CN104166279A - 一种显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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CN104166279A
CN104166279A CN201410342596.3A CN201410342596A CN104166279A CN 104166279 A CN104166279 A CN 104166279A CN 201410342596 A CN201410342596 A CN 201410342596A CN 104166279 A CN104166279 A CN 104166279A
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姜文博
王磊
薛艳娜
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明实施例提供一种显示装置及其驱动方法,涉及显示技术领域,能够降低显示驱动的功耗。该显示装置包括相互对盒设置的阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括呈矩阵形式排列的多个像素单元,还包括设置于阵列基板上的像素电极、设置于阵列基板或彩膜基板上的第一公共电极、绝缘保护层、第二公共电极。其中,第一公共电极包括多个相互连接的第一区域;第二公共电极包括多个相互连接的第二区域;第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列,每一个第一区域或第二区域对应一个像素单元。

Description

一种显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及其驱动方法。 
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管-液晶显示器)作为一种平板显示装置,因其具有体积小、功耗低、无辐射以及制作成本相对较低等特点,而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。 
TFT-LCD包括分别设置在阵列基板和彩膜基板上的像素电极和公共电极。也可以如图1a所示,将像素电极10和公共电极11均设置于阵列基板上。其中,阵列基板上具有横纵交叉的栅线100和数据线101,所述栅线100和数据线101交叉界定多个像素单元102,每个像素单元内设置有一个TFT1021。阵列基板和彩膜基板之间设置有液晶层。通过分别向像素电极10和公共电极11施加电压,从而在液晶层中形成电场;然后,通过调节电场的幅值来调节穿过液晶层的光线的透射率,以获得预期的显示图像。由于长时间对液晶层施加处于同一方向上的电场时,会导致液晶层出现退化现象而无法恢复。因此,需要没隔一段时间将输入数据线101的数据电压Vdate相对施加于公共电极11的公共电压Vcom的极性进行反转。即相对于公共电极的公共电压Vcom的正电极极性和负电极极性进行互换。 
目前,上述极性反转的常用驱动方式包括列反转和点反转。其中,列反转为如图1b所示,位于同一列的像素单元102具有相同的数据电压Vdate极性,位于相邻列的像素单元102具有相反的数据电压Vdate极性。由于在第N帧至第N+1帧的过程中,数据电压Vdate的反转次数为一,因此可以降低极性反转的驱动方式的功耗。 
然而,采用列反转驱动方式时,在需要数据线101输入持续高压的情况下(例如黑色画面中的某一行需要显示白色画面时),TFT1021的漏电流(Ioff)或相邻像素单元102对应的像素电极10的耦合效应, 会使得施加于像素电极10的像素电压被持续拉升,导致位于同一列的其它像素单元102的像素电压升高,从而使得某一像素单元102显示的画面受到同一列中相邻的像素单元102的影响(显示黑色画面的像素单元102受到显示白色画面的像素单元102的影响),而产生显示画面的串扰(crosstalk)现象,影响显示效果。 
为了解决上述问题,现有技术中可以采用点反转的驱动方式。其中,点反转如图1c、1d所示,每个像素单元102与其相邻的像素单元102的数据电压Vdate的极性均不相同,因此可以避免上述串扰现象的产生。 
然而,现有技术中,当采用点反转方式时,由于相邻像素单元102的极性不相同,因此,数据电压Vdate的方向需要周期性的发生变化。这样一来,会增加显示驱动的功耗,降低产品性能。 
发明内容
本发明的实施例提供一种显示装置及其驱动方法,能够降低显示驱动的功耗。 
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案: 
本发明实施例的一方面,提供一种显示装置,包括相互对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括呈矩阵形式排列的多个像素单元,还包括: 
设置于所述阵列基板上的像素电极; 
设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上的第一公共电极、第二公共电极,所述第一公共电极与所述第二公共电极之间具有绝缘保护层; 
其中,所述第一公共电极包括多个相互连接的第一区域; 
所述第二公共电极包括多个相互连接的第二区域; 
所述第一区域与所述第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列; 
每一个所述第一区域和所述第二区域分别对应一个所述像素单元。 
本发明实施例的另一方面,提供一种显示装置的驱动方法,包括: 
在第N帧,向像素电极输入呈矩阵方波状的数据电压; 
分别向第一公共电极和第二公共电极输入第一电压和第二电压; 
其中,所述第一电压与输入所述第一公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第一压差; 
所述第二电压与输入所述第二公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第二压差;所述第一压差与所述第二压差相等; 
所述显示装置根据所述第一压差和所述第二压差,控制与所述第一公共电极、所述第二公共电极对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。 
本发明实施例提供一种显示装置及其驱动方法,该显示装置包括相互对盒设置的阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括呈矩阵形式排列的多个像素单元,还包括设置于阵列基板上的像素电极、设置于阵列基板或彩膜基板上的第一公共电极、绝缘保护层、第二公共电极。其中,第一公共电极包括多个相互连接的第一区域;第二公共电极包括多个相互连接的第二区域;第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列,每一个第一区域或第二区域对应一个像素单元。这样一来,可以在保证每个像素单元的充电电压均相同的情况下,分别向第一公共电极和第二公共电极输入不同的电压信号,实现点反转驱动并减小数据电压的幅值。从而可以降低功耗,提升产品性能。 
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。 
图1a为现有技术提供的一种阵列基板的结构示意图; 
图1b为现有技术提供的一种列反转驱动方式的示意图; 
图1c为现有技术提供的一种点反转驱动方式的示意图; 
图1d为现有技术提供的一种点反转驱动方式的信号时序图; 
图2a为本发明实施例提供的一种第一公共电极和第二公共电极的结构示意图; 
图2b为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图; 
图3a为本发明实施例提供的一种点反转驱动方式的信号时序图; 
图3b为本发明实施例提供的一种像素单元排列结构示意图; 
图4a为图2b沿B-B’方向的剖视图; 
图4b为图2b沿A-A’方向的剖视图; 
图5为本发明实施例提供的一种显示装置的制备方法流程图; 
图6为本发明实施例提供的一种显示装置的驱动方法流程图; 
图7a为本发明实施例提供的另一种显示装置的驱动方法流程图; 
图7b为本发明实施例提供的另一种点反转驱动方式的信号时序图; 
图8a为本发明实施例提供的又一种显示装置的驱动方法流程图; 
图8b为本发明实施例提供的又一种点反转驱动方式的信号时序图。 
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。 
本发明实施例提供一种显示装置,包括相互对盒设置的阵列基板和彩膜基板。阵列基板,如图1a所示,包括呈矩阵形式排列的多个像素单元102,还可以包括: 
设置于上述阵列基板上的像素电极10。 
如图2a、图4a和图4b所示,设置于阵列基板或彩膜基板上的第一公共电极200、第二公共电极202。第一公共电极200与第二公共电极202之间具有绝缘保护层201。 
其中,第一公共电极200包括多个相互连接的第一区域; 
第二公共电极202包括多个相互连接的第二区域。 
第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列。 
每一个第一区域和第二区域分别对应一个像素单元102。 
优选的,所述第一公共电极200(图2a中用白色表示的区域)可以包括两个相互连接的第一区域,第二公共电极202包括两个相互连接的第二区域(图2a中用斜线填充的区域),上述两个第一区域分别位于相邻的列和相邻的行。 
所述两个第二区域中的其中一个区域(例如位于图2a中右上角的位置)与所述两个第一区域中的其中一个区域(例如位于图2a中右下角的位置)位于相同列相邻行,所述两个第二区域中的另一个区域(例如位于图2a中左下角的位置)与所述两个第一区域中的另一个区域(例如位于图2a中左上角的位置)位于相同列相邻行。 
这样一来,能够使得第一公共电极200或第二公共电极202的图案简洁整齐,从而简化制作工艺。 
需要说明的是,第一,当第一公共电极200与第二公共电极202均设置于彩膜基板上时,该彩膜基板与设置有像素电极10的阵列基板对盒以后,形成TN(Twist Nematic,扭曲向列)型显示装置。其中,TN型显示装置,为采用垂直电场原理的液晶显示器,通过被相对布置在彩膜基板上的公共电极(第一公共电极200与第二公共电极202)和在阵列基板上的像素电极10之间形成垂直电场来驱动液晶的转向。 
第二,当第一公共电极200与第二公共电极202均设置于阵列基板时,该阵列基板与彩膜基板对盒后,形成AD-SDS(Advanced-Super Dimensional Switching,简称为ADS,高级超维场开关)型显示装置。其中,在所述ADS型显示装置的阵列基板中,所述公共电极(第一 公共电极200与第二公共电极202)和像素电极10可以异层设置。 
具体的,第一公共电极200和第二公共电极202可以呈狭缝状;像素电极10可以呈平面状。 
或者, 
如图2b所示,第一公共电极200和第二公共电极202呈平面状;像素电极10呈狭缝状。 
ADS型显示器是通过同一平面内狭缝电极边缘(如图2b中的像素电极10)所产生的电场以及狭缝电极(像素电极10)与平面状电极(如图2b中的第一公共电极200和第二公共电极202)间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。 
综上所述根据不同类型的显示器,第一公共电极200和第二公共电极202即可以设置于彩膜基板上,也可以设置于阵列基板上。本发明对此不作限制。但是,在本发明的以下实施例中,均是以平面状的第一公共电极200和第二公共电极202;狭缝状的像素电极10均设置于阵列基板为例进行举例说明。此外,对像素电极10、第一公共电极200以及第二公共电极202在阵列基板上的相对位置不做限定,例如第一公共电极200可以设置于靠近阵列基板的衬底基板一侧的表面,像素电极10设置于远离衬底基板一侧的表面,而第二公共电极202位于第一公共电极200与像素电极10之间。又例如,像素电极10设置于靠近阵列基板的衬底基板一侧的表面,第二公共电极202位于远离衬底基板一侧的表面,而第一公共电极200设置于像素电极10与第二公共电极202之间。其它设置方式在此不再一一举例,但均属于本发明的保护范围。并且,在本发明的一下以下实施例中,均是以依次位于衬底基板上的像素电极10、第一公共电极200、第二公共电极202为例进行的说明。当然,在像素电极10与第一公共电极200之间、第一公共电极200与第二公共电极202之间还具有其它薄膜层级结构,这里不再赘述。 
第三,如图2b所示,第一公共电极200、第二公共电极202分别连接第一公共电极线2001、第二公共电极线2021。这样一来,第一公共电极线2001、第二公共电极线2021可以实现分别向第一公共电极200、第二公共电极202输入不同电压信号的目的。以像素单元102的充电电压为3V为例。对该显示装置的驱动过程进行说明。如图3a所示,通过第一公共电极线2001向第一公共电极200输入0V的第一电压Vcom1;通过第二公共电极线2021向第二公共电极202输入5V的第二电压Vcom2;通过位于阵列基板上的数据线101输入矩阵方波状的数据电压Vdate。其中,像素单元P1、P3、P5(像素单元P1、P2、P3、P4、P5位于同一列,如图3b所示)以第一公共电极线200输入的第一电压Vcom1为基准,其中,像素单元P1、P3、P5的充电电压为上述像素单元对应的数据电压Vdate(数据电压Vdate波峰处的电压3V)与第一电压Vcom1(0V)的差值△1;像素单元P2、P4、P6以第二公共电极202输入的第二电压Vcom2为基准,其中,像素单元P2、P4、P6的充电电压为上述像素单元对应的数据电压Vdate(数据电压Vdate波谷处的电压2V)与第二电压Vcom2(5V)的差值△2;虽然每个像素单元102的充电电压均为3V(△1=△2=3V),但是实现点反转驱动的数据电压Vdate的变化幅值为1V。相比现有技术中,如图1c所示,实现点反转驱动的数据电压Vdate的变化幅值为6V,因此,本发明实施例提供的数据电压Vdate从波峰到波谷的变化相比现有技术而言更为缓和,从而大大的降低了驱动功耗。 
第四,构成像素电极10、第一公共电极200以及第二公共电极202的材料为透明导电材料。例如氧化铟锡(Indium Tin Oxides,简称ITO)或氧化铟锌。 
第五,绝缘保护层201的厚度范围可以包括100~200um。因为当绝缘保护层201的厚度小于100um时,其绝缘效果较弱,不能有效地避免分别输入第一公共电极200以及第二公共电极202的信号彼此干扰。当绝缘保护层201的厚度大于200um时,虽然可以进行有效的绝缘,但是由于厚度过厚,造成阵列基板的厚度较厚,从而制约了显示面板的超薄化设计。 
本发明实施例提供一种显示装置,该显示装置包括相互对盒设置 的阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括呈矩阵形式排列的多个像素单元,还包括设置于阵列基板上的像素电极、设置于阵列基板或彩膜基板上的第一公共电极、绝缘保护层、第二公共电极。其中,第一公共电极包括多个相互连接的第一区域;第二公共电极包括多个相互连接的第二区域;第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列,每一个第一区域或第二区域对应一个像素单元。这样一来,可以在保证每个像素单元的充电电压均相同的情况下,分别向第一公共电极和第二公共电极输入不同的电压信号,以实现点反转驱动并减小数据电压的幅值。从而可以降低功耗,提升产品性能。 
优选的,如图4a所示,绝缘保护层201上对应第二公共电极202的位置设置有过孔203,以使得第一公共电极200、第二公共电极202分别与像素电极10之间的距离相等。需要说明的是,上述过孔203一般设置于阵列基板上的显示区域,即在一个像素单元102中,除了TFT1021以外的区域。 
具体的,如图4b所示,第一公共电极200与像素电极10为H1;如图4a所示,第二公共电极202与像素电极10之间的距离为H2。当时H1与H2相等时,第一公共电极200与像素电极10之间产生的电场强度和第二公共电极202与像素电极10之间产生的电场强度相同,因此,整个公共电极(包括第一公共电极200和第二公共电极202)与像素电极10之间的压差为一个恒等的数值,无需针对不同位置的像素单元单独进行调整。例如,阵列基板上没有设置上述过孔203时,由于第一公共电极200与第二公共电极202之间还设置有绝缘保护层201。因此,第一公共电极200与像素电极10之间的距离H1将会小于第二公共电极202与像素电极10之间的距离H2。这样一来,第一公共电极200与像素电极10之间的压差也会小于第二公共电极202与像素电极10之间的压差。因此需要减小第二公共电极202与像素电极10之间的压差,以保证每个像素单元102的充电电压一致。所以,采用过孔203后,可以简化点反转驱动方式。 
进一步地,像素电极10与第一公共电极200之间设置有钝化层204,以避免分别向像素电极10、第一公共电极200输入不同的信号时,不同信号之间发生相互干扰的现象。 
进一步地,像素单元102可以包括薄膜晶体管TFT1021。薄膜晶体管的源级1022与像素电极10相连接。这样一来,能够保证数据线101输入的数据电压Vdate能够通过薄膜晶体管的漏极1023、源级1022传输至像素电极10,从而在像素电极10与第一公共电极200或第二公共电极202的作用下使得位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶发生偏转,显示出预设的画面。 
需要说明的是,上述TFT1021的源级1022和漏极1023由同一层源漏金属层通过掩膜曝光工艺制成。因此,源级1022和漏极1023可以互换。例如,当源级1022与像素电极10相连接时,漏极1023与数据线101相连接;当源级1022与数据线101相连接时,漏极1023与像素电极10相连接。本发明对此不作限制。 
此外,本发明实施例中的薄膜晶体管TFT1021是一种具有开关特性的半导体单元,例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等,在此不做限定。 
所述薄膜晶体管可以是顶栅型,也可以是底栅型,在此不作限定。其中,顶栅、底栅是相对所述栅极和栅绝缘层的位置而定的,即:相对所述柔性基底,当栅极靠近所述柔性基底,栅绝缘层远离所述柔性基底时,为底栅型薄膜晶体管;当栅极远离所述柔性基底,栅绝缘层靠近所述柔性基底时,为顶栅型薄膜晶体管。 
本发明实施例提供一种显示装置的制备方法,可以包括制备对盒设置的阵列基板和彩膜基板的方法,在阵列基板上形成呈矩阵形式排列的多个像素单元102的方法,如图5所示,还可以包括: 
S101、在阵列基板上形成像素电极10。 
S102、在彩膜基板或形成有上述结构的阵列基板上形成第一公共电极200。其中,第一公共电极200包括多个相互连接的第一区域。 
S103、在形成有上述结构的基板表面形成绝缘保护层201。 
S104、在形成有上述结构的基板表面形成第二公共电极202。 
其中,第二公共电极202包括多个相互连接的第二区域。 
第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列。 
每一个第一区域和第二区域分别对应一个像素单元102。 
优选的,制作多个相互连接的第一区域,制作多个相互连接的第二区域的方法可以包括: 
所述第一公共电极200(图2a中用白色表示的区域)可以包括两个相互连接的第一区域,第二公共电极202包括两个相互连接的第二区域(图2a中用斜线填充的区域),上述两个第一区域分别位于相邻的列和相邻的行。 
所述两个第二区域中的其中一个区域(例如位于图2a中右上角的位置)与所述两个第一区域中的其中一个区域(例如位于图2a中右下角的位置)位于相同列相邻行,所述两个第二区域中的另一个区域(例如位于图2a中左下角的位置)与所述两个第一区域中的另一个区域(例如位于图2a中左上角的位置)位于相同列相邻行。 
这样一来,能够使得第一公共电极200或第二公共电极202的图案简洁整齐,从而简化制作工艺。 
需要说明的是,本发明对上述步骤S101、步骤S102以及步骤S104的顺序不作限制。即可以先形成像素电极10、再依次形成第一公共电极200、第二公共电极202;或者,可以先形成第一公共电极200再依次形成第二公共电极202、像素电极10。其它顺序在此不再一一举例,但均属于本发明的保护范围。然而,在在本发明的一下以下实施例中,均是以先形成像素电极10、再依次形成第一公共电极200、第二公共电极202为例进行的说明。当然,在形成像素电极10与第一公共电极200之间、第一公共电极200与第二公共电极202之间还具有形成其它薄膜层级结构的步骤,这里不再赘述。 
进一步地,当第一公共电极200和第二公共电极202均形成于阵列基板上时,形成上像素电极10、第一公共电极200以及第二公共电极202的方法可以包括: 
第一公共电极200和第二公共电极202可以呈狭缝状;像素电极10可以呈平面状。 
或者, 
如图2b所示,第一公共电极200和第二公共电极202呈平面状; 像素电极10呈狭缝状。 
这样一来,上述阵列基板与彩膜基板对盒后,可以形成ADS型显示装置。其具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。 
需要说明的是,如图2b所示,第一公共电极200、第二公共电极202分别连接第一公共电极线2001、第二公共电极线2021。这样一来,可以实现第一公共电极线2001、第二公共电极线2021分别向第一公共电极200、第二公共电极202输入不同电压信号的目的。以像素单元102的充电电压为3V为例。对该显示装置的驱动过程进行说明。如图3a所示,通过第一公共电极线2001向第一公共电极200输入0V的第一电压Vcom1;通过第二公共电极线2021向第二公共电极202输入5V的第二电压Vcom2;通过位于阵列基板上的数据线101输入矩阵方波状的数据电压(Vate)。其中,像素单元P1、P3、P5(像素单元P1、P2、P3、P4、P5位于同一列,如图3b所示)以第一公共电极线200输入的第一电压Vcom1为基准,其中,像素单元P1、P3、P5的充电电压为上述像素单元对应的数据电压Vdate(数据电压Vdate波峰处的电压3V)与第一电压Vcom1(0V)的差值△1;像素单元P2、P4、P6以第二公共电极202输入的第二电压Vcom2为基准,其中,像素单元P2、P4、P6的充电电压为上述像素单元对应的数据电压Vdate(数据电压Vdate波谷处的电压2V)与第二电压Vcom2(5V)的差值△2;虽然每个像素单元102的充电电压均为3V,但是驱动相邻两个像素单元的数据电压Vdate幅值之间的差异△d仅为1V。相比现有技术中,如图1c所示,驱动相邻两个像素单元的数据电压Vdate幅值之间的差异△d为6V,因此,本发明实施例提供的数据电压Vdate从波峰到波谷的变化相比现有技术而言更为缓和,从而大大的降低了驱动功耗。 
本发明实施例提供一种显示装置的制备方法,包括制备对盒设置的阵列基板和彩膜基板的方法,在阵列基板上形成呈矩阵形式排列的多个像素单元的方法,还可以包括在阵列基板上形成像素电极;在彩膜基板或形成有上述结构的阵列基板上形成第一公共电极。其中,第一公共电极包括多个相互连接的第一区域。在形成有上述结构的基板表面形成绝缘保护层;在形成有上述结构的基板表面形成第二公共电 极。其中,第二公共电极包括多个相互连接的第二区域。第一区域与第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列。每一个第一区域或第二区域对应一个像素单元。这样一来,可以在保证每个像素单元的充电电压均相同的情况下,分别向第一公共电极和第二公共电极输入不同的电压信号,实现点反转驱动并减小数据电压的幅值。从而可以降低功耗,提升产品性能。 
进一步地,上述步骤S103之后,所述制备方法还可以包括: 
在绝缘保护层201上对应第二公共电极202的位置形成过孔203,以使得第一公共电极200、第二公共电极202分别与像素电极10之间的距离相等。需要说明的是,上述过孔203一般设置于阵列基板上的显示区域,即在一个像素单元102中,除了TFT1021以外的区域。 
具体的,如图4b所示,第一公共电极200与像素电极10为H1;如图4a所示,第二公共电极202与像素电极10之间的距离为H2。当时H1与H2相等时,第一公共电极200与像素电极10之间产生的电场强度和第二公共电极202与像素电极10之间产生的电场强度相同,因此,整个公共电极(包括第一公共电极200和第二公共电极202)与像素电极10之间的压差为一个恒等的数值,无需针对不同位置的像素单元单独进行调整。例如,阵列基板上没有设置上述过孔203时,由于第一公共电极200与第二公共电极202之间还设置有绝缘保护层201。因此,第一公共电极200与像素电极10之间的距离H1将会小于第二公共电极202与像素电极10之间的距离H2。这样一来,第一公共电极200与像素电极10之间的压差也会小于第二公共电极202与像素电极10之间的压差。因此需要减小第二公共电极202与像素电极10之间的压差,以保证每个像素单元102的充电电压一致。所以,采用过孔203后,可以简化点反转驱动方式。 
进一步地,上述步骤S101之后,所述制备方法还可以包括: 
在形成有上述结构的基板表面形成钝化层204。以避免分别向像素电极10、第一公共电极200输入不同的信号时,不同信号之间发生相互干扰的现象。 
进一步地,绝缘保护层201的厚度范围可以包括100~200um。因 为当绝缘保护层201的厚度小于100um时,其绝缘效果较弱,不能有效地避免分别输入第一公共电极200以及第二公共电极202的信号彼此干扰。当绝缘保护层201的厚度大于200um时,虽然可以进行有效的绝缘,但是由于厚度过厚,造成阵列基板的厚度较厚,从而制约了显示面板的超薄化设计。 
本发明实施例提供一种显示装置的驱动方法,如图6所示,可以包括: 
S201、在第N帧,向像素电极10输入呈矩阵方波状的数据电压Vdate。 
S202、分别向第一公共电极200和第二公共电极202输入第一电压Vcom1和第二电压Vcom2。 
具体的,通过第一公共电极线2001向第一公共电极200输入第一电压Vcom1;通过第二公共电极线2021向第二公共电极202输入第二电压Vcom2。 
其中,第一电压Vcom1与输入第一公共电极200对应位置处像素单元102的数据电压Vdate之间具有第一压差△1。如图3a所示,像素单元P1、P3、P5以第一公共电极线200输入的第一电压Vcom1(0V)为基准。因此,第一电压Vcom1与输入第一公共电极200对应位置处像素单元102(像素单元P1、P3、P5)的数据电压Vdate之间具有第一压差△1。 
所述第二电压Vcom2与输入第二公共电极202对应位置处的像素单元102的数据电压Vdate之间具有第二压差△2;第一压差△1与第二压差△2相等。具体的,像素单元P2、P4、P6以第二公共电极202输入的第二电压Vcom2(5V)为基准。因此,第二电压Vcom2与输入第二公共电极202对应位置处的像素单元102(像素单元P2、P4、P6)的数据电压Vdate之间具有第二压差△2。当第一压差△1与第二压差△2相等时,例如△1=△2=3V时,该阵列基板上每个像素单元102的充电电压均为3V。 
S203、所述显示装置根据第一压差△1和第二压差△2,控制与第一公共电极200、第二公共电极202对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。 
需要说明的是,本发明对上述步骤S201和步骤S202的先后顺序不作限制。可以先进行步骤S201,再进行步骤S202;或者,先进行步骤S202,再进行步骤S201;或者,步骤S201和步骤S202还可以同时进行。 
进一步地,数据电压Vdate的幅值范围包括0~5V。当数据电压Vdate的幅值为0V时,数据电压Vdate呈一条直线,可以用于控制显示装置显示白色或黑色画面。由于对于本领域技术人员而言,像素单元102的充电电压一般小于等于5V。因此数据电压Vdate的幅值最大为5V。 
本发明实施例提供一种显示装置的驱动方法,包括,首先,在第N帧,向像素电极输入呈矩阵方波状的数据电压;其次,分别向第一公共电极和第二公共电极输入第一电压和第二电压;其中,第一电压与输入第一公共电极对应位置处的像素单元数据电压之间具有第一压差;第二电压与输入第二公共电极对应位置处的像素单元数据电压之间具有第二压差;第一压差与第二压差相等;最后,显示装置根据第一压差和第二压差,控制与第一公共电极第二公共电极对应位置处的液晶进行偏转,使得显示装置显示画面。这样一来,可以在保证每个像素单元的充电电压均相同的情况下,实现点反转驱动并减小数据电压的幅值。从而可以降低功耗,提升产品性能。 
在点反转驱动方式下,当显示画面需要变化时,可以通过调整向第一公共电极200和第二公共电极202输入第一电压Vcom1和第二电压Vcom2的大小和方向,以避免液晶长时间在同一个平面内进行偏转,增加了液晶的偏转状态,从而进一步避免液晶层的退化现象。以下通过两个实施例进行举例说明。 
实施例一 
上述显示装置的驱动方法,如图7a所示,还可以包括: 
S301、在第N+1帧时,向像素电极10输入所述数据电压Vdate。 
S302、分别向第一公共电极200和第二公共电极202输入第一电压Vcom1和第三电压Vcom3;其中,第三电压Vcom3与第二电压Vcom2的大小相等,方向相反。 
其中,第三电压Vcom3与输入第二公共电极202对应位置处像素单元102的数据电压Vdate之间具有第三压差△3。第一压差△1与第三压差△3相等。具体的,如图7b所示,在第N+1帧时,像素单元P1、P3、P5以第一公共电极线200输入的第一电压Vcom1(0V)为基准。因此,第一电压Vcom1与输入第一公共电极200对应位置处的像素单元102(像素单元P1、P3、P5)的数据电压Vdate之间具有第一压差△1。 
像素单元P2、P4、P6以第二公共电极202输入的第三电压Vcom3(-5V)为基准。因此,第三电压Vcom3与输入第二公共电极202对应位置处的像素单元102(像素单元P2、P4、P6)的数据电压Vdate之间具有第三压差△3。当第一压差△1与第三压差△3相等时,例如△1=△3=3V时,该阵列基板上每个像素单元102的充电电压均为3V。 
S303、显示装置根据第一压差△1和第三压差△3,控制与第一公共电极200、第二公共电极202对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。 
需要说明的是,本发明对上述步骤S301和步骤S302的先后顺序不作限制。可以先进行步骤S301,再进行步骤S302;或者,先进行步骤S302,再进行步骤S301;或者,步骤S301和步骤S302还可以同时进行。 
通过上述方法可以实现液晶的位于不同平面的偏转,但是如图7b所示,从第N帧向第N+1帧变化的过程中,数据电压Vdate的幅值突然增大。因此,为了进一步降低功耗,本发明名提供了如下实施例。 
实施例二 
上述显示装置的驱动方法,如图8a所示,还包括: 
S401、在第N+1帧时,向像素电极10输入上述数据电压Vdate。 
S402、分别向第一公共电极200和第二公共电极202输入第二电压Vcom2和第一电压Vcom1。 
其中,第二电压Vcom2与输入第一公共电极200对应位置处像素单元102的数据电压Vdate之间具有第四压差△4。如图8b所示, 在第N+1帧时,像素单元P1、P3、P5以第一公共电极200输入的第二电压Vcom2(5V)为基准。因此,第二电压Vcom2与输入第一公共电极200对应位置处的像素单元102(像素单元P1、P3、P5)的数据电压Vdate之间具有第四压差△4。 
所述第一电压Vcom1与输入第二公共电极202对应位置处的像素单元102的数据电压Vdate之间具有第五压差△5。第四压差△4与第五压差△5相等。具体的,在第N+1帧时,像素单元P2、P4、P6以第二公共电极线202输入的第一电压Vcom1(0V)为基准。因此,第一电压Vcom1与输入第二公共电极202对应位置处的像素单元102(像素单元P2、P4、P6)的数据电压Vdate之间具有第五压差△5。当第四压差△4与第五压差△5相等时,例如△4=△5=3V时,该阵列基板上每个像素单元102的充电电压均为3V。 
S403、显示装置根据第四压差△4和第五压差△5,控制与第一公共电极Vcom1、第二公共电极Vcom2对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。 
需要说明的是,本发明对上述步骤S401和步骤S402的先后顺序不作限制。可以先进行步骤S401,再进行步骤S402;或者,先进行步骤S402,再进行步骤S401;或者,步骤S401和步骤S402还可以同时进行。 
通过上述方法不仅可以实现液晶位于不同平面的偏转,而且如图8b所示,从第N帧向第N+1帧变化的过程中,数据电压Vdate的方向并没有发生变化。因此,可以进一步减小采用点反转的方式驱动显示器进行显示时需要的功耗,从而提升产品性能。 
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 

Claims (10)

1.一种显示装置,包括相互对盒设置的阵列基板和彩膜基板,所述阵列基板包括呈矩阵形式排列的多个像素单元,其特征在于,还包括:
设置于所述阵列基板上的像素电极;
设置于所述阵列基板或所述彩膜基板上的第一公共电极、第二公共电极,所述第一公共电极与所述第二公共电极之间具有绝缘保护层;
其中,所述第一公共电极包括多个相互连接的第一区域;
所述第二公共电极包括多个相互连接的第二区域;
所述第一区域与所述第二区域相互间隔并呈矩阵形式排列;
每一个所述第一区域和所述第二区域分别对应一个所述像素单元。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述第一公共电极包括两个相互连接的所述第一区域,所述第二公共电极包括两个相互连接的所述第二区域,所述两个第一区域分别位于相邻的列和相邻的行;
所述两个第二区域中的其中一个区域与所述两个第一区域中的其中一个区域位于相同列相邻行,所述两个第二区域中的另一个区域与所述两个第一区域中的另一个区域位于相同列相邻行。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,在所述阵列基板上设置有所述第一公共电极和所述第二公共电极的情况下,
所述第一公共电极和所述第二公共电极呈狭缝状;所述像素电极呈平面状;
或,
所述第一公共电极和所述第二公共电极呈平面状;所述像素电极呈狭缝状。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其特征在于,
所述绝缘保护层上对应所述第二公共电极的位置设置有过孔,以使得所述第一公共电极、所述第二公共电极分别与所述像素电极之间的距离相等。
5.根据权利要求1-4任一项所述的显示装置,其特征在于,所述像素单元包括薄膜晶体管;
所述薄膜晶体管的源级与所述像素电极相连接。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述像素电极与所述第一公共电极之间设置有钝化层。
7.一种显示装置的驱动方法,其特征在于,包括:
在第N帧,向像素电极输入呈矩阵方波状的数据电压;
分别向第一公共电极和第二公共电极输入第一电压和第二电压;
其中,所述第一电压与输入所述第一公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第一压差;
所述第二电压与输入所述第二公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第二压差;所述第一压差与所述第二压差相等;
所述显示装置根据所述第一压差和所述第二压差,控制与所述第一公共电极、所述第二公共电极对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。
8.根据权利要求7所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,还包括:
在第N+1帧时,向所述像素电极输入所述数据电压;
分别向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入所述第一电压和第三电压;其中,所述第三电压与所述第二电压的大小相等,方向相反;
所述第三电压与输入所述第二公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第三压差;所述第一压差与所述第三压差相等
所述显示装置根据所述第一压差和所述第三压差,控制与所述第一公共电极、所述第二公共电极对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。
9.根据权利要求7所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,还包括:
在第N+1帧时,向像素电极输入所述数据电压;
分别向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入所述第二电压和所述第一电压;
其中,所述第二电压与输入所述第一公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第四压差;
所述第一电压与输入所述第二公共电极对应位置处所述像素单元的所述数据电压之间具有第五压差;所述第四压差与所述第五压差相等;
所述显示装置根据所述第四压差和所述第五压差,控制与所述第一公共电极、所述第二公共电极对应位置处的液晶进行偏转,使得所述显示装置显示画面。
10.根据权利要求7-9任一项所述的显示装置的驱动方法,其特征在于,包括:
所述数据电压的幅值范围包括0~5V。
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