产品质量,节能环保。
本发明尚有多种实施方式,凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案,均落在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种纳米触控膜的生产方法,通过传送带连接实现流水线生产,其特征在于所述流水线生产包括如下步骤:
步骤一,将基材放入流水线起始端,通过传送带运至涂布设备,通过涂布设备将透明胶层均匀涂抹在基材表面;
步骤二,将处理完表面的基材通过传送带运至喷印设备处,喷印设备将纳米导电油墨呈X轴方向均匀打印在基材表面;
步骤三,待处理完X轴打印,传送至烧结设备,加热至130℃~160℃,使之形成X轴纳米导线;
步骤四,X轴纳米导线形成后,传送带运至涂布设备进行涂胶处理,通过涂布设备将透明绝缘胶层均匀涂抹在基材表面;
步骤五,将步骤四所得的基材烘干,再一次传送至喷印设备处,通过喷印设备将纳米导电油墨呈Y轴方向均匀打印在基材表面;
步骤六,处理完Y轴打印,传送至烧结设备,加热至130℃~160℃,使之形成Y轴纳米导线;
步骤七,Y轴纳米导线形成后,传送至自动电极化处理装置,通过电极化处理将柔性板连接到甩尾预定区域;
步骤八,将步骤七所得的基材通过传送带传送至覆膜设备,通过覆膜设备与已经经过涂胶处理的覆盖基材进行封装处理;
步骤九,封装完毕后,传送至裁剪设备,裁去多余的部分,得到成品;
步骤十,将步骤九所得的成品传送至烘干室,在125℃~135℃下烘干处理30秒~120秒;
步骤十一,经干燥的成品传送至纳米导线断线检测装置进行断线测试,若测试通过则直接运送至仓库,若测试不通过则传送至废品区域。
2.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述基材为改性PET膜,玻璃,亚克力板,成像膜或者超薄柔性成像设备中的任意一种。
3.根据权利要求2所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述改性PET膜的抗热性大于160℃。
4.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述覆盖基材为改性PET膜,玻璃,亚克力板或者成像膜中的任意一种。
5.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述喷印设备具有独立的控制程序,所述喷印设备的出墨口径为5μm~10μm,喷印精度误差小于10μm。
6.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述烧结设备为UV烧结机,所述UV烧结机具有独立的控制程序。
7.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述自动化电极装置上设有高精度的定位焊接头,所述定位焊接头的定位精度小于10μm。
8.根据权利要求1所述的一种纳米触控膜的生产方法,其特征在于:所述纳米导电油墨中包含有粒径小于50nm的纳米银颗粒。
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Address before: 215021 Room 215, A4 building, biological nano Park, 218 Xing Hu Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu.

Patentee before: UC NANO TECHNOLOGIES Inc.

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Denomination of invention: Nanometer touch film production method

Effective date of registration: 20190620

Granted publication date: 20150218

Pledgee: China Everbright Bank Co.,Ltd. Suzhou Branch

Pledgor: UC NANO TECHNOLOGIES Co.,Ltd.

Registration number: 2019320010026

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Date of cancellation: 20200909

Granted publication date: 20150218

Pledgee: China Everbright Bank Co.,Ltd. Suzhou Branch

Pledgor: UC NANO TECHNOLOGIES Co.,Ltd.

Registration number: 2019320010026

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Effective date of registration: 20231027

Address after: Room 101, 1st Floor, Zone B, Building 3, Yaohai City Science and Technology Industrial Park, No.1 Baogong Avenue, Yaohai District, Hefei City, Anhui Province, 230012

Patentee after: Hefei Yuandun Sensor Technology Co.,Ltd.

Address before: 215000 C22 building, bio nano Park, 218 Xing Hu Street, Suzhou Industrial Park, Jiangsu.

Patentee before: UC NANO TECHNOLOGIES Co.,Ltd.