CN103999186A - 带电粒子线装置 - Google Patents
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Abstract
为了提供能在进行X射线元素分析的预备阶段评价、判别适于X射线分析的样本上的位置、分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析的带电粒子线装置,在具备X射线检测器的带电粒子线装置中,在与X射线检测器(12(25~30))的X射线检测面同轴上,与X射线检测器(12)一体或独立地配置第1反射电子检测器(15),同时或个别地由X射线检测器(12)检测X射线信号,由第1反射电子检测器(15)检测反射电子信号。
Description
技术领域
本发明涉及具备X射线检测器的带电粒子线装置。
背景技术
在使用以扫描电子显微镜为代表的带电粒子线装置来进行X射线元素分析时,一边用二次电子检测器以及配置在物镜与样本面间的BSE(Back Scattered Electron,背散射电子)检测器取得图像一边任意决定分析位置,用位于与其不同的角度位置的X射线检测器来检测特征X射线,进行分析。
作为获得样本上的最佳的X射线元素分析位置的方法,在特开2009-181922(专利文献1)公开了取得样本的三维形状、配合样本的形状来控制样本微动装置的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2009-181922号公报
发明内容
发明要解决的课题
在使用扫描电子显微镜和X射线检测器的样本表面分析中,进行通常观察的样本的表面并非完全的平面,存在众多的凹凸。为此,在X射线检测器与样本面上的分析位置之间存在因样本表面形状以及表面粗糙度而出现的凹凸部等障碍物的情况下,从分析位置产生的特征X射线会被凹凸部遮蔽,用X射线检测器得到的光谱强度降低。另外,在检测光谱的能量有较大的差(例如Al-K和Cu-K)的情况下,低能量侧的光谱强度的降低比例变大,峰值强度比被检测为不同。
因此,在分析面有凹凸部时,从X射线检测器来看成为凹凸部的阴影的场所不能进行正确的分析。另外,在进行通常X射线元素分析的情况下,除了要看用二次电子检测器得到的二次电子像以外,还要一边看得到组成对比度的反射电子像一边决定分析范围,难以从通过配置在样本面正上方的反射电子检测器(后面为了方便而表述为top-BSE检测器)而得到的反射电子像(后面为了方便而表述为top-BSE像)来判别光谱强度降低的场所。当前在用这种方法进行X射线元素分析的情况下,分析者通过从包含形状信息的由二次电子检测器得到的二次电子像来推测样本表面的凹凸形状,由此来决定分析范围,根据经验评价所得到的分析结果。在存在判断为由于分析范围的凹凸而不能检测到X射线、或者X射线的强度降低给分析数据带来影响的部分的情况下,需要对样本与X射线检测器的位置关系进行再调整,重新取得数据(所谓的返工)。另外,在不能进行样本与X射线检测器的位置关系的再调整的情况下,只能根据所得到的分析数据考虑样本面的凹凸状态来考察分析结果,有时不能进行正确的数据解释。
本发明的目的在于提供一种带电粒子线装置,能够在进行X射线元素分析的预备阶段评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能够无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
用于解决课题的手段
作为用于达成上述目的的1个实施方式,带电粒子线装置具备X射线检测器,其特征在于,所述带电粒子线装置在与所述X射线检测器的X射线检测面同轴上与所述X射线检测器一体或独立地配置第1反射电子检测器,具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
另外,带电粒子线装置具备X射线检测器,其特征在于,在与所述X射线检测器的X射线检测面非同轴的位置与所述X射线检测器一体或独立配置第1反射电子检测器,具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
另外,带电粒子线装置具备X射线检测器,其特征在于,具有使配置在所述X射线检测器的周围的第1反射电子检测器***到所述X射线检测器的X射线检测面的前面且X射线光轴上、或者使配置在所述X射线检测器的X射线检测面的前面且X射线光轴上的第1反射电子检测器退避到所述X射线检测器的周围的机构,具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
另外,所谓在与X射线检测器的X射线检测面同轴上配置第1反射电子检测器,是指通过X射线检测器的X射线检测面的中心和样本的分析点的X射线光轴、与通过第1反射电子检测器的检测面的中心和样本的分析点的反射电子的光轴重叠地配置第1反射电子检测器。
另外,所谓在与X射线检测器的X射线检测面非同轴的位置配置第1反射电子检测器,是指通过X射线检测器的X射线检测面的中心和样本的分析点的X射线光轴、与通过第1反射电子检测器的检测面的中心和样本的分析点的反射电子的光轴不重叠、优选位于所述反射电子的光轴占据包围所述X射线光轴的区域的一部分的位置地配置第1反射电子检测器。
发明效果
根据本发明,能提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段通过利用第1反射电子检测器检测到的从X射线检测器侧看到的样本表面的信息来评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
附图说明
图1是第1实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)的整体概略构成图。
图2是图1所示的扫描电子显微镜中的Coax-BSE检测器的概略立体图。
图3(a)是图1所示的扫描电子显微镜中的Coax-BSE检测器和top-BSE检测器的概略配置图,(b)是表示分别由Coax-BSE检测器和top-BSE检测器取得的一例的样本图像。
图4是表示图1所示的扫描电子显微镜中的反射电子检测器的配置范围的概略图,(a)是俯视概略图,(b)是侧视概略图。
图5(a)是第2实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的概略立体图,(b)是Coax-BSE检测器和top-BSE检测器的概略配置图。
图6是配置在第3实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的X射线检测器前端部的反射电子检测器的概略立体图。
图7是配置在第3实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中X射线检测器前端部的其它反射电子检测器的概略立体图。
图8是表示第4实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的移动机构的示例的概略图。
图9是表示第4实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的移动机构的其它示例的概略图。
图10是表示第4实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的移动的样子的概略图,(a)是图8所示的Coax-BSE检测器的情况,(b)是图9所示的Coax-BSE检测器的情况。
图11是表示第4实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的移动机构的其它示例的概略图。
图12是表示第4实施例所涉及的带电粒子线装置(扫描电子显微镜)中的Coax-BSE检测器的移动机构的其它示例的概略图。
图13是用于判别能否分析观察位置的处理流程。
图14是图13的处理流程的说明图,(a)表示Coax-BSE像,(b)表示将(a)所示的Coax-BSE像分割为像素的图像。
图15是在判别能分析位置和不能分析位置时显示的对话框,(a)表示设定对比度的阈值的情况,(b)表示设定对比度以及图像的分割数的情况。
图16是用于判别能否分析观察位置的概略处理流程。
图17是图16的处理流程的说明图,(a)表示top-BSE像,(b)表示Coax-BSE像,(c)表示将(a)所示的top-BSE像分割成像素的图像,(d)表示将(b)所示的Coax-BSE像分割成像素的图像。
图18是用于算出图16的处理流程中的相似度的说明图,(a)表示top-BSE像中的判别的最小区域,(b)表示Coax-BSE像中的判别的最小区域。
图19是在判别能分析位置和不能分析位置时显示的对话框。
图20是表示将能分析位置和不能分析位置显示到图像显示终端上的方法的图,(a)表示在实施例5中的像素单位的判别例,(b)表示在实施例6中的分割区域的判别例,(c)表示所选择的分割区域中的能否分析的显示例。
具体实施方式
为了进行正确的X射线元素分析,需要确定X射线被凹凸部遮蔽的场所、即从X射线检测器看不到的场所,并看清能得到正确数据的场所。为此,发明人等关于看清能得到正确的数据的样本上的场所的方法进行了各种研究,提出了设置X射线检测器同轴上反射电子检测器(后面为了方便而表述为Coax-BSE检测器,Coax:Coaxial的ANSI略语)、并取得从X射线检测器看到的反射电子像(后面为了方便而表述为Coax-BSE像)的方法。在本实施方式中,通过在进行X射线元素分析的预备阶段,将Coax-BSE检测器检测到的从X射线检测器侧看到的样本表面的形状信息和Coax-BSE检测器单体或top-BSE检测器检测到的反射电子信息一起利用,来向分析者提示分析结果的可靠性,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。反射电子由于能量高、与X射线同样直线前进性高,因此在Coax-BSE检测器与样本表面形状间有凹凸部时,反射电子信号被遮蔽,信号量降低。因此,在Coax-BSE像的反射电子信号量和X射线信号量中存在相关,能通过观察Coax-BSE像来进行X射线信号量的推测。即,在Coax-BSE像中图像亮的场所X射线信号量多,图像暗的场所X射线信号量少。通过事前取得Coax-BSE像,分析者能视觉地掌握X射线的检测效率,能选择能进行正确的分析(取得不受凹凸的影响、能比较正确的X射线峰值强度的数据)的场所。另外,通过使用Coax-BSE像单体或与top-BSE像的组合来进行图像解析,从而能够自动评价观察视野的X射线检测效率,进而自动判别视野是否适于分析。另外,在此说明了同轴的构成,但BSE检测器只要设置在X射线检测器附近即可,并不一定非要与X射线检测器同轴。另外,BSE检测器和X射线检测器既能是一体型,也能是分体型。在此为了方便将Coax-BSE检测器称作第1反射电子检测器,将top-BSE检测器称作第2反射电子检测器。
以下通过实施例来进行详细的说明。
(实施例1)
使用图1~图4来说明本发明的第1实施例。图1是本实施例所涉及的带电粒子线装置即扫描电子显微镜的整体概略构成图。图1所示的扫描电子显微镜1具备:电子源2;将由该电子源2放出的一次电子束3会聚的聚束透镜4;扫描一次电子束3的偏转线圈5;包含对准一次电子束3的焦点的物镜6的电子光学***7;控制所述电子光学***7的条件的电子光学***控制部8;样本室9;检测通过向作为被检测对象的样本10照射一次电子束3而由样本10产生的二次电子的二次电子检测器11;检测特征X射线的能量分散型的X射线检测器12;处理从所述X射线检测器12输出的信号并进行分析的信号处理控制部13;固定在从样本室9悬挂的臂14的检测反射电子的Coax-BSE检测器15;配置在物镜6下面的top-BSE检测器16;处理从所述二次电子检测器11、所述Coax-BSE检测器15以及所述top-BSE检测器16输出的图像信号来形成图像的图像形成控制部17;与SEM整体控制部18连接的作为显示部的图像显示终端19;以及能通过电动机驱动等操作水平方向2轴、旋转方向、倾斜方向、垂直方向共计5轴、并且能掌握样本10的位置信息的样本微动装置20,由通过真空配管21与样本室9连接的真空泵22等构成。另外,同一标号表示同一构成要素。另外,在此,对电子光学***控制部8、信号处理控制部13、图像形成控制部17、SEM整体控制部18各自个别地构成控制部的情况进行了说明,但也可以将它们构成为1个控制部。
电子源2一般照射0.3kV~30kV的一次电子束3。将其用多级配置的聚束透镜4和物镜6会聚,在作为观察对象的样本10上成像。偏转线圈5沿着所期望的观察范围扫描样本10上的一次电子束3的照射位置。通过一次电子束3的照射而从样本10辐射二次电子、反射电子23、特征X射线等。
样本室9内部的真空度通过经由真空配管21与样本室9连接的真空泵22而保持为高真空。另外,通过开闭向样本室9的空气导入口的针型阀24等,能使样本室9内为低真空状态。用二次电子检测器11检测从样本10产生的二次电子。通常,二次电子检测器11由被称作EverhartThornley型检测器的闪烁器和光电倍增管构成。
通常,X射线检测器12具备半导体检测器27。这是使Li+离子扩散到p形单晶Si来中和受体、形成不存在电荷的本征层的Si(Li+)检测器27。Si(Li+)检测器27以及放大器28通过冷指(cold finger)29与杜瓦瓶(Dewar vessel)30热相连,被保持在杜瓦瓶30的液氮冷却。在特征X射线通过准直器25以及窗口26入射到Si(Li+)检测器27的本征层时,与其能量成比例地产生电子-空穴对,成为信号电流。得到的信号电流在被放大器28电气放大后被输入波高分析器,成为X射线光谱并输出。另外,本实施例的X射线检测器12设为具备Si(Li+)检测器27的X射线检测器12,但也可以是具备硅漂移检测器(Silicon Drift Detector)的X射线检测器12。
用top-BSE检测器16以及Coax-BSE检测器15来检测反射电子23。在这些反射电子检测器中通常使用半导体检测器。在本实施例中,top-BSE检测器16被辐射状地4分割,通过用各个元件检测从样本10产生的反射电子并进行加减运算,得到具有指向性的凹凸信息。另外,如图2所示,是在Coax-BSE检测器15的中心开孔、对配置在X射线检测器12的前端的准直器25与样本10上的分析位置之间不进行遮挡的构造。Coax-BSE检测器15配置在与X射线检测器12的X射线检测面同轴上。另外,Coax-BSE检测器15通过臂14固定在样本室9内,与X射线检测器12独立地配置。来自样本10的特征X射线通过Coax-BSE检测器15中心的孔从X射线检测器12的准直器25入射,能不使Coax-BSE检测器15退避地进行X射线元素分析。
在图3示出top-BSE检测器16与Coax-BSE检测器15的位置关系以及得到的反射电子像的一例。如图3(a)所示,由于Coax-BSE检测器15被配置为相对于样本10的表面成某角度,因此,得到的Coax-BSE像成为具有与top-BSE像不同的对比度的反射电子像。在图3(b)示出从各个检测器得到的图像的一例。在样本10上有凸部的情况下,在top-BSE像中观察为从上方看到凸部周边的表面构造的图像。另一方面,由于反射电子具有高的能量、直线前进性高,因此在Coax-BSE像中从Coax-BSE检测器15来看,从凸部的相反侧出来的反射电子23被凸部遮蔽,由此不能得到该部分的周边信息。同样地,由于X射线也具有高能量、直线前进性高,因此与反射电子23的情况相同,不能从无法从X射线检测器12、特别是前端部的准直器25看到的场所得到X射线的信息。这样的现象在凹部的Coax-BSE检测器15侧的斜面也会产生,与凸部同样都会给分析数据带来大的影响。利用这一情况,在进行X射线分析的预备阶段取得Coax-BSE像,与二次电子像或top-BSE像一起显示在图像显示终端19。从该图像中,分析者将对比度高的场所、即能适当得到从样本10产生的X射线的场所设为分析位置。反之,通过在分析预备阶段获知亮度暗的场所不适于X射线分析,从而能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
另外,通过将X射线检测器12和Coax-BSE检测器15同轴配置,能检测从相同部位产生的特征X射线和反射电子。为此,由于能在Coax-BSE像视觉辨识凹凸面的部位和能进行X射线元素分析的部位一致,因此能从Coax-BSE像正确判定适于X射线分析的样本上的位置。进而,还能通过使用由与X射线检测器12同轴配置的Coax-BSE检测器15取得的Coax-BSE像来提升分析部位的自动判定精度。
另外,在本构成中,Coax-BSE检测器15也可以配置在X射线检测器12前端的检测面的后方。在图4(a)、图4(b)中示出配置例。Coax-BSE检测器15是在中心开孔、X射线检测器12贯通其中的形状。以连结分析点A和X射线检测器12的前端外框外周点B以及C的切线的延长线为边界,Coax-BSE检测器15的检测面位于其外侧的区域即可。在将检测面配置在其内侧的区域I、II的情况下,从分析点A产生的反射电子被X射线检测器12遮蔽,不能从Coax-BSE像判别分析位置。
另外,本实施例的Coax-BSE检测器15不仅能运用在具备能量分散型的X射线检测器12的扫描电子显微镜中,还能运用在具备波长分散型X射线分析装置的扫描电子显微镜、或其类似装置中。
在使用本实施例所涉及的扫描电子显微镜来进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能够提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
(实施例2)
使用图5(a)、(b)来说明第2实施例。图5(a)是本实施例所涉及的带电粒子线装置即扫描电子显微镜中的Coax-BSE检测器的概略立体图,图5(b)是Coax-BSE检测器和top-BSE检测器的概略配置图。除了Coax-BSE检测器15固定在X射线检测器12前端部这一点以外其它都与实施例1所示的构成相同。
本扫描电子显微镜1具备X射线检测器12和Coax-BSE检测器15成为一体的检测器。Coax-BSE检测器15配置在与X射线检测器12的X射线检测面同轴上,固定在准直器25前端部。来自样本10的特征X射线通过Coax-BSE检测器15中心的孔、以及准直器25而入射到X射线检测器12,能不使Coax-BSE检测器15退避地进行X射线元素分析。由Coax-BSE检测器15得到的Coax-BSE像成为观察从X射线检测器12看到的样本10表面的凹凸状态的图像。通过利用由该图像得到的信息、或将该图像与top-BSE像以及二次电子像一起利用,能精度良好地划分在进行X射线元素分析时适当的场所和不适当的场所。由此,分析者能无返工、短时间地进行确保了更高可靠性的分析。
另外,通过将Coax-BSE检测器15配置在X射线检测器12的前端部,能相比于后方配置灵敏度更加良好地检测从样本10产生的反射电子。由此,能在高倍率、低加速、微小电流、低真空这样的图像解析度差的环境中进行的X射线元素分析中运用本法。
另外,在本构成中,也可以与实施例1相同地将Coax-BSE检测器15配置在X射线检测器12前端的检测面的后方。这种情况下,Coax-BSE检测器15能作为一体型固定在X射线检测器12。
如前述那样,由于X射线检测器12和Coax-BSE检测器15为一体,因此不需要X射线检测器12与Coax-BSE检测器15的对位,能无烦杂的操作地进行分析。另外,能保持一体的构成不变地从样本室9拆下、装上。为此,能容易地安装在所有装置上,分析者也能够在购入装置后进行改装。
与实施例1相同,本实施例的Coax-BSE检测器15不仅能运用在具备能量分散型的X射线检测器12的扫描电子显微镜中,还能运用在具备波长分散型X射线分析装置的扫描电子显微镜、或其类似装置中。
在使用本实施例所涉及的扫描电子显微镜来进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能得到与实施例1相同的效果。另外,通过使X射线检测器和Coax-BSE检测器为一体型,不再需要相互的对位,能容易地进行可靠性高的分析。
(实施例3)
使用图6、图7来说明第3实施例。图6是配置在本实施例所涉及的带电粒子线装置即扫描电子显微镜1中的X射线检测器前端部的反射电子检测器的概略立体图。BSE检测器45的形状与图2、图5(a)所示的构成不同,中心位置不存在于X射线检测器12的轴上,是非同轴。在此,BSE检测器的非同轴的位置成为包围与X射线检测器的X射线检测面同轴的区域的一部分的位置。另外,除了非同轴这一点以外其它都与实施例1所示的构成相同。
在本扫描电子显微镜1中,BSE检测器45通过臂14被固定在样本室9内,与X射线检测器12独立地配置在X射线检测器12的前方。BSE检测器45设为不会遮挡来自样本10的特征X射线的形状。来自样本10的特征X射线从X射线检测器12的准直器25入射,能不使BSE检测器45退避地进行X射线元素分析。此时,由BSE检测器45得到的BSE像成为观察从X射线检测器12附近看到的样本10表面的凹凸状态的图像。通过利用由该图像得到的信息、或者将该图像与top-BSE像以及二次电子像一起利用,能划分进行X射线元素分析时适当的场所和不适当的场所。其结果,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
在本构成中,BSE检测器45的中心位置不存在于X射线检测器的轴上。使用图4(a)、图4(b)来说明能配置BSE检测器45的范围。从样本10上的分析点A伸出的虚线(1)、(2)相对于X射线检测器12的轴分别倾斜20°。例如在BSE检测器的中心位置配置在虚线(1)、(2)上的情况下,得到的BSE像与从X射线检测器12看到的像有较大不同,后述的自动判别计算的精度成为50%程度。为此,为了正确判别分析位置,需要将BSE检测器45的中心位置配置在虚线(1)、(2)的内侧。在配置在X射线检测器12前端的检测面的后方的情况下,将BSE检测器45的中心位置配置在区域III、IV即可。换言之,将BSE检测器45的检测面上的中心位置配置在以样本10上的分析点A为顶点、相对于X射线检测器12的检测面上的中心轴倾斜不足20°而形成的圆锥状的区域内即可,同时该区域是比X射线检测器12的检测面更靠分析点A侧的区域,或者比连结所述分析点和X射线检测器12的前端外框外周点的切线的延长线更靠外侧的区域。
另外,在与针对样本10配置X射线检测器12的X射线检测面的方向同方向上,在能检测在样本10产生、直接直线前进的反射电子的位置配置BSE检测器45即可。在此,与针对样本10配置X射线检测器12的X射线检测面的方向同方向是指上述的BSE检测器45的中心位置配置在虚线(1)、(2)的内侧,能检测在样本10产生、直接直线前进的反射电子的位置是指将上述的BSE检测器45的中心位置配置在区域III、IV。另外,还能将BSE检测器45配置在X射线检测器12前端的检测面的前方、即配置在X射线检测器12的前端与样本间。进而,还能将BSE检测器45配置在X射线检测器12的前端部。在此,将BSE检测器45配置在X射线检测器12的前端部包括将BSE检测器45直接配置在X射线检测器12的前端的情况,还包括接近X射线检测器12的前端附近地配置BSE检测器45的情况,另外,还包括将BSE检测器45配置在X射线检测器12的前端的与该检测器轴同轴上的情况,还包括在上述的X射线检测器12的前端与样本间将BSE检测器45的中心位置配置在区域III、IV的情况。
本实施例的构成还能运用在BSE检测器45与X射线检测器12一体的情况中。图7中示出该示例。BSE检测器45固定在准直器25前端部。将BSE检测器45设为不遮挡来自样本10的特征X射线的形状。来自样本10的特征X射线从X射线检测器12的准直器25入射,能不使BSE检测器45退避地进行X射线元素分析。
在图6、图7中,BSE检测器45的中心位置位于和X射线检测器12的中心轴与样本10表面的角度相比的低角侧,但也可以位于高角侧。但那是,在该情况下,由于在从X射线检测器12看不到的场所也有能从BSE检测器45看到的可能性,因此与配置在低角侧情况相比,分析位置的判别精度变差。
如此,在非同轴上,在X射线检测器12的轴中心的下方有Coax-BSE检测器15的情况下,由于与上方配置相比能检测能确实进行分析的区域,因此能提升判定精度。
另外,在图5这样的构成中还能上下分割Coax-BSE检测器15。这种情况下,通过仅使用下侧的检测器来构成非同轴,能得到与图7的示例相同的效果。另一方面,通过同时使用上下的检测器能以与仅使用下侧的检测器时相比为2倍的灵敏度来检测反射电子。如此,通过将Coax-BSE检测器2分割,能进行与判定重视、灵敏度重视的目的相应的利用。
与实施例1相同,本实施例的Coax-BSE检测器15不仅能运用在具备能量分散型的X射线检测器12的扫描电子显微镜中,还能运用在具备波长分散型X射线分析装置的扫描电子显微镜、或者其类似装置中。
在使用本实施例所涉及的扫描电子显微镜来进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的带电粒子线装置。
(实施例4)
使用图8~图12来说明第4实施例。图8是表示本实施例所涉及的带电粒子线装置即扫描电子显微镜1中的Coax-BSE检测器的移动机构的示例的概略图。在本实施例中,通过不在Coax-BSE检测器15的中心开孔,具有向X射线检测器12前面的轴上的***/退避机构,从而能在X射线检测器12的方向、即与X射线检测器12完全同轴上得到仅基于弹性散射的反射电子的反射电子像,除了这一点以外其它都与实施例1所示相同。
本扫描电子显微镜1具备使Coax-BSE检测器15在X射线检测器12前段的轴上滑动从而***、退避的机构。双向箭头表示滑动方向。支承棒31安装在样本室9,以滚珠轴承32、33支承两端,2个滚珠轴承32、33安装在样本室9以及被固定于样本室9的臂支承的轴承套34。在支承棒31的一端安装有锥齿轮35。进给螺杆36被滚珠轴承37支承,滚珠轴承37安装在轴承套34。另外,在进给螺杆36的一端安装锥齿轮40,成为与锥齿轮35啮合的构造。导轨41固定在轴承套34。Coax-BSE检测器15固定在滑动器42,滑动器42安装在进给螺杆36以及导轨41。通过该构成,如图10(a)所示,能使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面的轴上滑动从而***、退避。
另外,作为同样使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面***、退避的机构,也可以设为图9那样的构成。支承棒31安装在样本室9,以滚珠轴承32、33支承两端,2个滚珠轴承32、33安装在样本室9以及被固定于样本室9的臂43支承的轴承套34。在支承棒31的一端固定Coax-BSE检测器15。根据该构成,能如图10(b)所示那样以支承棒31为旋转轴旋转,由此能使Coax-BSE检测器15如雨刷那样动作,能使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面的轴上***、退避。
如前述那样,通过使用本构成,能使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面的轴上***、退避。在使支承棒31旋转的情况下,也可以使用配置在样本室9内或样本室9外的电动致动器等来使其动作。由于由Coax-BSE检测器15得到的Coax-BSE像不是在Coax-BSE检测器15开孔的情况下得到的基于向准直器25的周围弹性散射的反射电子23的反射电子像,而是基于直接入射到准直器25的反射电子23的反射电子像,因此成为能比实施例1更正确地观察从X射线检测器看到的样本表面的凹凸状态的图像。通过利用由该图像得到的信息、或将该图像与top-BSE像以及二次电子像一起利用,能精度良好地划分进行X射线元素分析时适当的场所和不适当的场所。由此,分析者能无返工、短时间地进行确保了更高可靠性的分析。
另外,在本构成中,也可以在Coax-BSE检测器15从X射线检测器12前面的轴上退避的状态取得反射电子像,判别进行X射线元素分析时适当的场所和不适当的场所。这种情况下,虽然与Coax-BSE检测器15和X射线检测器12位于同轴位置的情况相比分析位置的判别精度下降,但能省去进行X射线元素分析时使Coax-BSE检测器15退避的工夫,能同时取得在Coax-BSE检测器15方向上产生的反射电子信号和在X射线检测器12方向上产生的X射线信号。
进而,在本构成中,Coax-BSE检测器15也可以是在中心空出孔的形状。在Coax-BSE检测器15位于X射线检测器前面的轴上的情况下,X射线通过Coax-BSE检测器15的孔部入射到X射线检测器12。为此,能省去进行X射线元素分析时使Coax-BSE检测器15退避的工夫。
以上构成还能运用在Coax-BSE检测器15与X射线检测器12一体的情况中。在图11中示出使Coax-BSE检测器15在X射线检测器12前段的轴上滑动从而***、退避的机构的示例。支承棒31安装在安装于样本室9的凸缘44上,以滚珠轴承32、33支承两端,2个滚珠轴承32、33安装在凸缘44以及固定于X射线检测器12的轴承套34。在支承棒31的一端安装锥齿轮35。进给螺杆36以滚珠轴承37、38支承两端,2个滚珠轴承37、38安装在轴承套34以及固定于X射线检测器12的轴承套39。另外,在进给螺杆36的一端安装锥齿轮40,成为与锥齿轮35啮合的构造。导轨41固定在轴承套34、39。Coax-BSE检测器15固定在滑动器42,滑动器42安装在进给螺杆36以及导轨41。通过该构成,能如图10(a)所示那样使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面的轴上滑动从而***、退避。
作为Coax-BSE检测器15与X射线检测器12一体的情况下的机构,也可以设为图12那样的构成。支承棒31安装在安装于样本室9的凸缘44,以滚珠轴承32、33支承两端,2个滚珠轴承32、33安装在凸缘44以及被固定于X射线检测器12的臂43支承的轴承套34。在支承棒31的一端固定Coax-BSE检测器15。通过该构成,能通过如图10(b)所示那样以支承棒31为旋转轴旋转来使Coax-BSE检测器15如雨刷那样动作,能使Coax-BSE检测器15向X射线检测器12前面的轴上***、退避。
在实施例1到3以及本实施例中,关于第1反射电子检测器的配置位置进行了说明。不管哪种构成都能判别适当的分析位置,但判别精度各自不同。在配置在与X射线检测器12同轴且X射线检测器12的前端部的情况下,由于得到的反射电子像成为最佳反映从X射线检测器12看到的样本表面的形状信息的像,因此能最正确地判别分析位置。以后,按照配置在X射线检测器12的前端部的情况、配置在与X射线检测器12同方向的情况的顺序判别精度降低。
在X射线检测器12和Coax-BSE检测器15一体构成的情况下,X射线检测器12、Coax-BSE检测器15和移动机构能通过拆下凸缘44而保持一体不变地拆下,并保持一体不变地安装。由此,能容易地安装在所有装置上,分析者还能在购入装置后进行改装。与实施例1相同,本发明的Coax-BSE检测器15不仅能运用在具备能量分散型的X射线检测器12的扫描电子显微镜中,还能运用在具备波长分散型X射线分析装置的扫描电子显微镜、或其类似装置中。
另外,在本构成中,能通过变更支承棒31的长度以及滑动器42的形状来使Coax-BSE检测器15与top-BSE检测器16相比更接近样本10。由此,能在比top-BSE检测器16更有利的位置进行高倍率、低加速、微小电流、低真空这样更严酷的条件下的反射电子观察。进而,例如在X射线检测器12以样本表面为基准位于35°的角度的情况下,由于Coax-BSE检测器15也从35°的角度看到样本10,因此从样本10全方位散乱的反射电子能通过使样本10倾斜来适当改变组成信息和凹凸信息的比例地进行观察。如此,Coax-BSE检测器15不仅能运用在X射线分析中,还能作为与top-BSE检测器16特征不同的高灵敏度反射电子检测器来利用。
在使用本实施例所涉及的扫描电子显微镜进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。另外,通过具备使Coax-BSE检测器向X射线检测器前面的轴上的***/退避机构,能不需要在Coax-BSE检测器设置中心孔地得到基于在与X射线检测器完全同轴上弹性散射的反射电子的反射电子像,能评价、判别更适于X射线分析的样本上的位置。
(实施例5)
使用图13~图15来说明第5实施例。在本实施例中,说明使用实施例1所示的扫描电子显微镜来自动判别X射线的检测效率高的场所的方法。另外,实施例1带4中任一者记载而本实施例未记载的事项只要没有特殊情况,则也能运用在本实施例中。另外,扫描电子显微镜的动作通过SEM整体控制部18等的控制部控制。在本实施例中,不使用top-BSE检测器16而仅使用Coax-BSE检测器15来判别能进行X射线元素分析的位置。图13表示用于在本实施例中得到最佳的X射线分析位置的处理流程,图14使用实际由Coax-BSE检测器15取得的Coax-BSE像来说明图13的处理流程,图15表示分析位置判别时显示的窗口。
步骤1(图13的S701):
由Coax-BSE检测器15取得Coax-BSE像(图14(a))。此时得到的图像的像素数设为横方向m像素、纵方向n像素,在图14(b)示出图像。
步骤2(S702):
在将步骤1得到的Coax-BSE像以例如8bit量化,以256灰阶的灰度图像来表现的情况下,对全像素的对比度值进行标准化,使图像的对比度最小值与0一致,使对比度最大值与255一致。
步骤3(S703):
对对比度值设置某阈值Rth,将Rth与在步骤2标准化的对比度值进行比较,若标准化的对比度值为Rth以上,则判别为适于分析的场所,若不足Rth,则判别为不适于分析的场所。对比度值虽然为了进行标准化而设置了Rth的默认值,但也可以通过图15(a)的窗口由分析者任意设定。
以上是图13的处理流程的说明。可以说在步骤2(S702)得到的对比度值越大的场所,则在与Coax-BSE检测器15与电子束3的照射部位间越没有障碍物,照射部位越朝向Coax-BSE检测器15方向。这种情况对于从电子束3照射部位出来的X射线也相同,在对比度值越大的场所,从X射线检测器12的准直器25入射到Si(Li+)检测器27的X射线量就越增加。即,若在Coax-BSE像中将对比度值大的场所设为X射线分析位置,则能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。另外,在图13的处理流程中以像素为单位进行了对比度值的评价,但也可以例如将图像横x、纵y地分割,取分割的单位区域的对比度值的平均,将该值与阈值Rth比较。由此,能避免电子源2的闪烁或电气噪声、样本10的局所电荷等引起的像素级别的噪声的影响。这种情况下,处理流程成为以下那样。
步骤1A:
由Coax-BSE检测器15取得Coax-BSE像。此时得到的图像的像素数设为横方向m像素、纵方向n像素。
步骤2A:
在将在步骤1A得到的Coax-BSE像以8bit量化、用256灰阶的灰度图像表现的情况下,对全像素的对比度值进行标准化,使图像的对比度最小值与0一致,使对比度最大值与255一致。
步骤3A:
例如将图像横x、纵y地分割,定义判别的最小区域。x以及y能通过图15(b)的窗口由分析者任意设定。
步骤4A:
以在步骤3A定义的区域为单位取对比度值的平均,若平均化的值为Rth以上,则判别为适于分析的场所,若不足Rth,则判别为不适于分析的场所。对比度值虽未为了进行标准化而设置Rth的默认值,但也可以通过图15(b)的窗口由分析者任意设定。
接下来,说明使用图15来定义图13的处理流程中记述的对比度值的阈值Rth,在开始以及结束分析位置的判别时显示在图像显示终端19的窗口。在分析者判别能分析位置的情况下,分析者首先使图15(a)的窗口显示在图像显示终端19。接下来,分析者为了能分析位置的判别而将“对比度值的阈值”Rth输入到方框。在方框作为默认值例如输入“90”,通常使用该值,但分析者能任意输入0~255的整数。在输入这些以外的值的情况下显示错误消息。滞后分析者按下图15(a)中的“开始”按钮。由此进行图13的处理流程。在结束分析位置的判别而移转到通常的观察的情况下,按下图15中的“关闭”按钮。
另外,在使用步骤1A~步骤4A的处理流程来判别能分析位置的情况下进行以下的次序。分析者首先使图15(b)的窗口显示在图像显示终端19。接下来分析者为了判别能分析位置而将“对比度值的阈值”Rth以及“图像的分割数”x、y输入到方框。在Rth的方框作为默认值而输入例如“90”,通常使用该值,但分析者能任意输入0~255的整数。关于x以及y,分别是能分割图像的像素数(m,n)的整数,设为图像的像素数(m,n)以下且1以上的值。在对各个方框输入能输入的值以外的值的情况下显示错误消息。之后分析者按下图15(b)中的“开始”按钮。由此进行步骤1A~步骤4A的处理流程。在结束分析位置的判别而移转到通常的观察的情况下,按下图15(b)中的“关闭”按钮。
通过以上的处理流程,能提示在进行X射线元素分析的预备阶段向分析者提示分析结果的可靠性。其结果,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
在使用实施例所涉及的扫描电子显微镜来进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段自动评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
(实施例6)
使用图16~图19来说明第6实施例。在本实施例中,使用实施例1所示的扫描电子显微镜,说明了使用top-BSE像、以及Coax-BSE像来自动判别X射线的检测效率高的场所的方法。另外,实施例1到4的任一者记载、在本实施例中未记载的事项只要没有特殊情况就都能运用在本实施例中。另外,扫描电子显微镜的动作由例如SEM整体控制部18等的控制部控制。图16表示用于在本实施例中得到最佳的X射线分析位置的处理流程,图17以及图18使用实际由top-BSE检测器16以及Coax-BSE检测器15取得的top-BSE像以及Coax-BSE像来说明图16的处理流程,图19表示在分析位置判别时显示的窗口。
步骤1(图16的S101):
由top-BSE检测器16取得top-BSE像(图17(a))。此时得到的图像的像素数为横方向i像素、纵方向j像素,在图17(c)示出图像。
步骤2(S102):
由Coax-BSE检测器15取得Coax-BSE像(图17(b))。此时得到的图像的像素数与top-BSE像相同都是横方向i像素、纵方向j像素,在图17(d)示出图像。例如,在同时取得在步骤1(S101)、步骤2(S102)得到的top-BSE像和Coax-BSE像的情况下,由于在一次电子束3的扫描范围没有偏移,因此不会产生像素的位置偏移。由此,在比较两者的图像前不需要进行图案匹配等确定图像的位置的处理。
步骤3(S103):
在例如以8bit量化、以256灰阶的灰度图像来表现在步骤1(S101)、步骤2(S102)得到的top-BSE像和Coax-BSE像的情况下,对全像素的对比度值进行标准化,使图像的对比度最小值与0一致,使对比度最大值与255一致。
步骤4(S104):
例如在横x、纵y分割图像,如图18(a)、(b)那样定义判别的最小区域。x以及y能通过图19的窗口由分析者任意设定。另外,将判别的最小区域的横以及纵的像素数分别设为p、q。
步骤5(S105):
用在步骤4(S104)定义的区域单位来计算相似度。在相似度的计算方法中有使用对比度值的平均的方法,使用针对同一像素的浓度值的相关值的方法、使用直方图的形状的类似比较的方法等,使用哪种手法都刻意。在此,为了方便而使用对比度值的平均。通过取各个图像中的单位区域的对比度值之比来定义为相似度。
步骤6(S106):
对在步骤5(S105)求得的相似度设置某阈值Rth,若相似度为Rth以上,则判别为适于分析的场所,若不足Rth,则判别为不适于分析的场所。Rth能通过图19的窗口对应于相似度的计算方法由分析者任意设定。例如在相似度的计算中使用对比度值的平均的情况下,Rth设为0~255的整数。
以上是图16的处理流程的说明。通过如此组合Coax-BSE检测器15和top-BSE检测器16来计算相似度,能进行确保了更高可靠性的适于分析的位置的判别。在理流程中,在步骤3(S103)进行对比度值的标准化,这处于以下的理由。在本实施例中,由于配置top-BSE检测器16和Coax-BSE检测器15的位置、角度等不同,因此在各个检测器得到的信号量不同。为此,需要在比较两者的图像的预备阶段的步骤3(S103)对对比度值进行标准化,使图像的对比度最大值以及最小值一致。
接下来,使用图19来说明用于输入图16的处理流程所记述的“相似度的阈值”Rth以及“图像的分割数”x、y的显示于图像显示终端19的窗口。在分析者判别能分析位置的情况下,分析者首先使图19的窗口显示于图像显示终端19。接下来,分析者为了判别能分析位置而将“相似度的阈值”Rth以及“图像的分割数”x、y输入到各个方框。关于Rth,对应于相似度的计算方法输入适当的值。关于x以及y,分别是能分割图像的像素数(i,j)的整数,设为图像的像素数(i,j)以下且1以上的值。在输入这些以外的值的情况下显示错误消息。之后分析者按下图19中的“开始”按钮。由此进行图16的处理流程。在结束分析位置的判别而移转到通常的观察的情况下,按下图19中的“关闭”按钮。
通过以上的处理流程,能在进行X射线元素分析的预备阶段对分析者提示分析结果的可靠性。其结果,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
在使用实施例所涉及的扫描电子显微镜来进行有凹凸的样本表面的X射线分析时,能得到再现性卓越的良好的分析结果。
以上,根据本实施例,能够提供一种带电粒子线装置,能在进行X射线元素分析的预备阶段自动评价、判别适于X射线分析的样本上的位置,分析者能无返工、短时间地进行确保了高可靠性的分析。
(实施例7)
使用图20来说明第7实施例。图20是表示将能分析位置和不能分析位置显示在图像显示终端上的方法的图。在本实施例中,说明进行实施例5的图13或实施例6的图16所示的处理流程的结果是能判别适当的分析位置和不适当的分析位置的情况下显示在图像显示终端上的方法。另外,实施例1到6的任一者记载、在本实施例中未记载的事项只要没有特殊情况就也能运用在本实施例中。
图20(a)示出将实际由图13的处理流程得到的结果显示到在同一部位事前取得的top-BSE像的示例。在图13的处理流程后,以像素为单位在Coax-BSE像中判别适于分析的区域和不适于分析的区域。将其显示在二次电子像或top-BSE像上,进一步显示在更该两者上。关于显示方法,例如有将不适当的分析位置涂白或涂黑等。在图20(a)中,将不适当的分析位置涂黑。
在图20(b)示出将实际由实施例6的处理流程得到的结果显示在在同一部位事前取得的top-BSE像的示例。在实施例6的处理流程后,将二次电子像或top-BSE像、进而将其两者基于在图19输入的图像的分割数x、y来进行分割。然后,显示各个分割区域是否适于分析。关于该显示方法,例如有将不适当的分析位置涂白、或涂黑、显示×印记等。在图20(b)中,将不适当的分析位置涂黑。另外,该显示方法也可以运用在进行实施例5所示的步骤1A~步骤4A的处理流程的情况中。
另外,在图19中的“图像的分割数”的方框中x、y都输入1的情况下,通过按下图19中的“开始”按钮而进行的处理以图像整体为对象。这种情况下,如图20(c)所示,在将Rth与相似度比较时,在判别为适于分析的情况下,在画面上显示表示能分析这一情况的消息,在判别为不适于分析的情况下,在画面上显示表示不能分析这一情况的消息。另外,该显示方法也可以运用于在进行实施例5所示的步骤1A~步骤4A的处理流程时“图像的分割数”x、y都输入1的情况中。
根据以上,能视觉捕捉适于样本10上的分析的区域,分析者能容易地在在观察视野中进行在确保了分析精度的最佳位置的分析。
另外,本发明并不限定于上述的实施例,包含各种变形例。例如,上述实施例是为了易于理解地说明本发明而详细说明的构成,并不限定于非要具备所说明的全部构成。另外,还能将某实施例的构成的一部分置换为其它实施例的构成,另外,还能在某实施例的构成上加入其它实施例的构成。另外,对各实施例的构成的一部分,还能进行其它构成的追加、削除、置换。
符号说明
1 扫描电子显微镜
2 电子源
3 一次电子束
4 聚束透镜
5 偏转线圈
6 物镜
7 电子光学***
8 电子光学***控制部
9 样本室
10 样本
11 二次电子检测器
12 X射线检测器
13 信号处理控制部
14 臂
15 Coax-BSE检测器
16 top-BSE检测器
17 图像形成控制部
18 SEM整体控制部
19 图像显示终端
20 样本微动装置
21 真空配管
22 真空泵
23 反射电子
24 针型阀
25 准直器
26 窗口
27 Si(Li+)检测器
28 放大器
29 冷指
30 杜瓦瓶
31 支承棒
32、33 滚珠轴承
34 轴承套
35 锥齿轮
36 进给螺杆
37、38 滚珠轴承
39 轴承套
40 锥齿轮
41 导轨
42 滑动器
43 臂
44 凸缘
45 BSE检测器
Claims (13)
1.一种带电粒子线装置,具备X射线检测器,所述带电粒子线装置的特征在于,
在与所述X射线检测器的X射线检测面同轴上与所述X射线检测器一体或独立地配置第1反射电子检测器,并且具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
2.一种带电粒子线装置,具备X射线检测器,所述带电粒子线装置的特征在于,
在与所述X射线检测器的X射线检测面非同轴的位置与所述X射线检测器一体或独立地配置第1反射电子检测器,并且具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
3.一种带电粒子线装置,具备X射线检测器,所述带电粒子线装置的特征在于,
所述带电粒子线装置具有使配置于所述X射线检测器的周围的第1反射电子检测器***到所述X射线检测器的X射线检测面的前面且X射线光轴上、或使配置在所述X射线检测器的X射线检测面的前面且X射线光轴上的第1反射电子检测器退避到所述X射线检测器的周围的机构,并且具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置还具备二次电子检测器以及配置在一次带电粒子线光轴上的第2反射电子检测器,
所述带电粒子线装置具有个别或同时取得并在画面上个别或同时显示由配置在所述X射线检测器的X射线检测面前段的所述第1反射电子检测器得到的第1反射电子像、由配置在所述一次带电粒子线光轴上的所述第2反射电子检测器得到的第2反射电子像、以及由所述二次电子检测器得到的二次电子像的功能。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置具有使用由所述第1反射电子检测器得到的所述第1反射电子像来解析所述第1反射电子像中的每个像素的反射电子信号量,至少评价或判别所述带电粒子线装置的观察范围的X射线检测效率的功能。
6.根据权利要求4所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置具有使用所述第2反射电子检测器的所述第2反射电子像以及所述第1反射电子检测器的所述第1反射电子像来实施图像处理解析,至少评价或判别所述带电粒子线装置的观察范围的X射线检测效率的功能。
7.根据权利要求5或6所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述带电粒子线装置具有将所述观察范围的X射线检测效率或其判别结果重叠在所述第2反射电子像或所述二次电子像或这两者来显示、或者对话显示所述观察范围能否进行X射线元素分析的功能。
8.根据权利要求2所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所谓所述非同轴的位置,是指通过第1反射电子检测器的检测面的中心和样本的分析点的反射电子的光轴占据包围通过X射线检测器的X射线检测面的中心和样本的分析点的X射线光轴的区域的一部分的位置。
9.根据权利要求1所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第1反射电子检测器在与所述X射线检测面同轴上具有X射线通过的孔。
10.根据权利要求3所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第1反射电子检测器检测与所述X射线检测面同轴上的反射电子。
11.一种带电粒子线装置,具备X射线检测器,所述带电粒子线装置的特征在于,
在相对于被检测对象与配置所述X射线检测器的X射线检测面的方向同方向并且能检测来自所述被检测对象的直线前进的反射电子的位置配置第1反射电子检测器,并且具有同时或个别地由所述X射线检测器检测X射线信号、由所述第1反射电子检测器检测反射电子信号的功能。
12.根据权利要求1、2或11所述的带电粒子线装置,其特征在于,
所述第1反射电子检测器配置在所述X射线检测器的前端部。
13.根据权利要求1、2或11所述的带电粒子线装置,其特征在于,
通过第1反射电子检测器的检测面的中心和样本的分析点的反射电子的光轴、与通过X射线检测器的X射线检测面的中心和样本的分析点的X射线光轴所成的角为0°以上且20°以下。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112005333A (zh) * | 2018-06-12 | 2020-11-27 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置 |
CN113707522A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-26 | 北京中科科仪股份有限公司 | 固定装置、扫描电镜和电子束曝光机 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160091613A1 (en) * | 2013-05-06 | 2016-03-31 | Fenno-Aurum Oy | Semiconductor radiation detector with lowered background noise level |
US9099276B1 (en) * | 2014-01-24 | 2015-08-04 | Keysight Technologies, Inc. | High-voltage energy-dispersive spectroscopy using a low-voltage scanning electron microscope |
US9564291B1 (en) | 2014-01-27 | 2017-02-07 | Mochii, Inc. | Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy |
US9997331B1 (en) * | 2014-01-27 | 2018-06-12 | Mochii, Inc. | Charged-particle beam microscopy |
US9805248B2 (en) * | 2014-08-29 | 2017-10-31 | Definiens Ag | Applying pixelwise descriptors to a target image that are generated by segmenting objects in other images |
JP6622061B2 (ja) * | 2015-11-04 | 2019-12-18 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
WO2018020624A1 (ja) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10614997B2 (en) | 2017-08-04 | 2020-04-07 | EDAX, Incorporated | Systems and methods for high energy X-ray detection in electron microscopes |
JP6966255B2 (ja) * | 2017-08-10 | 2021-11-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 画像取得装置の光学系調整方法 |
JP6931592B2 (ja) * | 2017-11-13 | 2021-09-08 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置 |
US11094501B2 (en) | 2019-11-19 | 2021-08-17 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Secondary charged particle imaging system |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144247A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Topcon Corp | 反射電子検出器及びそれを有する走査型顕微鏡装置 |
JPH10172492A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | 電子線分析装置及び電子線分析方法 |
JP2000338068A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2006313651A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | 粒子線顕微鏡、及び真空分析装置用部材移動機構 |
JP2007155515A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Jeol Ltd | 粒子解析方法及び装置 |
CN102072913A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-05-25 | 卡尔蔡司Nts有限责任公司 | 检测方法、粒子束***和制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58174856U (ja) * | 1982-05-19 | 1983-11-22 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
JPH0348852U (zh) * | 1989-09-20 | 1991-05-10 | ||
NL9001512A (nl) * | 1990-07-03 | 1992-02-03 | Philips Nv | Elektronenbundelapparaat voor topografische detectie. |
JP3998556B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2007-10-31 | 株式会社東研 | 高分解能x線顕微検査装置 |
US6753525B1 (en) * | 2002-11-19 | 2004-06-22 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Materials analysis using backscatter electron emissions |
JP2006252995A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
JP5070074B2 (ja) | 2008-02-01 | 2012-11-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
WO2010132124A1 (en) * | 2009-05-15 | 2010-11-18 | Aspex Corporation | Electron microscope with integrated detector(s) |
US8314386B2 (en) | 2010-03-26 | 2012-11-20 | Uchicago Argonne, Llc | High collection efficiency X-ray spectrometer system with integrated electron beam stop, electron detector and X-ray detector for use on electron-optical beam lines and microscopes |
JP5801891B2 (ja) | 2010-07-30 | 2015-10-28 | パルセータ, エルエルシーPulsetor, Llc | 電子イメージングを用いて試料の画像を作成する荷電粒子線装置及び方法 |
-
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-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10144247A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Topcon Corp | 反射電子検出器及びそれを有する走査型顕微鏡装置 |
JPH10172492A (ja) * | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | 電子線分析装置及び電子線分析方法 |
JP2000338068A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Shimadzu Corp | 電子線分析装置 |
JP2006313651A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Shimadzu Corp | 粒子線顕微鏡、及び真空分析装置用部材移動機構 |
JP2007155515A (ja) * | 2005-12-06 | 2007-06-21 | Jeol Ltd | 粒子解析方法及び装置 |
CN102072913A (zh) * | 2009-08-07 | 2011-05-25 | 卡尔蔡司Nts有限责任公司 | 检测方法、粒子束***和制造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112005333A (zh) * | 2018-06-12 | 2020-11-27 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置 |
CN112005333B (zh) * | 2018-06-12 | 2024-04-19 | 株式会社日立高新技术 | 带电粒子束装置 |
CN113707522A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-11-26 | 北京中科科仪股份有限公司 | 固定装置、扫描电镜和电子束曝光机 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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