CN104116661A - 一种深层滋润修复发膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种深层滋润修复发膜的制备方法，按如下步骤进行：（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇混合成A组分；（2）将15~35份天竺葵萃取液和15~35份仙人掌萃取液混合成B组分；（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水混合，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱；（4）加入0.2～0.5份防腐剂和3-11份保湿剂，静置恢复室温既得。本发明采用天竺葵及野生仙人掌的萃取精华，有效修复被去除油脂的头皮，对头皮深层滋养，保护头皮，恢复头皮的内分泌***，从根本上达到去除头屑的目的。
Description
技术领域
本发明涉及一种发膜的制备方法，更具体的说涉及一种深层滋润修复发膜的制备方法，属于日用化妆品技术领域。
背景技术
日常生活中，人们对头发的清洗和护理是每个人必要的一项卫生清洁内容，但是，很多人内分泌异常或者皮脂分泌过多，会产生头皮屑，大量的头皮成雪片状，严重影响美观，并且危害身体健康，这时，通常会选择去屑的洗发水，但是，去屑的洗发水通常以去除头皮表面的皮脂为主，伤害头皮表面的内分泌***，如果不及时进行护理，头皮不能及时恢复，损伤将会更严重。
发明内容
为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供修复受损头皮，补充天然养分的深层修复发膜的制备方法。
为达到上述目的，本发明是通过以下的技术方案来实现的：一种深层滋润修复发膜的制备方法，按如下步骤进行：
（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇置于容器中充分搅拌融合，形成A组分；
（2）将15~35份天竺葵萃取液和15~35份仙人掌萃取液置于容器中，充分搅拌融合，形成B组分；
（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水同时加入至反应釜中，并提高温度至60~80℃，反应15分钟后，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱，再反应20分钟后，停止搅拌，静置30分钟，使温度缓缓下降；
（4）反应釜内的温度低于50℃后，加入0.2～0.5份防腐剂和3-11份保湿剂，低速搅拌溶解，静置恢复室温既得深层滋润修复发膜。
步骤（2）中所述天竺葵萃取液的浓度大于75%。
步骤（2）中所述仙人掌萃取液的浓度大于75%。
步骤（4）中所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
步骤（4）中所述防腐剂为山梨酸钾。
本发明的有益效果是：本发明提供的一种深层滋润修复发膜的制备方法，采用天竺葵及野生仙人掌的萃取精华，有效修复被去除油脂的头皮，对头皮深层滋养，保护头皮，恢复头皮的内分泌***，从根本上达到去除头屑的目的。本发明无污染，无副作用，适合于各种皮肤的人群，不会对皮肤产生刺激。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明作具体的介绍。
实施例1
一种深层滋润修复发膜，其各组分的重量份数为：
双-氨丙基聚二甲基硅氧烷：50份；山嵛基三甲基氯化铵：30~35份；硬脂酸甘油单甘酯：10~12份；鲸蜡醇：1～5；甘油：2～5；丙二醇：8～10：十二烷基二甲基甜菜碱：2～6；浓度大于75%的天竺葵萃取液：35份；浓度大于75%的仙人掌萃取液：35份；山梨酸钾：0.2～0.5；保湿剂：3-11份；去离子水：25~35份。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
上述的深层滋润修复发膜的制备方法，按如下步骤进行：
（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇置于容器中充分搅拌融合，形成A组分；
（2）将35份浓度大于75%的天竺葵萃取液和35份浓度大于75%的仙人掌萃取液置于容器中，充分搅拌融合，形成B组分；
（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水同时加入至反应釜中，并提高温度至60~80℃，反应15分钟后，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱，再反应20分钟后，停止搅拌，静置30分钟，使温度缓缓下降；
（4）反应釜内的温度低于50℃后，加入0.2～0.5份山梨酸钾和3-11份保湿剂，低速搅拌溶解，静置恢复室温既得深层滋润修复发膜。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
实施例2
一种深层滋润修复发膜，其各组分的重量份数为：
双-氨丙基聚二甲基硅氧烷：50份；山嵛基三甲基氯化铵：30~35份；硬脂酸甘油单甘酯：10~12份；鲸蜡醇：1～5；甘油：2～5；丙二醇：8～10：十二烷基二甲基甜菜碱：2～6；浓度大于75%的天竺葵萃取液：15份；浓度大于75%的仙人掌萃取液：15份；山梨酸钾：0.2～0.5；保湿剂：3-11份；去离子水：25~35份。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
上述的深层滋润修复发膜的制备方法，按如下步骤进行：
（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇置于容器中充分搅拌融合，形成A组分；
（2）将15份浓度大于75%的天竺葵萃取液和15份浓度大于75%的仙人掌萃取液置于容器中，充分搅拌融合，形成B组分；
（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水同时加入至反应釜中，并提高温度至60~80℃，反应15分钟后，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱，再反应20分钟后，停止搅拌，静置30分钟，使温度缓缓下降；
（4）反应釜内的温度低于50℃后，加入0.2～0.5份山梨酸钾和3-11份保湿剂，低速搅拌溶解，静置恢复室温既得深层滋润修复发膜。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
实施例3
一种深层滋润修复发膜，其各组分的重量份数为：
双-氨丙基聚二甲基硅氧烷：50份；山嵛基三甲基氯化铵：30~35份；硬脂酸甘油单甘酯：10~12份；鲸蜡醇：1～5；甘油：2～5；丙二醇：8～10：十二烷基二甲基甜菜碱：2～6；浓度大于75%的天竺葵萃取液：28份；浓度大于75%的仙人掌萃取液：28份；山梨酸钾：0.2～0.5；保湿剂：3-11份；去离子水：25~35份。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
上述的深层滋润修复发膜的制备方法，按如下步骤进行：
（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇置于容器中充分搅拌融合，形成A组分；
（2）将28份浓度大于75%的天竺葵萃取液和28份浓度大于75%的仙人掌萃取液置于容器中，充分搅拌融合，形成B组分；
（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水同时加入至反应釜中，并提高温度至60~80℃，反应15分钟后，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱，再反应20分钟后，停止搅拌，静置30分钟，使温度缓缓下降；
（4）反应釜内的温度低于50℃后，加入0.2～0.5份山梨酸钾和3-11份保湿剂，低速搅拌溶解，静置恢复室温既得深层滋润修复发膜。所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
上述实施例不以任何形式限制本发明，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。
Claims (5)
1.一种深层滋润修复发膜的制备方法，其特征在于，按如下步骤进行：
（1）将50份双-氨丙基聚二甲基硅氧烷、30~35份山嵛基三甲基氯化铵、10~12份硬脂酸甘油单甘酯和8～10丙二醇置于容器中充分搅拌融合，形成A组分；
（2）将15~35份天竺葵萃取液和15~35份仙人掌萃取液置于容器中，充分搅拌融合，形成B组分；
（3）将A组分、B组分和25~35份去离子水同时加入至反应釜中，并提高温度至60~80℃，反应15分钟后，加入1～5份鲸蜡醇、2～5甘油和2～6份十二烷基二甲基甜菜碱，再反应20分钟后，停止搅拌，静置30分钟，使温度缓缓下降；
（4）反应釜内的温度低于50℃后，加入0.2～0.5份防腐剂和3-11份保湿剂，低速搅拌溶解，静置恢复室温既得深层滋润修复发膜。
2.根据权利要求1所述的一种深层滋润修复发膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述天竺葵萃取液的浓度大于75%。
3.根据权利要求1所述的一种深层滋润修复发膜的制备方法，其特征在于，步骤（2）中所述仙人掌萃取液的浓度大于75%。
4.根据权利要求1所述的一种深层滋润修复发膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述保湿剂为甘油、丙二醇和山梨醇按照1:1:1配置的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的一种深层滋润修复发膜的制备方法，其特征在于，步骤（4）中所述防腐剂为山梨酸钾。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106726753A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 江西宜信堂医疗科技有限公司 | 一种发膜及其制备方法 |
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2013
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| CN106726753A (zh) * | 2016-12-19 | 2017-05-31 | 江西宜信堂医疗科技有限公司 | 一种发膜及其制备方法 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20141029 |