CN104242875B - 单转双占空比可调电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及单转双占空比可调电路,它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号,漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源;倒比例管M3的栅极连接电源电压,漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。本发明仅通过单转双电路,便可同时实现差分输出及占空比的调节,结构简单;通过设置R1和R2的值,可调整输出波形的占空比为50%。
Description
技术领域
本发明涉及一种差分电路,特别是涉及单转双占空比可调电路。
背景技术
在通信***中,为了提高噪声抵抗能力,接收机的射频前端电路一般会采用差分结构,单端信号通过单端转差分装置转为差分信号。如专利申请号2012100461973所述,单端转双端电路,它包括第一晶体管、第二晶体管和变压单元,该变压单元包括第一电感元件、第二电感元件和第三电感元件,第一电感元件与第三电感元件根据第一互耦参数进行第一耦合,第二电感元件和第三电感元件根据第二互耦参数进行第二耦合。
然而,在射频前端应用中,采用TSPC结构的预分频器,如若为奇数分频,预分频器产生的信号占空比不为50%,且是单端输出。经过简单的单端转差分装置后,不能修正占空比。当混频器的输入信号占空比不为50%时,会产生本振泄露,噪声增加等问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种结构简单、可输出占空比为50%差分信号的单转双占空比可调电路。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:单转双占空比可调电路,它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号,第一差分对管M1的漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源;倒比例管M3的栅极连接电源电压,倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。
进一步的,所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有滤波电容C2,滤波电容C2通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,滤波电容C2还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
进一步的,所述电阻R4和电阻R5的阻值相同,电阻R4和电阻R5用于调整输出电压的摆幅。
进一步的,所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有电阻R3,电阻R3用于调整输出电压的共模点,电阻R3通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,电阻R3还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
进一步的,所述的倒比例管M3为NMOS倒比例管。
本发明的有益效果是:
(1)通过单转双电路,便可同时实现占空比的调节,无需额外增加占空比调节电路,结构简单;
(2)通过精细设置分压电阻R1和分压电阻R2的值,来改变第一差分对管和第二差分对管的共模电平,进而调整输出波形的占空比为50%。
附图说明
图1为本发明的电路原理图;
图2为本发明第一差分对管和第二差分对管的输入波形;
图中,VX1和VX2为在不同情况下第二差分对管的输入,Vin为电路的输入信号。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,单转双占空比可调电路,它包括第一差分对管M1、第二差分对管M2和一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号Vin,第一差分对管M1的漏极通过隔直电容C1连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源。倒比例管M3的栅极连接电源电压VDD,倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连。
进一步的,所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压VDD之间还设有滤波电容C2,滤波电容C2通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,滤波电容C2还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
进一步的,所述电阻R4和电阻R5的阻值相同,电阻R4和电阻R5用于调整输出电压的摆幅。
进一步的,所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有电阻R3,电阻R3用于调整输出电压的共模点,电阻R3通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,电阻R3还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
进一步的,所述的倒比例管M3为NMOS倒比例管。
本发明的工作原理如下:M1单端输入信号Vin,通过隔直电容C1,使M1漏极输出信号反馈到M2的栅极,完成电路的单转双功能。调整电容C1的大小可以控制反馈电压的幅度,以使输出差分信号摆幅相同。通过设置分压电阻R1与分压电阻R2的比例,改变分压电阻R2上的分压大小,来确定两个差分对管输入的共模电平。M3为NMOS倒比例管,充当大电阻的角色,起到隔断反馈信号的作用。通过设置电阻R3与调压电阻R2&R5可以调整输出电压的最高电平及摆幅,C2为滤波电容。
M1和M2输入波形如图2所示:满摆信号为TSPC分频器的输出即电路的输入信号Vin。两个幅度较小信号VX1和 VX2为不同情况下M2的输入。由于实际版图中有各种寄生效应,导致TSPC分频器的输出波形有一定的上升和下降时间,在不同的共模电平处,波形的占空比会有很大的区别,利用这点,可以通过后仿真精细设置R1和R2来改变M1和M2的共模电平,使得输出波形占空比调整为50%。例如,在共模电平VCM1处差分信号的占空比就为50%,而共模电平VCM2处输出差分信号的占空比就不能满足应用需要。
Claims (5)
1.单转双占空比可调电路,包括第一差分对管M1、第二差分对管M2,其特征在于:所述电路还包括一个倒比例管M3,第一差分对管M1的栅极连接输入信号,第一差分对管M1的漏极通过隔直电容连接第二差分对管M2的栅极,第二差分对管M2的漏极和第一差分对管M1的漏极为差分输出端,第一差分对管M1的源极和第二差分对管M2的源极均连接电流源;倒比例管M3的栅极连接电源电压,倒比例管M3的漏极与第二差分对管M2的栅极相连,倒比例管M3的源极与由R1、R2组成的分压电路的中点相连;
第一差分对管M1单端输入信号Vin,通过隔直电容C1,使M1漏极输出信号反馈到第二差分对管M2的栅极,完成电路的单转双功能;调整电容C1的大小控制反馈电压的幅度,以使输出差分信号摆幅相同;通过设置分压电阻R1与分压电阻R2的比例,改变分压电阻R2上的分压大小,来确定两个差分对管输入的共模电平。
2.根据权利要求1所述的单转双占空比可调电路,其特征在于:所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有滤波电容C2,滤波电容C2通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,滤波电容C2还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
3.根据权利要求2所述的单转双占空比可调电路,其特征在于:所述电阻R4和电阻R5的阻值相同,电阻R4和电阻R5用于调整输出电压的摆幅。
4.根据权利要求1所述的单转双占空比可调电路,其特征在于:所述第一差分对管M1的漏极和第二差分对管M2的漏极与电源电压之间还设有电阻R3,电阻R3用于调整输出电压的共模点,电阻R3通过电阻R5与第一差分对管M1的漏极相连,电阻R3还通过电阻R4与第二差分对管M2的漏极相连。
5.根据权利要求1所述的单转双占空比可调电路,其特征在于:所述的倒比例管M3为NMOS倒比例管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310243739.0A CN104242875B (zh) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 单转双占空比可调电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310243739.0A CN104242875B (zh) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 单转双占空比可调电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104242875A CN104242875A (zh) | 2014-12-24 |
CN104242875B true CN104242875B (zh) | 2017-07-04 |
Family
ID=52230352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310243739.0A Active CN104242875B (zh) | 2013-06-19 | 2013-06-19 | 单转双占空比可调电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104242875B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110763922B (zh) * | 2019-11-01 | 2021-12-31 | 龙迅半导体(合肥)股份有限公司 | 差分参考电压发生电路、峰值信号检测电路和电子设备 |
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EP0086334A1 (en) * | 1982-01-28 | 1983-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pulse duty conversion circuit |
US6566961B2 (en) * | 2001-03-30 | 2003-05-20 | Institute Of Microelectronics | Wide-band single-ended to differential converter in CMOS technology |
CN101826847A (zh) * | 2009-01-21 | 2010-09-08 | 立积电子股份有限公司 | 高效率的单端转双端放大器 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0086334A1 (en) * | 1982-01-28 | 1983-08-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pulse duty conversion circuit |
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CN101826847A (zh) * | 2009-01-21 | 2010-09-08 | 立积电子股份有限公司 | 高效率的单端转双端放大器 |
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C06 | Publication | ||
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