CN103855260A - 一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 - Google Patents
一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103855260A CN103855260A CN201410102862.5A CN201410102862A CN103855260A CN 103855260 A CN103855260 A CN 103855260A CN 201410102862 A CN201410102862 A CN 201410102862A CN 103855260 A CN103855260 A CN 103855260A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- switching device
- manufacture method
- base material
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000004512 die casting Methods 0.000 claims description 15
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 10
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 239000010902 straw Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 abstract 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将荧光粉、导热材料、基材材料和粘结剂混合均匀,得到粉末A;2)将粉末A通过机械压铸,形成基材;3)将步骤2)中的基材进行烧结,使其具有较好的机械强度,不易破碎;4)将步骤3)烧结好的基材进行研磨、抛光,得到光转换器件。本发明将荧光粉和导热材料融入到本发明中,使得本发明具有光转换和高散热的性能,使用本发明进行封装能够有效提高LED的发光效率,并且由于散热性能好,可以免除铝等散热片的安装,减轻了LED灯的重量;本发明用于远程发光膜灯时,能够增加灯的发光面积,减少眩光。
Description
技术领域
本发明涉及光电技术领域,尤其涉及一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法。
背景技术
近年来LED技术取得了长足的进步,广泛应用于显示、景观、背光源、户外照明、室内照明等,特别是室内照明,随着白光LED性能的不断提高,对白炽灯的禁用,LED照明受到市场的高度青睐,占电光源照明市场的份额也越来越高。人们对LED照明也提出更高的要求,不仅要求更好的节能环保性能,而且在产品外观、光色方面更大限度地满足人们的视觉需求。本发明涉及一种高散热高透光LED照明用光转换器件,该基材具有光转换和高散热的性能,可用做于4π发光灯封装,远程发光膜等。该用基材封装的LED能够有效地提高LED的出光效率。另外该封装技术的散热性能很好,不需要使用铝之类的散热片来进行散热,有效的减轻了LED灯的重量,同时改善了其外观形貌。用于远程发光膜灯,可增加灯的发光面积,减少眩光等。
发明内容
本发明的目的是解决以上提出的问题,提供一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法。
本发明的技术方案是这样的:
一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、将荧光粉、导热材料、基材材料和粘结剂混合均匀,得到粉末A;
2)、将粉末A通过机械压铸,形成基材;
3)将步骤2)中的基材进行烧结,使其具有较好的机械强度,不易破碎;
4)将步骤3)烧结好的基材进行研磨、抛光,得到光转换器件。
作为优选,所述的荧光粉由钇铝石榴石、硅酸盐和氮化物系列中一种或两种或三种组成。
作为优选,所述的导热材料为氧化铝或氮化铝材料。
作为优选,所述的基材材料为硅酸盐玻璃粉或低熔点陶瓷粉末或耐高温高分子材料。
作为优选,步骤3)中所述的烧结在氮气气氛中进行,烧结时间为不少于30分钟,烧结温度为600—900℃。
作为优选,所述的基材为方形或圆形或长条形或草帽形。
作为优选,所述荧光粉的质量分数为0.5-20%,导热材料的质量分数为10-50%,基材材料的质量分数为20-70%,粘结剂的质量分数为1-3%。
作为优选,所述的光转换器件可作为蓝光芯片的封装基板,经过封装以后,可以得到白光,也可以作为LED远程发光的发光膜,经过封装以后,可以得到白光。
本发明的有益效果如下:
1、将荧光粉和导热材料融入到本发明中,使得本发明具有光转换和高散热的性能,使用本发明进行封装能够有效提高LED的发光效率,并且由于散热性能好,可以免除铝等散热片的安装,减轻了LED灯的重量;
2、本发明用于远程发光膜灯时,能够增加灯的发光面积,减少眩光。
附图说明
图1是本发明的方形结构示意图;
图2是本发明的圆形结构示意图;
图3是本发明的长条形结构示意图;
具体实施方式
下面结合附图对本发明的实施例进行进一步详细说明:
一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、将荧光粉、导热材料、基材材料和粘结剂混合均匀,得到粉末A;
2)、将粉末A通过机械压铸,形成基材;
3)将步骤2)中的基材进行烧结,使其具有较好的机械强度,不易破碎;
4)将步骤3)烧结好的基材进行研磨、抛光,得到光转换器件。
将荧光粉和导热材料放入基板中,可以使所得光转换器件既可发光又具有高散热性。
所述的荧光粉由钇铝石榴石、硅酸盐和氮化物系列中一种或两种或三种组成,通过这些成分可以调整器件发光时的色温和显色指数。
所述的导热材料为氧化铝或氮化铝材料,将导热材料混入光转换器件中,能够提升光转换器件散热性能。
所述的基材材料为硅酸盐玻璃粉或低熔点陶瓷粉末或耐高温高分子材料,基材采用耐高温的材料,能够降低工艺过程的温度,减少对荧光粉和散热材料的损害。
步骤3)中所述的烧结在氮气气氛中进行,烧结时间为不少于30分钟,烧结温度为600—900℃,通过烧结可以增加光转换器件的机械强度。
所述的基材为方形或圆形或长条形或草帽形,不同形状的基材制成不同形状的光转换器件,可以满足多种LED器件的封装。
所述荧光粉的质量分数为0.5-20%,导热材料的质量分数为10-50%,基材材料的质量分数为20-70%,粘结剂的质量分数为1-3%。
所述的光转换器件可作为蓝光芯片的封装基板,经过封装以后,可以得到白光,也可以作为LED远程发光的发光膜,经过封装以后,可以得到白光。
实施例1
将5g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,20g氧化铝粉末,75g低熔点透明陶瓷粉末,1g粘结剂称量好后,放入玻璃烧杯中,然后用玻璃棒进行搅拌,使其充分混匀,将混匀后的材料放入压铸模具中进行压铸,模具的长宽高尺寸为30*30*1mm,将压铸好的基材放入氮气保护的高温炉中进行烧结,使其透明陶瓷化,然后将其研磨、抛光,得到如图1方形器件。
实施例2
将4g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,1g氮化物红粉,20g氧化铝粉末,75g低熔点透明陶瓷粉末,1g粘结剂称量好后,放入玻璃烧杯中,然后用玻璃棒进行搅拌,使其充分混匀,将混匀后的材料放入压铸模具中进行压铸,模具的长宽高尺寸为30*30*1mm,将压铸好的基材放入氮气保护的高温炉中进行烧结,使其透明陶瓷化,然后将其研磨、抛光,得到如图1方形器件。
实施例3
将5g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,20g氮化铝粉末,75g玻璃粉称量好后,放入坩埚中,将其放入高温炉中,使玻璃粉熔融液化,然后倒入30*1mm尺寸的模具中,冷却后即可得到含有荧光粉和散热材料的透明玻璃基材,然后将其研磨、抛光,得到如图2圆形器件。
实施例4
将4g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,1g氮化物红粉,20g氧化铝粉末,75g低熔点透明陶瓷粉末,放入坩埚中,将其放入高温炉中,使玻璃粉熔融液化,然后倒入30*2*1mm尺寸的模具中,冷却后即可得到含有荧光粉和散热材料的透明玻璃基材,然后将其研磨、抛光,得到如图3长条形器件。
实施例5
将5g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,20g氧化铝粉末,75g低温透明陶瓷粉末,1g粘结剂称量好后,放入玻璃烧杯中,然后用玻璃棒进行搅拌,使其充分混匀,将混匀后的材料放入压铸模具中进行压铸,模具的长宽高尺寸为60*60*1mm,将压铸好的基材放入氮气保护的高温炉中进行烧结,使其透明陶瓷化,然后将其研磨、抛光,得到如图1方形器件。
实施例6
将4g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,1g氮化物红粉,20g氧化铝粉末,75g低熔点透明陶瓷粉末,1g粘结剂称量好后,放入玻璃烧杯中,然后用玻璃棒进行搅拌,使其充分混匀,将混匀后的材料放入压铸模具中进行压铸,模具的长宽高尺寸为60*60*1mm,将压铸好的基材放入氮气保护的高温炉中进行烧结,使其透明陶瓷化,然后将其研磨、抛光,得到如图1方形器件。
实施例7
将5g钇铝石榴石(YAG)黄色荧光粉,20g氮化铝粉末,75g玻璃粉称量好后,放入坩埚中,将其放入高温炉中,使玻璃粉熔融液化,然后倒入60*60*1mm尺寸的模具中,冷却后即可得到含有荧光粉和散热材料的透明玻璃基材,然后将其研磨、抛光,得到如图1方形器件。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域中的普通技术人员来说,在不脱离本发明核心技术特征的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种高散热高透光LED照明用光转换器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、将荧光粉、导热材料、基材材料和粘结剂混合均匀,得到粉末A;
2)、将粉末A通过机械压铸,形成基材;
3)将步骤2)中的基材进行烧结,使其具有较好的机械强度,不易破碎;
4)将步骤3)烧结好的基材进行研磨、抛光,得到光转换器件。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的荧光粉由钇铝石榴石、硅酸盐和氮化物系列中一种或两种或三种组成。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的导热材料为氧化铝或氮化铝材料。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的基材材料为硅酸盐玻璃粉或低熔点陶瓷粉末或耐高温高分子材料。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤3)中所述的烧结在氮气气氛中进行,烧结时间为不少于30分钟,烧结温度为600—900℃。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的基材为方形或圆形或长条形或草帽形。
7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述荧光粉的质量分数为0.5-20%,导热材料的质量分数为10-50%,基材材料的质量分数为20-70%,粘结剂的质量分数为1-3%。
8.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的光转换器件可作为蓝光芯片的封装基板,经过封装以后,可以得到白光,也可以作为LED远程发光的发光膜,经过封装以后,可以得到白光。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410102862.5A CN103855260A (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410102862.5A CN103855260A (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103855260A true CN103855260A (zh) | 2014-06-11 |
Family
ID=50862670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410102862.5A Pending CN103855260A (zh) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | 一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103855260A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108070853A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-25 | 广东昭信照明科技有限公司 | 一种陶瓷浆料、制备方法及复合陶瓷散热基板 |
CN111252799A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 东北大学秦皇岛分校 | 无容器凝固制备YAG:Ce3+和氮化铝混合非晶材料的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102173771A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-09-07 | 天津理工大学 | 一种用于白光led的钇铝石榴石发光陶瓷体的制备方法 |
US20120178193A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-07-12 | Bright Crystals Technology, Inc. | Method for manufacturing led with transparent ceramics |
CN102723424A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-10 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 一种led用荧光薄片的制备方法 |
CN102730974A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-17 | 王双喜 | 一种用于制备led封装用玻璃荧光层的浆料 |
CN103258938A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-21 | 杭州耀迪科技有限公司 | 一种含荧光粉的导热led灯条封装基板的制作方法 |
-
2014
- 2014-03-20 CN CN201410102862.5A patent/CN103855260A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120178193A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-07-12 | Bright Crystals Technology, Inc. | Method for manufacturing led with transparent ceramics |
CN102173771A (zh) * | 2010-11-29 | 2011-09-07 | 天津理工大学 | 一种用于白光led的钇铝石榴石发光陶瓷体的制备方法 |
CN102723424A (zh) * | 2012-05-25 | 2012-10-10 | 苏州晶品光电科技有限公司 | 一种led用荧光薄片的制备方法 |
CN102730974A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-17 | 王双喜 | 一种用于制备led封装用玻璃荧光层的浆料 |
CN103258938A (zh) * | 2013-05-03 | 2013-08-21 | 杭州耀迪科技有限公司 | 一种含荧光粉的导热led灯条封装基板的制作方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108070853A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-05-25 | 广东昭信照明科技有限公司 | 一种陶瓷浆料、制备方法及复合陶瓷散热基板 |
CN108070853B (zh) * | 2017-12-15 | 2020-01-21 | 广东昭信照明科技有限公司 | 一种陶瓷浆料、制备方法及复合陶瓷散热基板 |
CN111252799A (zh) * | 2020-01-22 | 2020-06-09 | 东北大学秦皇岛分校 | 无容器凝固制备YAG:Ce3+和氮化铝混合非晶材料的方法 |
CN111252799B (zh) * | 2020-01-22 | 2022-06-28 | 东北大学秦皇岛分校 | 无容器凝固制备YAG:Ce3+和氮化铝混合非晶材料的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chen et al. | Transparent Ce3+: Y3Al5O12 glass ceramic for organic-resin-free white-light-emitting diodes | |
Chen et al. | Advances in transparent glass–ceramic phosphors for white light-emitting diodes—A review | |
Zhong et al. | Garnet-based Li 6 CaLa 2 Sb 2 O 12: Eu 3+ red phosphors: a potential color-converting material for warm white light-emitting diodes | |
Huang et al. | Facile synthesis of a thermally stable Ce 3+: Y 3 Al 5 O 12 phosphor-in-glass for white LEDs | |
CN105523715B (zh) | 一种低熔点的透明荧光玻璃及其制备方法和在白光led中的应用 | |
CN103258938B (zh) | 一种含荧光粉的导热led灯条封装基板的制作方法 | |
CN107056070B (zh) | 一种透明Ce:YAG玻璃陶瓷及其制备方法 | |
CN202004043U (zh) | 贴片式白光led器件 | |
CN104177079B (zh) | 用于白光LED荧光转换的含Sr的Ce:YAG基透明陶瓷及其制备方法 | |
CN103730565B (zh) | 一种氮化铝cob led光源的封装方法 | |
CN103205254A (zh) | 包含新型固态透明荧光材料的白光led及其制备方法 | |
CN107352795A (zh) | 一种全无机低温荧光玻璃材料及其制备方法 | |
KR102108210B1 (ko) | 희토류 이온 함유 유리-형광체 복합체 및 이를 포함하는 발광다이오드 | |
CN106479500A (zh) | 一种发光玻璃陶瓷及其制法与在led照明器件中的应用 | |
CN103043908A (zh) | 一种新型荧光玻璃及其制备方法 | |
CN103159407A (zh) | 一种荧光粉复合硅基介孔材料的发光玻璃及其制备方法 | |
CN105399325A (zh) | 用于白光LED的Ce:YAG荧光玻璃及其制备方法 | |
CN111574062A (zh) | 一种氮化物红光玻璃及其应用 | |
CN104177078B (zh) | 用于白光LED荧光转换的含Lu的Ce:YAG基透明陶瓷及其制备方法 | |
CN102442781B (zh) | 一种led封装材料及其制备方法与应用 | |
CN103855260A (zh) | 一种高散热高透光led照明用光转换器件的制作方法 | |
CN107176791A (zh) | 一种高功率照明与显示用荧光玻璃陶瓷及其制备方法和应用 | |
US9580650B1 (en) | Method of manufacturing Ce:YAG polycrystalline phosphor | |
CN104119071A (zh) | 一种采用新型透明陶瓷的led灯具 | |
CN204289523U (zh) | 大功率高温白光led封装 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20140611 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |