CN104048599A - 用于对发光器件进行特征分析的方法和*** - Google Patents

Abstract

本发明描述了一种用于对发光器件进行特征分析的方法和***，其对发光器件的物理特性进行特征分析，物理特性例如是在固态发光器件的衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的厚度、一致性、极化、和/或缺陷尺寸和位置（例如缺陷密度分布）。在此所述的实施方式一般包括：用能源对发光器件进行激发；对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜所发射的光能进行分析。

Description

用于对发光器件进行特征分析的方法和***

相关申请交叉引用

当前申请要求2013年3月13日提交的标题为“用于对发光晶体结构的厚度和一致性进行测量的方法和***”的美国临时专利申请第61/780,294号的优先权，其在此通过引用而全部并入。 

技术领域

本申请一般涉及对固态发光器件的结构的特性进行特征分析的方法和***。特别是涉及在固态发光器件的制造过程中通过对晶体结构或薄膜当被光能激发时发出的光子进行分析来例如对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的厚度、一致性、极化、和/或缺陷密度分布进行测量。 

背景技术

有许多对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜进行特征分析的方法，衬底例如是用各种材料（例如硅、青玉、SiC、GaAs、InP）制成的晶圆片。这些方法中的大多数方法实际上是破坏性的，涉及到对晶体结构或薄膜的材料进行切割或蚀刻。这些侵害性的方法会破坏所测试的结构的功能性且增加了生产成本和浪费。这些侵害性的方法一般无法用于在制造过程中测试每个器件。 

有些方法是非破坏性的，但是它们会需要特殊且昂贵的测试器材。例如，有些方法使用电磁辐射（例如无线电、紫外线、X射线）来以允许对测试结构进行特征分析的方式与测试结构交互。通过对所发射的辐射的反射强度、吸收、衍射、或极性进行测量来进行特征分析。会需要特殊的器材来生成刺激辐射。 

发明内容

在制造固态发光器件的行业中，制造商对于在制造过程的早期确定在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的物理特性很感兴趣，晶体结构的物理特性例如一致.性、厚度、极化、缺陷的尺寸及位置。发光器件的质量是基于缺陷的数量和类型、膜的一致性、和/或其他物理特性的。 

存在着对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜进行特征分析的方法和***是非侵害性的需求。在此所述的实施方式提供了一种对在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的物理特性进行特征分析的方法和***，物理特性例如是厚度、一致性、极化、缺陷的尺寸和位置（例如缺陷密度分布）。在此所述的实施方式一般包括：对衬底上个别的发光结构（例如生长的晶体结构或沉积的薄膜）进行激发；对发光结构所发射的光能（例如光子）进行分析来分析发光结构的物理特性。 

在一些实施方式中，可将电作为能源来对所测试的发光器件进行激发。在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜可被电所激发而发射光子（例如光能）。可对所发射的光进行测量和反卷积（de-convolve）来例如对发射光子的个别的结构的物理特性进行分析。在一些实施方式中，可用至少一个高斯函数来进行反卷积。在一些实施方式中，每个高斯函数可与发射光子的个别的结构的一个独立的物理特性相关联。 

光谱能量分布（SPD）形式的总体光发射量是发光器件所发射的一个或更多的辐射能量（例如光子）来源的卷积。在一些实施方式中，可对发光结构（例如在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜）的SPD进行收集和反卷积来分析SPD。 

在一些实施方式中，可对所发射的光子的反卷积SPD进行分析。所发射的光子的反卷积SPD例如与在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的位置、尺寸、厚度、缺陷分布（例如位错结构）相关。在一些实施方式中，可对反卷积SPD的数值波长参数进行计算。在一些实施方式中，可用晶圆片上的每个器件的数值波长参数的假色映射使光发射量的非一致性可视化。在一些实施方式中，可将一个或更多的反卷积SPD用于构建假色映射。在一些实施方式中，每个反卷积SPD可与光子发射结构中的改变相关联。通过对反卷积SPD进行分析，可对多个光子发射结构进行分析。 

附图说明

图1示出了固态发光器件的一个实施方式。 

图2示出了根据本发明的方法来对发光器件进行特征分析的***的测试装置的一个实施方式。 

图3示出了根据本发明的方法来以激发无线电波对发光器件进行特征分析的***的测试装置的另一个实施方式。 

图4示例性地示出了作为晶粒的沉积于晶圆片衬底上的蓝色磷光高亮度发光二极管的磷光发光层的厚度的分布。 

图5示出了晶圆片衬底级上的示例性的假色映射。 

图6A到6G示出了根据本发明的方法的发光器件所发射的光子的各参数的示例性的空间分布的表面图。图6A示出了所发射的光子的主波长的空间分布。图6B到6D示出了颜色参数的空间分布的第一集合。图6B示出了光子强度的空间分布。图6C示出了光子中心波长的空间分布。图6D示出了光子曲线宽度的空间分布。图6E到6G示出了颜色参数的空间分布的第二集合。图6E示出了光子强度的空间分布。图6F示出了光子中心波长的空间分布。图6G示出了光子曲线宽度的空间分布。 

具体实施方式

例如是SPD形式的总体光发射量是各光子来源的卷积，例如在固态发光器件中找到这种光子来源（例如量子阱或QW）。在本发明的一个实施方式中，一个信号处理方法涉及可用一个或更多的高斯函数对SPD进行反卷积以通过对个别的发光结构所发射的光子进行分析来对衬底上个别的发光结构（例如在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜）进行特征分析。通过对衬底上的个别的发光结构的分析结果在空间关系上进行组合，可对衬底上的发光结构的物理特性进行特征分析，物理特性例如是层的厚度、材料分布的一致性、极化、掺杂密度、晶格位错、和/或缺陷的尺寸和位置。 

典型的固态发光器件，例如高亮度发光二极管（HBLED），包括至少一个发光结构。个别的发光结构当被激发时可发射具有不同性质的光子， 该性质例如是数量（例如强度）和能量（例如波长）。这些发射的光子的数量和/或能量可与发光结构的物理特性和/或操作条件相关。发光结构的物理特性例如包括：厚度、一致性、极化、和/或缺陷的尺寸和位置（例如缺陷密度分布）。操作条件例如包括：温度、刺激能源（例如电）的性质（例如正向电流）、刺激能源的持续性、及器件年龄。术语“器件年龄”一般是指器件的性能（例如发光性能）依赖于时间的改变。通过用一个或更多的高斯函数对总体光发射量进行反卷积，可获得反映了发光结构的物理特性的一个或更多的颜色参数的集合。 

图1示出了固态发光器件100的实施例，例如是HBLED。固态发光器件100具有多个层。在示出的实施方式中，固态发光器件100具有青玉层101。在青玉层101的顶部依次沉积的层可包括氮化镓缓冲层（GaN缓冲层）102、n型氮化镓（n-GaN）层103、多量子阱（MQW）104、p型氮化镓（p-GaN）层105。P接触层106可沉积在p-GaN层105的顶部。N接触层107可沉积在n-GaN层103的顶部。MQW104可被能源（例如电）激发来发射光子。 

参照图2，装置200对固态发光器件210进行特征分析，固态发光器件210包括：探测器202、器件载体208、及配置为移动器件载体208的可移动平台209。固态发光器件210可位于器件载体208上，以可移动平台209进行移动。 

对衬底211上的个别的发光结构（晶粒201）进行特征分析的处理可包括将衬底211固定于器件载体208。可移动平台209可在二维上进行移动，从而个别的晶粒201可与探测器202对齐来对晶粒201的特性进行测试。 

当对特殊的晶粒201a进行测试时，探测器202可与所测试的晶粒201a电连接。探测器202也电连接于外部电源（未示出）。所测试的晶粒201a可被电激发从而发射光子。位于所测试的晶粒201a之上的积分球203对所发射的光子进行收集。传感器204配置为对通过积分球203的所发射的光子的至少一部分进行采样。该采样能准确代表来自所测试的晶粒201a的总体光发射量。传感器204将接收到的信号发送给光谱仪205。光谱仪205可配置为将总体光发射量转换为SPD。颜色分析计算单元206可配置为对SPD进行分析，例如包括所测试的晶粒201a所发射的光子的反卷积、相关、 估计、标定。 

在一些实施方式中，颜色分析计算单元206可包括中央处理器、储存器件、对储存在储存器件中的数据进行显示的显示器件、使用户与计算单元206交互的接口。在一些实施方式中，颜色分析计算单元206可包括中央处理器、储存器件、对储存在储存器件中的数据进行显示的显示器件、用于与计算单元206交换数据的接口。 

当对晶粒201进行测试时，可对晶粒201的温度、给予晶粒201的电流、及器件年龄进行控制。美国专利公开US20110025337于2013年11月26日公告为美国专利第8,593,148号，公开了一种在对HBLED进行测试时对温度和/或电流进行控制的方法。其在此通过引用而全部并入。 

如图2所示的晶粒201可被其他能源所激发。例如，在如图3所示的另外一个测试装置300中，外部光源307可用于激发发光器件310的晶粒301。外部光源307可具有对晶粒301的至少一些组件，例如磷光层，进行激发的激发无线电波。 

所测试的晶粒301a所发射的光通过传感器304通过积分球303进行采样。传感器304将接收到的信号发送给光谱仪305。最好是可单独或组合使用外部光源307和图2中的电源。一般也最好是可使用能对晶粒（例如晶粒210、310）进行激发的能源。 

图2和图3中示出的装置最好是示例性的。对发光结构的物理特性进行特征分析的装置一般包括：配置为用能源对发光器件的发光结构（或区域）进行激发的探测器；配置为收集发光结构（或区域）所激发的光子的器件；及测量光子的总SPD的器件。该装置可包括配置为通过使用一个或更多的高斯函数对总SPD进行反卷积以获得描述发光结构（或区域）所发射的光子的一系列颜色参数的器件。该装置可配置为移动发光器件从而可对不同的发光结构（或区域）进行特征分析。可获得例如颜色参数的空间分布，可用于反映在晶圆片衬底级的发光器件的特性。 

在一个实施方式中，对总SPD形式的所测量的总体光发射量进行分析，该分析配置为将总SPD反卷积为一个或更多的高斯函数或其他数学函数（例如玻尔兹曼分布、艾里函数）。每个高斯函数可包括一个或更多的颜 色参数，例如各种强度、曲线宽度、和/或中心波长。然后可使用个别的高斯函数的特性对晶粒（例如晶粒201或301）中的各物理特性进行测量或特征分析。然后可使用发光器件上的晶粒的高斯函数的特性（例如颜色参数）的空间分布对发光器件（例如固态发光器件210或310）中的各物理特性进行测量或特征分析，物理特性可包括在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的厚度、一致性、极性、和/或缺陷密度分布。 

例如，在一个实施方式中，HBLED的总体光发射量是所有个别的发射结构的卷积，发射结构例如是电所刺激的MQW、MQW区域（例如重空穴、轻空穴、光学声子、量子隧穿）内的发射结构、光所刺激的磷光等等。以总SPD来代表总体光发射量。通过使用一个或更多（例如两个或更多）的高斯函数来对每个发射结构进行特征分析。特征分析处理包括用至少一个高斯函数对总SPD进行反卷积。每个高斯函数可用一个或更多的颜色参数（或它们的组合）来规定，颜色参数例如是：曲线峰值的高度（例如强度）、峰值的中心（例如中心波长）、及曲线的宽度（例如标准差）。在美国专利公开US20120038363A1中记载了一种使用一个或更多的颜色参数对SPD进行建模的方法，其在此通过引用而全部并入。 

在一些实施方式中，SPD的特征分析处理可包括应用估计处理来对高斯函数的颜色参数进行优化，从而对高斯函数的求和只会产生最少的该特殊的估计处理所规定的错误。可应用不同的估计处理，例如最小二乘估计。可以理解的是，也可使用其他估计处理。 

颜色参数与例如发光器件（例如HBLED）的发光结构（例如晶体结构或薄膜）的物理特性相关联。这些发光器件的物理特性例如可包括：层的厚度、材料分布的一致性、掺杂密度、晶格位错、缺陷密度分布等等。通过对个别的发光结构进行特征分析，可对发光器件的物理特性进行特征分析。 

在一个实施方式中，所测试的固态发光器件例如可以是单色的HBLED。可用三个高斯函数对单色的HBLED的总SPD进行特征分析，会导致低于0.1%的错误。在该实施方式中，可产生九个颜色参数（每个高斯函数三个）。估计处理对颜色参数进行优化，从而三个高斯函数的求和产 生了与特殊的估计处理最相符的曲线。 

在另一个实施方式中，所测试的固态发光器件例如可以是蓝色磷光HBLED，其中有源区域所发射的蓝光的一部分被例如以更长的波长轮流发光的磷光层所吸收。该蓝色磷光HBLED有时指白光LED。该实施方式中的这种蓝色磷光HBLED的总SPD可用六个高斯函数生成，而且生成了十八个颜色参数（每个高斯函数三个）。在该实施方式中，颜色参数可用于对蓝色磷光HBLED内磷光交互的结果进行分析。即给定蓝色磷光HBLED的SPD和磷光的能量转化函数，颜色参数可用于对蓝光和磷光之间的交互进行分析和预测。可在反卷积处理中对来自有源区域的蓝光的能量贡献和磷光层所发射的具有更长波长的光进行分离。对于不同结构，例如有源区域和磷光的贡献，用颜色参数的不同集合分开进行特征分析。可以理解的是，在此所述的方法可用于对其他磷光交互或包括多于一个LED（例如RGB白光LED）的固态发光器件进行分析和预测，其不限于蓝光/磷光交互。 

回到图2，在一个实施方式中，通过颜色分析计算单元206进行对固态发光器件200的特征分析。颜色分析计算单元206对最佳颜色参数进行估计且进行反卷积。在另一个实施方式中，颜色分析计算单元206在一个或更多的图，例如二维假色映射，中显示颜色参数。这种数据展示有助于使分布在发光器件的衬底上的发光结构的物理特性可视化。在另一个实施方式中，颜色分析单元206可包括中央处理器、内存器储存单元、及数据显示装置。在另一个实施方式中，颜色分析单元206可包括中央处理器、内存器储存单元、及用于与计算单元206交换数据的接口。 

固态发光结构的SPD可通过器件条件的变化而改变，器件条件例如是器件温度、刺激电流强度、刺激电流的时间持续性、及发光器件本身的器件年龄。在一些实施方式中，可实现对SPD和器件条件的变化之间的关联的预测。 

在一个实施方式中，可在不同的器件温度下对SPD进行特征分析且可获得一系列相应的颜色参数的集合。可建立SPD和器件温度之间的关联。SPD可反卷积为颜色参数，颜色参数可用于描述光子发射是如何根据器件温度的函数而改变的。 

在另一个实施方式中，可在不同的刺激电流强度下对SPD进行特征分析且可获得一系列相应的颜色参数的集合，从而可建立光子发射之间根据电流强度的函数而改变的关联。在另一个实施方式中，可在不同的刺激电流的持续性下对SPD进行特征分析且可获得一系列相应的颜色参数的集合，从而可建立光子发射之间根据刺激电流的持续性的函数而改变的关联。在另一个实施方式中，可在发光结构的不同的时期下对SPD进行特征分析且可获得一系列相应的颜色参数的集合，从而可获得光子发射的改变和发光器件的年龄之间的关联。 

例如可在实验设置内建立这些关联。可通过当对实际的发光器件进行特征分析时使用这些关联来获得对SPD和器件条件之间的关联的预测。 

在一些实施方式中，发光器件的不同的发光结构或区域的颜色参数的空间关联可用于在晶圆片衬底级对发光器件的物理特性进行特征分析。 

在一个实施方式中，颜色参数可用于在晶圆片衬底级晶体结构的分布一致性进行测量。固态发光器件可包括一个或更多的晶粒。每个晶粒可包括至少一个发光结构，例如QW或MQW。可通过对每个晶粒上的发光结构所发射的SPD例如以高斯函数进行特征分析来获得颜色参数的集合。可在发光器件的多个结构或区域上进行该分析且可对于每个结构或区域都获得颜色参数的集合。在一些实施方式中，可对发光器件上的每个晶粒进行该处理。通过从每个晶粒获得的颜色参数的空间关联，可获得晶圆片衬底级的结构一致性分布并使其可视化。 

例如，颜色参数的集合可用于对晶粒的磷光层厚度进行特征分析。图4示出了沉积在衬底上的蓝色磷光HBLED的磷光层的厚度的分布。较暗的部分与相对较厚的磷光层相关，较亮的部分与相对较薄的磷光层相关。较暗的部分和较亮的部分的分布有助于在晶圆片衬底级上使层厚度的分布可视化。 

可以理解的是图4所示出的是实际情况但并非一种限制。从衬底到衬底可重复类似的处理。在一些实施方式中，可通过对不同衬底或批次的分布进行比较来实现对衬底到衬底或批次到批次的变化的一致性的测量。在此所述的实施方式可提供能准确且快速进行且性价比高的质量控制方法。 

假色映射也有助于使例如在晶圆片衬底级的发光器件的一致性可视化。 

图5示出了用假色映射500、501、502和/或503在晶圆片衬底级对HBLED的晶体结构的变化和一致性进行测量和可视化。例如使用类似于图2或图3中示出的测试装置对固态发光器件的每个晶粒个别地进行测试。可对从每个晶粒测量的SPD进行收集和分析。基于晶粒的空间分布使用假色在晶圆片衬底级标绘SPD的数值波长参数，使SPD的数值波长参数可视化。可用不同颜色，例如绿、红和紫，来代表数值波长参数的分布。例如，在一些实施方式中，可用绿色代表从445-449nm的峰值波长值，可用紫色代表从450-454nm的峰值波长值，且可用红色代表从455-459nm的峰值波长值。 

代表了总体上的主波长分布的假色映射500可进一步进行反卷积来对变化的子集进行分析。在示出的实施方式中，可通过假色映射的子集501、502和/或503来使变化的子集可视化。假色映射500最好能反卷积为包括更多假色映射的子集。假色映射500是一些发射结构内改变的聚集或卷积。通过将假色映射500反卷积为假色映射的子集501、502和/或503，可对不同的发射结构个别地进行特征分析。假色映射500的每个子集（例如假色映射501、502和/或503）可包括不同的颜色参数，例如不同的波长。 

也可对来自不同的生产批次的多个衬底进行类似的分析，从而能对批次到批次的变化进行分析。 

在此所述的实施方式最好是非破坏性的，不依赖辐射来激发晶体结构。由于所测试的结构可在正常操作条件下进行特征分析，因此该实施方式可直接应用在制造过程中的生产线上。在此所述的实施方式也可允许在制造过程中的生产线上对每个器件进行测试。这有助于显著减少制造成本且提高器件的质量。 

在此所述的实施方式最好也可应用于其他器件，例如激光器，或其他包括光电二极管或晶体管的器件。在此所述的实施方式一般可应用于包括当被能源激发时会发射光子的固态结构（例如LED、有机发光二极管（OLED）等等）的器件。当发射光子的固态结构可用数学分布，例如玻尔 兹曼或高斯分布，来建模时可应用在此所述的实施方式。甚至当发光结构与另一个光子交互物混合（例如在蓝色LED上涂覆磷光膜）时可应用在此所述的实施方式。 

颜色参数一般用于以一系列高斯分布函数的形式来表示SPD。例如，在一些实施方式中，LED光谱发射可用2个或3个高斯函数和数量级术语来准确地表示。对于制造上的应用可对高斯函数的系数进行数学处理（例如标准化和/或比例化）。对系数的收集是指颜色参数。 

在一些实施方式中，可对于每个高斯函数使用三个颜色参数。例如当LED发射用两个高斯函数来表示时，可使用总共六个颜色参数和一个数量级参数。 

沉积膜的物理特性上的变化的个别类型（厚度、掺杂级、位错尺寸等等）可对一个或更多的个别颜色参数有显著影响。因此，颜色参数可用于对膜上的变化进行鉴别、定位和取整。 

在一些实施方式中，当评估了磷光层时，会需要更多的高斯函数来表示光子发射。例如，可用五或六个高斯函数来表示蓝色LED和磷光层之间的交互，可总共包括十一到十三个颜色参数。可用两到三个高斯函数来描述蓝色LED发射且可用剩下的两到三个高斯函数来描述磷光层的光子发射。可用颜色参数有效地将蓝色LED和磷光光子发射的组合部分分割为来自磷光层的发射和来自蓝色LED的发射。在一些实施方式中，例如在实验设置中可获得蓝色LED光谱发射的光谱，从而可在实验中获得描述蓝色LED的颜色参数。可进行对蓝色/磷光颜色参数的分析来确定磷光层的能量转换性质，可用于确定磷光层的质量和变化。在此所述的实施方式可扩展到包括大于一个LED类型、大于一种LED颜色、和/或其他类型的光子发射结构（例如磷光灯或荧光灯）的应用。 

示例性的实施方式 

图6A到6G示出了各种参数的空间分布的示例性的实施方式，包括发光器件的主波长和各种颜色参数。图6A以所发射的光子的主波长的空间分布示出了发光器件的SPD。图6B到6G示出了发光器件的SPD反卷积为颜色参数的多个集合。在所示出的实施方式中，SPD反卷积为颜色参数的两 个集合。图6B到6D示出了由第一高斯函数所提供的颜色参数的第一集合（CP0）。图6B是所发射的光子的强度的空间分布。图6C是所发射的光子中心波长的空间分布。图6D是所发射的光子曲线宽度的空间分布。例如可用颜色参数的CP0集合来示出发光器件的一致性分布。 

图6E到6G示出了由第二高斯函数所提供的颜色参数的第而集合（CP1）。图6E是所发射的光子的强度的空间分布。图6F是所发射的光子中心波长的空间分布。图6G是所发射的光子曲线宽度的空间分布。例如可用颜色参数的CP1集合来示出发光器件的厚度分布。 

根据上述记载，本发明的这些和其他特征对于那些本领域的技术人员来说是可见的。可以理解的是，在各种明显的方面本发明可进行改动，所有改动都在本发明的精神和范围之内。而且，用各种方法来实施对发光器件的颜色和强度进行量化的***和方法都在本发明的范围之内。 

Claims (12)

1.一种对固态发光器件进行特征分析的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供能源以激发固态发光器件的发光区域；

收集发光区域所发射的光子；

获得发光区域所发射的光子的总光谱能量分布；

通过对总光谱能量分布进行反卷积来获得至少一个颜色参数；以及

基于至少一个颜色参数对发光区域的物理特性进行特征分析。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

通过对总光谱能量分布进行反卷积来获得至少一个颜色参数包括：用一个或更多的高斯函数对总光谱能量分布进行反卷积。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

颜色参数包括光子的强度、曲线宽度、中心波长中的一个或组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

提供能源以激发固态发光器件的第二发光区域；

收集第二发光区域所发射的光子；

获得第二发光区域所发射的光子的总光谱能量分布；

通过对第二发光区域的总光谱能量分布进行反卷积来获得至少一个颜色参数；

获得发光区域的颜色参数和第二发光区域的颜色参数的空间分布；以及

基于颜色参数的空间分布对固态发光器件的物理特性进行特征分析。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

发光区域是固态发光器件上的晶体结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

发光区域是固态发光器件的衬底上沉积的膜的区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

固态发光器件的物理特性包括：在固态发光器件的制造过程中在衬底上生长的晶体结构或沉积的薄膜的厚度、一致性、极化、和/或缺陷密度分布中的一个或组合。

8.一种对发光器件进行特征分析的装置，其特征在于，包括：

电源，该电源配置为连接于发光器件的发光区域且对该发光区域进行激发；

传感器，该传感器配置为对发光区域所发射的光子感应；

光谱仪，该光谱仪配置为将传感器所感应的光子转换为光谱能量分布；以及

颜色分析计算单元，该颜色分析计算单元配置为用一个或更多的高斯函数对光谱能量分布进行反卷积，

由至少一个颜色参数规定每个高斯函数，

由此以至少一个颜色参数对发光区域进行特征分析。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

发光区域是发光器件的衬底上的晶体结构。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

发光区域是发光器件的衬底上沉积的膜的区域。

11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

颜色参数配置为最优，从而根据估计处理使光谱能量分布和高斯函数的合计之间的差异最小化。

12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，

进一步包括可移动平台，该可移动平台配置为对发光器件进行移动以允许发光器件的不同区域连接于电源。