TW201434141A - 晶圓封裝方法 - Google Patents

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Abstract

一種晶圓封裝方法包含下列步驟：提供具有複數個積體電路單元的晶圓。研磨晶圓相對積體電路單元的第一表面。提供透光載體。形成脫膜層於透光載體的第二表面上。形成紫外光暫時黏著層於透光載體的第二表面上或晶圓相對第一表面的第三表面上。使用紫外光暫時黏著層黏合透光載體之第二表面與晶圓之第三表面，使脫膜層被包覆於紫外光暫時黏著層中。貼合晶圓之第一表面於紫外光膠帶上。照射紫外光於透光載體相對第二表面的第四表面，使紫外光暫時黏著層的黏性消失。移除位於晶圓之第三表面上的透光載體與脫膜層。

Description

晶圓封裝方法
本發明是有關一種晶圓封裝方法。
當製作影像感測器的晶片(例如CMOS)時，通常會將光學玻璃片覆蓋於晶圓(wafer)的表面，用以保護晶圓，使灰塵不易附著於晶圓的影像感測區。然而，當晶圓切割後形成的晶片使用於電子產品時，因電子產品通常在對齊晶片的殼體上會設置透光片，而透光片與晶片表面上的光學玻璃片具有相似的保護功能。
當晶圓的表面不具光學玻璃片時，雖然可提升透光度，使晶圓切割後的晶片感測影像的能力提升，但因晶圓的厚度很薄(例如150μm)，要移動已形成球柵陣列的晶圓是相當困難的。舉例來說，具光學玻璃片的晶圓在研磨減薄後，接著經由球柵陣列(Ball Grid Array；BGA)製程，於晶圓相對光學玻璃片的表面形成球柵陣列。之後，會將具光學玻璃片的晶圓放到鐵框的膠帶上，最後才進行切割光學玻璃片與晶圓的製程。光學玻璃片可提供晶圓支撐力，使晶圓不易因翹曲而破裂。然而，當晶圓的表面不具光學 玻璃片時，放置晶圓於鐵框時，容易因翹曲而破裂或不易準確放置於鐵框的膠帶上。
另一方面，當晶圓的表面具光學玻璃片時，位於晶圓邊緣的焊墊其上表面需與導線電性連接，因此焊墊的上方區域不可由光學玻璃片遮蓋。如此一來，在光學玻璃片黏合於晶圓(例如Dam On Glass；DOG)之後的製程，經過切割製程或經過化學液體的製程時，均會污染或腐蝕晶圓的焊墊，使晶圓的良率下降。
本發明之一技術態樣為一種晶圓封裝方法。
根據本發明一實施方式，一種晶圓封裝方法包含下列步驟：(a)提供具有複數個積體電路單元的晶圓。(b)研磨晶圓相對積體電路單元的第一表面。(c)提供透光載體。(d)形成脫膜層於透光載體的第二表面上。(e)形成紫外光暫時黏著層於透光載體的第二表面上或晶圓相對第一表面的第三表面上。(f)使用紫外光暫時黏著層黏合透光載體之第二表面與晶圓之第三表面，使脫膜層被包覆於紫外光暫時黏著層中。(g)貼合晶圓之第一表面於紫外光膠帶上。(h)照射紫外光於透光載體相對第二表面的第四表面，使紫外光暫時黏著層的黏性消失。(i)移除位於晶圓之第三表面上的透光載體與脫膜層。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含移除位於脫膜層邊緣的部分紫外光暫時黏著層。
在本發明一實施方式中，上述紫外光膠帶位於框體的鏤空開口中。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含清洗位於晶圓之第三表面上的紫外光暫時黏著層。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含：形成刮痕於緊鄰晶圓邊緣的紫外光膠帶上。貼合支撐膠帶於晶圓的第三表面與框體上。移除位於刮痕與框體之間的部分紫外光膠帶。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含：照射紫外光於紫外光膠帶，使紫外光膠帶的黏性消失。移除位於晶圓之第一表面上的紫外光膠帶。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含切割紫外光膠帶移除後的晶圓。
在本發明一實施方式中，上述透光載體的厚度介於300至500μm。
在本發明一實施方式中，上述透光載體的厚度大於晶圓的厚度。
在本發明一實施方式中，上述透光載體的強度大於晶圓的強度。
在本發明上述實施方式中，晶圓可不具光學玻璃片，但可由透光載體提供支撐力，使晶圓貼合於框體的紫外光膠帶時，不易因翹曲而破裂，且能準確貼合於框體的紫外光膠帶上。當晶圓貼合於框體的紫外光膠帶後，因透光載體藉由紫外光暫時黏著層黏合於晶圓上，且紫外光暫 時黏著層可藉由照射紫外光而使其黏性消失，因此可於晶圓上移除透光載體。此外，當不具光學玻璃片的晶圓切割後，晶圓所形成的影像感測晶片可應用於電子產品。由於影像感測晶片的表面不具光學玻璃片，因此可提升透光度，使影像感測晶片感測影像的能力提升。
本發明之另一技術態樣為一種晶圓封裝方法。
根據本發明一實施方式，一種晶圓封裝方法包含下列步驟：(a)提供具有複數個積體電路單元與複數個焊墊的晶圓。(b)提供透光保護片。(c)形成第一間隔層與第二間隔層於透光保護片的第一表面上。(d)形成永久黏著層與暫時黏著層分別於第一間隔層相對透光保護片的第二表面上與第二間隔層相對透光保護片的第三表面上。(e)黏合永久黏著層與暫時黏著層於晶圓上，使暫時黏著層覆蓋於晶圓的焊墊上，其中每一積體電路單元由第一間隔層圍繞，且第一間隔層由第二間隔層圍繞。(f)切割位於第一間隔層與第二間隔層之間的透光保護片。(g)移除覆蓋焊墊的第二間隔層與連接第二間隔層的部分透光保護片。
在本發明一實施方式中，上述步驟(g)包含照射紫外光於紫外光暫時黏著層，使紫外光暫時黏著層的黏性消失。
在本發明一實施方式中，上述步驟(g)包含浸泡紫外光暫時黏著層於液體，使紫外光暫時黏著層的黏性消失。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含電性連接導線於晶圓的焊墊上。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含：形成穿孔於焊墊與晶圓背對透光保護片的第四表面之間。電性連接導線於晶圓的焊墊與位於第四表面的球柵陣列，其中導線穿入穿孔中。
在本發明一實施方式中，上述晶圓封裝方法更包含：蝕刻晶圓的邊緣，使晶圓的焊墊露出，並於晶圓的邊緣形成斜面。電性連接導線於晶圓的焊墊與晶圓的球柵陣列，其中導線抵靠於斜面上。
在本發明一實施方式中，上述每一積體電路單元為影像感測元件。
在本發明上述實施方式中，透光保護片藉由第一間隔層上的永久黏著層與第二間隔層上的紫外光暫時黏著層黏合於晶圓上，且紫外光暫時黏著層覆蓋於晶圓的焊墊上。如此一來，在透光保護片黏合於晶圓之後的製程，例如經過切割製程或經過化學液體的製程時，透光保護片與第二間隔層可避免焊墊遭到污染或腐蝕，而可提升晶圓的良率。此外，第一間隔層與第二間隔層之間的透光保護片可藉由切割而分開，當紫外光暫時黏著層的黏性消失(例如照射紫外光或浸泡液體)時，便可移除覆蓋焊墊的第二間隔層與連接第二間隔層的部分透光保護片，使焊墊露出，增加打線製程的便利性。
110‧‧‧透光載體
112‧‧‧第二表面
114‧‧‧第四表面
116‧‧‧光學玻璃
118‧‧‧間隔元件
120‧‧‧脫膜層
130‧‧‧紫外光暫時黏著層
140‧‧‧晶圓
141‧‧‧球柵陣列
142‧‧‧第三表面
144‧‧‧第一表面
146‧‧‧積體電路單元
150‧‧‧框體
152‧‧‧紫外光膠帶
154‧‧‧鏤空開口
156‧‧‧刮痕
160‧‧‧紫外光燈具
170‧‧‧刀具
180‧‧‧支撐膠帶
210‧‧‧透光保護片
212‧‧‧第一表面
220‧‧‧第一間隔層
222‧‧‧第二表面
230‧‧‧第二間隔層
232‧‧‧第三表面
240‧‧‧暫時黏著層
250‧‧‧永久黏著層
260‧‧‧晶圓
262‧‧‧焊墊
264‧‧‧積體電路單元
266‧‧‧球柵陣列
268‧‧‧第四表面
269‧‧‧斜面
272‧‧‧導線
274‧‧‧導線
276‧‧‧穿孔
282‧‧‧導線
284‧‧‧導線
D1‧‧‧方向
D2‧‧‧方向
D3‧‧‧方向
L‧‧‧紫外光
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S7‧‧‧步驟
S8‧‧‧步驟
S9‧‧‧步驟
第1圖繪示根據本發明一實施方式之晶圓封裝方法的流程圖。
第2圖繪示第1圖之透光載體黏合於晶圓時的示意圖。
第3A圖繪示第2圖之透光載體黏合於晶圓後的示意圖。
第3B圖繪示第3A圖之另一實施方式的示意圖。
第4圖繪示第3A圖之部分紫外光暫時黏著層移除後的示意圖。
第5圖繪示第4圖之晶圓貼合於紫外光膠帶後的示意圖。
第6圖繪示第5圖之透光載體照射紫外光時的示意圖。
第7圖繪示第6圖之透光載體移除時的示意圖。
第8圖繪示第7圖之紫外光暫時黏著層清洗後且於紫外光膠帶形成刮痕時的示意圖。
第9圖繪示第8圖之晶圓貼合支撐膠帶時的示意圖。
第10圖繪示第9圖之部分紫外光膠帶移除後且翻轉框體後的示意圖。
第11圖繪示第10圖之紫外光膠帶照射紫外光時的示意圖。
第12圖繪示第11圖之紫外光膠帶移除後的示意圖。
第13圖繪示根據本發明一實施方式之晶圓封裝方法的流程圖。
第14圖繪示第13圖之透光保護片黏合於晶圓時的示 意圖。
第15圖繪示第14圖之永久黏著層與紫外光暫時黏著層黏合於晶圓後的示意圖。
第16圖繪示第15圖之第一間隔層與第二間隔層之間的透光保護片切割後的示意圖。
第17圖繪示第16圖之部分透光保護片移除後且焊墊電性連接導線後的示意圖。
第18圖繪示第16圖之部分透光保護片移除後且晶圓的邊緣蝕刻後的示意圖。
第19圖繪示第18圖之焊墊電性連接導線後的示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。
第1圖繪示根據本發明一實施方式之晶圓封裝方法的流程圖。首先步驟S1中，提供具有複數個積體電路單元的晶圓。接著在步驟S2中，研磨晶圓相對積體電路單元的第一表面。之後步驟S3中，提供透光載體。接著在步驟S4中，形成脫膜層於透光載體的第二表面上。之後在步驟S5中，形成紫外光暫時黏著層於透光載體的第二表面上或 晶圓相對第一表面的第三表面上。接著在在步驟S6中，使用紫外光暫時黏著層黏合透光載體之第二表面與晶圓之第三表面，使脫膜層被包覆於紫外光暫時黏著層中。之後在步驟S7中，貼合晶圓之第一表面於紫外光膠帶上。接著在在步驟S8中，照射紫外光於透光載體相對第二表面的第四表面，使紫外光暫時黏著層的黏性消失。最後在步驟S9中，移除位於晶圓之第三表面上的透光載體與脫膜層。在以下敘述中，將說明上述各步驟的具體實施方式。
第2圖繪示第1圖之透光載體110黏合於晶圓140時的示意圖。第3A圖繪示第2圖之透光載體110黏合於晶圓140後的示意圖。同時參閱第2圖與第3A圖，晶圓140具有複數個積體電路單元146與球柵陣列141，且晶圓140相對積體電路單元146的第一表面144已研磨完成。也就是說，此晶圓140已是經球柵陣列(BGA)製程後的晶圓。脫膜層120與紫外光暫時黏著層130形成於透光載體110的第二表面112上，且紫外光暫時黏著層130也形成於晶圓140相對第一表面144的第三表面142上。當透光載體110以方向D1移動至晶圓140後，紫外光暫時黏著層130會黏合透光載體110之第二表面112與晶圓140之第三表面142，且脫膜層120會被包覆於紫外光暫時黏著層130中。
在本實施方式中，雖然紫外光暫時黏著層130可分別塗佈於透光載體110與晶圓140上，但在其他實施方式中，紫外光暫時黏著層130可塗佈於透光載體110或晶圓140的其中一者便可，不以限制本發明。此外，透光載體 110可以為玻璃板，其厚度例如介於300至500μm，且透光載體110的厚度大於晶圓140的厚度，或透光載體110的強度大於晶圓140的強度。晶圓140的材質可以包含矽。晶圓140的厚度可介於100至200μm。紫外光暫時黏著層130被紫外光照射時，會失去黏性。
在第2圖中，積體電路單元146由紫外光暫時黏著層130遮蔽，為求簡潔清楚，積體電路單元146未繪示於第3A圖至第12圖。
第3B圖繪示第3A圖之另一實施方式的示意圖。同時參閱第2圖與第3B圖，第2圖之晶圓140的第三表面142可不塗佈紫外光暫時黏著130，且脫膜層120與紫外光暫時黏著層130上可貼附一光學玻璃片(optical glass)116。接著，可於光學玻璃片116相對紫外光暫時黏著層130的表面上設置間隔元件(dam)118，當透光載體110移動至晶圓140的第三表面142時，光學玻璃片116隨間隔元件118固定於晶圓140的第三表面142上，形成如第3B圖所示的結構。在以下敘述中，由於第3A圖與第3B圖的後續製程相同，因此僅以第3A圖為例作為說明。
第4圖繪示第3A圖之部分紫外光暫時黏著層130移除後的示意圖。第5圖繪示第4圖之晶圓140貼合於紫外光膠帶152後的示意圖。同時參閱第4圖與第5圖，為了後續移除透光載體110製程的方便，可使用化學或物理方式將位於脫膜層120邊緣的部分紫外光暫時黏著層130移除，使脫膜層120的邊緣露出。接著，晶圓140的第一 表面144便可貼合於紫外光膠帶152上，使晶圓140的球柵陣列141由紫外光膠帶152保護。在本實施方式中，紫外光膠帶152位於框體150的鏤空開口154中，但並不以限制本發明。紫外光膠帶152照射紫外光時，紫外光膠帶152的黏性會消失。
第6圖繪示第5圖之透光載體110照射紫外光L時的示意圖。第7圖繪示第6圖之透光載體110移除時的示意圖。同時參閱第6圖與第7圖，紫外光燈具160朝向透光載體110，且照射紫外光L於透光載體110相對第二表面112的第四表面114，紫外光L可穿過透光載體110而照射到紫外光暫時黏著層130，使紫外光暫時黏著層130的黏性消失。如此一來，便能以方向D2移除位於晶圓140之第三表面142上的透光載體110與脫膜層120，如第7圖所示。待透光載體110移除後，可清洗位於晶圓140之第三表面142上的紫外光暫時黏著層130。如此一來，藉由紫外光膠帶130的應用，可讓移除(de-bond)透光載體110的製程於球柵陣列製程後執行。
第8圖繪示第7圖之紫外光暫時黏著層130清洗後且於紫外光膠帶152形成刮痕156時的示意圖。第9圖繪示第8圖之晶圓140貼合支撐膠帶180時的示意圖。同時參閱第8圖與第9圖，緊鄰晶圓140邊緣的紫外光膠帶152可由刀具170形成刮痕156。接著可貼合支撐膠帶180於晶圓140的第三表面142與框體150上。
第10圖繪示第9圖之部分紫外光膠帶152移除後 且翻轉框體150後的示意圖。同時參閱第9圖與第10圖，由於晶圓140已由支撐膠帶180貼合於第三表面142，因此當框體150翻轉180度時，晶圓140便可被支撐膠帶180支撐。此時，紫外光膠帶152因具有刮痕156，因此可輕易將位於刮痕156與框體150之間的部分紫外光膠帶152移除，如第10圖所示。
第11圖繪示第10圖之紫外光膠帶152照射紫外光L時的示意圖。第12圖繪示第11圖之紫外光膠帶152移除後的示意圖。同時參閱第11圖與第12圖，紫外光燈具160照射紫外光L於紫外光膠帶152，使紫外光膠帶152的黏性消失。如此一來，便可移除位於晶圓140之第一表面144上的紫外光膠帶152，如第12圖所示。接著，紫外光膠帶152移除後的晶圓140便可藉由刀具切割而於支撐膠帶180形成複數個影像感測晶片，例如前照式或背照式的CMOS影像感測晶片。
與習知技術相較，此晶圓封裝方法的晶圓可不具光學玻璃片，但可由透光載體提供支撐力，使晶圓貼合於框體的紫外光膠帶時，不易因翹曲而破裂，且能準確貼合於框體的紫外光膠帶上。當晶圓貼合於框體的紫外光膠帶後，因透光載體藉由紫外光暫時黏著層黏合於晶圓上，且紫外光暫時黏著層可藉由照射紫外光而使其黏性消失，因此可於晶圓上移除透光載體。也就是說，藉由紫外光膠帶的應用，可讓移除透光載體的製程於球柵陣列製程後執行。此外，當不具光學玻璃片的晶圓切割後，晶圓所形成 的影像感測晶片可應用於電子產品。由於影像感測晶片的表面不具光學玻璃片，因此可提升透光度，使影像感測晶片感測影像的能力提升。
第13圖繪示根據本發明一實施方式之晶圓封裝方法的流程圖。首先步驟S1中，提供具有複數個積體電路單元與複數個焊墊的晶圓。之後在步驟S2中，提供透光保護片。接著在步驟S3中，形成第一間隔層與第二間隔層於透光保護片的第一表面上。之後在步驟S4中，形成永久黏著層與暫時黏著層分別於第一間隔層相對透光保護片的第二表面上與第二間隔層相對透光保護片的第三表面上。接著在步驟S5中，黏合永久黏著層與暫時黏著層於晶圓上，且暫時黏著層覆蓋於晶圓的焊墊上，其中每一積體電路單元由第一間隔層圍繞，且第一間隔層由第二間隔層圍繞。之後在步驟S6中，切割位於第一間隔層與第二間隔層之間的透光保護片。最後在步驟S7中，移除覆蓋焊墊的第二間隔層與連接第二間隔層的部分透光保護片。在以下敘述中，將說明上述各步驟的具體實施方式。
第14圖繪示第13圖之透光保護片210黏合於晶圓260時的示意圖。第15圖繪示第14圖之永久黏著層250與暫時黏著層240黏合於晶圓260後的示意圖。同時參閱第14圖與第15圖，晶圓260具有積體電路單元264與焊墊262。第一間隔層220與第二間隔層230形成於透光保護片210的第一表面212上，且第二間隔層230緊鄰透光保護片210的邊緣。此外，永久黏著層250形成於第一間隔 層220相對透光保護片210的第二表面222上，且暫時黏著層240形成於第二間隔層230相對透光保護片210的第三表面232上。當透光保護片210以方向D3移動時，第一間隔層220上的永久黏著層250與第二間隔層230上的暫時黏著層240可黏合於晶圓260。此時，暫時黏著層240覆蓋於晶圓260的焊墊262上，且第一間隔層220位於第二間隔層230與晶圓260的積體電路單元264之間。也就是說，積體電路單元264由第一間隔層220圍繞，且第一間隔層220由第二間隔層230圍繞。
在本實施方式中，透光保護片210可以為玻璃板，其厚度例如為300至500μm。晶圓260的材質可以包含矽。積體電路單元264為影像感測元件。暫時黏著層240可以包含照射紫外光會失去黏性的材料，或浸泡液體會失去黏性的材料，依製造者需求而定。永久黏著層250可以包含環氧樹脂。
第16圖繪示第15圖之第一間隔層220與第二間隔層230之間的透光保護片210切割後的示意圖。透光保護片210黏合於晶圓260後(見第15圖)，可藉由刀具切割位於第一間隔層220與第二間隔層230之間的透光保護片210，使第一間隔層220上的透光保護片210與第二間隔層230上的透光保護片210之間具有間隙。此外，刀具還可切割第15圖之晶圓260與透光保護片210靠近第二間隔層230外側(即遠離第一間隔層220的一側)的位置，如第16圖所示。此時，可照射紫外光於暫時黏著層240或浸泡暫 時黏著層240於液體(例如50至100℃的熱水)，使暫時黏著層240的黏性消失。如此一來，便可移除覆蓋焊墊262的第二間隔層230與連接第二間隔層230的部分透光保護片210，使晶圓260的焊墊262露出。
第17圖繪示第16圖之部分透光保護片210移除後且焊墊262電性連接導線272、274後的示意圖。待第二間隔層230(見第16圖)與其上的透光保護片210(見第16圖)移除後，可電性連接導線272於晶圓260的焊墊262上。此外，焊墊262與晶圓260背對透光保護片210的第四表面268之間可形成穿孔276。接著可將導線274穿入穿孔276中，並使導線274電性連接於晶圓260的焊墊262與位於第四表面268的球柵陣列266。第17圖的結構可以為前照式或背照式的CMOS影像感測晶片。
在以下敘述中，將提供另一種的導線設置方式，可節省形成穿孔276的製程成本。
第18圖繪示第16圖之部分透光保護片210移除後且晶圓260的邊緣蝕刻後的示意圖。待第二間隔層230(見第16圖)與其上的透光保護片210(見第16圖)移除後，可蝕刻晶圓260的邊緣，使晶圓260的焊墊262露出，並於晶圓260的邊緣形成斜面269。
第19圖繪示第18圖之焊墊262電性連接導線282、284後的示意圖。待斜面269形成後，可電性連接導線282於晶圓260的焊墊262上，並電性連接導線284於晶圓260的焊墊262與晶圓260的球柵陣列266，且導線 284抵靠於斜面269上。
與習知技術相較，此晶圓封裝方法的透光保護片藉由第一間隔層上的永久黏著層與第二間隔層上的暫時黏著層黏合於晶圓上，且暫時黏著層覆蓋於晶圓的焊墊上。如此一來，在透光保護片黏合於晶圓之後的製程，例如經過切割製程或經過化學液體的製程時，透光保護片與第二間隔層可避免焊墊遭到污染或腐蝕，而可提升晶圓的良率。此外，第一間隔層與第二間隔層之間的透光保護片可藉由切割而分開，當暫時黏著層的黏性消失(例如照射紫外光或浸泡液體)時，便可移除覆蓋焊墊的第二間隔層與連接第二間隔層的部分透光保護片，使焊墊露出，增加打線製程的便利性。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1‧‧‧步驟
S2‧‧‧步驟
S3‧‧‧步驟
S4‧‧‧步驟
S5‧‧‧步驟
S6‧‧‧步驟
S7‧‧‧步驟
S8‧‧‧步驟
S9‧‧‧步驟

Claims (17)

  1. 一種晶圓封裝方法，包含下列步驟：(a)提供一具有複數個積體電路單元的晶圓；(b)研磨該晶圓相對該些積體電路單元的一第一表面；(c)提供一透光載體；(d)形成一脫膜層於該透光載體的一第二表面上；(e)形成一紫外光暫時黏著層於該透光載體的該第二表面上或該晶圓相對該第一表面的一第三表面上；(f)使用該紫外光暫時黏著層黏合該透光載體之該第二表面與該晶圓之該第三表面，使該脫膜層被包覆於該紫外光暫時黏著層中；(g)貼合該晶圓之該第一表面於一紫外光膠帶上；(h)照射紫外光於該透光載體相對該第二表面的一第四表面，使該紫外光暫時黏著層的黏性消失；以及(i)移除位於該晶圓之該第三表面上的該透光載體與該脫膜層。
  2. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，更包含：移除位於該脫膜層邊緣的部分該紫外光暫時黏著層。
  3. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，其中該紫外光膠帶位於一框體的一鏤空開口中。
  4. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，更包含：清洗位於該晶圓之該第三表面上的該紫外光暫時黏著層。
  5. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，更包含：形成一刮痕於緊鄰該晶圓邊緣的該紫外光膠帶上；貼合一支撐膠帶於該晶圓的該第三表面與該框體上；以及移除位於該刮痕與該框體之間的部分該紫外光膠帶。
  6. 如請求項5所述之晶圓封裝方法，更包含：照射紫外光於該紫外光膠帶，使該紫外光膠帶的黏性消失；以及移除位於該晶圓之該第一表面上的該紫外光膠帶。
  7. 如請求項6所述之晶圓封裝方法，更包含：切割該紫外光膠帶移除後的該晶圓。
  8. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，其中該透光載體的厚度介於300至500μm。
  9. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，其中該透光載體的厚度大於該晶圓的厚度。
  10. 如請求項1所述之晶圓封裝方法，其中該透光載體的強度大於該晶圓的強度。
  11. 一種晶圓封裝方法，包含下列步驟：(a)提供一具有複數個積體電路單元與複數個焊墊的晶圓；(b)提供一透光保護片；(c)形成一第一間隔層與一第二間隔層於該透光保護片的一第一表面上；(d)形成一永久黏著層與一暫時黏著層分別於該第一間隔層相對該透光保護片的一第二表面上與該第二間隔層相對該透光保護片的一第三表面上；(e)黏合該永久黏著層與該暫時黏著層於該晶圓上，使該暫時黏著層覆蓋於該晶圓的一焊墊上，其中每一該積體電路單元由該第一間隔層圍繞，且該第一間隔層由該第二間隔層圍繞；(f)切割位於該第一間隔層與該第二間隔層之間的該透光保護片；以及(g)移除覆蓋該焊墊的該第二間隔層與連接該第二間隔層的部分該透光保護片。
  12. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，其中該步驟(g) 包含：照射紫外光於該暫時黏著層，使該暫時黏著層的黏性消失。
  13. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，其中該步驟(f)包含：浸泡該暫時黏著層於一液體，使該暫時黏著層的黏性消失。
  14. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，更包含：電性連接一導線於該晶圓的該焊墊上。
  15. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，更包含：形成一穿孔於該焊墊與該晶圓背對該透光保護片的一第四表面之間；以及電性連接一導線於該晶圓的該焊墊與位於該第四表面的一球柵陣列，其中該導線穿入該穿孔中。
  16. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，更包含：蝕刻該晶圓的邊緣，使該晶圓的該焊墊露出，並於該晶圓的邊緣形成一斜面；以及電性連接一導線於該晶圓的該焊墊與該晶圓的一球柵陣列，其中該導線抵靠於該斜面上。
  17. 如請求項11所述之晶圓封裝方法，其中每一該積體電路單元為影像感測元件。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105185798B (zh) * 2015-07-14 2018-09-28 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种背照式图像传感器的晶圆级封装方法及其封装结构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803567B2 (ja) * 1994-05-11 1998-09-24 信越半導体株式会社 半導体ウエーハ収納容器の梱包構造体
US6425971B1 (en) * 2000-05-10 2002-07-30 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes
CN1159771C (zh) * 2000-05-16 2004-07-28 京元电子股份有限公司 影像感测器封装结构及其封装方法
US6982184B2 (en) * 2001-05-02 2006-01-03 Silverbrook Research Pty Ltd Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer
JP4137471B2 (ja) * 2002-03-04 2008-08-20 東京エレクトロン株式会社 ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置
JP3830497B2 (ja) * 2004-06-11 2006-10-04 シャープ株式会社 半導体ウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法
KR20090054634A (ko) * 2007-11-27 2009-06-01 흥양산업 주식회사 폭 방향의 티어테이프를 갖는 초지 오버랩에 포장된 웨하스와 그 포장장치 및 포장방법
KR101109053B1 (ko) * 2010-03-29 2012-01-31 한국생산기술연구원 관통 비아홀이 형성된 웨이퍼 및 이에 대한 적층방법
JP2012028367A (ja) * 2010-07-20 2012-02-09 Hitachi Cable Ltd 半導体単結晶ウエハを個装する個装材料の選択方法、該個装材料の管理方法及び該個装材料の検査方法

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