CN103812452B - 电子***、射频功率放大器及其温度补偿方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种电子***、射频功率放大器及其温度补偿方法，射频功率放大器包括偏压电流产生单元、第一阻抗单元、第二阻抗单元、第三阻抗单元与输出级单元。偏压电流产生单元接收参考电压。第二阻抗单元与第一阻抗单元之间具有负温度系数的第一电压，并且第二阻抗单元接收接地电流。第三阻抗单元与第二阻抗单元之间具有第二电压，并且第二电压为第一电压的分压。偏压电流产生单元根据第二电压以输出具正温度系数的偏压电流。输出级单元接收输入电流。偏压电流等于输入电流加上接地电流，且输入电流具正温度系数的特性。

Description

电子***、射频功率放大器及其温度补偿方法

技术领域

本发明有关于一种射频功率放大器，且特别是关于一种具有温度补偿的射频功率放大器。

背景技术

在无线通信手持设备中，主要的直流功率消耗来自于射频功率放大器。因此，使射频功率放大器既能具有高线性度而不致让放大信号失真，并能同时具有高效率以延长通信时间，一直是射频功率放大器设计的研究重点。尤其在无线通信***中所广为采用的正交频分多工(OFDM)数字调制技术具有明显的时变波包特性，其峰值与平均功率比值常数(PAPR)远较现有的无线通信***为高，换句话说，其波包对时间变化较为剧烈，因此对射频功率放大器的线性度要求也会比较高。

请参照图1，图1为现有射频功率放大器的具体电路图。现有射频功率放大器包括晶体管Q1、电阻(R1’、R2’)与晶体管Q2，其中晶体管Q1为空乏型的场效晶体管且晶体管Q2为双极结型晶体管。晶体管Q1的漏极接收参考电压VREF’，电阻R1’的一端耦接晶体管Q1的源极，电阻R1’的另一端耦接晶体管Q1的栅极，电阻R2’的一端耦接电阻R1’的另一端，电阻R2’的另一端耦接晶体管Q2的基极，晶体管Q2的射极耦接接地电压GND，晶体管Q2的集极耦接***电压VCC’。

在现有射频功率放大器100中，晶体管Q1输出一个定值的电流ID’，并且此电流ID’会等于晶体管Q2的输入电流IB’(基极电流)。因为晶体管Q2的电流增益(β)为负温度系数，且电流ID’为一接近零温度系数的电流，所以晶体管Q2的输出电流IC’为负温度系数的电流，会随着环境温度的变化而改变。

请同时参照图2A～2C，图2A～2C为对应图1的模拟曲线图，此三图的横座标皆代表温度，且其温度范围皆设为-40℃至+90℃。在图2A中，纵座标代表电流ID’，图2A所示的偏压电流ID’随着环境温度的变化，偏压电流ID’的值实质上等于定值。在图2B中，纵座标代表电流增益，图2B中的电流增益的值会随着温度的上升而递减。在图2C中，纵座标代表输出电流IC’，输出电流IC’随着温度的上升而递减，进而大幅影响到现有射频功率放大器100输出功率，可能不符合目前通信***对功率放大器操作在高低温环境时特性的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种射频功率放大器，所述射频功率放大器包括偏压电流产生单元、第一阻抗单元、第二阻抗单元、第三阻抗单元与输出级单元。偏压电流产生单元接收参考电压。第一阻抗单元电性连接偏压电流产生单元。第二阻抗单元电性连接第一阻抗单元，第二阻抗单元与第一阻抗单元之间具有负温度系数的第一电压，并且第二阻抗单元接收接地电流。第三阻抗单元电性连接第二阻抗单元，第三阻抗单元与第二阻抗单元之间具有第二电压，并且第二电压为第一电压的分压，其中偏压电流产生单元电性连接至第二阻抗单元与第三阻抗单元之间，偏压电流产生单元根据第二电压以输出具正温度系数的偏压电流。输出级单元电性连接至第一阻抗单元与第二阻抗单元之间，输出级单元接收输入电流。偏压电流等于输入电流加上接地电流，且输入电流具正温度系数的特性，当输出级单元的输出电流与输入电流之间的比值常数为负温度系数时，输出电流的温度系数实质上等于零温度系数。

在本发明其中一个实施例中，第一电压由该输出级单元所提供。

在本发明其中一个实施例中，偏压电流产生单元包括第一晶体管。第一晶体管的漏极耦接参考电压，第一晶体管的栅极接收第二电压，第一晶体管的源极输出偏压电流，第一晶体管根据第二电压以输出具正温度系数的偏压电流，其中第一晶体管为空乏型晶体管。

在本发明其中一个实施例中，第一阻抗单元包括第一电阻。第一电阻的一端耦接第一晶体管的源极，偏压电流的大小根据第一电阻的电阻值与参考电压来决定。

在本发明其中一个实施例中，第二阻抗单元包括第二电阻。第二电阻的一端耦接第一电阻的另一端，第二电阻与第一电阻之间具有负温度系数的第一电压，其中第二电阻的一端接收接地电流。

在本发明其中一个实施例中，第三阻抗单元包括第三电阻。第三电阻的一端耦接第二电阻的另一端，第三电阻的另一端耦接接地电压，第三电阻与第二电阻之间具有第二电压，并且第二电压为第一电压的分压，其中第一晶体管的栅极耦接第二电阻与第三电阻之间，并且通过调整第二与第三电阻的电阻值，使得第一晶体管输出具正温度系数的偏压电流。

在本发明其中一个实施例中，输出级单元包括第二晶体管。第二晶体管的基极耦接第一电阻与第二电阻之间且接收输入电流，第二晶体管的射极耦接接地电压，第二晶体管的集极耦接***电压，其中第二晶体管的基射极电压为第一电压，并且第二晶体管通过具正温度系数的输入电流以补偿第二晶体管的输出电流。

本发明实施例提供一种电子***，适用于射频通信，所述电子***包括射频功率放大器与负载。射频功率放大器用以稳定输出功率，射频功率放大器接收射频输入信号且输出射频输出信号。负载电性连接至射频功率放大器，负载用以接收射频输出信号，其中偏压电流产生单元根据第二电压以输出具正温度系数的偏压电流。

本发明实施例提供一种温度补偿方法，温度补偿方法包括以下步骤。将具负温度系数的基射极电压作为偏压电路内的第一电压；将第二电压反馈至偏压电流产生单元，其中第二电压为第一电压的分压；产生具正温度系数的输入电流，其中当输出级单元的输出电流与输入电流之间的比值常数为负温度系数时，输出电流的温度系数实质上等于零温度系数。

综上所述，本发明实施例所提出的电子***、射频功率放大器及其温度补偿方法，能够使射频功率放大器的输出电流与输出功率不随温度而产生变化，进而稳定射频功率放大器的高线性度。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明，而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。

附图说明

上文已参考随附图式来详细地说明本发明的具体实施例，藉此可对本发明更为明白，在该等图式中：

图1为现有射频功率放大器的具体电路图。

图2A～2C为对应图1的模拟曲线图。

图3为根据本发明实施例的射频功率放大器的区块示意图。

图4为根据本发明另一实施例的射频功率放大器的具体电路示意图。

图5A～5C为对应图4的模拟曲线图。

图6为根据本发明实施例的电子***的区块示意图。

图7为根据本发明实施例的温度补偿方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：

100：现有射频功率放大器

Q1、Q2：晶体管

300、400：射频功率放大器

310：偏压电流产生单元

320：第一阻抗单元

330：第二阻抗单元

340：第三阻抗单元

350：输出级单元

600：电子***

610：射频功率放大器

620：负载

CV1、CV2、CV3：曲线

C1：第一电容

C2：第二电容

GND：接地电压

IC’、IC：输出电流

ID：偏压电流

ID’：偏压电流

IB’、IB：输入电流

IR：接地电流

L1：第一电感

n1：节点

T1：第一晶体管

T2：第二晶体管

R1：第一电阻

R1’：电阻

R2：第二电阻

R2’：电阻

R3：第三电阻

RFIN：射频输入信号

RFOUT：射频输出信号

S710～S730：步骤

V1：第一电压

V2：第二电压

VCC’、VCC：***电压

VGS：栅源极电压

VBE：基射极电压

VREF’、VREF：参考电压

具体实施方式

在下文将参看随附图式更充分地描述各种例示性实施例，在随附图式中展示一些例示性实施例。然而，本发明概念可能以许多不同形式来体现，且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言，提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整，且将向本领域技术人员充分传达本发明概念的范畴。在诸图式中，可为了清楚而夸示层及区的大小及相对大小。类似数字始终指示类似元件。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但此多个元件不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一元件与另一元件。因此，下文论述的第一元件可称为第二元件而不偏离本发明概念的教示。如本文中所使用，术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任一者及一或多者的所有组合。

〔射频功率放大器的实施例〕

请参照图3，图3为根据本发明实施例的射频功率放大器的区块示意图。射频功率放大器300包括偏压电流产生单元310、第一阻抗单元320、第二阻抗单元330、第三阻抗单元340与输出级单元350。

第一阻抗单元320电性连接偏压电流产生单元310。第二阻抗单元330电性连接第一阻抗单元320。第三阻抗单元340电性连接第二阻抗单元330，并且偏压电流产生单元310电性连接第二阻抗单元330与第三阻抗单元340之间。输出级单元350电性连接第一阻抗单元320与第二阻抗单元330之间。

射频功率放大器300用以放大射频输入信号，其中偏压电流产生单元310接收参考电压VREF并产生偏压电流ID，而参考电压VREF一般是由直流至直流转换器(DC-DC converter)或是由收发器集成电路(Transceiver IC)的通用输入输出(General Purpose Input/Output，GPIO)来提供固定的电压。第二阻抗单元330与第一阻抗单元320之间具有负温度系数的第一电压V1，所述第一电压V1是由输出级单元350所提供，并且第二阻抗单元330接收接地电流IR。第三阻抗单元340与第二阻抗单元330之间具有第二电压V2，并且第二电压V2为第一电压V1的分压，因此所述第二电压V2具有负温度系数的特性。输出级单元350接收输入电流IB。偏压电流产生单元310会根据第二电压V2以输出具正温度系数的偏压电流ID，其中偏压电流ID等于接地电流IR加上输入电流IB，因此输入电流IB为正温度系数的电流。当输出级单元350的输出电流与输入电流IB之间的比值常数为负温度系数，输出电流的温度系数实质上等于零温度系数。本揭示内容所提供的射频功率放大器300能够稳定输出级单元350的输出电流与输出功率，进而维持射频功率放大器300的高线性度。

本揭示内容所述的正温度系数指示其物理量(如电压值、电流值或电阻值)与温度之间成正比关系，也就是说，当温度上升或下降时，其物理量会随着温度而上升或下降；本揭示内容所述的负温度系数指示其物理量与温度之间成反比关系，也就是说，当温度上升或下降时，其物理量会随着温度而下降或上升。本揭示内容所述的零温度系数指示其物理量(如电压值、电流值或电阻值)与温度之间为相互独立的关系，也就是说，当温度上升或下降时，其物理量并不会随着温度而上升或下降。

以下要说明的，是进一步地教示功率放大器的具体动作。

请继续参照图3，本揭示内容主要利用将输出级单元350中具负温度系数的第一电压V1以类似反馈的方式电性连接至第一阻抗单元320与第二阻抗单元330之间，且由于第二电压V2为第一电压V1的分压，因此第二电压V2同样具有负温度系数的特性。接着，本揭示内容利用第二电压V2反馈至偏压电流产生单元310以改变偏压电流产生单元310所输出的偏压电流ID的温度系数特性，以使偏压电流ID呈现正温度系数的特性。偏压电流产生单元310根据所接收到的参考电压VREF与第二电压V2来决定偏压电流ID的大小。在本实施例中，偏压电流ID等于接地电流IR与输入电流IB的总和，所以输入电流IB与接地电流IR也会同样具有正温度系数的特性。当输出级单元350的输出电流与输入电流IB的比值常数具有负温度系数的特性时，输出电流的温度系数会接近或实质上等于零温度系数。

进一步来说，在一实施例中，输出级单元350为一双极结型晶体管(BipolarJunction Transistor，BJT)。双极结型晶体管的基极接收输入电流IB与射频输入信号RFIN，双极结型晶体管的集级耦接至***电压，且输出一输出电流与射频输出信号RFOUT，双极结型晶体管的射极耦接接地电压，其中BJT的输出电流与输入电流之间的比值常数为具负温度系数的贝塔(β)，亦即电流增益(current gain)。双极结型晶体管的基射极电压为具负温度系数的电压，并且在本实施例中，以此基射极电压作为第一电压V1。因此，设计者能够依据上述的揭示内容来将双极结型晶体管的基极电流(base current)调整为具正温度系数的电流，亦即将双极结型晶体管的输入电流IB调整为具正温度系数的电流，进而双极结型晶体管的输出电流则可调整至接近于零温度系数的电流。

据此，射频功率放大器300能够提供优良的温度补偿效应，使得射频功率放大器300的输出功率与输出电流相对于温度变化时仍然保持稳定，进而维持高线性度不致于让放大信号失真。

在接下来的实施例中，将描述不同于上述图3实施例的部分，且省略与上述图3实施例的相同部分。此外，为说明便利起见，相似的参考数字或标号表示相似的元件。

〔射频功率放大器的另一实施例〕

请参照图4，图4为根据本发明另一实施例的射频功率放大器的具体电路示意图。在本实施例中，偏压电流产生单元310包括第一晶体管T1。第一阻抗单元320包括第一电阻R1。第二阻抗单元330包括第二电阻R2。第三阻抗单元340包括第三电阻R3。输出级单元350包括第二晶体管T2。

第一晶体管T1的漏极耦接参考电压VREF，其源极输出偏压电流ID，其栅极耦接第二电阻R2与第三电阻R3之间并接收第二电压V2。第一电阻R1的一端耦接第一晶体管的源极。第二电阻R2的一端耦接第一电阻R1的另一端。第三电阻R3的一端耦接第二电阻R2的另一端，第三电阻R3的另一端耦接接地电压GND。第二晶体管T2的基极耦接第一电阻R1与第二电阻R2之间，第二晶体管T2的射极耦接接地电压GND，第二晶体管T2的集极耦接***电压VCC。

在本实施例中，第一晶体管T1根据第二电压V2以输出具正温度系数的偏压电流ID，其中第一晶体管T1为空乏型(depletion-type)，并且第一晶体管T1偏压在饱和区(saturation region)。偏压电流ID的大小为根据参考电压VREF与第二电压V2所决定，并且能够通过第一电阻R1的电阻值来调整。第二电阻R2与第一电阻R1之间具有负温度系数的第一电压V1，而此第一电压V1为第二晶体管T2的基射极电压VBE。第三电阻R3与第二电阻R2之间具有第二电压V2，并且第二电压V2为第一电压V1的分压，因此第二电压V2亦具有负温度系数的特性。通过调整第二电阻R2与第三电阻R3的电阻值，使得第一晶体管T1输出具正温度系数的偏压电流ID。第二晶体管T2通过具正温度系数的输入电流IB来补偿第二晶体管T2的输出电流IC。

进一步说明射频功率放大器400的具体作动。请继续参照图4，射频功率放大器400的偏压电路为决定该射频功率放大器400特性时非常重要的因子。尤其是，数字式行动电话等装置中用于传送的射频功率放大器400需要高线性度，以致维持射频功率放大器400的高线性度变得极为重要。在本实施例中，第一晶体管T1、第一电阻R1、第二电阻R2与第三电阻R3构成所谓的偏压电路，以提供一输入电流IB至第二晶体管T2。空乏型的第一晶体管T1偏压在饱和区，并且输出一偏压电流ID至第一电阻R1。在节点n1，偏压电流ID等于接地电流IR与输入电流IB的总和，在一实施例中，第二电阻R2与第三电阻R3的电阻值为千欧姆等级(KΩ)，而第一电阻R1的电阻值为欧姆等级。因此，偏压电流ID实质上会几乎等于输入电流IB。此外，在节点n1的第一电压V1为第二晶体管T2的基射极电压VBE，因此第一电压V1具有负温度系数的特性。接着，因为第二电压V2为第一电压V1的分压，所以第二电压V2具有负温度系数的特性。

在本实施例中，具负温度系数的第二电压V2反馈耦接第一晶体管T1的栅极，因此栅极的电压如方程式(1)所示，其中VG为第一晶体管T1的栅极电压。

VG＝[R3/(R2+R3)]×VBE (1)

再者，第一晶体管T1的源极电压为第一电压V1加上偏压电流ID乘上第一电阻R1，如方程式(2)所示，其中VS为第一晶体管T1的源极电压。

VS＝V1+(ID×R1) (2)

＝VBE+(ID×R1)

因此，根据方程式(1)与(2)所示，第一晶体管T1的栅源极电压VGS如方程式(3)所示，并且由方程式(3)整理过后可以得到偏压电流的关系式，如方程式(4)所示。由方程式(4)可知，假设栅源极电压VGS在不同温度下为趋近一个固定值，所以通过调整第二电阻R2与第三电阻R3的电阻值，即可使偏压电流ID成为具有正温度系数特性的电流。再者，在本实施例中，因为第二电阻R2与第三电阻R3的电阻值大于第一电阻R1的电阻值约1至2个数量级，所以偏压电流ID会实质上等于输入电流IB，并且输出电流IB也会是一个具正温度系数的电流。附带一提的是，在本实施例中，设计者可以根据电路设计需求或实际应用需求通过调整第一电阻R1的电阻值来调整偏压电流ID的电流值。

VGS＝－[(ID×R1)+VBE×(R2/(R2+R3))] (3)

ID＝[|VGS|－VBE×(R2/(R2+R3))]/R1 (4)

接下来，由于第二晶体管T2为一双极结型晶体管(BJT)，所以第二晶体管T2的输出电流IC与输入电流IB的关系如方程式(5)所示，其中β为电流增益，具有负温度系数的特性。由于第二晶体管T2的电流增益(亦即输出电流IC除以输入电流IB)为负温度系数，因此如果要使得输出电流IC为接近零温度系数的电流，则根据方程式(4)所知，须通过调整电阻R2与R3的电阻值来使得输入电流IB为正温度系数的电流。值得注意的是，输入电流IB的正温度系数的斜率绝对值须接近或等于电流增益(β)的负温度系数的斜率绝对值，如此一来，才能使输出电流IC具有较佳的温度补偿效应。

IC=β×IB (5)

为了更清楚了解本揭示内容，请同时参照图5A～5C，图5A～5C为对应图4的模拟曲线图，此三图中的横座标皆代表温度且温度范围皆设为-40℃至+90℃。在图5A中，纵座标代表偏压电流ID，图5A所示为经过温度补偿的偏压电流ID，随着环境温度的变化，偏压电流ID的值会随着温度的上升而上升。在图5B中，纵座标代表电流增益(曲线CV2)与输入电流IB(曲线CV1)，输入电流IB为经温度补偿后的电流，具有正温度系数的特性，输入电流IB的值会随着温度的上升而递增，而电流增益的值会随着温度的上升而递减。值得注意的是，曲线CV1的斜率绝对值越接近曲线CV2斜率绝对值，则射频功率放大器400的输出电流IC的温度补偿效应越佳。在图5C中，纵座标代表输出电流IC(曲线CV3)，输出电流IC经过温度补偿后，能够达到接近零温度系数的特性，亦即，随着温度的改变，输出电流IC依然能够保持稳定，进而射频功率放大器400能够输出稳定的输出功率，维持高线性度的需求。

据此，于实际应用上，本揭示内容的射频功率放大器400具有优良的温度补偿效应，使得射频功率放大器400的输出功率与输出电流相对于温度变化时仍然保持稳定，进而维持高线性度不致于让放大信号失真。换句话说，相较于现有技艺，射频功率放大器400面对在环境温度的变化下，比较不会遭遇任何线性度大幅衰减的问题。

应用上，输出级单元350可更具有第一电感L1、第一电容C1与第二电容C2。第一电容C1的一端耦接第二晶体管T2的基极，另一端耦接射频输入信号RFIN。第一电感L1耦接***电压VCC与第二晶体管T2集极之间。第二电容C2的一端耦接至第二晶体管T2的集极，另一端输出射频输出信号RFOUT。

当射频功率放大器400尚未开始接收射频输入信号RFIN时，电感L1会对直流信号呈现低阻抗状态，例如短路，而电容C1、C2则会对直流信号呈现高阻抗状态，例如断路。当射频功率放大器400开始接收射频输入信号RFIN时，电感L1会对高频信号呈现高阻抗状态，例如断路，而电容C1、C2则会对高频信号呈现低阻抗状态，例如短路。据此，射频功率放大器400能够在直流工作模式与交流工作模式顺利的运作。

〔电子***的实施例〕

请参照图6，图6为根据本发明实施例的电子***的区块示意图。电子***600包括射频功率放大器610与负载620。射频功率放大器610接收射频输入信号RFIN且输出射频输出信号RFOUT至负载620，亦即射频功率放大器610在耦接***电压与参考电压后，会提供一稳定的输出功率至负载620。射频功率放大器610可以是上述图3与图4实施例中的功率放大器300与400的其中之一，且用以提供稳定的输出功率给负载。电子***600可以是各类型电子装置内的***，电子装置例如是手持装置或行动装置等。

〔射频功率放大器的温度补偿方法的实施例〕

请参照图7，图7为根据本发明实施例的温度补偿方法的流程图。本例所述的方法可以在图3或图4所示的射频功率放大器执行，因此请一并照图3或图4以利理解。射频功率放大器的温度补偿方法包括以下步骤：将具负温度系数的基射极电压作为偏压电路内的第一电压(步骤S710)。将第二电压反馈至偏压电流产生单元，其中第二电压为第一电压的分压(步骤S720)。产生具正温度系数的输入电流(步骤S730)。当输出级单元的输出电流与输入电流之间的比值常数为负温度系数时，输出电流的温度系数实质上等于零温度系数。

关于射频功率放大器的温度补偿方法的各步骤的相关细节在上述图3～图4实施例已详细说明，在此恕不赘述。在此须说明的是，图7实施例的各步骤仅为方便说明的须要，本发明实施例并不以各步骤彼此间的顺序作为实施本发明各个实施例的限制条件。

〔实施例的可能功效〕

综上所述，本发明实施例所提供的电子***、射频功率放大器及其温度补偿方法，能够提供优良的温度补偿效应，使得功率放大器的输出功率与输出电流相对于温度变化时仍然保持稳定，进而维持高线性度不致让放大信号失真。换句话说，相较于现有技艺，本揭示内容的射频功率放大器面对在环境温度的变化下，比较不会遭遇任何线性度大幅衰减的问题。

在本揭示内容多个实施例中至少一实施例，输入电流的正温度系数的斜率绝对值须接近或等于电流增益(β)的负温度系数的斜率绝对值，如此一来，才能使输出电流与输出功率具有较佳的温度补偿效应。

以上所述仅为本发明的实施例，其并非用以局限本发明的专利权利要求范围。

Claims (9)

1.一种射频功率放大器，用以放大一射频输入信号，其特征在于，该射频功率放大器包括：

偏压电流产生单元，接收参考电压；

第一阻抗单元，电性连接偏压电流产生单元；

第二阻抗单元，电性连接该第一阻抗单元，该第二阻抗单元与该第一阻抗单元之间具有负温度系数的第一电压，并且该第二阻抗单元接收接地电流；

第三阻抗单元，电性连接该第二阻抗单元，该第三阻抗单元与该第二阻抗单元之间具有第二电压，该第二电压为该第一电压的分压，其中该偏压电流产生单元电性连接至该第二阻抗单元与该第三阻抗单元之间，该偏压电流产生单元根据该第二电压以输出具正温度系数的偏压电流；以及

输出级单元，电性连接至该第一阻抗单元与该第二阻抗单元之间，该输出级单元接收输入电流，

其中该偏压电流等于该输入电流加上该接地电流，且该输入电流具正温度系数的特性，当该输出级单元的输出电流与输入电流之间的比值常数为负温度系数时且该输入电流的正温度系数的斜率绝对值接近或等于该比值常数的负温度系数的斜率绝对值时，该输出电流的温度系数实质上等于零温度系数。

2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，该第一电压由该输出级单元所提供。

3.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，该偏压电流产生单元包括：

第一晶体管，其漏极耦接该参考电压，其栅极接收该第二电压，其源极输出该偏压电流，该第一晶体管根据该第二电压以输出具正温度系数的该偏压电流，

其中该第一晶体管为空乏型晶体管。

4.如权利要求3项所述的射频功率放大器，其特征在于，该第一阻抗单元包括：

第一电阻，其一端耦接该第一晶体管的源极，该偏压电流的大小根据该第一电阻的电阻值与该参考电压来决定。

5.如权利要求4所述的射频功率放大器，其特征在于，该第二阻抗单元包括：

第二电阻，其一端耦接该第一电阻的另一端，该第二电阻与该第一电阻之间具有负温度系数的该第一电压，其中该第二电阻的一端接收该接地电流。

6.如权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于，该第三阻抗单元包括：

第三电阻，其一端耦接该第二电阻的另一端，其另一端耦接接地电压，该第三电阻与该第二电阻之间具有该第二电压，并且该第二电压为第一电压的分压，

其中该第一晶体管的栅极耦接该第二电阻与该第三电阻之间，并且通过调整该第二与该第三电阻的电阻值，使得该第一晶体管输出具正温度系数的该偏压电流。

7.如权利要求6所述的射频功率放大器，其特征在于，该输出级单元包括：

第二晶体管，其基极耦接该第一电阻与该第二电阻之间且接收该输入电流，其射极耦接该接地电压，其集极耦接***电压，其中该第二晶体管的基射极电压为该第一电压，并且该第二晶体管通过具正温度系数的该输入电流以补偿该第二晶体管的输出电流。

8.一种电子***，适用于射频通信，其特征在于，该电子***包括：

如权利要求1所述的射频功率放大器，用以稳定输出功率，该射频功率放大器接收射频输入信号且输出射频输出信号；以及

负载，电性连接至该射频功率放大器，该负载用以接收该射频输出信号。

9.一种射频功率放大器的温度补偿方法，其特征在于，该温度补偿方法包括：

将具负温度系数的基射极电压作为偏压电路内的第一电压；

将第二电压反馈至偏压电流产生单元，其中该第二电压为该第一电压的分压；以及

产生具正温度系数的输入电流，

其中当输出级单元的输出电流与该输入电流之间的比值常数为负温度系数时且该输入电流的正温度系数的斜率绝对值接近或等于该比值常数的负温度系数的斜率绝对值时，该输出电流的温度系数实质上等于零温度系数，

其中该温度补偿方法用于如权利要求1所述的射频功率放大器或如权利要求8所述的电子***。