CN103917697A - 镀银材料及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料及其制造方法。在铜或铜合金制原材料的表面或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和的比例为40%以上。

Description

镀银材料及其制造方法
技术领域
本发明涉及镀银材料及其制造方法，特别是涉及用作用于车载用或民用电气布线的连接器、开关、继电器等的接点及终端部件的材料的镀银材料及其制造方法。
背景技术
目前，作为连接器或开关等的接点及终端部件等的材料，使用在不锈钢、铜或铜合金等较低价且耐腐蚀性及机械特性等优良的原材料上，根据电特性及可焊性等必要的特性，实施镀锡、银、金等而得的镀材。
在不锈钢、铜或铜合金等原材料上镀锡而得的镀锡材料虽然低价，但是高温环境下的耐腐蚀性差。此外，在这些原材料上镀金而得的镀金材料虽然耐腐蚀性优良、可靠性高，但成本高。另一方面，在这些原材料上镀银而得的镀银材料比镀金材料低价，耐腐蚀性优于镀锡材料。
作为在不锈钢、铜或铜合金等原材料上镀银而得的镀银材料提出过在不锈钢制薄板状基板的表面形成厚0.1～0.3μm的镍镀层，在其上形成厚0.1～0.5μm的铜镀层，再在其上形成厚1μm的银镀层的电接点用金属板(例如，参见日本专利特许第3889718号公报)。此外，提出过在不锈钢基材的表面形成经活化处理的厚0.01～0.1μm的镍衬底层，在其上形成由镍、镍合金、铜、铜合金中的至少一种构成的厚0.05～0.2μm的中间层，再在其上形成银或银合金的厚0.5～2.0μm的表层的活动接点用银被覆不锈钢条(例如，参见日本专利特许第4279285号公报)。还提出过在铜、铜合金、铁或铁合金制金属基体上形成由镍、镍合金、钴或钴合金的任一种构成的厚0.005～0.1μm的衬底层，在其上形成由铜或铜合金构成的厚0.01～0.2μm的中间层，再在其上形成由银或银合金构成的厚0.2～1.5μm的表层，金属基体的算术平均粗糙度Ra为0.001～0.2μm，中间层形成后的算术平均粗糙度Ra为0.001～0.1μm的活动接点部件用银被覆材料(例如，参见日本专利特开2010-146926号公报)。
但是，现有的镀银材料在高温环境下使用时，存在镀覆的密合性恶化，镀覆的接触电阻变得非常高的情况。日本专利特许第3889718号公报及日本专利特许第4279285号公报所提出的镀银材料在高温环境下使用时也存在镀覆的密合性恶化，无法充分抑制镀覆的接触电阻上升的情况。另一方面，日本专利特开2010-146926号公报中所提出的镀银材料在高温环境下使用时，镀覆的密合性良好，能够抑制镀覆的接触电阻的上升，但是必须将压延辊的算术平均粗糙度Ra调整至0.001～0.2μm，利用压延辊转印的金属基体的算术平均粗糙度Ra调整至0.001～0.2μm，此外，必须选择合适的形成中间层时的电镀电流密度及镀浴中的添加剂的种类，将中间层形成后的算术平均粗糙度Ra调整至0.001～0.1μm，因此工序复杂，成本增大。
为此，本申请人提出过制造低价的镀银材料：在不锈钢制原材料的表面形成由Ni构成的衬底层，在其上形成由Cu构成的中间层，再在其上形成由Ag构成的表层的镀银材料中，通过在表层的{111}面使垂直方向的晶粒直径在300埃以上，籍此即使在高温环境下使用，镀覆的密合性也良好且也能够抑制镀覆的接触电阻的上升(日本专利申请特愿2010-253045)。
但是，在铜或铜合金制原材料的表面或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面上镀银的镀银材料若在高温环境下使用，则铜扩散，在银镀层的表面形成CuO，存在接触电阻上升的问题。此外，如果将镀银材料加工成复杂形状或小型连接器或开关等的接点及终端部件，则存在镀银材料产生裂缝，原材料露出的问题。
发明内容
因此，鉴于上述现有的问题点，本发明的目的是提供弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料及其制造方法。
本发明人为了解决上述课题进行了深入的研究，结果发现，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面上形成由银构成的表层的镀银材料中，通过控制构成由银形成的表层的结晶方位，具体来说是，通过使{200}面的X射线衍射强度相对于由银形成的表层的(银晶体中的主要取向模式){111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度(X射线衍射峰的积分强度)之和所占的比例(以下称为“{200}取向强度比”)提高至40%以上，籍此能够制造弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料，最终完成了本发明。
即，本发明的镀银材料的特征是，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和的比例为40%以上。在该镀银材料中，较好是，由银构成的表层形成于铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。
还有，本发明的镀银材料的制造方法的特征是，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料的制造方法中，通过在含有5～15mg/L硒且银相对于游离氰的质量比为0.9～1.8的银镀浴中进行电镀，形成由银构成的表层。在该镀银材料的制造方法中，较好是，将由银构成的表层形成于铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。此外，较好是，银镀浴由氰化银钾、***与硒氰酸钾组成，该银镀浴中的硒氰酸钾的浓度为3～30mg/L。
还有，本发明的接点或终端部件的特征是，使用上述镀银材料作为材料。
通过本发明，可以制造弯曲加工性良好且高温环境下使用也能够抑制接触电阻的上升的镀银材料。
本发明的镀银材料可以用作用于车载用或民用的电气布线的连接器、开关、继电器等的接点及终端部件的材料。特别是，除了开关用的弹簧接点构件的材料外，还可以用作移动电话或电气设备的遥控器等的开关的材料。此外，也可以用作大电流且发热量大的混合动力电动汽车(HEV)的充电终端或高压连接器等的材料。
附图的简单说明
图1为制造实施例1～8及比较例1～5的镀银材料所使用的银镀浴中Se浓度相对于Ag/游离CN质量比的示意图。
图2为实施例1～8及比较例1～5所得的镀银材料中{200}取向强度比与耐热试验后的接触电阻的关系的示意图。
图3为实施例1～8及比较例1～2所得的镀银材料中{200}取向强度比与耐热试验后的接触电阻的关系的示意图。
具体实施方式
本发明的镀银材料的实施方式是，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和所占的比例为40%以上。在该镀银材料中，较好是，由银构成的表层形成于铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。
本发明的镀银材料的制造方法的实施方式是，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料的制造方法中，按照使得{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和所占的比例达到40%以上的条件形成表层。
具体是，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料的制造方法中，通过在含有5～15mg/L硒且银相对于游离氰的质量比为0.9～1.8的银镀浴中进行电镀，形成(优选厚度10μm以下的)表层。在该镀银材料的制造方法中，较好是，将由银构成的表层形成于由铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。再有，电镀时的液温优选10～40℃、更好是15～30℃，电流密度优选1～15A/dm2、更好是3～10A/dm2。
银镀浴由氰化银钾(KAg(CN)2)、***(KCN)与3～30mg/L的硒氰酸钾(KSeCN)组成，较好是使用该银镀浴中的硒浓度为5～15mg/L且银相对于游离氰的质量比为0.9～1.8的银镀浴。
镀银材料的表层是含银的表层，只要是能够通过在含有5～15mg/L硒且银相对于游离氰的质量比为0.9～1.8的银镀浴中进行电镀，形成{200}面的X射线衍射强度相对于{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和所占的比例达到40%以上，则可以是银合金的表层。
以下，对本发明的镀银材料及其制造方法的实施例作详细说明。
实施例1
首先，作为原材料(被镀材料)准备67mm×50mm×0.3mm的纯铜板，将该被镀材料与SUS板放入碱性脱脂液，以被镀材料为阴极，以SUS板为阳极，以电压5V进行30秒钟电解脱脂，水洗后，在3%硫酸中进行15秒钟酸洗。
接着，在由3g/L氰化银钾和90g/L***组成的触击镀银浴中，以被镀材料为阴极，以由铂被覆的钛电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边以电流密度2.5A/dm2进行10秒钟电镀(触击镀银)。
接着，在由74g/L氰化银钾(KAg(CN)2)、100g/L***(KCN)与18mg/L硒氰酸钾(KSeCN)组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极、以银电极板为阳极、一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至银的膜厚达到3μm。再有，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为40g/L、游离CN浓度为40g/L、Ag/游离CN质量比为1.0。
对这样制得的镀银材料，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。
镀银材料的{200}取向强度比使用X射线衍射(XRD)分析装置(理学电气株式会社(理学電気株式会社)制RINT-3C)，以管球Cu、管电压30kV、管电流30mA、采样宽度0.020°的条件，从使用单色器和玻璃的样品架而得的X射线衍射图，求出银镀膜的{111}面、{200}面、{220}面及{311}面的各自的X射线衍射峰的积分强度，计算相对于其总和，{200}面的X射线衍射峰的积分强度所占的比例。其结果，{200}取向强度比为62.3%。
镀银材料的耐热性通过在将镀银材料用干燥机(亚速旺株式会社(アズワン社)制的OF450)以200℃加热144小时的耐热试验的前后，利用电接点模拟器(山崎精机研究所株式会社(山崎精機研究所)制的CRS-1)以荷重50gf测定接触电阻来进行评价。其结果，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.9mΩ、耐热试验后为2.3mΩ、耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。
镀银材料的弯曲加工性如下评价：按照JIS Z2248的V型模法(Vブロツク法)，将镀银材料在相对于原材料的压延方向垂直的方向以R=0.1弯折成90度后，通过显微镜(基恩士公司(キ一エンス社)制的数字显微镜VHX-1000)将该弯折的部位放大1000倍进行观察，根据有无裂缝来进行评价。其结果，未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例2
除了在由111g/L氰化银钾、100g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为60g/L、游离CN浓度为40g/L、Ag/游离CN质量比为1.5。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为61.6%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.8mΩ、耐热试验后为2.5mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例3
除了在由111g/L氰化银钾、120g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为60g/L、游离CN浓度为48g/L、Ag/游离CN质量比为1.3。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为74.4%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.9mΩ、耐热试验后为2.5mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例4
除了在由111g/L氰化银钾、140g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为60g/L、游离CN浓度为58g/L、Ag/游离CN质量比为1.1。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为60.4%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.8mΩ、耐热试验后为3.2mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例5
除了在由148g/L氰化银钾、120g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为48g/L、Ag/游离CN质量比为1.7。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为79.9%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.7mΩ、耐热试验后为2.0mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例6
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10mg/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为72.7%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.9mΩ、耐热试验后为2.4mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例7
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与11mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为6mg/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为81.2%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为1.0mΩ、耐热试验后为2.4mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
实施例8
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与26mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为14g/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为48.1%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.8mΩ、耐热试验后为3.6mΩ，耐热试验后的接触电阻也良好、在5mΩ以下，耐热试验后的接触电阻的上升得到抑制。而且，弯折后的镀银材料中未观察到裂缝，弯曲加工性良好。
比较例1
除了在由74g/L氰化银钾、140g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10g/L、Ag浓度为40g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为0.7。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为33.6%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.8mΩ、耐热试验后为5.6mΩ，耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。
比较例2
除了在由148g/L氰化银钾、100g/L***与18mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为10g/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为40g/L、Ag/游离CN质量比为2.0。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为25.9%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.9mΩ、耐热试验后为12.3mΩ，耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。
比较例3
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与36mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为20g/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为5.4%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.9mΩ、耐热试验后为15.7mΩ，耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。
比较例4
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与55mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为30g/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为5.1%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.7mΩ、耐热试验后为94.2mΩ，耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。
比较例5
除了在由148g/L氰化银钾、140g/L***与73mg/L硒氰酸钾组成的银镀浴中，以被镀材料为阴极，以银电极板为阳极，一边用搅拌器以400rpm进行搅拌，一边在液温18℃下以电流密度5A/dm2进行电镀(镀银)直至膜厚达到3μm以外，通过与实施例1同样的方法制得镀银材料。此外，所使用的银镀浴中的Se浓度为40g/L、Ag浓度为80g/L、游离CN浓度为56g/L、Ag/游离CN质量比为1.4。
对这样制得的镀银材料，通过与实施例1同样的方法，计算{200}取向强度比，评价耐热试验前后的接触电阻及弯曲加工性。其结果，{200}取向强度比为4.8%。此外，镀银材料的接触电阻在耐热试验前为0.7mΩ、耐热试验后为574.5mΩ，耐热试验后的接触电阻不佳、达5mΩ以上，耐热试验后的接触电阻上升。而且，在弯折后的镀银材料中观察到裂缝，露出原材料，弯曲加工性不佳。
制造这些实施例1～8及比较例1～5镀银材料所使用的银镀浴的组成示于表1，镀银材料的特性示于表2。
表1
表2

Claims (6)

1.镀银材料，其特征在于，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料中，{200}面的X射线衍射强度相对于表层的{111}面、{200}面、{220}面与{311}面的X射线衍射强度之和的比例为40％以上。
2.如权利要求1所述的镀银材料，其特征在于，由所述银构成的表层形成于铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。
3.镀银材料的制造方法，其特征在于，在原材料的表面或形成于原材料上的衬底层的表面形成由银构成的表层的镀银材料的制造方法中，通过在含有5～15mg/L硒且相对于游离氰的银的质量比为0.9～1.8的银镀浴中进行电镀，形成由银构成的表层。
4.如权利要求3所述的镀银材料的制造方法，其特征在于，将由银构成的表层形成于铜或铜合金制原材料的表面、或形成于原材料上的由铜或铜合金构成的衬底层的表面。
5.如权利要求3或4所述的镀银材料的制造方法，其特征在于，所述银镀浴由氰化银钾、***与硒氰酸钾组成，该银镀浴中的硒氰酸钾的浓度为3～30mg/L。
6.接点或终端部件，其特征在于，使用权利要求1或2所述的镀银材料作为材料。
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