CN103984174A - 一种像素结构及其制造方法与修复方法 - Google Patents
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- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims abstract description 223
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 56
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 54
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 30
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 30
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 24
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 23
- -1 etching Polymers 0.000 claims description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有线缺陷修复功能的双栅驱动的像素结构，包括扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管开关。每根数据线的两侧分别通过晶体管开关连接到一个像素的像素电极，晶体管开关的栅极分别连接上下两侧的扫描线。在上下两行像素之间设计H型修复线，结合本发明公开的线缺陷修复方法可以修复扫描线的断线缺陷。在上下两行像素之间以及未设计数据线的像素电极之间设计“丰”字型修复线，结合本发明公开的线缺陷修复方法可以修复扫描线的断线缺陷、数据线的断线缺陷、扫描线和数据线的短路线缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示领域，尤其涉及一种利用液晶显示器的像素结构及其制造方法与修复方法。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,以下简称TFT-LCD)，具有重量轻、厚度薄以及低功耗等优点，广泛应用于电视、手机、显示器等电子产品中。为了减少驱动IC的颗数，开发出低成本高品质的TFT-LCD，现有技术中通常采用双栅(Dual Gate)技术驱动像素，以缩短像素充电时间实现低成本高品质的画面显示。
采用双栅技术的像素结构示意图如图1所示，在同一行像素中，沿着数据线12左右分布着两个像素单元如P13、P14，每个像素单元都由扫描线11、数据线12、像素电极13和薄膜晶体管14构成，在数据线12两侧的像素单元中，像素电极13都通过薄膜晶体管14的源电极142连接到同一根数据线12，同时两个晶体管14的栅极连接在上下不同扫描线11上进行像素驱动。为了防止液晶在直流电场下的老化，需要对液晶两端的电荷极性不断地变化，实现像素的点翻转，列翻转以及帧翻等，为了提高整个显示画面的品质，像素点翻转驱动方式已慢慢成为目前显示的主流方式。
图2为现有的一种双栅极驱动架构的像素结构。位于最底层的是扫描线21、公共电极26和薄膜晶体管24的栅极241，在扫描线21和公共电极26的上方是薄膜晶体管24的半导体沟道层244。在扫描线21和半导体沟道层244之间隔着透明的绝缘物质。在半导体沟道层244的上方是数据线22、薄膜晶体管24的漏极242、薄膜晶体管24的源极243。在薄膜晶体管24的漏极242的上方是接触孔25，接触孔25是漏极242上方的透明绝缘物质层中挖出来的一个孔。通过接触孔25使位于最顶层的透明的像素电极23与漏极实现电学连接。
在制作双栅结构的像素阵列时，由于制作过程中的成膜、显影、刻蚀等工艺的影响，及环境的影响，扫描线和数据线容易发生短路或者断路，导致线缺陷。随着面板的尺寸越大，像素分辨率越高，加上开口率等因素的制约，扫描线和数据线的线宽变窄，更容易发生线缺陷。为了避免面板由于线缺陷而导致的合格率下降，需要对线缺陷进行修复。
目前，线缺陷的修复方法主要是通过面板显示区周围的环形绕线及其与像素内配套的修复备用配线进行修复。由于面板显示区周围的环形绕线的走线线路长，造成输入信号的延迟失真，修复效果欠佳。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术存在的问题，提供一种通过像素结构内部的修复用配线实现像素结构内配线的断线修复。
本发明提供一种像素结构，其包括：一基板；一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：四扫描线31；四栅极341，分别电性连接该些扫描线31；二公共电极36；一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；一半导体沟道层344，配置于该栅极绝缘层上；一第二金属层，配置于该半导体沟道层344上，其中该第二金属层包括：两数据线32，与该些扫描线31交错；四源极343，各自与该数据线32电性连接；四漏极342；修复线37，设置为H型形成H型修复线37，水平配置于两相邻扫描线之间，且所述H型修复线37上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠；一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；四接触孔35，分别配置于所述漏极342的上方，所述接触孔35是漏极342上方的所述保护层中挖出来的一个孔；以及四像素电极33，配置于该保护层上，并通过该些接触孔35与该些漏极342电性连接；其中，所述两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧。
本发明还提供一种像素结构制作方法，其包括以下步骤：
a.在基板上，进行第一金属层的成膜工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成扫描线31、公共电极36和薄膜晶体管的栅极341。在其上方涂覆一栅极绝缘层39；
b.在该栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离，形成半导体沟道层344；
c.在半导体沟道层344的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成数据线32、薄膜晶体管的漏极342、薄膜晶体管的源极343、H型修复线37，其上方涂覆一层钝化保护层38，其中，该H型修复线37水平配置于两相邻扫描线之间，且所述H型修复线37上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠；
d.在该钝化保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成接触孔35；
e.在该接触孔35的上方，进行透明导电层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成像素电极33，该像素电极33通过该接触孔35，与该漏极342实现电学连接；其中，所述两相邻扫描线配置于所述像素电极的同一侧。
本发明的一实施例中提供了一种像素结构的修复方法，其包括以下步骤：
c.当扫描线断开时，在发生断路的扫描线上，找到断点两侧的该H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的该重叠区域进行激光焊接；
d.在该激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过该H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现该扫描线断点两侧的电压信号一致。
优选地，所述公共电极36设置于所述像素电极33的中心线上，且分别于所述数据线32、像素电极33分别部分重叠。
本发明还提供了一种像素结构，其包括：一基板；一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：四扫描线41；四栅极441，分别电性连接该些扫描线41；二公共电极46；修复衬垫48，配置于两相邻所述扫描线之间；一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；一半导体沟道层444，配置于该栅极绝缘层上；一第二金属层，配置于该半导体层上，且该第二金属层下方皆有该半导体沟道层444，其中该第二金属层包括：两数据线42，与该些扫描线41交错；四源极443，各自与该数据线42电性连接；四漏极442；修复线47，设置为“丰”字型形成“丰”字型修复线47，具有横向水平配置的三条H型修复线，其分别位于两相邻扫描线之间，且该H型修复线上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠，具有竖向平行设置于两相邻该数据线之间的竖直修复线；一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；四接触孔45，分别配置于所述漏极442的上方，所述接触孔45是漏极442上方的所述保护层中挖出来的一个孔；以及四像素电极33，配置于该保护层上，并通过该些接触孔35与该些漏极342电性连接；其中，该两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧，且该修复衬垫48与该数据线、该修复线47分别部分重叠，该“丰”字型修复线47竖线设置于两相邻该像素电极之间。本发明还提供一种像素结构的制作方法，其包括以下步骤：
a.在基板上，进行第一金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成扫描线41、公共电极46、薄膜晶体管的栅极441、修复衬垫48，在其上方涂覆一栅极绝缘层；
b.在该栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成半导体沟道层444；
c.在该半导体沟道层444的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成数据线42、薄膜晶体管的漏极442、源极443、
“丰”字型修复线47，在其上方涂覆一保护层，其中，设置为“丰”字型形成“丰”字型修复线47，具有横向水平配置的三条H型修复线，其分别位于两相邻扫描线之间，且该H型修复线上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠，具有竖向平行设置于两相邻该数据线之间的竖直修复线；
d.在该保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成接触孔45；
e.在该接触孔45的上方，进行透明导电层的成膜工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成像素电极43，该像素电极43通过该接触孔45，与该漏极442实现电学连接；
其中，该两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧，且该修复衬垫48与该数据线、该修复线47分别部分重叠，该“丰”字型修复线47竖线设置于两相邻该像素电极之间。
本发明的一实施例中提供了一种像素结构的修复方法，其包括以下步骤：
c.当扫描线断开时，在发生断路的扫描线上，找到“丰”字型修复线靠近断点的H型修复线，并把该H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来形成电学独立的H型修复线；
d.在该H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的重叠区域进行激光焊接。激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现扫描线断点两侧的电压信号一致。
本发明的一实施例中提供了一种像素结构的修复方法，其包括以下步骤：
d.当数据线断开时，把数据线断点上侧和下侧的H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接；
e.通过激光焊接数据线断点上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线断点下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线；
f.激光焊接后，数据线断点靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到数据线断点的另一侧，实现数据线断点两侧的电压信号一致。
本发明的一实施例中提供了一种像素结构的修复方法，其包括以下步骤：
e.当扫描线和数据线短路时，在扫描线与数据线短路的周围，依次切断短路点上侧的数据线和下侧的数据线；
f.然后在数据线切断线的上侧找到H型修复线，在数据线切断线的下侧找到H型修复线，把上侧H型修复线和下侧H型修复线分别从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接；
g.通过激光焊接数据线切断线上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线切断线下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线；
h.激光焊接后，上侧的数据线切断线靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到下侧数据线切断线远离短路点的一侧，实现短路点上下两侧数据线的电压信号一致。在切断数据线后，扫描线实现正常的信号传输功能。
优选地，所述公共电极46设置于所述像素电极43的中心线上，且分别于所述数据线42、像素电极43分别部分重叠。
本发明采用优化的像素结构，在双栅像素结构中追加修复线、修复衬垫等结构，在激光切割和激光焊接等操作后，实现像素结构内配线的线缺陷修复功能。
附图说明
图1为现有的一种双栅极驱动像素排列示意图；
图2为现有的一种双栅极驱动像素结构的平面示意图；
图3a为本发明一实施例含H型修复线的双栅像素结构的平面示意图；
图3b为本发明图3a沿剖面线a-a’方向的剖面示意图；
图4为本发明又一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的平面示意图；
图5为本发明另一实施例含H型修复线的双栅像素结构的扫描线断线修复示意图；
图6为本发明再一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的扫描线断线修复示意图；
图7为本发明又一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的数据线断线修复示意图；
图8为本发明再一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的扫描线与数据线短路修复示意图；
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明作进一步的说明。
如如图2所示的双栅极像素结构，由于相邻的两个没有共用数据线的像素之间无数据线，且上下两行像素之间的相邻扫描线之间存在一定距离的空隙，可以在这些区域配置修复用的备用配线，用于扫描线和数据线的短路缺陷修复或者断路缺陷修复。
根据本发明的线缺陷修复思想，本发明提供了一种含H型修复线的像素结构以及一种含“丰”字型修复线的像素结构。
图3a为本发明一实施例含H型修复线的双栅像素结构的平面示意图，图3b为本发明图3a沿剖面线a-a’方向的剖面示意图。参考图3a和图3b，本发明提供一种像素结构，其包括：一基板；一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：四扫描线31；四栅极341，分别电性连接该些扫描线31；二公共电极36；一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；一半导体沟道层344，配置于该栅极绝缘层上；一第二金属层，配置于该半导体沟道层344上，其中该第二金属层包括：两数据线32，与该些扫描线31交错；四漏极342，各自与该数据线32电性连接；四源极343；修复线37，设置为H型形成H型修复线37，水平配置于两相邻扫描线之间，且所述H型修复线37上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠；一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；四接触孔35，分别配置于所述漏极342的上方，所述接触孔35是漏极342上方的所述保护层中挖出来的一个孔；以及四像素电极33，配置于该保护层上，并通过该些接触孔35与该些漏极342电性连接；其中，所述两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧。
图3a和图3b所示含H型修复线的双栅像素结构制造工艺如下：
a，在透明的衬底基板上，进行第一金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成扫描线31、公共电极36和薄膜晶体管的栅极341。接着，在这些图案的上方涂覆一层透明的绝缘物质层。这层绝缘物质层一般称为栅极绝缘层39。
b，在栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成半导体沟道层344。
c，在半导体沟道层344的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成数据线32、薄膜晶体管的漏极342、薄膜晶体管的源极343、H型修复线37。接着，在这些图案的上方涂覆一层透明的绝缘物质层。这层绝缘物质层一般称为钝化保护层38。
d，在钝化保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成接触孔35。
e，在接触孔35的上方，进行透明导电层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成像素电极33。透明导电层一般为ITO材料。像素电极33通过接触孔35，与漏极342实现电学连接。
图3a为所示含H型修复线的双栅像素结构的修复方法如下，当扫描线断开时，其特征在于所述的修复方法步骤如下：在发生断路的扫描线上，找到断点两侧的H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的重叠区域进行激光焊接。激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现扫描线断点两侧的电压信号一致。
作为一实施例，优选地，所述公共电极(36)设置于所述像素电极(33)的中心线上，且分别于所述数据线(32)、像素电极(33)分别部分重叠。
图4为本发明一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的平面示意图，如图4所示，本发明提供了一种像素结构，其包括：一基板；一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：四扫描线41；四栅极441，分别电性连接该些扫描线41；二公共电极46；修复衬垫48，配置于两相邻所述扫描线之间；一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；一半导体沟道层444，配置于该栅极绝缘层上；一第二金属层，配置于该半导体层上，且该第二金属层下方皆有该半导体沟道层444，其中该第二金属层包括：两数据线42，与该些扫描线41交错；四源极443，各自与该数据线42电性连接；四漏极442；修复线47，设置为“丰”字型形成“丰”字型修复线47，具有横向水平配置的三条H型修复线，其分别位于两相邻扫描线之间，且该H型修复线上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠，具有竖向平行设置于两相邻该数据线之间的竖直修复线；一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；四接触孔45，分别配置于所述漏极442的上方，所述接触孔45是漏极442上方的所述保护层中挖出来的一个孔；以及四像素电极33，配置于该保护层上，并通过该些接触孔35与该些漏极342电性连接；其中，该两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧，且该修复衬垫48与该数据线、该修复线47分别部分重叠，该“丰”字型修复线47竖线设置于两相邻该像素电极之间。
如图4所示的含“丰”字型修复线的双栅像素结构的制造工艺如下：
f，在透明的衬底基板上，进行第一金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成扫描线41、公共电极46、薄膜晶体管的栅极441、修复衬垫48。接着，在这些图案的上方涂覆一层透明的绝缘物质层。这层绝缘物质层一般称为栅极绝缘层。
g，在栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成半导体沟道层444。
h，在半导体沟道层444的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成数据线42、薄膜晶体管的漏极442、薄膜晶体管的源极443、“丰”字型修复线47。接着，在这些图案的上方涂覆一层透明的绝缘物质层。这层绝缘物质层一般称为钝化保护层。
i，在钝化保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成接触孔45。
j，在接触孔45的上方，进行透明导电层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成像素电极43。透明导电层一般为ITO材料。像素电极43通过接触孔45，与漏极442实现电学连接。
如含“丰”字型修复线的像素结构的修复方法，当扫描线断开时，其特征在于所述的修复方法步骤如下：在发生断路的扫描线上，找到“丰”字型修复线靠近断点的H型修复线，并把该H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来形成电学独立的H型修复线。在该H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的重叠区域进行激光焊接。激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现扫描线断点两侧的电压信号一致。
如含“丰”字型修复线的像素结构的修复方法，当数据线断开时，其特征在于所述的修复方法步骤如下：把数据线断点上侧和下侧的H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接。通过激光焊接数据线断点上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线断点下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线。激光焊接后，数据线断点靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到数据线断点的另一侧，实现数据线断点两侧的电压信号一致。
如含“丰”字型修复线的像素结构的修复方法，当扫描线和数据线短开时，其特征在于所述的修复方法步骤如下：在扫描线与数据线短路的周围，依次切断短路点上侧的数据线和下侧的数据线。然后在数据线切断线的上侧找到H型修复线，在数据线切断线的下侧找到H型修复线，把上侧H型修复线和下侧H型修复线分别从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接。通过激光焊接数据线切断线上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线切断线下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线。激光焊接后，上侧的数据线切断线靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到下侧数据线切断线远离短路点的一侧，实现短路点上下两侧数据线的电压信号一致。在切断数据线后，扫描线实现正常的信号传输功能。
作为一实施例，优选地，所述公共电极46设置于所述像素电极43的中心线上，且分别于所述数据线42、像素电极43分别部分重叠。
实施例1
图5为本发明一实施例含H型修复线的双栅像素结构的扫描线断线修复示意图。如图5所示，在双栅驱动的像素结构中，在上一行像素和下一行像素之间，设计一个H型修复线结构，H型修复线结构的左右两侧分别与上一行像素的扫描线以及下一行像素的扫描线重叠。
如图5所示的双栅驱动的像素结构，当扫描线51出现断点53时，相应的修复方法如下：
a、在发生断路的扫描线51上，找到断点53左右两侧的H型修复线57与扫描线51重叠的区域。
b、分别在断点两侧的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点521和焊接点522。
激光焊接后，扫描线断点53靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线57后，传输到扫描线断点53的另一侧，实现扫描线断点53两侧的电压信号一致。
实施例2
图6为本发明一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的扫描线断线修复示意图。如图6所示，在双栅驱动的像素结构中，在上一行像素和下一行像素之间，以及左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间设计一个“丰”字型修复线结构，“丰”字型修复线结构是一种通过左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间的连接线把上下H型修复线结构实现电学连接的同层金属结构。在“丰”字型修复线结构中的H型修复线结构，两侧的底部都设计有与扫描线同层的修复衬垫。修复衬垫的两端分别与数据线和H型修复线结构存在部分重叠区域。
如图6所示的双栅驱动的像素结构，当扫描线61出现断点63时，相应的修复方法如下：
a、在发生断路的扫描线61上，找到“丰”字型修复线靠近断点63的H型修复线67，并在“丰”字型修复线上通过激光切割线641切断上侧的连接线，通过激光切割线642切断下侧的连接线，把H型修复线67从“丰”字型修复线中切割出来形成电学独立的H型修复线。
b、在H型修复线67与扫描线61重叠的区域，分别在断点63两侧的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点621和焊接点622。
激光焊接后，扫描线断点63靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线67后，传输到扫描线断点63的另一侧，实现扫描线断点63两侧的电压信号一致。
实施例3
图7为本发明一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的数据线断线修复示意图。如图7所示，在双栅驱动的像素结构中，在上一行像素和下一行像素之间，以及左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间设计一个“丰”字型修复线结构，“丰”字型修复线结构是一种通过左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间的连接线把上下H型修复线结构实现电学连接的同层金属结构。在“丰”字型修复线结构中的H型修复线结构，两侧的底部都设计有与扫描线同层的修复衬垫。修复衬垫的两端分别与数据线和H型修复线结构存在部分重叠区域。
如图7所示的双栅驱动的像素结构，当数据线71出现断点72时，相应的修复方法如下：
a、把数据线断点72上侧的H型修复线772通过激光切割线741和切割线742从“丰”字型修复线中切割出来。
b、把数据线断点72下侧的H型修复线782通过激光切割线751和切割线752从“丰”字型修复线中切割出来。并保持H型修复线772和H型修复线782之间的电学连接。
c、在数据线断点72上侧的数据线与上侧的修复衬垫771的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点731；在修复衬垫771和H型修复线772的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点732。
d、在数据线断点72下侧的数据线与下侧的修复衬垫781的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点761；在修复衬垫781和H型修复线782的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点762。
激光焊接后，数据线断点72靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧修复衬垫771、上侧H型修复线772、下侧H型修复线782和下侧修复衬垫781后，传输到数据线断点72的另一侧，实现数据线断点两侧的电压信号一致。
实施例4
图8为本发明再一实施例含“丰”字型修复线的双栅像素结构的扫描线与数据线短路修复示意图。如图8所示，在双栅驱动的像素结构中，在上一行像素和下一行像素之间，以及左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间设计一个“丰”字型修复线结构，“丰”字型修复线结构是一种通过左侧数据线的右侧像素与右侧数据线的左侧像素之间的连接线把上下H型修复线结构实现电学连接的同层金属结构。在“丰”字型修复线结构中的H型修复线结构，两侧的底部都设计有与扫描线同层的修复衬垫。修复衬垫的两端分别与数据线和H型修复线结构存在部分重叠区域。
如图8所示的双栅驱动的像素结构，当数据线80和扫描线89出现短路点81时，相应的修复方法如下：
a、在扫描线89与数据线80发生短路的短路点81的周围，通过激光切割形成的切割线821以及通过激光切割形成的切割线822，把数据线80与扫描线89在电学上分割开来。这样，扫描线就能正常进行信号电压的传输。
b、把切割线821上侧的H型修复线842通过激光切割线851和切割线852从“丰”字型修复线中切割出来。
c、把切割线822下侧的H型修复线843通过激光切割线871和切割线872从“丰”字型修复线中切割出来。
d、在H型修复线842和H型修复线843之间的H型修复线844，通过激光切割线861和切割线862切断H型修复线844。保持H型修复线842和H型修复线843之间的电学连接。
e、在切割线821上侧的数据线与上侧的修复衬垫841的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点831；在修复衬垫841和H型修复线842的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点832。
f、在切割线822下侧的数据线与下侧的修复衬垫845的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点882；在修复衬垫845和H型修复线843的重叠区域进行激光焊接，形成焊接点881。
激光焊接后，切割线821靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧修复衬垫841、上侧H型修复线842、中间的H型修复线844、下侧H型修复线843和下侧修复衬垫845后，传输到切割线822的下侧，实现数据线断点两侧的电压信号一致。
以上实施例仅为说明本发明的技术思想，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本发明保护范围之内；本发明未涉及的技术均可通过现有技术加以实现。
Claims (10)
1.一种像素结构，其包括：
一基板；
一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：
四扫描线(31)；
四栅极(341)，分别电性连接该些扫描线(31)；
二公共电极(36)；
一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；
一半导体沟道层(344)，配置于该栅极绝缘层上；
一第二金属层，配置于该半导体沟道层(344)上，其中该第二金属层包括：
两数据线(32)，与该些扫描线(31)交错；
四源极(343)，各自与该数据线(32)电性连接；
四漏极(342)；
修复线(37)，设置为H型形成H型修复线(37)，水平配置于两相邻扫描线之间，且所述H型修复线(37)上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠；
一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；
四接触孔(35)，分别配置于所述漏极(342)的上方，所述接触孔(35)是漏极(342)上方的所述保护层中挖出来的一个孔；
以及四像素电极(33)，配置于该保护层上，并通过该些接触孔(35)与该些漏极(342)电性连接；
其中，所述两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧。
2.一种像素结构制作方法，其包括以下步骤：
a.在基板上，进行第一金属层的成膜工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成扫描线(31)、公共电极(36)和薄膜晶体管的栅极(341)，在其上方涂覆一栅极绝缘层；
b.在该栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离，形成半导体沟道层(344)；
c.在半导体沟道层(344)的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、光刻胶的显影、刻蚀、光刻胶的剥离等工艺，形成数据线(32)、薄膜晶体管的漏极(342)、薄膜晶体管的源极(343)、H型修复线(37)，其上方涂覆一层钝化保护层，其中，该H型修复线(37)水平配置于两相邻扫描线之间，且所述H型修复线(37)上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠；
d.在该钝化保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成接触孔(35)；
e.在该接触孔(35)的上方，进行透明导电层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成像素电极(33)，该像素电极(33)通过该接触孔(35)，与该漏极342实现电学连接；
其中，所述两相邻扫描线配置于所述像素电极的同一侧。
3.一种如权利要求1所述像素结构的修复方法，其包括以下步骤：
a.当扫描线断开时，在发生断路的扫描线上，找到断点两侧的该H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的该重叠区域进行激光焊接；
b.在该激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过该H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现该扫描线断点两侧的电压信号一致。
4.如权利要求1-3任一项所述的像素结构、制作方法或修复方法，其中，所述公共电极(36)设置于所述像素电极(33)的中心线上，且分别于所述数据线(32)、像素电极(33)分别部分重叠。
5.一种像素结构，其包括：
一基板；
一第一金属层，配置于该基板上，其中该第一金属层包括：
四扫描线(41)；
四栅极(441)，分别电性连接该些扫描线(41)；
二公共电极(46)；
修复衬垫(48)，配置于两相邻所述扫描线之间；
一栅极绝缘层，配置于该基板上并覆盖该第一金属层；
一半导体沟道层(444)，配置于该栅极绝缘层上；
一第二金属层，配置于该半导体层上，且该第二金属层下方设有该半导体沟道层(444)，其中该第二金属层包括：
两数据线(42)，与该些扫描线(41)交错；
四源极(443)，各自与该数据线(42)电性连接；
四漏极(442)；
修复线(47)，设置为“丰”字型形成“丰”字型修复线(47)，具有横向水平配置的三条H型修复线，其分别位于两相邻扫描线之间，且该H型修复线上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠，具有竖向平行设置于两相邻该数据线之间的竖直修复线；
一保护层，配置于该基板上并覆盖该第二金属层；
四接触孔(45)，分别配置于所述漏极(442)的上方，所述接触孔(45)是漏极(442)上方的所述保护层中挖出来的一个孔；
以及四像素电极(43)，配置于该保护层上，并通过该些接触孔(45)与该些漏极(442)电性连接；
其中，该两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧，且该修复衬垫(48)与该数据线、该修复线(47)分别部分重叠，该“丰”字型修复线(47)竖线设置于两相邻该像素电极之间。
6.一种像素结构的制作方法，其包括以下步骤：
a.在基板上，进行第一金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成扫描线(41)、公共电极(46)、薄膜晶体管的栅极(441)、修复衬垫(48)，在其上方涂覆一栅极绝缘层；
b.在该栅极绝缘层的上方，进行半导体层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成半导体沟道层(444)；
c.在该半导体沟道层(444)的上方，进行第二金属层的成膜工艺，然后通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成数据线(42)、薄膜晶体管的漏极(442)、源极(443)、“丰”字型修复线(47)，在其上方涂覆一保护层，其中，设置为“丰”字型形成“丰”字型修复线(47)，具有横向水平配置的三条H型修复线，其分别位于两相邻扫描线之间，且该H型修复线上下延长线分别于与所述扫描线部分重叠，具有竖向平行设置于两相邻该数据线之间的竖直修复线；
d.在该保护层的上方，进行接触孔的刻孔工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成接触孔(45)；
e.在该接触孔(45)的上方，进行透明导电层的成膜工艺，通过光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、剥离，形成像素电极(43)，该像素电极(43)通过该接触孔(45)，与该漏极(442)实现电学连接；
其中，该两相邻扫描线位于所述像素电极的同一侧，且该修复衬垫(48)与该数据线、该修复线(47)分别部分重叠，该“丰”字型修复线(47)竖线设置于两相邻该像素电极之间。
7.如权利要求4所述的修复方法，其包括以下步骤：
a.当扫描线断开时，在发生断路的扫描线上，找到“丰”字型修复线靠近断点的H型修复线，并把该H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来形成电学独立的H型修复线；
b.在该H型修复线与该扫描线重叠的区域，分别在断点两侧的重叠区域进行激光焊接，激光焊接后，扫描线断点靠近扫描线信号输入端一侧的电压信号经过H型修复线后，传输到扫描线断点的另一侧，实现扫描线断点两侧的电压信号一致。
8.如权利要求4所述的修复方法，其包括以下步骤：
a.当数据线断开时，把数据线断点上侧和下侧的H型修复线从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接；
b.通过激光焊接数据线断点上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线断点下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线；
c.激光焊接后，数据线断点靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到数据线断点的另一侧，实现数据线断点两侧的电压信号一致。
9.如权利要求4所述的修复方法，其包括以下步骤：
a.当扫描线和数据线短路时，在扫描线与数据线短路的周围，依次切断短路点上侧的数据线和下侧的数据线；
b.然后在数据线切断线的上侧找到H型修复线，在数据线切断线的下侧找到H型修复线，把上侧H型修复线和下侧H型修复线分别从“丰”字型修复线中切割出来，并保持上下两个H型修复线之间的电学连接；
c.通过激光焊接数据线切断线上侧的数据线与上侧的修复衬垫、上侧的修复衬垫与上侧的H型修复线，以及激光焊接数据线切断线下侧的数据线与下侧的修复衬垫、下侧的修复衬垫与下侧的H型修复线；
d.激光焊接后，上侧的数据线切断线靠近数据线信号输入端一侧的电压信号经过上侧H型修复线、上侧修复衬垫、下侧H型修复线和下侧修复衬垫后，传输到下侧数据线切断线远离短路点的一侧，实现短路点上下两侧数据线的电压信号一致，在切断数据线后，扫描线实现正常的信号传输功能。
10.如权利要求5-9任一项所述的像素结构、制作方法或修复方法，其中，所述公共电极(46)设置于所述像素电极(43)的中心线上，且分别于所述数据线(42)、像素电极(43)分别部分重叠。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410226425.4A CN103984174B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种像素结构及其制造方法与修复方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410226425.4A CN103984174B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种像素结构及其制造方法与修复方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103984174A true CN103984174A (zh) | 2014-08-13 |
| CN103984174B CN103984174B (zh) | 2017-01-18 |
Family
ID=51276200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| US11804497B2 (en) | 2020-04-07 | 2023-10-31 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | GOA circuit, display panel, and repair method |
| CN111952347A (zh) * | 2020-08-24 | 2020-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其修复方法、显示面板 |
| CN111952347B (zh) * | 2020-08-24 | 2023-07-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其修复方法、显示面板 |
| CN113917760A (zh) * | 2021-10-19 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子纸阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN113917760B (zh) * | 2021-10-19 | 2024-05-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电子纸阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN114415433A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-29 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| CN114415433B (zh) * | 2022-03-14 | 2022-07-12 | 惠科股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| US11841596B2 (en) | 2022-03-14 | 2023-12-12 | HKC Corporation Limited | Array substrate, display panel and display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103984174B (zh) | 2017-01-18 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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