CN103904889A - 一种应用于交流驱动led的高压levelshift电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接，上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，NMOS管的栅极与低压控制模块的输出端连接。其中，本发明只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。
Description
技术领域
本发明涉及交流驱动LED技术领域，尤其涉及一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT（即level shift，电平转换）电路。
背景技术
目前，交流驱动LED电路中使用到的高压PMOS管的栅源耐压（即|Vgs|）一般小于数十伏，这就要求高压PMOS的栅极电压应相对于电源电压的压差保持恒定，而开关逻辑控制通常是使用低压电源输出（即交流驱动LED电路的低压控制模块输出），因此需要LEVELSHIFT单元。常规的LEVELSHIFT电路需要至少4个高压MOS管（即耐高压的MOS管），还需要产生一个额外的相对于电源电压保持恒定压差的电源，电路结构复杂；并且高压MOS管的面积很大，LEVELSHIFT电路采用多个高压MOS管，其电路占用的面积势必会较大，不利于产品的小型化。
发明内容
本发明的目的在于针对现有技术的不足而提供一种电路结构简单、电路占用面积较小的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路。
为了实现上述目的，本发明提供一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。
较佳地，所述NMOS管为高压NMOS管。
较佳地，所述齐纳二极管单元为1个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。
较佳地，所述齐纳二极管单元为若干个齐纳二极管串联组成。
本发明有益效果在于：
本发明只需要1个NMOS管、上拉电阻、限流电阻和齐纳二极管单元，即可达到LEVELSHIFT目的，且省去额外的LEVELSHIFT电源，因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管，从而大大减小电路的占用面积。
附图说明
图1为本发明的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
请参考图1，本发明应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，包括NMOS管N0、上拉电阻R0、齐纳二极管单元、限流电阻Rs。上拉电阻R0一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管P0的源极均与高压端（VPP）连接，上拉电阻R0另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管P0的栅极均与NMOS管N0的漏极连接，NMOS管N0的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块1的输出端连接，NMOS管N0的源极与限流电阻Rs一端连接，限流电阻Rs另一端接地。
其中，上述NMOS管N0为高压NMOS管（即耐高压NMOS管）。在本实施例中，齐纳二极管单元为1个齐纳二极管Z0，该齐纳二极管Z0的阴极为齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为齐纳二极管单元的阳极端。当然，根据被控制的交流驱动LED电路的高压PMOS管P0的栅源耐压值不同，齐纳二极管单元也可以为若干个齐纳二极管串联组成。
本发明的工作原理，如下：
当交流驱动LED电路的低压控制模块1输出为“1”（即逻辑高电平）时，NMOS管N0开启，将上拉电阻R0、齐纳二极管Z0的上下端压差嵌位至齐纳二极管Z0的击穿电压，使交流驱动LED电路的高压PMOS管P0的栅极电压保持恒定，而限流电阻Rs是用来限制NMOS管N0的下拉电流；当交流驱动LED电路的低压控制模块1输出为“0”（即逻辑低电平）时，NMOS管N0关闭，齐纳二极管Z0的阳极、交流驱动LED电路的高压PMOS管P0的栅极均被上拉电阻R0上拉至高压VPP。这样，即实现了LEVELSHIFT功能，且可省去额外的LEVELSHIFT电源。
因此，本发明电路结构简单，而且，只使用了1个NMOS管N0，从而大大减小电路的占用面积，故本发明可广泛应用于交流驱动LED电路中。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (4)
1.一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻；所述上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的源极均与高压端连接，所述上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、交流驱动LED电路的高压PMOS管的栅极均与NMOS管的漏极连接，所述NMOS管的栅极与交流驱动LED电路的低压控制模块的输出端连接，所述NMOS管的源极与限流电阻一端连接，所述限流电阻另一端接地。
2.根据权利要求1所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：所述NMOS管为高压NMOS管。
3.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：所述齐纳二极管单元为1个齐纳二极管，该齐纳二极管的阴极为所述齐纳二极管单元的阴极端、而阳极为所述齐纳二极管单元的阳极端。
4.根据权利要求1或2所述的应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路，其特征在于：所述齐纳二极管单元为若干个齐纳二极管串联组成。
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| CN201410076864.1A CN103904889A (zh) | 2014-03-04 | 2014-03-04 | 一种应用于交流驱动led的高压levelshift电路 |
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| CN201410076864.1A CN103904889A (zh) | 2014-03-04 | 2014-03-04 | 一种应用于交流驱动led的高压levelshift电路 |
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