CN104093888B - 电子部件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种在晶须长度方面飞跃性地提高了晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。所述电子部件的特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件，特别涉及具有Sn镀敷被膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件和该电子部件的制造方法。
背景技术
作为成为本发明的背景的技术，例如在国际公开第2006/134665号中公开了(参照专利文献1)形成有以Sn为主要成分的被膜的构件、被膜形成方法和焊料处理方法。
近年来，从环境保护的观点出发进行了如下的研究，对连接器(コネクタ)用端子、半导体集成电路用的引线框等，替代一直以来实施的Sn－Pb焊料镀敷，而通过不含Pb的以Sn为主要成分的金属镀敷来形成被膜。这种不含Pb的被膜容易产生被称为晶须的Sn的须状结晶。晶须长度从数μm到数十mm，有时在相邻的电极间引起电短路损害。另外，若晶须从被膜脱离而飞散，则飞散的晶须将成为在装置内外引起短路的原因。
在专利文献1中公开的技术中，其目的在于，提供具有能够抑制产生这样的晶须的被膜的构件，特别是对于以Sn为主要成分的被膜，在Sn的晶界形成Sn和Ni的合金粒子。若形成这样的Sn－Ni合金粒子则能够抑制晶须的生长。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2006/134665号
发明内容
发明所要解决的课题
但是，已知专利文献1中公开的被膜在进行作为业界标准的JEDEC标准所规定的热冲击试验等时，不能够充分抑制晶须的生长。
因此，在具有Sn镀敷被膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中，期望飞跃性地提高晶须抑制能力。
因此，本发明的主要目的是提供飞跃性地提高晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。
用于解决课题的方法
本发明的电子部件特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从Ni镀敷被膜侧的Sn镀敷被膜的面起的、Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且，从Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。在这样的电子部件中，还可以具有由Ni3Sn4形成的金属间化合物层。
此外，本发明的电子部件的制造方法特征在于，其是用于制造电子部件的方法，所述制造方法包含：准备形成有外部电极的电子部件元件的工序；在外部电极上形成Ni镀敷被膜的工序；在Ni镀敷被膜上形成第一Sn镀敷被膜的工序；在第一Sn镀敷被膜中形成薄片状的Sn－Ni合金粒子的工序；和在具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜上形成第二Sn镀敷被膜，使得具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜的厚度为整体的Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围的工序，整体的Sn镀敷被膜由具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜和第二Sn镀敷被膜构成。在这样的电子部件的制造方法中，还可以包含在形成第二Sn镀敷被膜的工序之后，在Ni镀敷被膜和第一Sn镀敷被膜之间形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层的工序。
发明效果
根据本发明，能够得到特别是在晶须的生成长度方面、改善了晶须抑制能力的电子部件。另外，根据本说明的方法，能够制造上述的改善了晶须抑制能力的电子部件。
由参照附图进行的以下的用于实施发明的方式的说明，进一步明确本发明的上述目的、其它目的、特征和优点。
附图说明
图1是表示作为本发明的电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的剖面图解图。
图2表示实施本发明的电子部件的制造方法中的镀敷被膜的工序的一例。
图3是在实施例1的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。
图4是在比较例1的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。
图5是在比较例2的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。
图6是在比较例3的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。
具体实施方式
图1是表示作为本发明的电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的剖面图解图。图1中示出的层叠陶瓷电容器10包含作为电子部件元件的长方体状的陶瓷元件12。陶瓷元件12中，作为电介质，而包含含有例如钛酸钡系的电介质陶瓷的多个陶瓷层14。这些陶瓷层14被层叠，且在陶瓷层14之间交替形成例如含有Ni的内部电极16a和16b。此时，内部电极16a的一端部延伸至陶瓷元件12的一端部而形成。另外，内部电极16b的一端部延伸至陶瓷元件12的另一端部而形成。此外，内部电极16a和16b以中间部和另一端部隔着陶瓷层14而重叠的方式形成。因此，该陶瓷元件12具有在内部隔着陶瓷层14设置有多个内部电极16a和16b的层叠结构。
在陶瓷元件12的一端面，端子电极18a以连接于内部电极16a的方式形成。同样地，在陶瓷元件12的另一端面，端子电极18b以连接于内部电极16b的方式形成。这些端子电极18a、18b优选在将层叠陶瓷电容器安装于电路基板等时，成为钎焊所需的最小限度的厚度的方式形成。
端子电极18a包含例如含有Cu的外部电极20a。外部电极20a以连接于内部电极16a的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同样地，端子电极18b包含例如含有Cu的外部电极20b。外部电极20b以连接于内部电极16b的方式形成于陶瓷元件12的另一端面。
另外，在外部电极20a和20b的表面，分别形成用于防止焊料侵蚀的Ni镀敷被膜22a和22b。
此外，以覆盖Ni镀敷被膜22a和22b的方式，分别形成用于使钎焊性保持良好的Sn镀敷被膜24a和24b作为用作最外层的被膜。这些Sn镀敷被膜24a和24b分别具有Sn多晶结构，在Sn晶界分别形成有Sn－Ni合金粒子25。此时，Sn－Ni合金粒子25呈薄片状的形状。薄片状的Sn－Ni合金粒子可以列举例如在合金中包含75～85atm％Sn的合金粒子。此外，在Sn镀敷被膜24a和24b中，也可以在Sn晶粒内形成Sn－Ni合金粒子25。为了简化，在图1中省略了Sn－Ni合金粒子25。另外，在Ni镀敷被膜22a、22b和Sn镀敷被膜24a、24b的界面，形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层26a和26b。但是，金属间化合物层26a和26b未必必须形成。
在此，将表示上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25所存在的范围的指标定义为“Sn－Ni合金粒子到达率(％)”，其中，上述范围是指从Ni镀敷被膜侧的Sn镀敷被膜24a、24b的面起的、Sn镀敷被膜24a、24b的厚度的多少％的范围为止；将表示从Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留Sn－Ni合金粒子25并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，上述Sn－Ni合金粒子25所占的区域为被观察面区域的多少％的指标定义为“Sn－Ni合金粒子被覆率(％)”。此时，本发明的电子部件的Sn镀敷被膜24a、24b的特征在于，Sn－Ni合金粒子到达率为50％以下，另外，Sn－Ni合金粒子被覆率在15％～60％的范围内。
图1中示出的层叠陶瓷电容器10为上述这样的构成。
本发明基于如下的发现，即，上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25在Sn镀敷被膜中的存在范围、和俯视端子电极时的上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25的存在比例会对晶须抑制能力产生影响。在该层叠陶瓷电容器10中，对于Sn镀敷被膜24a和24b而言，上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25从Ni镀敷被膜22a和22b侧的Sn镀敷被膜24a和24b的面起的到达高度相对于Sn镀敷被膜24a和24b的厚度的比例、即Sn－Ni合金粒子到达率被限定为50％以下的范围。另外，在Sn镀敷被膜24a和24b中，在从Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留Sn－Ni合金粒子25、并俯视观察除去Sn而显现的具有薄片状的Sn－Ni合金粒子25的面时，上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25所占的区域相对于被观察面区域的比例、即Sn－Ni合金粒子被覆率被限定为15％～60％的范围。这样，通过限定Sn－Ni合金粒子到达率和Sn－Ni合金粒子被覆率，从而在晶须的生长长度的方面改善晶须抑制能力。
另外，在图1中示出的层叠陶瓷电容器10中，作为最外层的Sn镀敷被膜24a和24b分别具有Sn多晶结构，并且在Sn晶界形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25，因此阻碍Sn原子从Sn晶粒向Sn晶界的移动，即使产生晶须，也能够抑制其生长。特别是，当不仅在Sn晶界、而且在Sn晶粒内也形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25时，Sn镀敷被膜中的压缩应力得到缓和，晶须的产生起点被分散，用于晶须产生的能量变小，从而晶须抑制能力进一步提高。
另外，在图1中示出的层叠陶瓷电容器10中，作为最外层的Sn镀敷被膜24a和24b分别由Sn形成，因此钎焊性良好。
此外，在图1中示出的层叠陶瓷电容器10中，上述薄片状的Sn－Ni合金粒子25仅存在于Ni镀敷被膜侧的Sn镀敷被膜的面起的、Sn镀敷被膜24a和24b的厚度的50％为止的范围内，因此在作为最外层的Sn镀敷被膜表面未生成氧化Ni，这一点关系到良好地保持焊料浸润性。
此外，在图1中示出的层叠陶瓷电容器10中，Ni镀敷被膜22a和22b分别由Ni形成，因此能够防止焊料侵蚀。
此外，在图1中示出的层叠陶瓷电容器10中，在Ni镀敷被膜22a、22b和Sn镀敷被膜24a、24b等中未使用Pb，因此从环境保护的观点出发也优异。
接着，对用于制造图1中示出的层叠陶瓷电容器10的层叠陶瓷电容器的制造方法的一例进行说明。
首先，准备陶瓷生坯片、内部电极用导电性糊剂和外部电极用导电性糊剂。在陶瓷生坯片、各种导电性糊剂中包含粘合剂和溶剂，可以使用公知的有机粘合剂、有机溶剂。
接着，在陶瓷生坯片上，例如，按照规定的图案通过丝网印刷等印刷内部电极用导电性糊剂，形成内部电极图案。
然后，层叠规定片数的未印刷内部电极图案的外层用陶瓷生坯片，在其上依次层叠印刷有内部电极图案的陶瓷生坯片，并在其上层叠规定片数的外层用陶瓷生坯片，由此制作母层叠体。
然后，通过等静压压制等方法沿层叠方向压制母层叠体。
然后，将压制后母层叠体裁切为规定的尺寸，切出未加工的陶瓷层叠体。需要说明的是，此时也可以通过滚筒研磨等将未加工的陶瓷层叠体的角部、棱部磨圆。
然后，将未加工的陶瓷层叠体进行烧成。此时，烧成温度依据陶瓷层14、内部电极16a、16b的材料，而优选为900℃～1300℃。烧成后的陶瓷层叠体将用作层叠陶瓷电容器10的含有陶瓷层14和内部电极16a、16b的陶瓷元件12。
然后，在烧成后的陶瓷层叠体的两端面涂布外部电极用导电性糊剂，通过烧结形成端子电极18a和18b的外部电极20a和20b。
以上是层叠陶瓷电容器的制造方法中，对层叠陶瓷电容器实施镀敷前的通常的制造工序的一例。下面，参照图2，对层叠陶瓷电容器的制造方法中的对外部电极实施镀敷的工序的一例进行说明。在此，在以下的说明中，希望注意到的是：上述的Sn镀敷被膜24a和24b由第一Sn镀敷被膜28’a和28’b、以及后述的第二Sn镀敷被膜30a和30b构成，其中，上述第一Sn镀敷被膜28’a和28’b形成于Ni镀敷被膜上、且具有后述的薄片状的Sn－Ni合金粒子，上述第二Sn镀敷被膜30a和30b形成于具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b上。
首先，如图2(a)所示，在第一外部电极20a的表面和第二外部电极20b的表面，分别通过实施Ni镀敷而形成Ni镀敷被膜22a和22b。
然后，如图2(b)所示，在Ni镀敷被膜22a和22b的表面，分别利用Sn实施金属镀敷，由此形成第一Sn镀敷被膜28a和28b。
此外，通过在相对的低温下进行长时间热处理，从而如图2(c)所示，在第一Sn镀敷被膜28a和28b中形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25，由此形成具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b。使具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b的厚度为整体的Sn镀敷被膜24a和24b的目标厚度的50％以下，上述整体的Sn镀敷被膜由具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b、以及后述的第二Sn镀敷被膜30a和30b构成。
此外，如图2(d)所示，在具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b的表面，分别利用Sn实施金属镀敷，由此形成第二Sn镀敷被膜30a和30b。在该第二Sn镀敷被膜30a和30b中，未形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25。
在此，第一Sn镀敷被膜和第二Sn镀敷被膜也可以分别通过多次的Sn镀敷处理而形成。这种情况下，通过多次Sn镀敷处理，在形成第一Sn镀敷被膜28a和28b后，形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25。
选择性地，如图2(e)所示，将形成有Ni镀敷被膜22a、22b和Sn镀敷被膜24a、24b的陶瓷元件12在相对的高温下进行短时间热处理，由此在Ni镀敷被膜22a、22b和Sn镀敷被膜24a、24b的界面形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层26a和26b。
如上所述，制造图1中示出的层叠陶瓷电容器10。
在参照图2进行说明的上述的方法中，将上述的Sn镀敷被膜24a和24b分为如下两个工序来形成，即形成具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b的工序、和形成不具有薄片状的Sn－Ni合金粒子25的第二Sn镀敷被膜30a和30b的工序。如此一来，能够调整存在薄片状的Sn－Ni合金粒子25的Sn镀敷被膜的厚度方向的范围。特别是，通过使具有Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a和28’b的厚度成为整体的Sn镀敷被膜24a和24b的厚度的50％以下，从而能够形成图1中示出的层叠陶瓷电容器10所具有的目标Sn镀敷被膜。
(实验例)
在实验例中，制造以下所示的实施例1、比较例1、比较例2和比较例3的层叠陶瓷电容器，评价这些的层叠陶瓷电容器的镀敷被膜中的晶须。
(实施例1)
在实施例1中，利用上述的方法制造图1中示出的层叠陶瓷电容器10。层叠陶瓷电容器的制造方法中的对外部电极实施镀敷的工序具体而言设为以下的工序。
1.被镀敷物的准备
2.电解Ni镀敷处理(Ni镀敷被膜22a、22b的形成)
3.电解Sn镀敷处理(第一Sn镀敷被膜28a、28b的形成)
4.干燥
5.薄片状的Sn－Ni合金粒子25的形成(具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b的形成)
6.电解Sn镀敷处理(第二Sn镀敷被膜30a、30b的形成)
7.干燥
8.由Ni3Sn4形成的金属间化合物层26a、26b的形成(可选)
下面对各工序进行说明。
(工序1：被镀敷物的准备)
作为被镀敷物的层叠陶瓷电容器的外形尺寸设为长2.0mm、宽1.25mm、高1.25mm。另外，使用钛酸钡系电介质陶瓷作为陶瓷层14(电介质陶瓷)。此外，使用Ni作为内部电极16a、16b的材料。此外，使用Cu作为外部电极20a、20b的材料。
(工序2：电解Ni镀敷处理(Ni镀敷被膜22a、22b的形成))
在工序2中，通过电解Ni镀敷处理，形成Ni镀敷被膜22a、22b(参照图2(a))。使用旋转滚筒作为镀敷装置。对于Ni镀敷浴，使用硫酸镍240g/L、氯化镍45g/L、硼酸30g/L、1，5－萘二磺酸钠8g/L、明胶0.008g/L、pH为4.8、温度为55℃的镀敷浴。电流密度Dk为3.0A/dm2。以Ni镀敷被膜的厚度成为3.0μm的方式控制时间，实施Ni镀敷。
(工序3：电解Sn镀敷处理(第一Sn镀敷被膜28a、28b的形成))
在工序3中，通过电解Sn镀敷处理，在Ni镀敷被膜22a、22b上形成第一Sn镀敷被膜28a、28b(参照图2(b))。与工序2同样，使用旋转滚筒作为镀敷装置。Sn镀敷浴使用弱酸性Sn镀敷浴(柠檬酸系弱酸性浴)，在该弱酸性Sn镀敷浴，添加了作为金属盐的硫酸锡、作为络合剂的柠檬酸、作为抛光剂的包含季铵盐或烷基甜菜碱的表面活性剂中的任意一种或两种。电流密度Dk为0.5A/dm2。以使第一Sn镀敷被膜28a、28b的厚度成为整体的Sn镀敷被膜24a、24b的目标厚度4.0μm的50％以下、即1.5μm的方式控制时间，实施Sn镀敷。
(工序4：干燥)
在工序4中，在80℃的空气中进行15分钟干燥。
(工序5：薄片状的Sn－Ni合金粒子25的形成(具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b的形成))
接着，为了在第一Sn镀敷被膜28a、28b中形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25，在90℃实施12小时的热处理。热处理在大气气氛中进行，但也可以在氮气氛中或真空气氛中进行。通过该处理，第一Sn镀敷被膜28a、28b成为具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b(参照图2(c))。
(工序6：电解Sn镀敷处理(第二Sn镀敷被膜30a、30b的形成))
在工序6中，通过电解Sn镀敷处理，在具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b上形成第二Sn镀敷被膜30a、30b(参照图2(d))。与工序2和工序3同样，使用旋转滚筒作为镀敷装置。对于Sn镀敷浴，使用与工序3同样的Sn镀敷浴(柠檬酸系弱酸性浴)。电流密度Dk也为与工序3同样的0.5A/dm2。以使第二Sn镀敷被膜30a、30b的厚度成为整体的Sn镀敷被膜24a、24b的目标厚度4.0μm的50％以上、即2.5μm的方式控制时间，实施Sn镀敷。
(工序7：干燥)
在工序7中，与工序4同样，在80℃的空气中进行15分钟干燥。
(工序8：由Ni3Sn4形成的金属间化合物层26a、26b的形成)
最后，在150℃进行10分钟热处理，在Ni镀敷被膜22a、22b和具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b的界面，形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层26a和26b(参照图2(e))。需要说明的是，在各镀敷处理后，通过纯水进行清洗。
(比较例1)
比较例1在没有上述工序6和工序7方面与实施例1明显不同。即，在比较例1中没有形成第二Sn镀敷被膜30a、30b的工序，从而仅存在具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜28’a、28’b。另外，对于在比较例1而言，在工序3中，以第一Sn镀敷被膜28a、28b的厚度并非1.5μm、而达到4.0μm的方式控制时间，实施Sn镀敷，从而该方面也与实施例1不同。需要说明的是，比较例1的Sn镀敷被膜的目标厚度与实施例1的整体的Sn镀敷被膜24a和24b的目标厚度相同，为4.0μm。除这些方面以外，设为与实施例1相同的工序。
(比较例2)
在比较例2中，通过与比较例1同样的工序形成镀敷被膜，但与比较例1相比，在工序5中用于形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25的热处理时间不同。比较例1中的工序5的热处理时间与实施例1同样为12小时，在比较例2中为6小时。其它工序与比较例1相同。
(比较例3)
比较例3也与比较例2相同，在工序5中用于形成薄片状的Sn－Ni合金粒子25的热处理的时间与实施例1和比较例1不同。比较例3中的工序5的热处理时间为90小时。其它工序与比较例1相同。
接着，对于实施例1、比较例1、比较例2和比较例3的各层叠陶瓷电容器，依据以下所示的JEDEC标准，以晶须长度对被膜中的晶须进行评价。
·试样数(n数)：3组×6个/组＝18个
·试验条件：最低温度为－55℃(+0/－10)，最高温度为85℃(+10/－0)，在各温度下保持10分钟，以气相方式施加1500循环的热冲击。
·观察方法：使用扫描型电子显微镜(SEM)利用1000倍的电子显微镜照片图像来进行。
在图3～图6中，分别示出了实施例1、比较例1、比较例2和比较例3的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。另外，将关于实施例1、比较例1、比较例2和比较例3而得到的Sn－Ni合金粒子被覆率、Sn－Ni合金粒子到达率和晶须的最大长度示于表1中。在此，例如图3中的Sn－Ni合金粒子被覆率是，薄片状的Sn－Ni合金粒子25所占区域相对于通过图3的照片图像所观察到的面区域的比例。
表1
其结果如下：对于Sn－Ni合金粒子被覆率而言，仅实施例1在15％～60％的范围，对于Sn－Ni合金粒子到达率而言，实施例1、比较例2和比较例3为50％以下。若比较晶须的最大长度，则比较例1、比较例2和比较例3为20μm以上，相对于此，实施例1为5μm，最为良好。
这样，由实施例1和比较例1的结果可知，用于形成Sn－Ni合金粒子25的热处理的时间相同，但Sn－Ni合金粒子25在Sn镀敷被膜24a、24b中的存在范围不同，还可知通过本发明的制造方法，能够将Sn－Ni合金粒子到达率保持在50％以下，同时使Sn－Ni合金粒子被覆率达到15％～60％的范围。另外，若比较各晶须的最大长度，则可以确认：在Sn－Ni合金粒子到达率为50％以下且Sn－Ni合金粒子被覆率在15％～60％的范围的实施例1中，在晶须长度方面，晶须抑制能力得到改善。
需要说明的是，对于Ni镀敷被膜22a、22b各自的厚度，确认只要能够被覆基底的外部电极20a、20b，则对晶须没有影响，可以适用1μm以上的厚度。
在上述的实施方式中，作为电介质而使用了钛酸钡系的电介质陶瓷，也可以取而代之使用例如钛酸钙系、钛酸锶系、锆酸钙系的电介质陶瓷。另外，作为陶瓷层14的陶瓷材料，也可以使用添加了例如Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土化合物等副成分的陶瓷材料。
在上述的实施方式中，作为内部电极使用了Ni，也可以取而代之使用例如Cu、Ag、Pd、Ag－Pd合金、Au等。
在上述的实施方式中，作为外部电极使用了Cu，也可以取而代之使用例如选自Ag、Ag/Pd中的一种金属或包含该金属的合金。
产业上的可利用性
本发明的电子部件特别适合用于例如高密度安装的层叠陶瓷电容器等的电子部件。
附图标记
10 层叠陶瓷电容器
12 陶瓷元件
14 陶瓷层
16a、16b 内部电极
18a、18b 端子电极
20a、20b 外部电极
22a、22b Ni镀敷被膜
24a、24b Sn镀敷被膜
25薄片状的Sn－Ni 合金粒子
26a、26b 金属间化合物层
28a、28b 第一Sn镀敷被膜
28’a、28’b 具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜
30a、30b 第二Sn镀敷被膜
Claims (4)
1.一种电子部件，其特征在于，其具有：形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜，
在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，
所述薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且
从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，所述薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。
2.根据权利要求1所述的电子部件，其中，还包含形成于所述Ni镀敷被膜和所述Sn镀敷被膜之间的由Ni3Sn4形成的金属间化合物层。
3.一种电子部件的制造方法，其特征在于，用于制造电子部件，所述制造方法包含：
准备形成有外部电极的电子部件元件的工序；
在所述外部电极上形成Ni镀敷被膜的工序；
在所述Ni镀敷被膜上形成第一Sn镀敷被膜的工序；
在所述第一Sn镀敷被膜中形成薄片状的Sn－Ni合金粒子的工序；和
在具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜上形成第二Sn镀敷被膜，使得具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜的厚度为整体的Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围的工序，所述整体的Sn镀敷被膜由具有所述薄片状的Sn－Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜和所述第二Sn镀敷被膜构成。
4.根据权利要求3所述的电子部件的制造方法，其中，包含在形成所述第二Sn镀敷被膜的工序之后，在所述Ni镀敷被膜和所述第一Sn镀敷被膜之间形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层的工序。
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