CN104009052A - 晶圆封装方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶圆封装方法，包含下列步骤：提供具有多个集成电路单元的晶圆。研磨晶圆相对集成电路单元的第一表面。提供透光载体。形成脱膜层于透光载体的第二表面上。形成紫外光暂时粘着层于透光载体的第二表面上或晶圆相对第一表面的第三表面上。使用紫外光暂时粘着层粘合透光载体的第二表面与晶圆的第三表面，使脱膜层被包覆于紫外光暂时粘着层中。贴合晶圆的第一表面于紫外光胶带上。照射紫外光于透光载体相对第二表面的第四表面，使紫外光暂时粘着层的粘性消失。移除位于晶圆的第三表面上的透光载体与脱膜层。本发明的晶圆封装方法不易因翘曲而破裂，且可提升透光度，使影像感测晶片感测影像的能力提升。

Description

晶圆封装方法
技术领域
本发明是有关一种晶圆封装方法。
背景技术
当制作影像感测器的晶片(例如CMOS)时，通常会将光学玻璃片覆盖于晶圆(wafer)的表面，用以保护晶圆，使灰尘不易附着于晶圆的影像感测区。然而，当晶圆切割后形成的晶片使用于电子产品时，因电子产品通常在对齐晶片的壳体上会设置透光片，而透光片与晶片表面上的光学玻璃片具有相似的保护功能。
当晶圆的表面不具有光学玻璃片时，虽然可提升透光度，使晶圆切割后的晶片感测影像的能力提升，但因晶圆的厚度很薄(例如150μm)，要移动已形成球栅阵列的晶圆是相当困难的。举例来说，具有光学玻璃片的晶圆在研磨减薄后，接着经由球栅阵列(Ball Grid Array；BGA)制程，于晶圆相对光学玻璃片的表面形成球栅阵列。之后，会将具有光学玻璃片的晶圆放到铁框的胶带上，最后才进行切割光学玻璃片与晶圆的制程。光学玻璃片可提供晶圆支撑力，使晶圆不易因翘曲而破裂。然而，当晶圆的表面不具有光学玻璃片而放置晶圆于铁框时，容易因翘曲而破裂或不易准确放置于铁框的胶带上。
另一方面，当晶圆的表面具有光学玻璃片时，位于晶圆边缘的焊垫的上表面需与导线电性连接，因此焊垫的上方区域不可由光学玻璃片遮盖。如此一来，在光学玻璃片粘合于晶圆(例如Dam On Glass；DOG)之后的制程，经过切割制程或经过化学液体的制程时，均会污染或腐蚀晶圆的焊垫，使晶圆的良率下降。
发明内容
本发明的一技术态样为一种晶圆封装方法。
根据本发明一实施方式，一种晶圆封装方法包含下列步骤：(a)提供具有多个集成电路单元的晶圆。(b)研磨晶圆相对集成电路单元的第一表面。(c)提供透光载体。(d)形成脱膜层于透光载体的第二表面上。(e)形成紫外光暂时粘着层于透光载体的第二表面上或晶圆相对第一表面的第三表面上。(f)使用紫外光暂时粘着层粘合透光载体的第二表面与晶圆的第三表面，使脱膜层被包覆于紫外光暂时粘着层中。(g)贴合晶圆的第一表面于紫外光胶带上。(h)照射紫外光于透光载体相对第二表面的第四表面，使紫外光暂时粘着层的粘性消失。(i)移除位于晶圆的第三表面上的透光载体与脱膜层。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含移除位于脱膜层边缘的部分紫外光暂时粘着层。
在本发明一实施方式中，上述紫外光胶带位于框体的镂空开口中。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含清洗位于晶圆的第三表面上的紫外光暂时粘着层。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含：形成刮痕于紧邻晶圆边缘的紫外光胶带上。贴合支撑胶带于晶圆的第三表面与框体上。移除位于刮痕与框体之间的部分紫外光胶带。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含：照射紫外光于紫外光胶带，使紫外光胶带的粘性消失。移除位于晶圆的第一表面上的紫外光胶带。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含切割紫外光胶带移除后的晶圆。
在本发明一实施方式中，上述透光载体的厚度介于300至500μm的范围。
在本发明一实施方式中，上述透光载体的厚度大于晶圆的厚度。
在本发明一实施方式中，上述透光载体的强度大于晶圆的强度。
在本发明上述实施方式中，晶圆可不具有光学玻璃片，但可由透光载体提供支撑力，使晶圆贴合于框体的紫外光胶带时，不易因翘曲而破裂，且能准确贴合于框体的紫外光胶带上。当晶圆贴合于框体的紫外光胶带后，因透光载体通过紫外光暂时粘着层粘合于晶圆上，且紫外光暂时粘着层可通过照射紫外光而使其粘性消失，因此可于晶圆上移除透光载体。此外，当不具有光学玻璃片的晶圆切割后，晶圆所形成的影像感测晶片可应用于电子产品。由于影像感测晶片的表面不具有光学玻璃片，因此可提升透光度，使影像感测晶片感测影像的能力提升。
本发明的另一技术态样为一种晶圆封装方法。
根据本发明一实施方式，一种晶圆封装方法包含下列步骤：(a)提供具有多个集成电路单元与多个焊垫的晶圆。(b)提供透光保护片。(c)形成第一间隔层与第二间隔层于透光保护片的第一表面上。(d)形成永久粘着层与暂时粘着层分别于第一间隔层相对透光保护片的第二表面上与第二间隔层相对透光保护片的第三表面上。(e)粘合永久粘着层与暂时粘着层于晶圆上，使暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上，其中每一集成电路单元由第一间隔层围绕，且第一间隔层由第二间隔层围绕。(f)切割位于第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片。(g)移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光保护片。
在本发明一实施方式中，上述步骤(g)包含照射紫外光于紫外光暂时粘着层，使紫外光暂时粘着层的粘性消失。
在本发明一实施方式中，上述步骤(g)包含浸泡紫外光暂时粘着层于液体，使紫外光暂时粘着层的粘性消失。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含电性连接导线于晶圆的焊垫上。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含：形成穿孔于焊垫与晶圆背对透光保护片的第四表面之间。电性连接导线于晶圆的焊垫与位于第四表面的球栅阵列，其中导线穿入穿孔中。
在本发明一实施方式中，上述晶圆封装方法还包含：蚀刻晶圆的边缘，使晶圆的焊垫露出，并于晶圆的边缘形成斜面。电性连接导线于晶圆的焊垫与晶圆的球栅阵列，其中导线抵靠于斜面上。
在本发明一实施方式中，上述每一集成电路单元为影像感测元件。
在本发明上述实施方式中，透光保护片通过第一间隔层上的永久粘着层与第二间隔层上的紫外光暂时粘着层粘合于晶圆上，且紫外光暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上。如此一来，在透光保护片粘合于晶圆之后的制程，例如经过切割制程或经过化学液体的制程时，透光保护片与第二间隔层可避免焊垫遭到污染或腐蚀，而可提升晶圆的良率。此外，第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片可通过切割而分开，当紫外光暂时粘着层的粘性消失(例如照射紫外光或浸泡液体)时，便可移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光保护片，使焊垫露出，增加打线制程的便利性。
附图说明
图1绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。
图2绘示图1的透光载体粘合于晶圆时的示意图。
图3A绘示图2的透光载体粘合于晶圆后的示意图。
图3B绘示图3A的另一实施方式的示意图。
图4绘示图3A的部分紫外光暂时粘着层移除后的示意图。
图5绘示图4的晶圆贴合于紫外光胶带后的示意图。
图6绘示图5的透光载体照射紫外光时的示意图。
图7绘示图6的透光载体移除时的示意图。
图8绘示图7的紫外光暂时粘着层清洗后且于紫外光胶带形成刮痕时的示意图。
图9绘示图8的晶圆贴合支撑胶带时的示意图。
图10绘示图9的部分紫外光胶带移除后且翻转框体后的示意图。
图11绘示图10的紫外光胶带照射紫外光时的示意图。
图12绘示图11的紫外光胶带移除后的示意图。
图13绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。
图14绘示图13的透光保护片粘合于晶圆时的示意图。
图15绘示图14的永久粘着层与紫外光暂时粘着层粘合于晶圆后的示意图。
图16绘示图15的第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片切割后的示意图。
图17绘示图16的部分透光保护片移除后且焊垫电性连接导线后的示意图。
图18绘示图16的部分透光保护片移除后且晶圆的边缘蚀刻后的示意图。
图19绘示图18的焊垫电性连接导线后的示意图。
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示。
图1绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。首先步骤S1中，提供具有多个集成电路单元的晶圆。接着在步骤S2中，研磨晶圆相对集成电路单元的第一表面。之后步骤S3中，提供透光载体。接着在步骤S4中，形成脱膜层于透光载体的第二表面上。之后在步骤S5中，形成紫外光暂时粘着层于透光载体的第二表面上或晶圆相对第一表面的第三表面上。接着在步骤S6中，使用紫外光暂时粘着层粘合透光载体的第二表面与晶圆的第三表面，使脱膜层被包覆于紫外光暂时粘着层中。之后在步骤S7中，贴合晶圆的第一表面于紫外光胶带上。接着在步骤S8中，照射紫外光于透光载体相对第二表面的第四表面，使紫外光暂时粘着层的粘性消失。最后在步骤S9中，移除位于晶圆的第三表面上的透光载体与脱膜层。在以下叙述中，将说明上述各步骤的具体实施方式。
图2绘示图1的透光载体110粘合于晶圆140时的示意图。图3A绘示图2的透光载体110粘合于晶圆140后的示意图。同时参阅图2与图3A，晶圆140具有多个集成电路单元146与球栅阵列141，且晶圆140相对集成电路单元146的第一表面144已研磨完成。也就是说，此晶圆140已是经球栅阵列(BGA)制程后的晶圆。脱膜层120与紫外光暂时粘着层130形成于透光载体110的第二表面112上，且紫外光暂时粘着层130也形成于晶圆140相对第一表面144的第三表面142上。当透光载体110以方向D1移动至晶圆140后，紫外光暂时粘着层130会粘合透光载体110的第二表面112与晶圆140的第三表面142，且脱膜层120会被包覆于紫外光暂时粘着层130中。
在本实施方式中，虽然紫外光暂时粘着层130可分别涂布于透光载体110与晶圆140上，但在其他实施方式中，紫外光暂时粘着层130可涂布于透光载体110和晶圆140的其中一个便可，不以限制本发明。此外，透光载体110可以为玻璃板，其厚度例如介于300至500μm的范围，且透光载体110的厚度大于晶圆140的厚度，或透光载体110的强度大于晶圆140的强度。晶圆140的材质可以包含硅。晶圆140的厚度可介于100至200μm的范围。紫外光暂时粘着层130被紫外光照射时，会失去粘性。
在图2中，集成电路单元146由紫外光暂时粘着层130遮蔽，为求简洁清楚，集成电路单元146未绘示于图3A至图12。
图3B绘示图3A的另一实施方式的示意图。同时参阅图2与图3B，图2的晶圆140的第三表面142可不涂布紫外光暂时粘着130，且脱膜层120与紫外光暂时粘着层130上可贴附一光学玻璃片(optical glass)116。接着，可于光学玻璃片116相对紫外光暂时粘着层130的表面上设置间隔元件(dam)118，当透光载体110移动至晶圆140的第三表面142时，光学玻璃片116随间隔元件118固定于晶圆140的第三表面142上，形成如图3B所示的结构。在以下叙述中，由于图3A与图3B的后续制程相同，因此仅以图3A为例作为说明。
图4绘示图3A的部分紫外光暂时粘着层130移除后的示意图。图5绘示图4的晶圆140贴合于紫外光胶带152后的示意图。同时参阅图4与图5，为了后续移除透光载体110制程的方便，可使用化学或物理方式将位于脱膜层120边缘的部分紫外光暂时粘着层130移除，使脱膜层120的边缘露出。接着，晶圆140的第一表面144便可贴合于紫外光胶带152上，使晶圆140的球栅阵列141由紫外光胶带152保护。在本实施方式中，紫外光胶带152位于框体150的镂空开口154中，但并不以限制本发明。紫外光胶带152照射紫外光时，紫外光胶带152的粘性会消失。
图6绘示图5的透光载体110照射紫外光L时的示意图。图7绘示图6的透光载体110移除时的示意图。同时参阅图6与图7，紫外光灯具160朝向透光载体110，且照射紫外光L于透光载体110相对第二表面112的第四表面114，紫外光L可穿过透光载体110而照射到紫外光暂时粘着层130，使紫外光暂时粘着层130的黏性消失。如此一来，便能以方向D2移除位于晶圆140的第三表面142上的透光载体110与脱膜层120，如图7所示。待透光载体110移除后，可清洗位于晶圆140的第三表面142上的紫外光暂时粘着层130。如此一来，通过紫外光暂时粘着层130的应用，可让移除(de-bond)透光载体110的制程于球栅阵列制程后执行。
图8绘示图7的紫外光暂时粘着层130清洗后且于紫外光胶带152形成刮痕156时的示意图。图9绘示图8的晶圆140贴合支撑胶带180时的示意图。同时参阅图8与图9，紧邻晶圆140边缘的紫外光胶带152可由刀具170形成刮痕156。接着可贴合支撑胶带180于晶圆140的第三表面142与框体150上。
图10绘示图9的部分紫外光胶带152移除后且翻转框体150后的示意图。同时参阅图9与图10，由于晶圆140已由支撑胶带180贴合于第三表面142，因此当框体150翻转180度时，晶圆140便可被支撑胶带180支撑。此时，紫外光胶带152因具有刮痕156，因此可轻易将位于刮痕156与框体150之间的部分紫外光胶带152移除，如图10所示。
图11绘示图10的紫外光胶带152照射紫外光L时的示意图。图12绘示图11的紫外光胶带152移除后的示意图。同时参阅图11与图12，紫外光灯具160照射紫外光L于紫外光胶带152，使紫外光胶带152的黏性消失。如此一来，便可移除位于晶圆140的第一表面144上的紫外光胶带152，如图12所示。接着，紫外光胶带152移除后的晶圆140便可通过刀具切割而于支撑胶带180形成多个影像感测晶片，例如前照式或背照式的CMOS影像感测晶片。
与现有技术相较，此晶圆封装方法的晶圆可不具有光学玻璃片，但可由透光载体提供支撑力，使晶圆贴合于框体的紫外光胶带时，不易因翘曲而破裂，且能准确贴合于框体的紫外光胶带上。当晶圆贴合于框体的紫外光胶带后，因透光载体通过紫外光暂时粘着层粘合于晶圆上，且紫外光暂时粘着层可通过照射紫外光而使其粘性消失，因此可于晶圆上移除透光载体。也就是说，通过紫外光胶带的应用，可让移除透光载体的制程于球栅阵列制程后执行。此外，当不具有光学玻璃片的晶圆切割后，晶圆所形成的影像感测晶片可应用于电子产品。由于影像感测晶片的表面不具有光学玻璃片，因此可提升透光度，使影像感测晶片感测影像的能力提升。
图13绘示根据本发明一实施方式的晶圆封装方法的流程图。首先步骤S1中，提供具有多个集成电路单元与多个焊垫的晶圆。之后在步骤S2中，提供透光保护片。接着在步骤S3中，形成第一间隔层与第二间隔层于透光保护片的第一表面上。之后在步骤S4中，形成永久粘着层与暂时粘着层分别于第一间隔层相对透光保护片的第二表面上与第二间隔层相对透光保护片的第三表面上。接着在步骤S5中，粘合永久粘着层与暂时粘着层于晶圆上，且暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上，其中每一集成电路单元由第一间隔层围绕，且第一间隔层由第二间隔层围绕。之后在步骤S6中，切割位于第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片。最后在步骤S7中，移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光保护片。在以下叙述中，将说明上述各步骤的具体实施方式。
图14绘示图13的透光保护片210粘合于晶圆260时的示意图。图15绘示图14的永久粘着层250与暂时粘着层240粘合于晶圆260后的示意图。同时参阅图14与图15，晶圆260具有集成电路单元264与焊垫262。第一间隔层220与第二间隔层230形成于透光保护片210的第一表面212上，且第二间隔层230紧邻透光保护片210的边缘。此外，永久粘着层250形成于第一间隔层220相对透光保护片210的第二表面222上，且暂时粘着层240形成于第二间隔层230相对透光保护片210的第三表面232上。当透光保护片210以方向D3移动时，第一间隔层220上的永久粘着层250与第二间隔层230上的暂时粘着层240可粘合于晶圆260。此时，暂时粘着层240覆盖于晶圆260的焊垫262上，且第一间隔层220位于第二间隔层230与晶圆260的集成电路单元264之间。也就是说，集成电路单元264由第一间隔层220围绕，且第一间隔层220由第二间隔层230围绕。
在本实施方式中，透光保护片210可以为玻璃板，其厚度例如为300至500μm。晶圆260的材质可以包含硅。集成电路单元264为影像感测元件。暂时粘着层240可以包含照射紫外光会失去粘性的材料，或浸泡液体会失去粘性的材料，依制造者需求而定。永久粘着层250可以包含环氧树脂。
图16绘示图15的第一间隔层220与第二间隔层230之间的透光保护片210切割后的示意图。透光保护片210粘合于晶圆260后(见图15)，可通过刀具切割位于第一间隔层220与第二间隔层230之间的透光保护片210，使第一间隔层220上的透光保护片210与第二间隔层230上的透光保护片210之间具有间隙。此外，刀具还可切割图15的晶圆260与透光保护片210靠近第二间隔层230外侧(即远离第一间隔层220的一侧)的位置，如图16所示。此时，可照射紫外光于暂时粘着层240或浸泡暂时粘着层240于液体(例如50至100℃的热水)，使暂时粘着层240的黏性消失。如此一来，便可移除覆盖焊垫262的第二间隔层230与连接第二间隔层230的部分透光保护片210，使晶圆260的焊垫262露出。
图17绘示图16的部分透光保护片210移除后且焊垫262电性连接导线272、274后的示意图。待第二间隔层230(见图16)与其上的透光保护片210(见图16)移除后，可电性连接导线272于晶圆260的焊垫262上。此外，焊垫262与晶圆260背对透光保护片210的第四表面268之间可形成穿孔276。接着可将导线274穿入穿孔276中，并使导线274电性连接于晶圆260的焊垫262与位于第四表面268的球栅阵列266。图17的结构可以为前照式或背照式的CMOS影像感测晶片。
在以下叙述中，将提供另一种的导线设置方式，可节省形成穿孔276的制程成本。
图18绘示图16的部分透光保护片210移除后且晶圆260的边缘蚀刻后的示意图。待第二间隔层230(见图16)与其上的透光保护片210(见图16)移除后，可蚀刻晶圆260的边缘，使晶圆260的焊垫262露出，并于晶圆260的边缘形成斜面269。
图19绘示图18的焊垫262电性连接导线282、284后的示意图。待斜面269形成后，可电性连接导线282于晶圆260的焊垫262上，并电性连接导线284于晶圆260的焊垫262与晶圆260的球栅阵列266，且导线284抵靠于斜面269上。
与现有技术相较，此晶圆封装方法的透光保护片通过第一间隔层上的永久粘着层与第二间隔层上的暂时粘着层粘合于晶圆上，且暂时粘着层覆盖于晶圆的焊垫上。如此一来，在透光保护片粘合于晶圆之后的制程，例如经过切割制程或经过化学液体的制程时，透光保护片与第二间隔层可避免焊垫遭到污染或腐蚀，而可提升晶圆的良率。此外，第一间隔层与第二间隔层之间的透光保护片可通过切割而分开，当暂时粘着层的粘性消失(例如照射紫外光或浸泡液体)时，便可移除覆盖焊垫的第二间隔层与连接第二间隔层的部分透光保护片，使焊垫露出，增加打线制程的便利性。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。
附图中符号的简单说明如下：
110：透光载体          112：第二表面
114：第四表面          116：光学玻璃
118：间隔元件          120：脱膜层
130：紫外光暂时粘着层  140：晶圆
141：球栅阵列          142：第三表面
144：第一表面          146：集成电路单元
150：框体              152：紫外光胶带
154：镂空开口          156：刮痕
160：紫外光灯具        170：刀具
180：支撑胶带          210：透光保护片
212：第一表面          220：第一间隔层
222：第二表面          230：第二间隔层
232：第三表面          240：暂时粘着层
250：永久粘着层        260：晶圆
262：焊垫              264：集成电路单元
266：球栅阵列          268：第四表面
269：斜面              272：导线
274：导线              276：穿孔
282：导线              284：导线
D1：方向               D2：方向
D3：方向               L：紫外光
S1：步骤               S2：步骤
S3：步骤               S4：步骤
S5：步骤               S6：步骤
S7：步骤               S8：步骤
S9：步骤。

Claims (17)

1.一种晶圆封装方法，其特征在于，包含下列步骤：
步骤a：提供一具有多个集成电路单元的晶圆；
步骤b：研磨该晶圆相对所述集成电路单元的一第一表面；
步骤c：提供一透光载体；
步骤d：形成一脱膜层于该透光载体的一第二表面上；
步骤e：形成一紫外光暂时粘着层于该透光载体的该第二表面上或该晶圆相对该第一表面的一第三表面上；
步骤f：使用该紫外光暂时粘着层粘合该透光载体的该第二表面与该晶圆的该第三表面，使该脱膜层被包覆于该紫外光暂时粘着层中；
步骤g：贴合该晶圆的该第一表面于一紫外光胶带上；
步骤h：照射紫外光于该透光载体相对该第二表面的一第四表面，使该紫外光暂时粘着层的粘性消失；以及
步骤i：移除位于该晶圆的该第三表面上的该透光载体与该脱膜层。
2.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
移除位于该脱膜层边缘的部分该紫外光暂时粘着层。
3.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，该紫外光胶带位于一框体的一镂空开口中。
4.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
清洗位于该晶圆的该第三表面上的该紫外光暂时粘着层。
5.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
形成一刮痕于紧邻该晶圆边缘的该紫外光胶带上；
贴合一支撑胶带于该晶圆的该第三表面与该框体上；以及
移除位于该刮痕与该框体之间的部分该紫外光胶带。
6.如权利要求5所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
照射紫外光于该紫外光胶带，使该紫外光胶带的粘性消失；以及
移除位于该晶圆的该第一表面上的该紫外光胶带。
7.如权利要求6所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
切割该紫外光胶带移除后的该晶圆。
8.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，该透光载体的厚度介于300至500μm的范围。
9.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，该透光载体的厚度大于该晶圆的厚度。
10.如权利要求1所述的晶圆封装方法，其特征在于，该透光载体的强度大于该晶圆的强度。
11.一种晶圆封装方法，其特征在于，包含下列步骤：
步骤a：提供一具有多个集成电路单元与多个焊垫的晶圆；
步骤b：提供一透光保护片；
步骤c：形成一第一间隔层与一第二间隔层于该透光保护片的一第一表面上；
步骤d：形成一永久粘着层与一暂时粘着层分别于该第一间隔层相对该透光保护片的一第二表面上与该第二间隔层相对该透光保护片的一第三表面上；
步骤e：粘合该永久粘着层与该暂时粘着层于该晶圆上，使该暂时粘着层覆盖于该晶圆的一焊垫上，其中每一该集成电路单元由该第一间隔层围绕，且该第一间隔层由该第二间隔层围绕；
步骤f：切割位于该第一间隔层与该第二间隔层之间的该透光保护片；以及
步骤g：移除覆盖该焊垫的该第二间隔层与连接该第二间隔层的部分该透光保护片。
12.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，该步骤g包含：
照射紫外光于该暂时粘着层，使该暂时粘着层的粘性消失。
13.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，该步骤g包含：
浸泡该暂时粘着层于一液体，使该暂时粘着层的粘性消失。
14.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
电性连接一导线于该晶圆的该焊垫上。
15.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
形成一穿孔于该焊垫与该晶圆背对该透光保护片的一第四表面之间；以及
电性连接一导线于该晶圆的该焊垫与位于该第四表面的一球栅阵列，其中该导线穿入该穿孔中。
16.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，还包含：
蚀刻该晶圆的边缘，使该晶圆的该焊垫露出，并于该晶圆的边缘形成一斜面；以及
电性连接一导线于该晶圆的该焊垫与该晶圆的一球栅阵列，其中该导线抵靠于该斜面上。
17.如权利要求11所述的晶圆封装方法，其特征在于，每一该集成电路单元为影像感测元件。
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