CN1037727C - 腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及多孔硅腐蚀液和使用该腐蚀液选择性腐蚀多孔硅的方法。该腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液，或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液，其优点在于，使用本发明的腐蚀液及腐蚀方法不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀。

Description

腐蚀多孔硅用的腐蚀液以及、使用该腐蚀液的腐蚀方法

本发明是关于多孔硅腐蚀液以及使用该腐蚀液的腐蚀方法，更具体地说，是关于从衬底上选择性腐蚀多孔硅的腐蚀液以及从衬底上选择性腐蚀多孔硅的方法。

作为绝缘体上外延硅(SOI)技术，在绝缘体上形成单晶硅半导体层是众所周知的。因为采用这种SOI技术的器件具有采用体硅衬底制作普通的硅集成电路时所达不到的种种优越性，所以获得了许多成功的研究。这就是说，利用SOI技术可获得如下这些优点：

1.因易于实现介质隔离，可提高集成度；

2.抗辐射性能良好；

3.杂散电容低，能实现高速度；

4.可省去阱形成工序；

5.可防止闩锁效应(Batoh up)；

6.可用薄膜工艺制作全耗尽型晶体管。

为实现上述这些在器件特性方面的优点，近数十年来一直在对形成SOI结构的方法进行研究。这方面的内容在专题论文“非单晶绝缘体上的单晶硅”(G.W.Cutten编写，Journal of CrystalCrowth，vol.63，no.3.1983 pp429-590)中有综述介绍。

很长时间以来人们就知道用硅的CVD(化学汽相淀积)法在单晶蓝宝石衬底上进行异质外延以形成所谓的蓝宝石上外延硅(SOS)。作为最成熟的SOI技术虽然取得了初步的成功，但由于硅层与下面的蓝宝石衬底的界面的晶格不匹配而发生大量的晶体缺陷，这是因有铝蓝宝石衬底向硅层混入而造成的，而且更由于衬底价格昂贵以及大面积化缓慢，一直妨碍其广泛应用。近几年来，已经进行了实现不使用蓝宝石衬底的SOI结构的尝试。这方面的努力可大致分为以下二类：

(1)在单晶硅衬底作表面氧化处理后开窗孔，使部分硅片显露出来，以这部分作为籽晶朝横向进行外延生长，从而在氧化硅(SiO₂)面上形成单晶硅层(在此种情况下，氧化硅面上同时产生硅淀积)；

(2)将单晶硅衬底本身作为活性层，在其下部形成氧化硅(采用这种方法，不会发生硅层淀积)；

作为实现上述(1)的手段，现在已知的有：借助CVD工艺、直接地横向外延生长单晶硅的方法；淀积非晶硅，利用热处理进行固相横向外延生长方法；将电子束、激光等能量束聚焦，对非晶或多晶硅层进行照射，依靠熔融再结晶使氧化硅面上生长单晶硅层的方法；以及利用棒状加热器作带状熔区扫描方法(区熔再结晶)。上述这些方法虽然各自有其优缺点，但在其控制性、生产效率、均匀性、品质方面尚存在诸多问题，因而还没有达到工业实用水平。比如说，采用CVD法时，为使薄膜平坦必然会因氧化处理而带来一些牺牲；而在固相生长法中，其晶体性能不好。另外，在能量束退火法中，则因需进行能量束聚焦扫描而存在处理时间的长短、对能量束重叠状况、以及焦点调整等控制上的问题。其中，区熔再结晶法虽然最为成熟，并正进行较大规模焦成电路的试生产，但依然由于多半存在有效晶界等晶体缺陷，而无法形成少数载流子器件。

上述方法(2)中，不用硅衬底作为外延生长的籽晶的方法，列举如下几种：

1.在表面上各向异性地腐蚀成V形沟的单晶硅衬底上形成氧化膜，在该氧化膜上淀积与硅衬底同样厚度的多晶硅层，然后从硅衬底的背面进行研磨，以形成在厚的多晶硅层上由V形沟所包围着的被介质隔离开的单晶硅区。这种作法，虽然结晶性优良，在淀积数百微米厚多晶硅的工序以及对单晶硅衬底进行背面研磨仅保留隔离开的硅活性层的工序中存在着控制性和生产效率方面等问题。

2.被称之为离子注入氧的分离法(SIMOX-Separation byion implanted oxygen)系依靠将氧离子注入单晶硅衬底中来形成氧化硅层的方法，由于其硅处理和匹配性良好而成为当前最成熟的手段。但是，因为此时要形成氧化硅层必须注入10¹³ions/cm²以上的氧离子，注入时间很长，难以提高生产效率，而且晶片成本很高。另外，残留有很多结晶缺陷，以工业上的观点看，尚未达到能充分地制作少数载流子器件的质量。

3.借助以多孔硅氧化处理进行介质隔离来形成SOI结构的方法。此法是利用在P型单晶硅衬底表面上用质子离子注入N型硅层(见今井等，J.Crystal Growth，Vol.63，1983，p547)，或者由外延生长和刻成图形作成岛状，由表面包围住这种硅岛，利用在HF溶液中进行阳极化方法，仅使P型硅衬底多孔化，然后由增速氧化来将N型硅岛作介质隔离。采用这一方法时，被隔离的硅区域是在器件工序之前确定的，因而存在着限制器件设计自由度方面的问题。

因此，透光衬底对于构成用作光敏元件的接触传感器及投影式液晶图象显示装置方面是有重要意义的。然而，在要进一步提高传感器及显示装置的象素密度、分辨率和清晰度时，就必须有性能极好的驱动元件。因此，作为被设置在透光衬底上的元件也就必须采用结晶性能良好的单晶层来实现。

但是，在类似玻璃之类的透光衬底上通常反映其结晶结构的无序性，即使仅只淀积硅层，也只能形成非晶体、较好一点也只能形成多晶层，不能作成高性能器件。这样，由于衬底晶体结构是非晶的，因而即使仅仅淀积硅层，也得不到优质的单晶层。由于非晶硅和多晶硅是具有许多这类缺陷的晶体结构，要实现当前或今后所需要的足够性能的驱动元件是困难的。

而且，不管采用上述单晶衬底的哪一种方法都不适宜于在透光衬底上实现优质单晶层。

本发明的发明人之一米原隆夫为解决上述存在的问题，在特愿平2-206548号申请案中揭示了一种形成半导体基片的方法发明，其特征在于：在此半导体基片的形成方法中，先形成具有非多孔质的半导体单晶层和多孔质的半导体层的衬底，然后将该单晶层的表面与具有绝缘材料表面的衬底相结合，再借助腐蚀将多孔半导体层除去。

本发明是为了进一步完善特愿平2-206548的方案而提出的。在特愿平2-206548号申请中，阐明了包括利用有选择地腐蚀过程来除去多孔硅的工序的半导体衬底形成方法。下面对多孔硅加以说明。

多孔硅是Uhlir等于1956年在对半导体作电解研磨的研究过程中发现的(见A.Uhlir，Bell Syst.Tech.J.Vol.35，1956，p333)。

此外，Unagami等人对阳极化过程中的硅的熔解反应进行了研究；在HF溶液中硅的阳极反应中，空穴是必须的，对该反应的报告如下(见J.Electrochem.Soc.Vol.127，1980，p476)：

    (1)

    (2)

    (3)或者

  (4)

    (5)其中，e⁺和e^-分别表示空穴和电子。而n和λ分别为熔解一个硅原子所需的空穴数，在满足n＞2或λ＞4的情况下，可形成多孔硅。

因此可知，在要制作多孔硅时必须有空穴，且与N型硅相比，P型硅容易变为多孔硅。不过，若向N型硅注入空穴，也能变为多孔硅(见R.P.Holmstrom & J.Y.Chi，Appl.Phys Lett，Vol.42，p386，1983)。

与单晶硅密度2.33g/cm³相比，在使HF溶液浓度在50-20％范围内变化时，这种多孔硅层的密度可在1.1-0.6g/cm³范围内变化。如通过透视电子显微镜观察，可发现这种多孔硅层形成有平均直径约600_的小孔。尽管这一密度还是单晶硅相比的一半，但还保持着单晶的性质，仍有可能在多孔层上部外延生长单晶硅层。

一般，单晶硅一经氧化处理，其体积就要增至约2.2倍，但依靠控制多孔控制多孔硅密度的措施，就有可能抑制这种体积膨胀，从而可避免基片的弯曲和导致表面残留单晶层的破裂。氧化后的体积对单晶硅的多孔硅体积之比如下式表示：

R＝2.2×(A/2.33)其中，A为多孔硅的密度。假如R＝1，即氧化后体积不增加，则A＝1.06(g/cm³)。也就是说，如果多孔硅层的密度为1.06，就可抑制由于氧化而导致的体积膨胀。

现在可以说，多孔硅在制造出来后要直接经过随后的工序(外延生长和氧化)，但多孔硅本身未被加工，还保持被制成后的原貌。其理由在于难于以好的控制能力对多孔硅进行加工，或去除它。也即，有关精确控制对多孔硅进行腐蚀的事例尚未有报导。

此外，一般作为孔隙率(Porosity)的P用下式表示：

P＝(2.33-A)/2.33    (7)当阳极化时，将此值在30-55％的范围内调整，由此即可制得与单晶硅氧化膜同等质量的氧化多孔硅，孔隙率可被表示为

P＝(m1-m2)/(m1-m3)    (8)或者

P＝(m1-m2)/ρAt    (9)式中

m1为阳极化前的总重

m2为阳极化后的总重

m3为除去多孔硅后的总重

ρ为单晶硅的密度

A为多孔区域的面积

t为多孔硅的厚度但在多数情况下，还不能正确算出多孔化区域的面积。此时，虽然式(8)有效，但为了要测定m3，就不得不腐蚀多孔硅。

在上述多孔硅上作外延生长时，多孔硅由于其结构的性质，减少了异质外延生长时发生的畸变，即可能抑制缺陷的发生。但是，在这种情况下，多孔硅的孔隙率显然是一个非常重要的参数。因此，上述的孔隙率的测定，在此情况下也是必不可少的。

多孔硅的腐蚀方法现在已知的有：

(1)用NaOH水溶液腐蚀多孔硅方法(G.Bonchil，R.Herino，K.Barla，and J.C.Pfister，J.Electrochem.Soc.，Vol，130，no.7 1983，p1611)。

(2)用能用于非多孔硅腐蚀的腐蚀液腐蚀多孔硅的方法。

上述方法(2)中通常采用氟硝酸系的腐蚀液，此时硅的腐蚀过程如下式所示：

    (10)

  (11)如上式所示，硅在硝酸中被氧化成SiO₂，再用氢氟酸腐蚀如此得到的SiO₂。

非多孔硅的腐蚀方法中，除用上述氟硝酸系腐蚀液外，还有乙二胺系，KOH系和肼系等。

这里，为了进行多孔硅选择性腐蚀，除了上述这些非多孔硅用的腐蚀液外，还必须挑选其它能腐蚀多孔硅的腐蚀液。在已往进行的多孔硅选择性腐蚀中，有上述方法(1)中的以NaOH水溶液作为腐蚀液的方法。

如上所述，多孔硅和非多孔硅都受到氟硝酸系腐蚀液的腐蚀。

另外，在已经进行的采用NaOH水溶液的多孔硅的选择性腐蚀方法中，Na离子不可避免地会附着在被腐蚀的表面上。这些Na离子则成为杂质污染的主要来源，而且是活动的。这只能造成产生界面能级等恶劣影响，在半导体工艺中引入不应有的物质。

本发明的一个目的在于，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅、并能高效率、均匀地对多孔硅进行腐蚀的腐蚀液。

本发明的另一个目的在于提供利用本发明的腐蚀液有选择地腐蚀多孔硅的方法。

本发明的上述目的可由本发明的从衬底上选择性腐蚀多孔硅的腐蚀液来实现，其中，所述衬底由多孔硅和非多孔硅构成，其特征在于这种腐蚀液包括一由氢氟酸和至少乙醇及双氧水中的一种组成的溶液，或一由缓冲剂处理过的氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液。

本发明的腐蚀方法，就是利用本发明的上述腐蚀液来对由多孔硅和非多孔硅构成的衬底进行有选择的腐蚀多孔硅。

采用本发明的腐蚀多孔硅的腐蚀液能均匀且高效率地腐蚀多孔硅，而不会对半导体工艺产生污染。

而本发明的腐蚀方法能适用于通常的半导体工艺，并且由于使用不腐蚀非多孔硅的腐蚀液，从而能十分精确地并有选择地腐蚀除掉被设置在与非多孔硅同一衬底上的多孔硅。

对附图的简要说明：

图1A-1B是说明应用本发明腐蚀液的腐蚀工序的示意图；

图2A-2B是说明应用本发明腐蚀液的腐蚀工序的示意图；

图3A-3C是说明应用本发明腐蚀液的腐蚀工序的示意图；

图4A-4C是说明应用本发明腐蚀液的腐蚀工序的示意图；

图5A-5D是说明应用本发明腐蚀液的腐蚀工序的示意图；

图6A-6H是说明应用本发明腐蚀液的情况下，多孔硅及非多孔硅的腐蚀特性图；

图7A-7H是说明应用本发明的腐蚀液进行多孔硅腐蚀时的被腐蚀的多孔硅厚度与时间之间的关系图。

(I)下面对本发明的腐蚀液作详细说明。

首先，以图7A说明以氢氟酸作为针对多孔硅的无电解的湿式化学腐蚀液的情况。

图7A展示了以氢氟酸浸润。腐蚀多孔硅时，其厚度与腐蚀时间之间的依赖关系。该多孔硅是由单晶硅进行阳极化而制作的。其条件如下所述。不过，应注意到，依靠阳极化获得多孔硅的原始材料并不限定为单晶硅，其它晶体结构的硅亦可。

制备多孔硅的条件为：

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％将在此条件下制成的多孔硅在室温下浸入49％的氢氟酸(白圈)和20％的氢氟酸(黑点)中，并加以搅拌。而后测定多孔硅减薄的厚度。多孔硅在49％的溶液中约40分钟左右被快速腐蚀掉90μm，在20％的溶液中被腐蚀72μm。在49％的溶液中经过80分钟被腐蚀掉205μm，其表面平坦腐蚀均匀，在20％的溶液中，则被腐蚀掉16μm。

腐蚀速度与溶液的浓度和温度均有关系。溶液浓度和温度的条件设定在不妨碍实用的范围内。作为举列，上面描述的是将溶液浓度取为49％、20％、温度采用室温的情况，然而并不一定限于本发明中列举的条件。较理想的是氢氟酸取在5-95％的范围内，温度则采用一般常用的温度。

腐蚀后的多孔硅用水冲冼，在对其表面以二次离子作微量分析时，没有检测出任何杂质。

下面参考图6A对采用氢氟酸腐蚀多孔硅及非多孔硅的腐蚀特性加以说明，此后，用图1A及图1B来说明对非多孔硅衬底的一面全部成为多孔硅的衬底进行腐蚀的例子。

图6A是为说明多孔硅及单晶硅分别以氢氟酸浸润时被腐蚀的多孔硅和单晶硅的厚度与腐蚀时间之间的依从关系图。多孔硅由单晶硅经阳极化得到，其条件同上。由阳极化作成多孔硅的原始材料，并不限于单晶硅，也可以是其它晶体结构的硅。

将按上述条件作成的多孔硅在室温下浸入氢氟酸(白圈)中，并加以搅拌。然后测量该多孔硅厚度的减薄情况。多孔硅层在49％的溶液中快速腐蚀40分钟左右，被腐蚀掉90μm，而在49％的溶液中经过80分钟被表面平坦且均匀地腐蚀掉205μm。腐蚀速度同溶液浓度及温度之间存在着依赖关系。溶液浓度和温度设定在不妨碍实用的范围内。作为举例，描述的是取49％的氢氟酸和室温的条件，然而并不一定限于本发明所列举的这些条件。最好氢氟酸的浓度取在5％-95％之间，温度取通常采用的温度。

另外，将500μm厚的非多孔硅在室温下浸入49％的氢氟酸(黑点)中，并搅拌。此后测量非多孔厚度的减薄情况。经过120分钟，非多孔硅仅仅被腐蚀不到100_。腐蚀速度与溶液浓度和温度几乎无关。

将腐蚀后的多孔硅及非多孔硅以水冲洗，对其表面作二次离子微量分析，没有发现任何杂质。

如图1A所示，单晶硅衬底22的一面经全部阳极化处理，变成多孔硅21。此后，将这种结构(多孔硅/单晶硅)的衬底浸入氢氟酸中，即呈现图1B所示情况。即仅仅除去了多孔硅，只有单晶硅衬底22没有被腐蚀，而保存下来。以单晶硅作为腐蚀阻挡材料，就可对多孔硅进行有选择的腐蚀。

下面说明在衬底的同一面设置的多孔硅和单晶硅的示例。

如图2所示，由阳极化处理将单晶硅衬底32的一面的一部分变成多孔硅31。阳极化所必须的电流电压是根据载流子的浓度的高低左右的。因而，依靠由质子和杂质的离子注入来部分地改变单晶表面层的载流子浓度就可以部分地设置多孔硅。然后，将这种(多孔硅/单晶硅)结构的衬底浸入氢氟酸中，即呈图2B所示的情况，仅仅将多孔硅除去，单晶硅衬底32未被腐蚀而被保留下来，从而能对多孔硅作选择腐蚀。

下面叙述在衬底的一面上层状地设置多孔硅/多晶硅的示例。

如图3A所示，依靠淀积，在单晶硅衬底42上设置多晶硅层41。由阳极化法使多晶硅表面层变成多孔硅层43(图3B)。此后，将这种(多孔硅/多晶/单晶硅)结构的衬底浸入氢氟酸中，即会呈现图3C所示的情况，只除去多孔硅，而单晶硅衬底42和多晶硅层41并未被腐蚀地保留下来，因而能以多晶硅作为腐蚀阻挡材料，对多孔硅进行有选择地腐蚀。

下面说明在衬底的一侧面的多晶硅层表面一部分上设置多孔硅的示例。

如图4A所示，在单晶硅衬底52上由淀积法设置多晶硅层51.采用阳极化法，使多晶硅表面的一部分变成多孔硅53(图4A)。此后将这种(多孔硅/多晶硅/单晶硅)结构的衬底浸入氢氟酸中，即呈现如图4C所示的情形，仅仅将多孔硅除去，而单晶硅衬底52和多晶硅层51并未被腐蚀而保留下来，因而能有选择地腐蚀多孔硅。

图7B说明了以氢氟酸和(乙)醇的混合液用作对多孔硅进行无电解的湿式腐蚀的腐蚀液的情况。

在图7B中表示出在氢氟酸和乙醇和混合液中不搅拌地浸润时，多孔硅的厚度与腐蚀时间之间的依存关系。多孔硅由单晶硅经阳极化处理制成，其条件如下。而且，由阳极化法形成多孔硅的原始材料并不限于单晶硅，其它晶体结构的硅也可以。

阳极化的条件为：

外加电压      2.6V

电流密度      30mA·cm^-2

阳极化溶液    HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间          2.4小时

多孔硅厚      300μm

孔隙率        56％将按此条件制成的多孔硅在室温下浸入49％的氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(白圈)及20％的氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(黑点)中，不加搅拌。然后测量该多孔硅的减薄情形。多孔硅在49％的溶液和乙醇的混合液(10∶1)中快速被腐蚀，约40分钟达85μm。而在20％的溶液和乙醇的混合液(10∶1)中被腐蚀掉68μm，此外，经过80分钟，在49％溶液和乙醇的混合液(10∶1)中，腐蚀掉95μm，表面平坦且均匀，而在20％溶液和乙醇的混合液(10∶1)中，则被腐蚀掉156μm。腐蚀速度与氢氟酸的浓度和温度相关。由于添加了乙醇，由腐蚀而产生的反应气体的气泡，不经搅拌，瞬息即可由腐蚀表面除去，从而能均匀且高效率地腐蚀多孔硅。

溶液浓度和温度条件可设定在使腐蚀速度在制度作工序中不被妨碍的实用范围及使上述乙醇起作用的范围内。本例为采用溶液浓度为49％的氢氟酸与乙醇的混合液(10∶1)和20％的氢氟酸与乙醇的混合液(10∶1)、温度取室温的情况，然而并不限定于本发明所列举的条件。

对于腐蚀液，HF浓度可以设定在1-95％，较好的在5-90％，最好是在5-80％的范围内。至于腐蚀液的(乙)醇浓度可以设定在80％以下，较好在60％，最好在40％以下，且能起到上述(乙)醇的作用的范围内。至于温度可设定在0-100℃、较好的在5-80℃、最好是在5-60℃的范围内。

用于本发明的醇，除乙醇外，也可以使用异丙醇一类在制作工序上不妨碍实用的醇、而且能起以上述醇的添加效果的醇。

腐蚀后的多孔硅经水冲洗，对其表面作二次离子微量分析，没有检查出任何杂质。

下面利用图6B来说明由氢氟酸与乙醇混合液对多孔硅非多孔硅进行腐蚀的特性。

在图6B中，展示了将多孔硅与单晶硅分别经氢氟酸和乙醇的混合液无搅拌浸润时的多孔硅及单晶硅的厚度与腐蚀时间之间的依赖关系。多孔硅由单晶硅经阳极化工序制成，其条件与上述相同。用于由阳极化制作多孔硅的原始材料，并不限定于单晶硅、其它晶体结构的硅亦可以使用。

将按上述条件制得的多孔硅的试片在不搅拌的条件下浸润在49％的氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(白圈)中，测量该多孔硅厚度的减薄情形。结果是多孔硅被快速腐蚀，约40分钟内达85μm，而在经过80分钟后被腐蚀掉195μm。其表面平坦、腐蚀均匀。

腐蚀速度与氢氟酸的浓度及温度有关。借助添加的醇，使得无需搅拌即可很快由腐蚀表面除掉因腐蚀而产生的反应气体的气泡，从而能够均匀且高效地进行多孔硅腐蚀。

将500μm厚的非多孔硅在室温下不作搅拌地浸润在49％的氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(黑点)中，然后测量该非多孔硅厚度的减薄情况。该非多孔硅在经过120分钟后，仅仅被腐蚀掉不到100_。腐蚀速度与溶液浓度及温度几乎都无关。

腐蚀后的多孔硅及非多孔硅经水冲洗，在对其表面作二次离子微量分析时，没有检测到任何杂质。

在使用氢氟酸和一种醇的混合液作多孔硅的腐蚀剂的情况下，当然也能获得于上述(1)中以图1A-1B、图2A-2B、图3A-3C以及图4A-4C所说明的状态。

现在利用图7C来对以氢氟酸与双氧水的混合液作为对多孔硅进行无电解的湿式化学腐蚀液的情况加以说明。

图7C中展示了以氢氟酸和双氧水的混合物液浸润并搅拌时，被腐蚀多孔硅的厚度与腐蚀时间之间的关系。多孔硅由单晶硅经阳极化处理制得。其条件如下所示。用作阳极化以形成多孔硅的原始材料并不限定于单晶硅，其它晶体结构的硅也可以。

其条件如下

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％将按上述条件制成的多孔硅在室温下浸润在49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)(白圈)及49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶1)(黑点)中并加以搅拌。而后测量该多孔硅厚度减薄的情形。多孔硅被迅速腐蚀，在1∶5在溶液中，约40分钟被腐蚀掉112μm，而在1∶1的溶液中，则被腐蚀掉135μm，而且，在经过80分钟后，在1∶5的溶液中，表面平均均匀地被腐蚀掉256μm，而在1∶1的溶液中被腐蚀掉307μm。这里双氧水的浓度为30％，也可设定在下述的无损于双氧水的添加效果、且在制作工序中不妨碍实用的浓度。

而且，腐蚀速度取决于氢氟酸和双氧水的溶液浓度及温度。因添加双氧水可加速硅的氧化，从而可比不添加双氧水时提高反应速度，而且依靠改变双氧水的比率即可控制反应速度。

溶液浓度和温度条件可设定在氢氟酸及上述双氧水起作用且腐蚀速度在制造工序上不妨碍实用的范围内。在本申请中作为一个例子，采取49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)及49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)，温度则用室温，然而并不限定于本发明所列举的这些条件。

关于腐蚀液，HF浓度可以设定在1-95％，较好的为5-90％，最好在5-80％的范围。腐蚀液中的H₂O₂浓度，可以设定在1-95％，较好在5-90％，最好在10-80％，并使上述双氧水起作用的范围内。

腐蚀后的多孔硅经水冲洗，在对其表面作二次离子微量分析时，没有检测到任何杂质。

下面利用图6C说明采用氢氟酸和双氧水的混合液时对多孔硅及非晶硅的腐蚀特性。

图6C表示多孔硅和单晶硅分别浸入氢氟酸及双氧水的混合液时，被腐蚀的多孔硅与单晶硅厚度与腐蚀时间之间的依从关系。多孔硅由阳极化制成，其条件与上面所述相同。以阳极化处理得到多孔硅的原始材料并不限定于单晶硅，用其它晶体结构的硅也是可以的。

将按上述条件制成的多孔硅在室温下浸入到49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)(白圈)中，并加以搅拌。然后测量该多孔硅厚度减薄的情况。多孔硅被快速腐蚀，约40分钟达112μm，而经过80分钟后，表面平坦且均匀地腐蚀掉256μm。这里双氧水浓度定为30％，然而也可以将其设定在无损于下述添加双氧水的效果且在制造工序上不妨碍实用的浓度。

腐蚀速度取决于氢氟酸和双氧水的浓度及温度。添加双氧水使硅的氧化加快，从而能使反应速度比未添加时要快，并可由改变双氧水的比率来控制反应速度。

另外，将500μm的非多孔硅在室温下浸于49％的氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)(黑点)中，并加以搅拌。然后测量该非多孔硅厚度减薄的情况。在经过120分钟后，非多孔硅仅仅被腐蚀不到100_。可见腐蚀速度与溶液浓度及与温度几乎无关。

腐蚀后的多孔硅和非多孔硅经水冲洗，对其表面用二次离子作微量分析，没有检测到任何杂质。

在使用氢氟酸和双氧水的混合液作为多孔硅的腐蚀剂的情况下，当然也能获得于上述以图1A-1B、图2A-2B、图3A-3C以及图4A-4C中所说明的状态。

下面以图7D来说明采用氢氟酸、醇以及双氧水的混合液作为对多孔硅进行无电解的湿式化学腐蚀的腐蚀液的情况。

图7D中展示出多孔硅在氢氟酸、乙醇及双氧水的混合液中不搅拌地浸润时其被腐蚀的厚度同腐蚀时间之间的依存关系。多孔硅是由多晶硅经阳极化形成的。其条件如下所述。用阳极化制成多孔硅的原始材料，仍不限定于单晶硅，其它晶体结构的硅亦可。

阳极化条件：

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％将按上述条件作成的多孔硅在室温下浸于49％的氢氟酸、乙醇及双氧水的混合液(10∶6∶50)(白圈)中，以及49％的氢氟酸、乙醇及双氧水的混合液(10∶2∶10)(黑点)中，不加搅拌。此后，测量该多孔硅厚度的减薄情况。多孔硅被迅速腐蚀，在10∶6∶50的溶液中约40分钟被腐蚀掉107μm，而在10∶2∶10的溶液中，被腐蚀掉128μm。在经过80分钟后，在10∶2∶10的溶液中，被腐蚀掉292μm。双氧水的溶液浓度在这里虽定为30％，然而也可以设定在无损于下述的添加双氧水效果且在制作工序中不妨碍实用的浓度。

还有，腐蚀速度取决于氢氟酸、双氧水的溶液浓度及温度。增加双氧水，会加速硅的氧化，而且，通过改变双氧水的比率，可以控制其反应速度。另外，由于添加了醇，因而不需搅拌，瞬时便可从腐蚀表面除去腐蚀反应产生的气泡，能均匀、高效地腐蚀多孔Si。

就溶液浓度及温度条件的范围来说，要使氢氟酸及上述双氧水和上述醇起作用，使腐蚀速度在制造工艺等方面不妨碍实用。虽然例中采用室温下的49％氢氟酸、乙醇及双氧水的混合液(10∶6∶50)和49％氢氟酸、乙醇及双氧水的混合液(10∶2∶10)，但本发明不局限于上述条件。

对腐蚀液而言，HF浓度可定为1～95％，以5～90％较好，在5～80％的范围更好。腐蚀液中，H₂O₂浓度可以为1～95％，以5～90％较好，在10～10％范围更好，且都设定在上述双氧水起作用的范围内。腐蚀液中，醇的浓度可以低于80％，低于60％较好，最好在40％以下，且都设定在上述醇起作用的范围内。温度设定为0～100℃为好，以6～80℃较好，而5-60℃的范围更好。

用于本发明的醇除乙醇外，还可以使用异丙醇等那些在制造工艺等方面不妨碍实用的醇，以及其它能起到上述醇的添加效果的醇。

腐蚀后的多孔Si经水洗，其表面用二次离子法作微量分析，未检出任何杂质。

在本腐蚀液的情况下，通过添加醇使腐蚀反应产生的气泡不需搅拌瞬时即可从腐蚀表面除去，从而使微小凹处能够形成极其平整、均匀的底部。

下面，利用图6D，说明氢氟酸、乙醇和双氧水混合液对多孔Si和非多孔Si的腐蚀特性。

图6D表示，多孔Si和单晶Si浸泡在各种氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液中不加搅拌时，多孔Si和单晶Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si阳极化形成，其条件与上述相同。阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，用其它结晶结构的Si也是可以的。

把按上述条件制成的多孔Si浸泡在室温下的49％氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(10∶6∶50)(白圈)中，不加搅拌，然后测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速地受到腐蚀，约40分钟后，腐蚀掉107μm，而80分钟后则腐蚀掉244μm，还具有高度的表面平整性，且腐蚀均匀。双氧水溶液的浓度，这里虽然为30％，但可以设定为不丧失双氧水的下述添加效果、并且在制造工艺中不妨碍实用的浓度。

还有，腐蚀速度取决于氢氟酸、双氧水的溶液浓度及温度。通过增加双氧水可加快硅的氧化，与不添加双氧水时相比，能加快反应速度，而且通过改变双氧水的比率就能控制其反应速度。并且，通过加醇，则不需搅拌，瞬时便可从腐蚀表面除去腐蚀反应产生的气泡，能高效、均匀地腐蚀多孔Si。

另外，将500μm厚的非多孔Si浸泡在室温下的49％氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(10∶6∶50)(黑点)中，不加搅拌，然后测定该非多孔Si厚度的减少。即使经过120分钟之后，非多孔Si也只被腐蚀掉不到100埃。腐蚀速度几乎与溶液的浓度及温度无关。

腐蚀后的多孔Si与非多孔Si经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检出任何杂质。

显然在用氢氟酸、醇和双氧水的混合液作为多孔Si的腐蚀液的情况下也能获得上述(1)中的、以图1A-图1B、图2A-图2B、图3A-图3C以及图4A-图4C所说明的各种腐蚀方法。

关于把缓冲过的氢氟酸用作多孔Si的无电解湿式化学腐蚀液的情况，将用图7E加以说明。

至于缓冲氢氟酸，可以用例如氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水溶液。

图7E表示在缓冲氢氟酸中加以搅拌的情况下，多孔Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si阳极化制成，其条件如下所列。另外，阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％在室温下将按上述条件制成的多孔Si浸泡在缓冲氢氟酸(白圈)或稀释为20％的缓冲氢氟酸(黑点)中，并加以搅拌。然后，测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si快速地被腐蚀，约40分钟后，在缓冲氢氟酸中被腐蚀掉70μm，在20％的稀释溶液中被腐蚀掉56μm。而经过120分钟后，在缓冲氢氟酸中被腐蚀掉118μm，且腐蚀均匀、具有高度的表面平整性，在20％的稀释溶液中，则被腐蚀掉94μm。

此外，腐蚀速度取决于溶液的浓度及温度。溶液的浓度及温度条件设定在不妨碍实用的范围内。虽然上面描述了采用氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水溶液作缓冲氢氟酸，或者20％的稀释缓冲氢氟酸，并且温度取室温，但本发明不局限于此条件。

缓冲氢氟酸中的HF浓度，对于腐蚀液来说，给定的范围可以为1-95％，以1-85％较好，在1-70％的范围更好。缓冲氢氟酸中的NH₄F浓度，对腐蚀液来说，给定的范围可以为1-95％，以5-90％较好，在5-80％的范围更好。温度可以定为0-100℃，以5-80℃较好，而5-60℃更好。

腐蚀后的多孔Si经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检出任何杂质。

下面，用图6E说明有关缓冲氢氟酸对多孔Si及非多孔Si的腐蚀特性。

图6E表示，多孔Si和单晶Si浸泡在各种缓冲氢氟酸中时，多孔Si和单晶Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si经阳极化制成，其条件与上述相同。阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

在室温下，将按上述条件制成的多孔Si不加搅拌地浸泡在缓冲氢氟酸(白圈)中，然后，测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速地被腐蚀，在该溶液中经过40分钟后被腐蚀掉70μm，而在该溶液中经过120分钟后，则被腐蚀掉118μm，并且具有高度的表面平整性、腐蚀均匀。另外，腐蚀速度取决于溶液的浓度及温度。溶液浓度与温度的条件设定在不妨碍实用的范围内。本申请中，作为一例采用的是氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水的溶液作缓冲氢氟酸，并且温度取室温，但本发明不限于这样的溶液浓度及温度条件。

并且，将500μm厚的非多孔Si在室温下浸泡在缓冲氢氟酸(黑点)中，不加搅拌。然后，测定该非多孔Si厚度的减少。即使经过120分钟之后，非多孔Si也只被腐蚀掉不到100埃。腐蚀速度几乎与溶液的浓度及温度无关。

腐蚀后的多孔Si和非多孔经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检测出任何杂质。

显然，在用缓冲氢氟酸作为多孔Si的腐蚀液的情况下也能获得上述(I)中参考图1A-图1B、图2A-图2B、图3A-图3C以及图4A-图4C所解释的各种腐蚀方法。

用图7F说明以缓冲氢氟酸和醇的混合液作为多孔Si的无电解湿式化学腐蚀液的情况。

至于缓冲氢氟酸，例如，采用氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水溶液。

图7F表示，在缓冲氢氟酸和(乙)醇的混合液中不加搅拌而浸泡着的多孔Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si经阳极化而制成。其条件如下所列。另外，通过阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％将按上述条件制成的多孔Si在室温下浸泡在缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(白圈)、20％的稀释缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(黑点)中，不加搅拌，然后测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速地被腐蚀，约40分钟后，在缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)中被腐蚀掉67μ±，在20％的稀释缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)中被腐蚀掉54μm。而经过120分钟后，在缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)中多孔硅被腐蚀掉112μm，并且有高度的表面平整性，腐蚀均匀，在20％的稀释溶液和乙醇混合液(10∶1)中被腐蚀掉90μm。

还有，腐蚀速度取决于缓冲氢氟酸的溶液浓度及温度。通过添加醇，不需搅拌。瞬时便可从腐蚀的表面除去因腐蚀反应而产生的气泡，并且能均匀而高效地腐蚀掉多孔Si。

在制造工艺中，溶液的浓度及温度条件设定在不妨碍实用、且上述乙醇起作用的范围内。虽然本例采用缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)、20％的稀释溶液与乙醇的混合液(10∶1)作为腐蚀液，并且温度取室温，但本发明不限于这样的溶液浓度及温度条件。

对腐蚀液来说，缓冲氢氟酸中的HF浓度可设定为1-95％，以1-85％较好，在1-70％的范围更好；缓冲氢氟酸中的NH₄F的浓度，可设定为1-95％，以5-90％较好，在5-80％的范围内更好；醇的浓度可以设定在80％以下，60％以下较好，40％以下更好，且要在起上述醇的效果的范围内。温度可以设定为0-100℃，以5-80℃较好，在5-60℃范围内更好。

用于本发明的醇除乙醇外，还可以用异丙醇等在制造工艺上不妨碍实用并且起上述醇的添加效果的醇。

腐蚀后的多孔Si经水洗，其表面用二次离子法作微量分析，未检出任何杂质。

在本腐蚀液的情况下，由于添加了醇，不必搅拌便可瞬时从腐蚀表面除去因腐蚀反应而产生的气泡，在微小的凹处可以均匀地形成极平坦的底部。

下面，用图6F说明有关多孔Si与非多孔Si在缓冲氢氟酸和乙醇混合液中的腐蚀特性。

图6F表示，将多孔Si与单晶Si浸泡在各种缓冲氢氟酸和乙醇的混合液中不加搅拌时的多孔Si与单晶Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si由单晶Si经阳极化制成，其条件与上述相同。利用阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

在室温下，将按上述条件制成的多孔Si浸泡在缓冲氢氟酸和乙醇的混合液(10∶1)(白圈)中，不加搅拌。然后，测定该多孔Si厚度的减少。结果是多孔Si迅速地被腐蚀，约40分钟后被腐蚀掉67μm，经过120分钟后被腐蚀掉112μm，还具有高度的表面平整性，腐蚀也均匀。

另外，在室温下将500μm厚的非多孔浸泡在缓冲氢氟酸和乙醇的混合液中，不加搅拌。然后，测定该非多孔Si厚度的减少。即使经过120分钟，非多孔Si的腐蚀量也不到100埃。腐蚀的速度几乎与溶液的浓度及温度无关。

腐蚀后的多孔Si与非多孔Si经水洗后对其表面用二次离子法作微量分析，未检测出任何杂质。

显然，在用缓冲氢氟酸和醇的混合液作为多孔Si的腐蚀液的情况下，也能获得上述(I)中参考图1A-图1B、图2A-图2B、图3A-图3C及图4A-图4C所说明的各种腐蚀方法。

用图7G说明以缓冲氢氟酸与双氧水的混合液作为多孔Si的无电解湿式化学腐蚀液的情况。

至于缓冲氢氟酸，例如，用氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水溶液。

图7G表示，将多孔Si浸泡在缓冲氢氟酸和双氧水的混合液中，不加搅拌时，多孔Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si经阳极化制成，其条件如下所列。另外，阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率      56％将按上述条件制成的多孔Si在室温下浸泡在缓冲氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)(白圈)中，或者浸入缓冲氢氟酸和双氧水的混合液(5∶1)(黑点)中，不加搅拌。然后，测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速被腐蚀，约40分钟后，在1∶5的溶液中腐蚀掉88μm，而在5∶1的溶液中腐蚀掉105μm。经过120分钟后，多孔硅在1∶5的溶液中腐蚀掉147μm，且腐蚀均匀、具有高度的表面平整性；在5∶1的溶液中则腐蚀掉117μm。双氧水溶液的浓度，这里虽然为30％，但可设定为不丧失下述双氧水的添加效果、并且在制造工艺中不妨碍实用的浓度。

还有，腐蚀速度取决于缓冲氢氟酸、双氧水的浓度及温度。通过添加双氧水，能加速硅的氧化，并且能使反应速度比不加时快，另外，通过改变双氧水的比率可以控制反应速度。

就溶液浓度及温度的条件来说，要让缓冲氢氟酸及双氧水起作用，使反应速度在制造工艺中不妨碍实用性。本例虽然采用缓冲氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)或者缓冲氢氟酸和双氧水的混合液(5∶1)作为腐蚀液，并采用室温，但本发明不局限于这样的溶液浓度与温度条件。

对于腐蚀液来说，缓冲氢氟酸中的HF浓度可设定为1-95％，以1-85％较好，而1-70％的范围更好；缓冲氢氟酸中的NH₄F浓度，可设定为1-95％，以1-90％较好，而5-80％的范围更好；H₂O₂的浓度，可设定为1-95％，以5-90％较好，而10-80％的范围更好，并且设定在上述双氧水起作用的范围内。温度可以设定为0-100℃，以5-80℃较好；而在5-60℃的范围内更好。

腐蚀后的多孔Si经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检出任何杂质。

图6G表示将多孔Si与单晶Si浸泡在各种缓冲氢氟酸和双氧水的混合液中时，多孔Si与单晶Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si经阳极化而制成，其条件与上述相同。用以阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

将按上述条件制成的多孔Si浸泡在室温下的缓冲氢氟酸和双氧水的混合液(1∶5)(白圈)中，不加搅拌。然后，测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速被腐蚀，约40分钟后腐蚀掉88μm，而经过120分钟后则腐蚀掉147μm，且腐蚀均匀又具有高度的表面平整性。双氧水的溶液浓度，这里虽为30％，但可设定为不妨碍其添加效果、而且在制造工艺中不妨碍实用的浓度。

腐蚀后的多孔Si与非多孔Si经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检测出任何杂质。

显然，在用缓冲氢氟酸与双氧水的混合液作为多孔Si的腐蚀液的情况下，也能获得上述(I)中参考图1A-图1B、图2A-图2N、图3A-图3C及图4A-图4C所说明的各种腐蚀方法。

用图7H说明以缓冲氢氟酸、醇和双氧水的混合液作为多孔Si的无电解湿式化学腐蚀液的情况。

至于缓冲氢氟酸，使用氟化铵(NH₄F)36.2％、氟化氢(HF)4.5％的水溶液。

图7H表示不加搅拌地将多孔硅样品浸泡在缓冲氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液中时多孔Si的腐蚀厚度与腐蚀时间的关系。多孔Si由单晶Si经阳极化而制成，其条件如下所列。另外，阳极化形成多孔Si的原材料不限于单晶Si，其它结晶结构的Si也是可以的。

外加电压    2.6V

电流密度    30mA·cm^-2

阳极化溶液  HF∶H₂O∶C₂H₅OH＝1∶1∶1

时间        2.4小时

多孔硅厚    300μm

孔隙率    56％将按上述条件制成的多孔Si不加搅拌地浸泡在室温下的缓冲氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(10∶6∶50)(白圈)中或缓冲氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(50∶6∶10)(黑圈)中。然后，测定该多孔Si厚度的减少。多孔Si迅速受到腐蚀，约40分钟后，在10∶6∶50的溶液中腐蚀掉83μm；在50∶6∶10的溶液中腐蚀掉100μm。而经过120分钟后，在10∶6∶50的溶液中腐蚀掉140μm，且腐蚀均匀又具有高度的表面平整性；在50∶6∶10的溶液中腐蚀掉168μm。双氧水的浓度，这里虽然为30％，但可以设定为丧失其添加效果，并且在制造工艺中不妨碍实用的浓度。

还有，腐蚀速度取决于缓冲氢氟酸、双氧水的溶液浓度及温度。因添加双氧水而能加速硅的氧化，比之不加时的反应速度快，而且由于反应速度随双氧水的比率的变化而变化，因而，能控制其反应速度。再者，由于加醇，因而，不必搅拌，就可以把腐蚀反应产生的气泡瞬时从腐蚀的表面除去，从而能高效均匀地腐蚀多孔Si。

溶液的浓度与温度条件要设定在使缓冲氢氟酸和上述双氧水及上述醇起作用，并使腐蚀速度在制造工艺中不妨碍实用的范围内。本申请中，作为一例，虽然采用缓冲氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(10∶6∶50)、缓冲氢氟酸、乙醇和双氧水的混合液(50∶6∶10)、并采用室温，但本发明不局限于此条件。

对于腐蚀液来说，缓冲氢氟酸中的HF浓度可以设定在1-95％，以1-85％较好，而在1-70％的范围更好，缓冲氢氟酸中的NH₄F浓度可以设定在1-95％，以5-90％较好，而在5-80％的范围内更好；H₂O₂的浓度可设定为1-95％，以5-90％较好，而10-80％的范围内更好，且要在其起作用的范围内；醇的浓度可以设定在80％以下，以低于60％较好，而低于40％更好，并且在其起作用的范围内。温度要设定为0-100℃，以5-80℃较好，而在5-60℃的范围内更好。

除乙醇外，用于本发明的醇还可以使用异丙醇等在制造工艺上不妨碍实用的醇并具有上述醇的添加效果的醇。

腐蚀后的多孔Si经水洗，对其表面用二次离子法作微量分析，未检测出任何杂质。

由于本腐蚀液中添加了醇，不需搅拌，瞬时便可从腐蚀表面除去腐蚀反应产生的气泡，所以，在微小的凹处也能形成极其平整、均匀的底部。

显然，在将缓冲氢氟酸、醇和双氧水的混合液作为多孔Si的腐蚀液的情况下，也能实现上述(I)中参考图1A-图1B、图2A-图2B、图3A-图3C及图4A-图4C所说明的实施例。

Claims (13)

1.一种从衬底上选择性腐蚀多孔硅的腐蚀液，所述衬底由多孔硅和非多孔硅构成，其特征在于：这种腐蚀液包括一由氢氟酸和醇及双氧水中至少一种组成的溶液，或一由缓冲氢氟酸和至少醇及双氧水中的一种组成的溶液。

2.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5-80％的氢氟酸、10-80％的双氧水以及少于等于40％的醇组成的溶液组成。

3.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5～80％的缓冲氢氟酸、10～80％的双氧水和小于等于40％的醇的溶液组成。

4.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5～80％的氢氟酸和10～80％的双氧水的溶液组成。

5.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5～80％的氢氟酸和少于等于40％的醇的溶液组成。

6.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5～80％的缓冲氢氟酸和10～80％的双氧水的溶液组成。

7.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由一包括5～80％的氢氟酸和少于等于40％的醇的溶液组成。

8.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于，所述醇为乙醇。

9.如权利要求1所述的腐蚀液，其特征在于缓冲氢氟酸由一种包括氟化铵和氟化氢的溶液构成。

10.一种从衬底上选择性腐蚀多孔硅的方法，所述衬底由多孔硅和非多孔硅构成，其特征在于，腐蚀是用权利要求1-11中任一项所述的腐蚀液进行的。

11.如权利要求10的腐蚀多孔硅的方法，其特征在于，腐蚀是在0～100℃的温度下进行的。

12.如权利要求11的腐蚀多孔硅的方法，其特征在于，腐蚀是在5～80℃的温度下进行的。

13.如权利要求12的腐蚀多孔硅的方法，其特征在于，腐蚀是在5～60℃的温度下进行的。

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