JP2012170955A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012170955A JP2012170955A JP2011031828A JP2011031828A JP2012170955A JP 2012170955 A JP2012170955 A JP 2012170955A JP 2011031828 A JP2011031828 A JP 2011031828A JP 2011031828 A JP2011031828 A JP 2011031828A JP 2012170955 A JP2012170955 A JP 2012170955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- processed
- transparent conductive
- conductive film
- sacrificial layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【課題】基板上に成膜された透明導電膜等の被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、レーザー照射によって発生する被加工膜のバリや溶融物等の不要物の付着が無くかつ所定のパターンを有する被加工膜を形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板1上に成膜された透明導電膜2にレーザー照射を行うことにより透明導電膜2に所定のパターン5を形成するパターン形成方法において、透明導電膜2上にその上面を被覆する薄膜状の犠牲層4を成膜し、犠牲層4を介して透明導電膜2にレーザー照射を行い、その後、エッチング液として熱燐酸を用いて、レーザー照射により発生し犠牲層4の上面に付着した透明導電膜2及び犠牲層4のバリ、溶融物等の不要物3を犠牲層4と共に除去するウェットエッチング処理を行う。
【選択図】図1
【解決手段】基板1上に成膜された透明導電膜2にレーザー照射を行うことにより透明導電膜2に所定のパターン5を形成するパターン形成方法において、透明導電膜2上にその上面を被覆する薄膜状の犠牲層4を成膜し、犠牲層4を介して透明導電膜2にレーザー照射を行い、その後、エッチング液として熱燐酸を用いて、レーザー照射により発生し犠牲層4の上面に付着した透明導電膜2及び犠牲層4のバリ、溶融物等の不要物3を犠牲層4と共に除去するウェットエッチング処理を行う。
【選択図】図1
Description
この発明は、薄膜太陽電池パネルや電子ペーパーの電極膜等のデバイスを形成する工程において、基板上に成膜された被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成する方法に関する。
従来この種のパターン形成方法においては、例えば、薄膜太陽電池パネルの作製に当たり基板上に成膜された被加工膜に対して、レーザースクライブ法によって直接レーザー照射を行うことにより、当該被加工膜に所定のパターンを形成することが行われている。(例えば、特許文献1の段落番号[0007]参照)。
図2は、従来のパターン形成方法を示す模式図である。
このパターン形成方法においては、集積型薄膜太陽電池パネルの作製において、図2(a)図示のように、まず基板1上にCVD等の蒸着法により下部電極膜として、例えばZnO膜やITO膜の透明導電膜2が成膜される。次に、図2(b)図示のように、レーザー光源(図示せず)よりレーザー光を直接透明導電膜2に対して出射し、透明導電膜2のレーザー光が照射された部分を除去することにより(レーザースクライブ法)、図2(c)図示のように、透明導電膜2に所定のパターン5が形成される。その後、この透明導電膜2上に半導体膜、上部電極としての導電膜が順次積層される。このようにして、集積型薄膜太陽電池パネルが形成される。
この従来のレーザースクライブ法によるパターン形成方法においては、図2(b)図示のように、レーザー光の照射時に透明導電膜2のバリや溶融物等の不要物3が発生し、図2(c)図示のように、パターン形成と共にこのような不要物3が透明導電膜2の上面に付着してしまう。そして、一旦付着してしまうと、この不要物3のみを透明導電膜2の上面から除去することは困難となり、不要物3が付着したままの透明導電膜2上に半導体膜を積層するとデバイス特性の劣化等の不具合が発生してしまう。
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板上に成膜された透明導電膜等の被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、レーザー照射によって発生する被加工膜のバリや溶融物等の不要物の付着が無くかつ所定のパターンを有する被加工膜を形成することができるパターン形成方法を提供することを目的とする。
請求項1に係る発明は、基板上に成膜された被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、前記被加工膜上に当該被加工膜の上面を被覆する薄膜状の犠牲層を成膜し、前記犠牲層を介して前記被加工膜にレーザー照射を行い、その後、所定のエッチング液を用いて、前記レーザー照射により発生し前記犠牲層の上面に付着した前記被加工膜及び前記犠牲層の不要物を前記犠牲層と共に除去するウェットエッチング処理を行うことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載されたパターン形成方法において、前記犠牲層はシリコン窒化膜であることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1に記載されたパターン形成方法において、前記エッチング液は熱燐酸であることを特徴とする。
請求項1乃至請求項3に係る発明のパターン形成方法においては、パターン形成のためのレーザー照射により不可避的に発生し被加工膜の上面に付着する当該被加工膜のバリ、溶融物等の不要物を、被加工膜の上面を被覆するように成膜した薄膜状の犠牲層の上面に積極的に付着させた後、不要物が付着した犠牲層のみを選択的にエッチング除去することにより、デバイス特性の劣化等の不具合の原因となる不要物の付着が無くかつ所定のパターンを有する被加工導電膜を形成することができる。
以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るパターン形成方法を模式的に示したものである。
このパターン形成方法では、集積型薄膜太陽電池パネルの作製において、従来技術と同様にまず基板1にCVD等の蒸着法により下部電極膜として、例えばZnO膜やITO膜の透明導電膜2が成膜された後、図1(a)図示のように、透明導電膜2の上面を被覆するようにしてCVD等の蒸着法やスパッタリング法などによって、例えばシリコン窒化膜から成る薄膜状の犠牲層4を成膜する。なお、薄膜状の犠牲層4の膜厚は、出射されるレーザー光(後述)の強度により適宜設定される。次に、図1(b)図示のように、レーザー光源(図示せず)よりレーザー光を犠牲層4を介して透明導電膜2に対して出射し、犠牲層4及び透明導電膜2のレーザー光が照射された部分を除去することにより(レーザースクライブ法)、図1(c)図示のように、犠牲層4及び透明導電膜2に所定のパターン5が形成される。このレーザー光の照射時には、透明導電膜2及び犠牲層4のバリや溶融物等の不要物3が発生して、図1(c)図示のように、パターン5形成と共に犠牲層4の上面に付着する。
その後、犠牲層4のみを選択的にエッチング除去するエッチング液、例えば熱燐酸を用いて従前公知のウェットエッチング方式により、不要物3が付着した状態の犠牲層4のみをエッチング除去する。その結果、図1(d)図示のように、不要物3の付着が無くかつ所定のパターン5を有する透明導電膜が基板1上に形成される。
その後、この透明導電膜2上に半導体膜、上部電極としての導電膜が順次積層され、集積型薄膜太陽電池パネルが形成される。
このように、本実施形態では、パターン5形成のためのレーザー照射により不可避的に発生し透明導電膜2の上面に付着する透明導電膜のバリ、溶融物等の不要物3を、透明導電膜2の上面を被覆するように成膜した薄膜状の犠牲層4の上面に積極的に付着させた後、不要物3が付着した犠牲層4のみを選択的にエッチング除去することにより、デバイス特性の劣化等の不具合の原因となる不要物3の付着を免れかつ所定のパターン5が形成された透明導電膜2を得ることができる。
なお、上記の実施形態では、レーザー照射によりパターン5が形成される被加工膜として、基板1上に成膜された上部電極膜としての透明導電膜2について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、他の膜、例えば半導体膜を被加工膜とする場合にも適用でき、さらに、太陽電池パネルの作製に限らず、電子ペーパーの電極膜等のデバイスを形成する工程においてレーザー照射により被加工膜に所定パターンを形成する場合にも適用できる。
また、上記の実施形態では、被加工膜の上面に成膜される薄膜状の犠牲層4として、シリコン窒化膜を適用する場合について説明してきたが、本発明はこれに限定されず他の成分の薄膜を犠牲層4として用いてもよい。
さらに、薄膜状の犠牲層4を選択的にエッチング除去するエッチング液としては、熱燐酸に限定されず、除去対象である薄膜状の犠牲層4の種類に応じて適宜選択使用される。
1 基板
2 透明導電膜(被加工膜)
3 不要物
4 犠牲層
5 パターン
2 透明導電膜(被加工膜)
3 不要物
4 犠牲層
5 パターン
Claims (3)
- 基板上に成膜された被加工膜にレーザー照射を行うことにより当該被加工膜に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、
前記被加工膜上に当該被加工膜の上面を被覆する薄膜状の犠牲層を成膜し、
前記犠牲層を介して前記被加工膜にレーザー照射を行い、
その後、所定のエッチング液を用いて、前記レーザー照射により発生し前記犠牲層の上面に付着した前記被加工膜及び前記犠牲層の不要物を前記犠牲層と共に除去するウェットエッチング処理を行うことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1に記載されたパターン形成方法において、前記犠牲層はシリコン窒化膜であることを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項1に記載されたパターン形成方法において、前記エッチング液は熱燐酸であることを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011031828A JP2012170955A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011031828A JP2012170955A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | パターン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012170955A true JP2012170955A (ja) | 2012-09-10 |
Family
ID=46974358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011031828A Abandoned JP2012170955A (ja) | 2011-02-17 | 2011-02-17 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012170955A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014049518A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
CN106624368A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 贵州虹轴轴承有限公司 | 一种轴承套圈外壁毛刺清理装置 |
CN107406307A (zh) * | 2015-03-10 | 2017-11-28 | 日本电气硝子株式会社 | 附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法 |
CN107717216A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-02-23 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种飞秒激光微加工方法及装置 |
CN108453371A (zh) * | 2013-08-02 | 2018-08-28 | 罗芬-新纳技术有限责任公司 | 目标的激光处理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279355A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-10-05 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドおよび該ヘッドの製造方法 |
JP2002299313A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置 |
JP2004055665A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のマーキング方法 |
-
2011
- 2011-02-17 JP JP2011031828A patent/JP2012170955A/ja not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04279355A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-10-05 | Canon Inc | インクジェット記録ヘッドおよび該ヘッドの製造方法 |
JP2002299313A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-11 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及びウェットエッチング装置 |
JP2004055665A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板のマーキング方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014049518A (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Mitsubishi Chemicals Corp | 有機薄膜太陽電池素子の製造方法 |
CN108453371A (zh) * | 2013-08-02 | 2018-08-28 | 罗芬-新纳技术有限责任公司 | 目标的激光处理方法 |
CN107406307A (zh) * | 2015-03-10 | 2017-11-28 | 日本电气硝子株式会社 | 附有透明导电膜的玻璃基板及其制造方法 |
US10651404B2 (en) | 2015-03-10 | 2020-05-12 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Transparent conductive film-equipped glass substrate and method for manufacturing same |
CN106624368A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 贵州虹轴轴承有限公司 | 一种轴承套圈外壁毛刺清理装置 |
CN106624368B (zh) * | 2016-12-29 | 2019-03-01 | 贵州虹轴轴承有限公司 | 一种轴承套圈外壁毛刺清理装置 |
CN107717216A (zh) * | 2017-11-06 | 2018-02-23 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种飞秒激光微加工方法及装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5875121B2 (ja) | 単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法 | |
TWI588276B (zh) | 成膜遮罩之製造方法 | |
TWI446420B (zh) | 用於半導體製程之載體分離方法 | |
JP2012170955A (ja) | パターン形成方法 | |
WO2012108052A1 (ja) | 単結晶基板製造方法および内部改質層形成単結晶部材 | |
KR20100027526A (ko) | 박막 소자 제조방법 | |
JP6004339B2 (ja) | 内部応力層形成単結晶部材および単結晶基板製造方法 | |
JP2009260295A5 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
JP2011035245A (ja) | 板状ワークの分割方法 | |
JP2010109361A5 (ja) | 半導体基板の作製方法 | |
TW201019395A (en) | Method of fabricating thin film device | |
WO2018216712A1 (ja) | 透明性薄膜付ガラスパネル製造方法、透明性薄膜付液晶パネル製造方法、ガラスパネル製造方法、および液晶パネル製造方法 | |
TW202105539A (zh) | 製造可撓式電子元件之方法及系統 | |
US9553008B1 (en) | Methods to reduce debonding forces on flexible semiconductor films disposed on vapor-releasing adhesives | |
TW201528481A (zh) | 電子裝置之製造方法 | |
JP2013539216A (ja) | 基板シート | |
JP2013539216A5 (ja) | ||
JP2010062526A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
US20210143372A1 (en) | Method of manufacturing flexible oled module | |
TW201523716A (zh) | 半導體晶片之雷射切割方法 | |
JP2009095962A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
US20220024114A1 (en) | Template, method for manufacturing template, and pattern formation method | |
US8513620B2 (en) | Auxiliary stage and method of utilizing auxiliary stage | |
JP2016063012A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN112105984B (zh) | 液晶面板制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141125 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141128 |
|
A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20141211 |