CN103715360A - 有机电致发光器件、显示装置 - Google Patents

有机电致发光器件、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的发光器件的复合区内激子的聚集导致淬灭的问题。本发明的有机电致发光器件，其包括阳极层、阴极层，以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。在有机功能层中，设置阻挡层，控制载流子的分布，避免在电极处发生淬灭。

Description

有机电致发光器件、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构等优点。因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
如图1所示，有机发光二极管包括阴极层2、阳极层1（图中标号1、2只是示意阳极层和阴极层的能级位置的高低）以及夹在阴极层2和阳极层1间的“有机功能层”。其中“有机功能层”其可为单层结构的发光层，也可由多个不同的层组成；“有机功能层”至少包括一个发光层(EML)5，但其还可包括：位于发光层5与阴极层2间的电子传输层(ETL)4和电子注入层(EIL)7；位于有机电致发光层5与阳极层1间的空穴注入层(HIL)6和空穴传输层(HTL)3等其他结构。一般电子传输层4的HOMO（HighestOccupied Molecular Orbital，分子最高已占轨道）能级位置要低于发光层5的HOMO能级位置，用来阻挡空穴载流子向阴极层2的传输，所以电子传输层5的与发光层5之间的界面的空穴载流子浓度非常高，所以这个区域就非常容易引起载流子对激子的淬灭。在申请号为200910067007.4中公开一种有机发光二极管结构，在发光层掺杂了一种电子载流子传输材料，增强了载流子的注入能力，减少激子的聚集以及淬灭，从而提高了有机发光二极管的效率。
发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于发光层5与电极功函数的差异，载流子在能级势垒的位置聚集，导致了激子的淬灭；所以有人通过使用高功函数的阳极层1/双传输载流子发光层5/电子传输层4/阴极层2结构减小了这种载流子的聚集导致的激子的淬灭，但是由于发光层5的材料有双传输性能，没有复合的电子载流子向阳极层1移动，导致载流子在电极处的淬灭。
发明内容
本发明所要解决的技术问题包括，针对现有的现有技术中存在的上述不足，提供一种可以提高有机发光器件的发光效率以及延长其使用寿命的有机电致发光器件。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种有机发光器件，其包括阳极层、阴极层，以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层包括发光层，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。
本发明的有机电致发光器件，通过对有机功能层的合理设置，从而调节了载流子的传输分布，提高了有机电致发光器件的发光效率，及有利于提高有机电致发光器件的寿命。同时，通过传输层、发光层等有机层材料的选择、阻挡层的设置，调节载流子在OLED器件中的分布，避免载流子在电极处的淬灭、载流子对激子的淬灭。
优选的是，所述发光层由空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或所述发光层由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
优选的是，所述发光层由电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或所述发光层由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
优选的是，所述有机功能层还包括设置于发光层与阴极层之间的电子传输层，且电子传输层的LUMO能级位置比所述发光层LUMO能级位置高0～1ev，其中，发光层对空穴载流子传输能力不低于对电子载流子的传输能力。
进一步优选的是，所述电子传输层HOMO能级位置比发光层HOMO能级位置低0～1ev。
进一步优选的是，所述有机功能层还设包括电子阻挡层，所述电子阻挡层用于阻挡未复合的电子载流子迁移到阳极层。
更进一步优选的是，所述电子阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。
优选的是，所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层，且空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，其中，所述发光层的电子载流子的传输能力大于对空穴载流子的传输能力。
进一步优选的是，所述空穴传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。
进一步优选的是，所述有机功能层还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层用于阻挡未复合的空穴载流子迁移到阴极层。
更进一步优选的是，所述空穴阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。
优选的是，所述有机功能层还包括设置与阳极层与发光层之间的空穴传输层，以及设置于阴极层与发光层之间的电子传输层，其中，所述空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，所述电子传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。
进一步优选的是，所述发光层由具有空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。
进一步优选的是，所述发光层由具有电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。
优选的是，所述有机功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述有机电致发光器件的阳极层与所述空穴传输层/发光层之间。
进一步优选的是，所述空穴注入层材料为p掺杂空穴注入材料，所述p掺杂空穴注入材料的掺杂剂材料为：F4-TCNQ。
优选的是，所述有机功能层还包括电子注入层，所述电子注入层设置于所述有机电致发光器件的阴极层与所述电子传输层/发光层之间。
进一步优选的是，所述电子注入层的材料为n掺杂电子注入材料，所述n掺杂电子注入材料的掺杂剂材料为：Ce或Li。
本发明还进一步提供一种显示装置，包括上述的有机电致发光器件。
附图说明
图1为现有的有机电致发光器件的结构示意图；
图2为本发明的实施例1的有机电致发光器件的结构示意图；
图3为本发明的实施例2的有机电致发光器件的结构示意图；
图4、5、6为本发明的实施例3的有机电致发光器件的结构示意图；
图7、8为本发明的实施例4的有机电致发光器件的结构示意图；
图9、10为本发明的实施例5的有机电致发光器件的结构示意图；以及，
图11为本发明的实施例6的有机电致发光器件的结构示意图。
其中附图标记为：1、阳极层；2、阴极层；3、空穴传输层；4、电子传输层；5、发光层；6、空穴注入层；7、电子注入层。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
一种有机电致发光器件，包括衬底、阳极层、阴极层、以及设置与阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。同时，通过传输层、发光层等有机层材料的选择、阻挡层的设置，调节载流子在有机发光器件中的分布，避免载流子在电极处的淬灭、载流子对激子的淬灭。
其中，阳极层作为有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数。阳极层通常采用无机金属氧化物（比如：氧化铟锡ITO，氧化锌ZnO等）、有机导电聚合物（比如：PEDOT：PSS，PANI等）或高功函数金属材料（比如：金、铜、银、铂等）制成。
其中，阴极层作为有机电致发光器件负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数。阴极层通常采用低功函数金属材料，比如：锂、镁、钙、锶、铝、铟等或上述金属与铜、金、银的合金制成；或者采用一层很薄的缓冲绝缘层（如LiF、CsCO3等）和上述金属或合金制成。
其中，所述发光层可以由具有空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
其中，所述发光层可以由具有电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，或采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
需要说明的是，按照HOMO、LUMO（Lowest Unoccupied MolecularOrbital，分子最低未占轨道）值与真空能级的位置，如图2～11所示，能量绝对值较大的，处于较低位置，能量绝对值较小，处于较高位置。为了更好的体现各层之间的势垒情况，图2～11中，阳极层1和阴极层2没有示出具体的层结构，只是按照其功函数的大小关系示出了其位置高低。
下面通过具体实施例说明本发明的几种情况。
实施例1
如图2所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，其包括阳极层1、阴极层2、以及设置与阳极层1与阴极层2之间的有机功能层，本实施例中，有机功能层中设置有发光层5，以及设置在发光层5与阴极层2之间电子传输层4，且电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高0～1ev，发光层5对空穴载流子传输能力不低于对电子载流子的传输能力。
本实施例中，发光层5本身具有较好的空穴载流子的传输性能，也就是说该发光层5对来自阳极层1的空穴载流子有较好的传输性能，特别是在发光层5对空穴载流子传输能力远远高于对电子载流子的传输能力时。该发光层5一般采用如下材料制成：采用无掺杂的荧光发光的有机材料（由具有空穴载流子传输能力大于电子载流子传输能力的发光材料组成）制成，所述具有空穴载流子传输能力的发光材料可以采用NPB（LUMO、HOMO能级分别为2.4ev、5.4ev）或DPVBI（LUMO、HOMO能级分别为2.8ev、5.9ev）等。同时，由于电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高，来自阴极层2的电子载流子很容易传输到发光层5中，此时在发光层5中的空穴载流子与电子载流子复合发光。其中，电子传输层4材料可以为TPBi（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、6.2ev）等。氯处理的ITO阳极的功函数，可以从5.6ev调节到6.15ev，钙（Ca）的功函数为2.87ev。
本实施例中，由于发光层5对空穴载流子具有较好的传输性能，且由于电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高，电子载流子也很容易传输到发光层5，此时在空穴载流子与电子载流子的整个传输过程中，无明显势垒，故可以提高有机电致发光器件的发光效率。
当然，优选地，电子传输层4的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev。此时可以很好的阻挡没有复合的电子载流子移动到阳极层1，避免在电极处发生淬灭。
本实施例优选地，在有机功能层中还包括至少一个电子阻挡层，其用于阻挡未复合的电子载流子迁移到阳极层1。具体地说，以发光层5中设置一个电子阻挡层为例，其中电子阻挡层很薄，其厚度优选在1nm至10nm之间。当电子载流子向发光层5迁移时，在发光层5中与从阳极层1注入的空穴载流子复合，未复合的电子载流子通过电子阻挡层与发光层5中靠近阳极层1的空穴载流子复合，通过对电子阻挡层的厚度的调节与分布的设置，调节电子载流子在发光层的分布，从而电子载流子可以更好的与空穴载流子复合，避免多余的电子载流子迁移到阳极层1处发生淬灭，调节了载流子的传输分布，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
本实施例的一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/DPVBI(60nm)/TPBI(60nm)/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1采用氯处理的氧化铟锡制成；发光层5采用DPVBI，厚度为60nm；电子传输层4采用TPBI制成，厚度为60nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
本实施例的另一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/DPVBI(10nm)/TCTA(5nm)/DPVBI(50nm)/TPBI(60nm)/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1采用氯处理的氧化铟锡制成；发光层5采用DPVBI，厚度为60nm；在发光层5内，***电子阻挡层，采用TCTA（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、5.9ev）制成，厚度为5nm；电子传输层4采用TPBI制成，厚度为60nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
实施例2
如图3所示，本实施例提供了一种有机电致发光器件，其包括阳极层1、阴极层2、以及设置与阳极层1与阴极层2之间的有机功能层，本实施例中，有机功能层中设置有发光层5，以及设置在发光层5与阳极层1之间的空穴传输层3，且空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev其中，发光层5的电子载流子的传输能力不低于对空穴载流子的传输能力。
本实施例中的发光层5有较好的电子载流子传输性能，也就是说来自阴极层2电子载流子很容易传输到发光层5中，特别是在发光层对电子载流子的传输能力远高于对空穴载流子的传输能力时。其中，具有较好的电子载流子传输性能的发光层5的材料可以为Liq（LUMO、HOMO能级分别为2.0ev、4.65ev）等；空穴载流子传输材料可以为NPB（LUMO、HOMO能级分别为2.4ev、5.4ev）、TCTA（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、5.9ev）等。同时，由于空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev，空穴载流子很容易传输到发光层5中，此时在发光层5中的空穴载流子与电子载流子复合发光。此时在空穴载流子与电子载流子的整个传输过程中，无明显势垒，故可以提高有机电致发光器件的发光效率。
其中，优选所述空穴传输层3的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高0～1ev。此时可以很好的阻挡没有复合的空穴载流子移动到阴极层2，避免在电极处发生淬灭。
本实施例优选地，所述发光层5中还设置有至少一个空穴阻挡层，阻挡未复合的空穴载流子移动到阴极层2。具体地说，以发光层5中设置一个空穴阻挡层为例，其中空穴阻挡层很薄，其厚度优选在1nm至10nm之间。在电子载流子向发光层5迁移时，在发光层5中与靠近阳极层1部分的电子载流子复合，未复合的空穴载流子通过空穴阻挡层再与发光层5中靠近阴极层2部分的电子载流子复合，此时通过空穴阻挡层的作用，空穴载流子可以更好的与电子载流子复合，避免多余的空穴载流子迁移到阴极层2处发生淬灭，调节了载流子的传输分布，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
本实施例的一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/TCTA(60nm)/Liq：DCJTB（2%，60nm）/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1采用氯处理的氧化铟锡制成；空穴传输层3采用TCTA，厚度为60nm；发光层5采用Liq掺杂红色燃料DCJTB制成，掺杂浓度为2%，发光层总厚度为60nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
实施例3
结合图4所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，其包括阳极层1、阴极层2、设置在阳极层1与阴极层2之间的有机功能层，有机功能层包括发光层5、空穴传输层3、电子传输层4，所述空穴传输层3设置在发光层5与阳极层1之间，电子传输层4设置在阴极层2与发光层5之间。其中，所述空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev，所述电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高0～1ev。
本实施例的空穴传输层3材料可以为TCTA（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、5.9ev）；发光层5材料可以为TCTA（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、5.9ev）、CBP（LUMO、HOMO能级分别为2.9ev、5.6ev）、TPBi（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、6.2ev）、TAZ（LUMO、HOMO能级分别为2.6ev、6.6ev），发光层5的掺杂剂可以为荧光材料、也可以为磷光材料，比如可以为C-545、Ir（ppy）3等，电子载流子传输材料可以为TAZ（LUMO、HOMO能级分别为2.6ev、6.6ev）等。
由于本实施例提供的有机电致发光器件的空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev，所述电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高0～1ev。因此，空穴载流子与电子载流子都可以很好的注入到发光层5中，从而避免空穴载流子与电子载流子堆积而产生传输势垒，进而提高有机电致发光器件的发光效率。
本实施例的一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/TCTA(30nm)/CBP：Ir（ppy）3(6%，30nm)/TPBI(30nm)/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1材料为氧化铟锡（ITO）；空穴传输层3采用TCTA，其厚度为30nm；发光层5采用CBP，掺杂剂为Ir（ppy）3，掺杂剂掺杂浓度为6%，发光层的厚度为30nm；电子传输层4采用TPBI，其厚度为30nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
如图5所示，作为本实施例的一种情况，所述发光层5由具有空穴载流子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成，其中，电子传输层4设置在阴极层2与发光层5之间，且所述电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高0～1ev。当然发光层5也可以采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
在本实施中，由于电子传输层4的LUMO能级位置比发光层5的LUMO能级位置高，此时电子载流子可以很好地注入到发光层5，同时由于空穴传输层3的材料与发光层5的材料相同，发光层5对空穴载流子也有较好的传输性能，空穴载流子与电子载流子可以很好的在发光层5中复合发光。这种结构减少了载流子聚集引起的激子淬灭，可以提高器件的效率，由于发光层5与空穴传输层3的材料相同，所以在制备工艺上也得到了简化。
其中，所述有机功能层还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层的结构以及阻挡电子的原理与实施例1、2中的空穴阻挡层的结构和阻挡空穴的原理类似，在此不再重复说明。其中，电子阻挡层的材料与空穴传输层（发光层5）选用材料的范围可以一致。
其中，发光层5（空穴传输层3/电子阻挡层）的材料可以为TCTA（LUMO、HOMO能级分别为2.7ev、5.9ev）；当然发光层5中还有掺杂剂，掺杂剂可以为荧光材料、也可以为磷光材料，比如C545、Ir（ppy）3等，电子传输层4材料可以为TAZ（LUMO、HOMO能级分别为2.6ev、6.6ev）等。
本实施例的一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/TCTA(30nm)/TCTA：Ir（ppy）3(30nm)/TPBI(30nm)/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1采用氯处理的氧化铟锡制成；空穴传输层3采用TCTA，厚度为60nm；发光层5采用TCTA，掺杂剂为Ir（ppy）3，厚度为30nm；电子传输层4采用TPBI，厚度为30nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
如图6所示，作为本实施例的另一种情况，所述电子传输层4的材料与发光层5的材料相同。其中，所述空穴传输层3设置在阳极层1与发光层5之间，其中，所述空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低0～1ev。
在本实施例中，由于空穴传输层3的HOMO能级位置比发光层5的HOMO能级位置低，所以空穴载流子很容易传输到发光层5中，发光层5由具有电子载流子传输能力的发光材料组成无掺杂的荧光发光的有机材料制成。此时所述发光层5对电子载流子有着较好的传输性，此时空穴载流子与电子载流子可以更好的在发光层5中复合发光，减少了载流子聚集引起的激子淬灭，可以提高有机电致发光器件的效率。且由于发光层5与电子传输层4的材料相同，所以在制备工艺上也得到了简化。当然发光层5也可以采用由荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或采用由磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成
其中，优选地，所述发光层5中还设置有电子阻挡层，本实施例中的电子阻挡层与实施例2中的电子阻挡层结构与性能相同，在此不重复赘述。
本实施例的一个具体的有机电致发光器件中各层的制备材料及厚度如下：
ITO-Cl/TCTA(30nm)/TPBI：Ir（ppy）3(30nm)/TPBI(30nm)/Ca(20nm)/Al（100nm）。即，阳极层1采用氧化铟锡制成；空穴传输层3采用TCTA，厚度为60nm；发光层5采用TPBI，掺杂剂为Ir（ppy）3，厚度为30nm；电子传输层4采用TPBI，厚度为30nm；阴极层2采用钙（Ca）与铝（Al）的复合结构，厚度分别为20nm、100nm。
实施例4
如图7、8所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，包括实施例1～3中任意一种有机电致发光器件的结构，其有机功能层还包括空穴注入层6。其中，空穴注入层6设置于所述有机电致发光器件的阳极层1与所述空穴传输层3/发光层5之间，以提高空穴载流子的注入效率，或者改善阳极的界面状况。
具体地说，如图7、8所示，空穴注入层6设置于阳极层1与空穴传输层3之间，此时该有机电致发光器件的从阳极层1到阴极层2的结构为：阳极层1、空穴注入层6、空穴传输层3、发光层5、电子传输层4、阴极层2；其中，由于空穴传输层3和发光层5可以采用相同材料或者是发光层5的材料具有较好的空穴载流子的传输性能（也就是发光层5和空穴传输层3合成为一体），得到如图7所示的结构；当然空穴传输层3和发光层5可以采用不同的材料，得到如图8所示的结构。简单地说，就是在实施例3中的图5和图6的结构中增加了空穴注入层6。空穴注入层6的增加可以较好的将来自阳极层1的空穴载流子注入到发光层5中，同时随着空穴载流子的更好的注入，进而可以改善阳极的界面状况。
本实施例中加入空穴注入层6，可以更好的注入到空穴传输层3中，以便更好的注入到发光层5中。其中，空穴注入层6的材料为p掺杂空穴注入材料，p掺杂空穴注入材料的掺杂剂材料为：F4-TCNQ。此时阳极层1和阴极层2的材料可以选取一般金属材料，可以解决高功函数材料的阳极层1材料上选取的种类有限的问题，同时，P掺杂的空穴传输层3，使得金属有机界面变成欧姆接触，大大降低了空穴载流子注入势垒，减少了载流子-激子的淬灭。
实施例5
如图9、10所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，包括实施例1～3中任意一种有机功能层，所述有机功能层中还设有电子注入层7，所述电子注入层7设置于所述有机电致发光器件的阴极层2与所述电子传输层3/发光层5之间，以提高电子载流子的注入效率，或者改善阴极的界面状况。
具体地说，如图9、10所示，电子注入层7设置于阴极层2与电子传输层4之间，此时该有机电致发光器件的从阳极层1到阴极层2的结构为：阳极层1、空穴传输层3、发光层5、电子传输层4、电子注入层7、阴极层2；其中，由于电子传输层4和发光层5可以采用相同材料或者是发光层5的材料具有较好的电子载流子的传输性能（也就是发光层5和电子传输层4合成为一体），得到如图9所示的结构；当然电子传输层4和发光层5可以采用不同的材料，得到如图10所示的结构。简单地说，就是在实施例3中的图5和图6的结构中增加了电子注入层7。电子注入层7的增加可以较好的将来自阴极层2的电子载流子注入到发光层5中，同时随着电子载流子的更好的注入，进而可以改善阴极的界面状况。
其中，所述电子注入层7的材料为n掺杂电子注入材料，所述n掺杂电子注入材料的掺杂剂材料为：Ce或Li。本实施例增加了电子注入层7，降低了该有机发光器件的注入势垒，有助于电子载流子的注入。
实施例6
如图11所示，本实施例提供一种有机电致发光器件，包括实施例1～3中任意一种有机电致发光器件的结构，所述有机功能层中还包括空穴注入层6、电子注入层7，以提高空穴载流子和电子载流子的注入效率，从而提高有机电致发光器件的发光效率。
其中，空穴注入层6与实施例4中的空穴注入层6相同，电子注入层7与实施例5中的电子注入层7相同，在此不重复赘述了。
本发明还进一步提供一种显示装置，包括上述的有机电致发光器件。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (19)

1.一种有机电致发光器件，其包括阳极层、阴极层，以及设置在阳极层与阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层包括发光层，其特征在于，所述阳极层到有机功能层的注入势垒和阴极层到有机功能层的注入势垒均不超过1ev；
所述发光层包括位于所述阳极层一侧的空穴载流子传输区、位于所述阴极层一侧的电子载流子传输区以及位于空穴载流子传输区和电子载流子传输区之间的发光区，其中，空穴载流子从空穴载流子传输区到发光区，以及电子载流子从电子载流子传输区到发光区均无势垒。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂荧光发光有机材料制成，或所述发光层由空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由具有空穴载流子传输能力不低于电子载流子传输能力的磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂荧光发光有机材料制成，或所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的荧光掺杂剂与基质材料组成的掺杂荧光材料的有机材料制成，或所述发光层由电子载流子传输能力不低于空穴载流子传输能力的磷光掺杂剂与基质材料组成的掺杂磷光材料的有机材料制成。
4.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于发光层与阴极层之间的电子传输层，所述电子传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev，其中，所述发光层的空穴载流子的传输能力不低于电子载流子的传输能力。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括电子阻挡层，所述电子阻挡层用于阻挡未复合的电子载流子迁移到阳极层。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。
8.根据权利要求3所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层，所述空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，其中，所述发光层的电子载流子的传输能力不小于空穴载流子的传输能力。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层用于阻挡未复合的空穴载流子迁移到阴极层。
11.根据权利要求10所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的厚度在1nm至10nm之间。
12.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括设置于阳极层与发光层之间的空穴传输层，以及设置于阴极层与发光层之间的电子传输层，其中，所述空穴传输层的HOMO能级位置比发光层的HOMO能级位置低0～1ev，所述电子传输层的LUMO能级位置比发光层的LUMO能级位置高0～1ev。
13.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由具有空穴载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。
14.根据权利要求12所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层由具有电子载流子传输能力的发光材料组成的无掺杂的荧光发光有机材料制成。
15.根据权利要求1至14中任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴注入层，所述空穴注入层设置于所述有机电致发光器件的阳极层与所述空穴传输层/发光层之间。
16.根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层材料为p掺杂空穴注入材料，所述p掺杂空穴注入材料的掺杂剂材料为：F4-TCNQ。
17.根据权利要求1至14中任意一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机功能层还包括电子注入层，所述电子注入层设置于所述有机电致发光器件的阴极层与所述电子传输层/发光层之间。
18.根据权利要求17所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为n掺杂电子注入材料，所述n掺杂电子注入材料的掺杂剂材料为：Ce或Li。
19.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-18任意一项所述的有机电致发光器件。
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