CN104115262B - 氮化物半导体器件 - Google Patents
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Abstract
氮化物半导体器件包括：衬底(10)；氮化物半导体叠层体(20)；和由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12)。氮化物半导体叠层体(20)具有：形成在上述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1)；和与第一氮化物半导体层(1)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2)。该氮化物半导体器件，在从上述欧姆电极(11、12)至上述氮化物半导体叠层体(20)的深度方向的氧浓度分布中，在比上述欧姆电极(11、12)与上述氮化物半导体叠层体(20)的界面更靠上述衬底(10)侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，在比上述第一氧浓度峰深的位置具有氧浓度为3×1017cm‑3以上并且1.2×1018cm‑3以下的第二氧浓度峰。
Description
技术领域
本发明涉及氮化物半导体器件。
背景技术
以往，作为氮化物半导体器件，有对n型GaN接触层的表面进行氧等离子体处理形成氧掺杂层后，在该n型GaN接触层上形成欧姆电极，由此使n型GaN接触层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件(参照日本特许第2967743号公报(专利文献1))。
然而，对于上述氮化物半导体器件，本发明人实际进行实验，在对GaN层进行氧等离子体处理后形成有欧姆电极的情况下，欧姆电极的接触电阻高，无论怎么做也未能得到充分低的接触电阻。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特许第2967743号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
因此，本发明要解决的技术问题在于，提供能够使氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻降低的氮化物半导体器件。
用于解决技术问题的手段
本发明人对在氮化物半导体层上形成的欧姆电极的接触电阻进行了专心致志的研究，结果发现，当在由TiAl类材料构成的欧姆电极与氮化物半导体层的界面的衬底侧的区域产生了在上述界面附近产生的第一氧浓度峰和位于比第一氧浓度峰深的位置的第二氧浓度峰的情况下，氮化物半导体层与欧姆电极的接触电阻的特性根据上述第二氧浓度峰的氧浓度而变化。
另外，本发明人通过实验首次发现，当比上述界面更靠衬底侧的第二氧浓度峰的氧浓度在特定的范围内时，接触电阻大幅减少。
基于上述发现，本发明的氮化物半导体器件的特征在于，包括：
衬底；
形成在上述衬底上并且具有异质界面的氮化物半导体叠层体；和
至少一部分形成在上述氮化物半导体叠层体上或上述氮化物半导体叠层体内的由TiAl类材料构成的欧姆电极，
上述氮化物半导体叠层体具有：
形成在上述衬底上的第一氮化物半导体层；和
形成在上述第一氮化物半导体层上并且与上述第一氮化物半导体层形成异质界面的第二氮化物半导体层，
在从由上述TiAl类材料构成的欧姆电极至上述氮化物半导体叠层体的深度方向的氧浓度分布中，
在比上述欧姆电极与上述氮化物半导体叠层体的界面更靠上述衬底侧的区域的上述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，
在比上述第一氧浓度峰深的位置具有第二氧浓度峰，
上述第二氧浓度峰的氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下。
根据本发明的氮化物半导体器件，在由上述TiAl类材料构成的欧姆电极与上述氮化物半导体叠层体的界面的上述衬底侧的区域，在比上述界面附近的上述第一氧浓度峰的位置深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰，由此，能够使上述氮化物半导体叠层体与上述欧姆电极的接触电阻降低。
另外，在一个实施方式的氮化物半导体器件中，上述第二氧浓度峰的位置为距上述界面65nm以上并且110nm以下的深度。
根据该实施方式，上述第二氧浓度峰位于距上述界面65nm以上并且110nm以下的深度，由此，能够使上述氮化物半导体叠层体与上述欧姆电极的接触电阻降低。
另外，在一个实施方式的氮化物半导体器件中，上述氮化物半导体叠层体具有贯通上述第二氮化物半导体层到达上述异质界面附近的二维电子气层的凹部，上述欧姆电极的至少一部分被埋入上述凹部中。
根据该实施方式，在凹型结构的氮化物半导体器件中，能够使上述异质界面附近的二维电子气层与欧姆电极的接触电阻降低。
发明效果
根据本发明的氮化物半导体器件，在由TiAl类材料构成的欧姆电极与氮化物半导体叠层体的界面的衬底侧的区域，在比上述界面附近的第一氧浓度峰的位置深的位置具有氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下的第二氧浓度峰，因此，能够使上述氮化物半导体叠层体与欧姆电极的接触电阻降低。
附图说明
图1是本发明的实施方式的氮化物半导体器件的截面图。
图2是用于对上述氮化物半导体器件的制造方法进行说明的工序截面图。
图3是紧接着图2的工序截面图。
图4是紧接着图3的工序截面图。
图5是紧接着图4的工序截面图。
图6是表示欧姆电极与GaN层的界面的从欧姆电极侧至GaN层侧的深度方向的氧的浓度分度的曲线图。
图7是表示欧姆电极与GaN层的界面的从欧姆电极侧至GaN层侧的深度方向的氧、Al、Ti、Ga的浓度分度的曲线图。
图8是表示上述实施方式的第二氧浓度峰P2的氧浓度(cm-3)与源极、漏极电极的接触电阻的关系的曲线图。
图9是表示上述实施方式的制造工序的干式蚀刻中的自偏置电位Vdc与源极、漏极电极的接触电阻的关系的曲线图。
图10是表示上述实施方式的第二氧浓度峰P2的深度与源极、漏极电极的接触电阻的关系的曲线图。
图11是表示比较例的欧姆电极与GaN层的界面的从欧姆电极侧至GaN层侧的深度方向的氧的浓度分度的曲线图。
具体实施方式
以下，利用图示的实施方式对本发明进行详细说明。
图1表示本发明的实施方式的氮化物半导体器件的截面图，该氮化物半导体器件是GaN类HFET(Hetero-junction Field Effect Transistor：异质结场效应晶体管)。
该半导体器件，如图1所示，在Si衬底10上形成有无掺杂AlGaN缓冲层15和氮化物半导体叠层体20，该氮化物半导体叠层体20包括作为第一氮化物半导体层的一个例子的无掺杂GaN层1和作为第二氮化物半导体层的一个例子的无掺杂AlGaN层2。在该无掺杂GaN层1与无掺杂AlGaN层2的界面附近产生2DEG层(二维电子气层)3。
此外，可以代替上述GaN层1而使用具有带隙比上述AlGaN层2小的组成的AlGaN层。另外，可以在上述AlGaN层2上设置例如由GaN构成的约1nm厚度的层作为覆盖层。
另外，在贯通上述AlGaN层2和2DEG层3到达GaN层1的凹部106和凹部109中相互隔开间隔地形成有源极电极11和漏极电极12。另外，在AlGaN层2上，在源极电极11与漏极电极12之间并且在源极电极11侧形成有栅极电极13。源极电极11和漏极电极12为欧姆电极，栅极电极13为肖特基电极。由上述源极电极11、漏极电极12、栅极电极13和形成有该源极电极11、漏极电极12、栅极电极13的GaN层1、AlGaN层2的有源区域(活性区域)构成HFET。
在此，有源区域是通过对AlGaN层2上的配置在源极电极11与漏极电极12之间的栅极电极13施加的电压，在源极电极11与漏极电极12之间流动载流子的氮化物半导体叠层体20(GaN层1、AlGaN层2)的区域。
在除了形成有源极电极11、漏极电极12和栅极电极13的区域以外的AlGaN层2上，为了保护AlGaN层2，形成有由SiO2构成的绝缘层30。另外，在形成有源极电极11、漏极电极12和栅极电极13的Si衬底10上，形成有由聚酰亚胺构成的层间绝缘膜40。另外，在图1中，41是作为接触部的通孔，42是漏极电极焊盘。此外，绝缘膜并不限于SiO2，也可以使用SiN或Al2O3等。特别地，作为绝缘膜，为了抑制崩塌(collapse)，优选在半导体层表面形成不符合化学计量的SiN膜和用于保护表面的SiO2或SiN的多层膜结构。另外，层间绝缘膜并不限于聚酰亚胺，也可以使用通过p-CVD(等离子体CVD)制造的SiO2膜、SOG(Spin On Glass：旋涂玻璃)、BPSG(硼磷硅酸盐玻璃)等绝缘材料。
在上述结构的氮化物半导体器件中，在GaN层1与AlGaN层2的界面附近产生的二维电子气层(2DEG层)3中形成沟道，通过对栅极电极13施加电压来控制该沟道，使具有源极电极11、漏极电极12和栅极电极13的HFET导通/截止。该HFET是常开型(normally-on type)的晶体管，其在栅极电极13被施加负电压时，在栅极电极13下方的GaN层1形成耗尽层，成为截止状态，而在栅极电极13的电压为零时，在栅极电极13下方的GaN层1，耗尽层消失，成为导通状态。
接着，根据图2～图5对上述氮化物半导体器件的制造方法进行说明。此外，在图2～图5中，为了使得容易观察附图，未图示Si衬底和无掺杂AlGaN缓冲层，而且改变了源极电极与漏极电极的大小和间隔。
首先，如图2所示，在Si衬底(未图示)上，利用MOCVD(Metal Organic ChemicalVapor Deposition：金属有机化学气相沉积)法，依次形成无掺杂AlGaN缓冲层(未图示)、无掺杂GaN层101和无掺杂AlGaN层102。无掺杂GaN层101的厚度例如为1μm，无掺杂AlGaN层102的厚度例如为30nm。该GaN层101和AlGaN层102构成氮化物半导体叠层体120。
接着，利用例如等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法在AlGaN层102上形成200nm厚度的绝缘膜130(例如SiO2)。在图2中，103是在GaN层101与AlGaN层102的异质界面附近形成的二维电子气层(2DEG层)。
接着，在绝缘膜130上涂敷光致抗蚀剂(未图示)进行图案化后，利用干式蚀刻，如图3所示，除去要形成欧姆电极的部分，贯通AlGaN层102在GaN层101的上侧的一部分形成比2DEG层103深的凹部106、109。在上述干式蚀刻中，使用氯类的气体。该凹部106、109的深度只要为从AlGaN层102的表面至2DEG层103的深度以上即可，例如为50nm。
另外，在该实施方式中，在上述干式蚀刻中，将RIE(reactive ion etching：反应离子蚀刻)装置的自偏置电位Vdc设定为180V以上并且240V以下。
接着，依次进行O2等离子体处理、利用HCl/H2O2进行的清洗、利用BHF(缓冲氢氟酸)或1％的HF(氢氟酸)进行的清洗。然后，进行用于使由上述干式蚀刻导致的蚀刻损伤减少的退火(例如500～850℃)。
接着，如图4所示，利用溅射，在绝缘膜130上和凹部106、109中依次层叠Ti、Al、TiN，由此，将Ti/Al/TiN层叠而形成作为欧姆电极的叠层金属膜107。在此，TiN层是保护Ti/Al层免受后面工序的影响的覆盖层。
在利用上述溅射形成上述叠层金属膜107时，在Ti成膜过程中使少量(例如5sccm)的氧在腔室内流动。在此，上述氧的流量为不会生成Ti的氧化物的量。此外，可以代替在上述Ti成膜过程中使少量的氧在腔室内流动，而在上述Ti成膜前使氧在腔室内例如以50sccm流动5分钟。
此外，在上述溅射中，可以同时溅射Ti和Al两者。另外，也可以代替溅射而蒸镀上述Ti、Al。
接着，如图5所示，利用通常的光刻法和干式蚀刻，形成欧姆电极111、112的图案。
然后，例如在400℃以上并且500℃以下对形成有欧姆电极111、112的衬底进行10分钟以上的退火，由此在二维电子气层(2DEG层)103与欧姆电极111、112之间得到欧姆接触。在该情况下，与在超过500℃的高温进行退火的情况相比，能够使接触电阻大幅降低。另外，通过在400℃以上并且500℃以下的低温进行退火，能够抑制电极金属向绝缘膜130的扩散，不会对绝缘膜130的特性造成不良影响。另外，通过上述低温的退火，能够防止由氮从GaN层101脱离导致的电流崩塌(current collapse)的恶化和特性变化。其中，“电流崩塌”是指高电压工作的晶体管的导通电阻与低电压工作的晶体管的导通电阻相比变高的现象。
该欧姆电极111、112成为源极电极11和漏极电极12，在后面的工序中，在欧姆电极111、112之间形成由TiN或WN等构成的栅极电极。
根据上述实施方式的氮化物半导体器件的制造方法，在从作为上述欧姆电极的源极电极11、漏极电极12至上述GaN层1的深度方向的氧浓度分布中，在上述源极电极11、漏极电极12与上述GaN层1的界面S1、S2的上述无掺杂GaN层1侧的上述界面S1、S2附近的位置，形成第一氧浓度峰P1。另外，在比上述第一氧浓度峰P1深的位置形成第二氧浓度峰P2。另外，利用上述制造方法，能够使第二氧浓度峰P2的氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下。另外，上述第一氧浓度峰的氧浓度比上述第二氧浓度峰的氧浓度高。上述第一氧浓度峰的氧浓度例如为1×1018(cm-3)以上并且7×1018(cm-3)以下。
图6是表示上述源极电极11与无掺杂GaN层1的界面S1的从源极电极11侧至上述GaN层1侧的深度方向的氧的浓度分布的一个例子的曲线图。在图6中，纵轴刻度的1.E+00、1.E+01、……、1.E+06分别表示1.0、1.0×10、……、1.0×106。该曲线图表示使用TEG(测试元件组)通过SIMS(二次离子质谱法)测定的结果，横轴取深度(nm)，纵轴取相对二次离子强度(counts(计数))。在图6中，作为一个例子，第一氧浓度峰P1位于从上述界面S1起向上述GaN层1侧约8nm的深度，第二氧浓度峰P2位于从上述界面S1起向上述GaN层1侧约108nm的深度。在图6的一个例子中，上述第二氧浓度峰P2的氧浓度为约8×1017cm-3，使得欧姆电极(源极电极11)与GaN层1的接触电阻为1.4Ωmm。
此外，上述界面S1与碳C的相对二次离子强度(counts(计数))的峰的位置对应。另外，上述漏极电极12与无掺杂GaN层1的界面S2的从漏极电极12侧至上述GaN层1侧的深度方向的氧的浓度分布也与图6的曲线图同样，使得欧姆电极(漏极电极12)与GaN层1的接触电阻为1.4Ωmm。
图7是表示上述源极电极11与无掺杂GaN层1的界面S1的从源极电极侧至上述GaN层1侧的深度方向的氧的浓度分布和Al、Ti、Ga的浓度分布的曲线图。在图7中，纵轴刻度的1.E+00、1.E+01、……、1.E+07分别表示1.0、1.0×10、……、1.0×107。该曲线图与图6同样表示使用TEG(测试元件组)通过SIMS(二次离子质谱法)测定的结果，横轴取深度(nm)，纵轴取相对二次离子强度(counts(计数))。上述界面S1与碳C的相对二次离子强度(counts(计数))的峰的位置对应。在图7的曲线图中，作为一个例子，从深度约378nm至深度约438nm的区域为界面附近的区域R1，与界面S1相比向浅的一侧约27nm和与界面S1相比向深的一侧约33nm的范围为界面附近的区域R1。
此外，上述漏极电极12与无掺杂GaN层1的界面S2的从漏极电极12侧至上述GaN层1侧的深度方向的Al、Ti、Ga的浓度分布也与图7的曲线图同样。
接着，图8表示上述氮化物半导体叠层体20的2DEG层3与上述源极电极11、漏极电极12的接触电阻(Ωmm)与上述第二氧浓度峰P2的氧浓度(cm-3)的关系。在图8中，横轴刻度的E+17、E+18、E+19分别表示×1017、×1018、×1019。
由图8可知，通过使上述第二氧浓度峰P2的氧浓度(cm-3)为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下，能够使上述接触电阻降低至约2Ωmm以下。
另一方面，当上述第二氧浓度峰P2的氧浓度低于3×1017cm-3时，接触电阻急剧增大。可以认为这是因为，当上述第二氧浓度峰P2的氧浓度过低时，作为形成欧姆接触所需要的GaN层侧的反应的氧的活化不足。另外，当上述第二氧浓度峰P2的氧浓度高于1.2×1018cm-3时，接触电阻急剧增大。可以认为这是因为，当上述第二氧浓度峰P2的氧浓度过高时，过剩的氧与Ti反应，作为形成欧姆接触所需要的GaN层1侧的反应的利用Ti从GaN夺取N的反应无法充分进行。
即，可以认为，根据该实施方式，通过将第二氧浓度峰P2的氧浓度设定在3×1017cm-3～1.2×1018cm-3的范围内，能够促进形成欧姆电极所需要的GaN层1侧的氧的活化和从GaN夺取N的反应，因此，能够形成约2Ωmm以下的低电阻的欧姆接触。
图11是表示上述实施方式的氮化物半导体器件(GaN类HFET)的比较例中的欧姆电极(源极电极、漏极电极)与无掺杂GaN层的界面S0的从欧姆电极侧至GaN层侧的深度方向的氧的浓度分布的曲线图。在图11中，纵轴刻度的1.E+00、1.E+01、……、1.E+06分别表示1.0、1.0×10、……、1.0×106。该比较例的截面结构与图1所示的上述实施方式的截面结构同样，但是上述曲线图所示的氧浓度分布与上述实施方式不同。
图11的曲线图表示使用TEG(测试元件组)通过SIMS(二次离子质谱法)测定的结果，横轴取深度(nm)，纵轴取相对二次离子强度(counts(计数))。在图11中，第一氧浓度峰P10位于从上述界面S0起向上述GaN层侧约15nm的深度，第二氧浓度峰P20位于从上述界面S0起向上述GaN层侧约115nm的深度。在该比较例中，上述第二氧浓度峰P20处的氧浓度为2.0×1017cm-3，低于3×1017cm-3，第二氧浓度峰P20快要无法形成浓度峰。因此，在该比较例中，上述欧姆电极的接触电阻高达70Ωmm，与上述实施方式的欧姆电极的接触电阻(约2Ωmm以下)相比，大幅增大。
接着，参照图9，对在用于形成上述凹部106、109的干式蚀刻中，RIE装置的自偏置电位Vdc与上述源极电极11、漏极电极12的接触电阻(Ωmm)的关系进行说明。由图9可知，通过将上述干式蚀刻时的自偏置电位Vdc设定为180V以上并且240V以下，能够使上述氮化物半导体叠层体20的2DEG层3与上述源极电极11、漏极电极12的接触电阻(Ωmm)为2Ωmm以下。
另一方面，当上述自偏置电位Vdc低于180V时，上述接触电阻(Ωmm)急剧增大。可以认为这是因为，当上述自偏置电位Vdc过小时，第二氧浓度峰P2的氧浓度变得过低(低于3×1017cm-3)，或者无法形成第二氧浓度峰P2。如上所述，可认为当第二氧浓度峰P2的氧浓度低时，作为形成欧姆接触所需要的GaN层侧的反应的氧的活化不足。
另外，当上述电位Vdc高于240V时，上述接触电阻(Ωmm)急剧增大。可以认为这是因为，当上述电位Vdc过大时，在GaN层1侧损伤过深，导致氧浓度变得过高(高于1.2×1018cm-3)。如上所述，可认为当第二氧浓度峰P2的氧浓度高时，作为形成欧姆接触所需要的GaN层1侧的反应的利用Ti从GaN夺取N的反应无法充分进行。
接着，图10表示第二氧浓度峰P2距上述界面S1的深度(nm)与上述源极电极11、漏极电极12的接触电阻(Ωmm)的关系。由图10可知，当上述第二氧浓度峰P2距界面S1的深度(nm)为65nm以上并且110nm以下的深度时，能够使上述接触电阻(Ωmm)为2Ωmm以下。当上述第二氧浓度峰P2距界面S1的深度(nm)小于65nm时，第一氧浓度峰P1与第二氧浓度峰P2的区别变得不明确。另外，当上述第二氧浓度峰P2距界面S1的深度(nm)大于110nm时，几乎不能形成上述第二氧浓度峰P2。
根据上述的上述实施方式的制造方法，能够使上述第二氧浓度峰P2的氧浓度为3×1017cm-3～1.2×1018cm-3的范围内的值，并且能够使第二氧浓度峰P2距上述界面S1的深度(nm)为65nm以上并且110nm以下的深度(例如108nm)，从而能够使得上述接触电阻(Ωmm)为2Ωmm以下。
可认为，通过第二氧浓度峰P2距界面S1的深度为65nm～110nm，能够使低温下(400℃～500℃的退火)的形成衬底侧的欧姆接触所需要的反应(氧的活化、利用Ti夺取N等)发生的深度最优化，促进形成欧姆接触的反应。
此外，根据上述实施方式的氮化物半导体器件的制造方法，利用干式蚀刻除去绝缘膜130、AlGaN层102、GaN层101，形成凹部106、109，但是也可以利用湿式蚀刻除去绝缘膜130，然后利用干式蚀刻除去AlGaN层102、GaN层101，由此形成凹部106、109。
另外，根据上述实施方式的氮化物半导体器件的制造方法，层叠Ti/Al/TiN作为欧姆电极，但是并不限于此，可以没有TiN，另外，也可以在层叠Ti/Al后，在其上层叠Au、Ag、Pt等。
另外，在上述实施方式中，对使用Si衬底的氮化物半导体器件进行了说明，但是并不限于Si衬底，也可以使用蓝宝石衬底或SiC衬底，可以在蓝宝石衬底或SiC衬底上生长氮化物半导体层，也可以像在GaN衬底上生长AlGaN层等那样，在由氮化物半导体构成的衬底上生长氮化物半导体层。另外，可以在衬底与氮化物半导体层之间形成缓冲层，也可以在氮化物半导体叠层体的第一氮化物半导体层与第二氮化物半导体层之间形成异质改善层。
另外，在上述实施方式中，对欧姆电极到达GaN层的凹型结构的HFET进行了说明，但是本发明也可以应用于不形成凹部而在无掺杂AlGaN层上形成作为源极电极和漏极电极的欧姆电极的HFET。另外，本发明的氮化物半导体器件并不限于利用二维电子气的HFET，即使是其他结构的场效应晶体管也能得到同样的效果。
另外，在上述实施方式中，对常开型的HFET进行了说明，但是本发明也可以应用于常关型(normally-off type)的氮化物半导体器件。另外，并不限于肖特基电极，本发明也可以应用于绝缘栅结构的场效应晶体管。
本发明的氮化物半导体器件的氮化物半导体只要为用AlxInyGa1-x-yN(x≤0、y≤0、0≤x+y≤1)表示的氮化物半导体即可。
对本发明的具体实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于上述实施方式，能够在本发明的范围内进行各种变更而实施。
符号说明
1、101 GaN层
2、102 AlGaN层
3、103 2DEG层
10 Si衬底
11 源极电极
12 漏极电极
13 栅极电极
15 AlGaN缓冲层
20、120 氮化物半导体叠层体
30、130 绝缘膜
40 层间绝缘膜
41 通孔
42 漏极电极焊盘
106、109 凹部
111、112 欧姆电极
P1 第一氧浓度峰
P2 第二氧浓度峰
S1 界面
Claims (2)
1.一种氮化物半导体器件，其特征在于，包括：
衬底(10)；
形成在所述衬底(10)上并且具有异质界面的氮化物半导体叠层体(20、120)；和
至少一部分形成在所述氮化物半导体叠层体(20、120)上或所述氮化物半导体叠层体(20、120)内的由TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)，
所述氮化物半导体叠层体(20、120)具有：
形成在所述衬底(10)上的第一氮化物半导体层(1、101)；和
形成在所述第一氮化物半导体层(1、101)上并且与所述第一氮化物半导体层(1、101)形成异质界面的第二氮化物半导体层(2、102)，
在从由所述TiAl类材料构成的欧姆电极(11、12、111、112)至所述氮化物半导体叠层体(20、120)的深度方向的氧浓度分布中，
在比所述欧姆电极(11、12、111、112)与所述氮化物半导体叠层体(20、120)的界面更靠所述衬底(10)侧的区域的所述界面附近的位置，具有第一氧浓度峰，
在比所述第一氧浓度峰深的位置具有第二氧浓度峰，
所述第二氧浓度峰的氧浓度为3×1017cm-3以上并且1.2×1018cm-3以下，
所述第二氧浓度峰的位置为距所述界面65nm以上并且110nm以下的深度。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体器件，其特征在于：
所述氮化物半导体叠层体(20、120)具有：
贯通所述第二氮化物半导体层(2、102)到达所述异质界面附近的二维电子气层(3、103)的凹部(106、109)，
所述欧姆电极(11、12、111、112)的至少一部分被埋入所述凹部(106、109)中。
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| PB01 | Publication | ||
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