CN103703524A - 电子部件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供具备具有高阻抗的共模扼流圈的电子部件及其制造方法。磁性体基板(12a)呈将连接主面(S1、S2)的棱线通过切口部(Ca~Cd)切除后的形状。层叠体(14)具有与切口部(Ca~Cd)重叠的角(C1~C4)。线圈(L1)包括与线圈部(20)的两端连接并且被引出至角(C1、C2)的引出部(21a、21b、22a~22c)。线圈(L2)与线圈(L1)一并构成共模扼流圈,包括与线圈部(25)的两端连接并且被引出至角(C3、C4)的引出部(26、27a~27d)。连接部(16a~16d)连接外部电极(15a~15d)与引出部(21b、22c、26、27d),并且设置在切口部(Ca~Cd)。
Description
技术领域
本发明涉及电子部件及其制造方法,更确切地说,涉及内置有共模扼流圈的电子部件及其制造方法。
背景技术
作为现有的电子部件,公知有例如专利文献1所记载的电子部件。图13是专利文献1所记载的电子部件500的外观立体图。
电子部件500是共模扼流圈,具备硅基板502、层叠体504、外部电极506(506a~506d)以及接触孔508(508a~508d)。层叠体504通过在硅基板502上层叠多层绝缘体层而构成。在层叠体504的上表面设置有外部电极506。另外,在层叠体504内设置有两个未图示的线圈导体。两个线圈导体的两端与外部电极506通过接触孔508电连接。
如以上那样构成的电子部件500具有很难得到具有足够的阻抗的共模扼流圈的问题。更详细而言,磁通很难从接触孔508内通过。因此,若将接触孔508设置在层叠体504内,则线圈层所产生的磁通很难通过接触孔508。其结果是,线圈层无法具有足够的电感值,由线圈层构成的共模扼流圈无法具有足够的阻抗。
专利文献1:日本特开2007-53254号公报
发明内容
因此,本发明的目的在于提供具备共模扼流圈的电子部件及其制造方法,该共模扼流圈具有高阻抗。
本发明的一个方式的电子部件的特征在于,具备:第一磁性体基板,其是具有相互对置的第一主面和第二主面的长方体形状的第一磁性体基板,上述第一磁性体基板呈连接该第一主面与该第二主面的第一棱线通过第一切口部被切除后的形状;层叠体,其由层叠在上述第一主面上的多层绝缘体层构成,从层叠方向俯视观察时,上述层叠体呈具有与上述第一切口部重叠的第一角的长方形;第一线圈,其设置在上述层叠体内,上述第一线圈包括第一线圈部、和与该第一线圈部的一端连接并且被引出至上述第一角的第一引出部;第二线圈,其设置在上述层叠体内,上述第二线圈与上述第一线圈一并构成共模扼流圈,上述第二线圈包括与上述第一线圈部磁场耦合的第二线圈部;第一外部电极,其设置在上述第二主面上;以及第一连接部,其连接上述第一外部电极与上述第一引出部,上述第一连接部设置在上述第一切口部。
上述电子部件的制造方法,其特征在于,具备:第一工序,在该工序中,准备母主体,上述母主体通过成为上述第一磁性体基板的第一母板和成为上述第二磁性体基板的第二母板夹着成为上述层叠体的母层叠体而被构成;第二工序,在该工序中,在上述第一母板的应形成上述第一切口部至上述第四切口部的位置形成贯通孔;第三工序,在该工序中,在上述贯通孔的内周面形成导体层从而形成上述第一连接部至上述第四连接部;第四工序,在该工序中,在上述第一母板的上述第二主面上形成导体层从而形成上述第一外部电极至上述第四外部电极;以及第五工序,在该工序中,切割上述母主体。
根据本发明,能够提高共模扼流圈的阻抗。
附图说明
图1是一实施方式的电子部件的外观立体图。
图2是图1的电子部件的分解立体图。
图3(a)是从z轴方向俯视观察线圈部以及绝缘体层的图。
图3(b)是图3(a)的X-X的剖面结构图。
图4是电子部件的制造时的工序剖视图。
图5是电子部件的制造时的工序剖视图。
图6是电子部件的制造时的工序剖视图。
图7是电子部件的制造时的工序剖视图。
图8是第一变形例的电子部件的连接部附近的剖面结构图。
图9是第二变形例的电子部件的连接部附近的剖面结构图。
图10是第三变形例的电子部件的连接部附近的剖面结构图。
图11是变形例的电子部件的制造方法的工序剖视图。
图12是变形例的电子部件的制造方法的工序剖视图。
图13是专利文献1所记载的电子部件的外观立体图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式的电子部件及其制造方法进行说明。
(电子部件的结构)
首先,参照附图对本发明的一实施方式的电子部件的结构进行说明。图1是一实施方式的电子部件10的外观立体图。图2是图1的电子部件10的分解立体图。图3(a)是从z轴方向俯视观察线圈部25以及绝缘体层18c的图。图3(b)是图3(a)的X-X的剖面结构图。以下,将电子部件10的层叠方向定义为z轴方向,将从z轴方向俯视观察时长边延伸的方向定义为x轴方向,将短边延伸的方向定义为y轴方向。另外,将从z轴方向的正方向侧俯视观察简称为从z轴方向俯视观察。
如图1以及图2所示,电子部件10具备磁性体基板12a、12b、层叠体14、外部电极15(15a~15d)、连接部16(16a~16d)以及线圈L1、L2。
磁性体基板12a呈具有相互对置的主面S1、S2的长方体形状。在磁性体基板12a中,主面S1位于比主面S2更靠近z轴方向的正方向侧。但是,磁性体基板12a呈连接主面S1、S2的四条棱线被切口部Ca~Cd切除后的形状。以下,对磁性体基板12a的形状详细地进行说明。
切口部Ca~Cd是指棱线附近被削去而形成的空间。切口部Ca是x轴方向的负方向侧且为y轴方向的正方向侧的棱线被削去而形成的空间。切口部Cb是x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的棱线被削去而形成的空间。切口部Cc是x轴方向的正方向侧且为y轴方向的正方向侧的棱线被削去而形成的空间。切口部Cd是x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的棱线被削去而形成的空间。
磁性体基板12a通过对烧结完毕的铁氧体陶瓷进行切除而制成。另外,磁性体基板12a也可以通过将由铁氧体预烧粉末和粘合剂构成的膏体涂覆在铝等的陶瓷基板而制成,也可以通过层叠并烧制铁氧体材料的生片而制成。
磁性体基板12a的沿z轴方向延伸的棱线附近被从主面S2向主面S1削成朝向z轴方向的正方向侧而变尖的吊钟状(圆顶状)。因此,从z轴方向俯视观察时,切口部Ca~Cd的面积随着从主面S2靠近主面S1(随着趋向z轴方向的正方向侧)而减小。而且,如图3(b)所示,形成有切口部Ca~Cd的面与主面S2成钝角θ。
层叠体14由层叠在主面S1上的多层绝缘体层18a~18c和有机系粘合剂层19构成,从z轴方向俯视观察时,呈具有分别与切口部Ca~Cd重叠的角C1~C4的长方形。绝缘体层18a~18c以从z轴方向的正方向侧依次排列的方式层叠,并具有与主面S1大致相同的尺寸。其中,位于绝缘体层18a的y轴方向的负方向侧的长边的两端的角被切口。并且,在绝缘体层18a设置有在z轴方向贯通的通孔H1、H2。绝缘体层18b的四个角被切口。并且,在绝缘体层18b设置有在z轴方向贯通的通孔H3。通孔H3与通孔H2相连。绝缘体层18c的四个角被切口。
绝缘体层18a~18c由聚酰亚胺制成。另外,绝缘体层18a~18c也可以由苯并环丁烯等绝缘性树脂制成,也可以由玻璃陶瓷等绝缘性无机材料制成。以下,将绝缘体层18a~18c的z轴方向的正方向侧的主面称为表面,将绝缘体层18a~18c的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。
磁性体基板12b呈长方体形状,与磁性体基板12a一并从z轴方向夹着层叠体14。即,磁性体基板12b与层叠体14的z轴方向的正方向侧重叠。磁性体基板12b通过切除烧结完毕的铁氧体陶瓷而制成。另外,磁性体基板12b也可以通过在铝等的陶瓷基板涂覆由铁氧体预烧粉末和粘合剂构成的膏体而制成,也可以通过层叠并烧制铁氧体材料的生片而制成。
磁性体基板12b与层叠体14也可以通过粘合剂而接合。在本实施方式中,磁性体基板12a、12b与层叠体14通过有机系粘合剂层19而粘合。
线圈L1设置在层叠体14内,包括线圈部20、引出部21a、21b(第一引出部)、以及引出部22a~22c(第二引出部)。线圈部20设置在绝缘体层18b的表面上,从z轴方向俯视观察时,呈随着绕顺时针卷绕而向中心靠近的螺旋状。从z轴方向俯视观察时,线圈部20的中心与电子部件10的中心(对角线交点)大体一致。
引出部21a设置在绝缘体层18b的表面上,与线圈部20的外侧的端部连接。另外,引出部21a被引出至绝缘体层18b的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的正方向侧的角被切口后的部分。引出部21a经由被切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18b。
引出部21b是设置在绝缘体层18c的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的正方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部21b与引出部21a相连。引出部21b经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18c。
如以上那样构成的引出部21a、21b与线圈部20的端部连接,并且被引出至层叠体14的z轴方向的负方向侧的主面的角C1。由此,从z轴方向的负方向侧俯视观察时,引出部21b在切口部Ca露出。
引出部22a设置在绝缘体层18a的表面上,通过经由通孔H1在z轴方向贯通绝缘体层18a,而与线圈部20的内侧的端部连接。另外,引出部22a被引出至绝缘体层18a的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分。引出部22a经由切口部分在z轴方向贯通绝缘体层18a。
引出部22b是设置在绝缘体层18b的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部22b与引出部22a相连。引出部22b经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18b。
引出部22c是设置在绝缘体层18c的x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部22c与引出部22b相连。引出部22c经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18c。
如以上那样构成的引出部22a~22c与线圈部20的端部连接,并且被引出至层叠体14的z轴方向的负方向侧的主面的角C2。由此,从z轴方向的负方向侧从俯视观察时,引出部22c在切口部Cb露出。
线圈部20以及引出部21a、21b、22a~22c通过利用溅射法将Ag成膜而制成。另外,线圈部20以及引出部21a、21b、22a~22c也可以由Cu、Au等导电性较高的材料制成。
线圈L2设置在层叠体14内,包括线圈部25、引出部26(第三引出部)、以及引出部27a~27d(第四引出部)。线圈部25设置在绝缘体层18c的表面上,从z轴方向俯视观察时,呈随着绕顺时针卷绕而向中心靠近的螺旋状。即,线圈部25与线圈部20向相同的方向卷绕。从z轴方向俯视观察时,线圈部25的中心与电子部件10的中心(对角线交点)大体一致。由此,从z轴方向俯视观察时,线圈部25与线圈部20重叠。并且,线圈部25设置在线圈部20的z轴方向的负方向侧(磁性体基板12a的附近)。由此,线圈L2与线圈L1一并构成共模扼流圈。
引出部26设置在绝缘体层18c的表面上,与线圈部25的外侧的端部连接。另外,引出部26被引出至绝缘体层18c的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的正方向侧的角被切口后的部分。引出部26经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18c。
如以上那样构成的引出部26与线圈部25的端部连接,并且,被引出至层叠体14的z轴方向的负方向侧的主面的角C3。由此,从z轴方向的负方向侧俯视观察时,引出部26在切口部Cc露出。
此外,引出部30是设置在绝缘体层18b的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的正方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部30与引出部26相连。
引出部27a设置在绝缘体层18b的表面上,是经由通孔H3在z轴方向贯通绝缘体层18b从而与线圈部25的内侧的端部连接的四方形状的导体。
引出部27b设置在绝缘体层18a的表面上,经由通孔H2在z轴方向贯通绝缘体层18a,由此与引出部27a连接。另外,引出部27b被引出至绝缘体层18a的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分。引出部27b经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18a。
引出部27c是设置在绝缘体层18b的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部27c与引出部27b相连。引出部27c经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18b。
引出部27d是设置在绝缘体层18c的x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的角被切口后的部分的四方形状的导体。由此,引出部27d与引出部27c相连。引出部27d经由切口后的部分在z轴方向贯通绝缘体层18c。
如以上那样构成的引出部27a~27d与线圈部25的端部连接,并且被引出至层叠体14的z轴方向的负方向侧的主面的角C4。由此,从z轴方向的负方向侧俯视观察时,引出部27d在切口部Cd露出。
线圈部25以及引出部26、27a~27d通过利用溅射法将Ag成膜而制成。另外,线圈部25以及引出部26、27a~27d也可以由Cu、Au等导电性较高的材料制成。
外部电极15设置在磁性体基板12a的主面S2上,呈长方形。更详细而言,外部电极15a在主面S2设置在x轴方向的负方向侧且为y轴方向的正方向侧的角附近。外部电极15b在主面S2设置在x轴方向的负方向侧且为y轴方向的负方向侧的角附近。外部电极15c在主面S2设置在x轴方向的正方向侧且为y轴方向的正方向侧的角附近。外部电极15d在主面S2设置在x轴方向的正方向侧且为y轴方向的负方向侧的角附近。外部电极15通过利用溅射法将Au膜、Ni膜、Cu膜、Ti膜重叠并成膜而制成。此外,外部电极15也可以通过对含有Ag、Cu等金属的膏体进行印刷以及烧结而制成,也可以通过利用蒸镀、镀敷方法将Ag、Cu等成膜而制成。
连接部16a~16d分别连接外部电极15a~15d与引出部21b、22c、26、27d,并且分别设置在切口部Ca~Cd。连接部16a~16d分别覆盖形成切口部Ca~Cd的面。连接部16a~16d通过利用镀敷法将以Cu为主要成分的导体膜成膜而制成。此外,连接部16a~16d也可以由Ag、Au等导电性较高的材料制成。
此处,参照附图对线圈部25、引出部21b、22c、26、27d以及连接部16a~16d的位置关系进行说明。
如图3(a)以及图3(b)所示,线圈部25与连接部16d之间的最短距离D1比线圈部25与引出部27d之间的最短距离D2长。另外,线圈部25与连接部16a之间的最短距离D1比线圈部25与引出部21b之间的最短距离D2长。线圈部25与连接部16b之间的最短距离D1比线圈部25与引出部22c之间的最短距离D2长。线圈部25与连接部16c之间的最短距离D1比线圈部25与引出部26之间的最短距离D2长。
并且,如图3(b)所示,从z轴方向俯视观察时,线圈部20、25(线圈部20未图示)与连接部16a~16d(连接部16a~16c未图示)不重叠。
以下,对如以上那样构成的电子部件10的动作进行说明。将外部电极15a、15c被作为输入端子而使用。将外部电极15b、15d被作为输出端子而使用。
外部电极15a、15c分别被输入由相位相差180度的第一信号和第二信号构成的差动传送信号。第一信号以及第二信号是差分模式,因此在通过线圈L1、L2时使线圈L1、L2产生相互反向的磁通。而且,在线圈L1产生的磁通与在线圈L2产生的磁通相互抵消。因此,在线圈L1、L2中,由于第一信号以及第二信号流过而产生的磁通几乎不变。即,线圈L1、L2不会产生妨碍第一信号以及第二信号流动的反电动势。由此,电子部件10对于第一信号以及第二信号只有非常小的阻抗。
另一方面,在第一信号以及第二信号中含有共模噪声的情况下,共模噪声在通过线圈L1、L2时使线圈L1、L2产生方向相同的磁通。因此,由于在线圈L1、L2中流过共模噪声,所以磁通增加。由此,线圈L1、L2产生妨碍共模噪声流动的反电动势。由此,电子部件10对于第一信号以及第二信号有较大的阻抗。
(电子部件的制造方法)
以下,参照附图对电子部件10的制造方法进行说明。图4~图7是电子部件10的制造时的工序剖视图。
首先,如以下所说明那样,准备由成为磁性体基板12a的母板112a(参照图4)和成为磁性体基板12b的母板112b(参照图4)夹着成为层叠体14的母层叠体114(参照图4)而成的母主体110。
具体而言,在母板112a的主面S1上的整个面涂敷作为感光性树脂的聚酰亚胺树脂。接下来,对与绝缘体层18c的四个角对应的位置进行遮光,进行曝光。由此,未被遮光的部分的聚酰亚胺树脂固化。然后,利用有机溶剂除去光致抗蚀剂,并且进行显影,而除去未固化的聚酰亚胺树脂并进行热固化。由此,形成绝缘体层18c。
接下来,通过溅射法在绝缘体层18c上形成Ag膜。接下来,在形成线圈部25以及引出部21b、22c、26、27d的部分上形成光致抗蚀剂。而且,通过蚀刻方法将形成线圈部25以及引出部21b、22c、26、27d的部分(即,被光致抗蚀剂覆盖的部分)以外的Ag膜除去。然后,利用有机溶剂除去光致抗蚀剂,由此形成线圈部25以及引出部21b、22c、26、27d。
通过反复进行与以上的工序相同的工序来形成绝缘体层18a、18b、线圈部20、引出部21a、21b、22a、22b、27a~27c、30。
接下来,利用有机系粘合剂层19将母板112b粘合在母层叠体114上。由此,得到图4(a)所示的母主体110。
接下来,如图4(b)所示,对母板112a的z轴方向的负方向侧的主面进行磨削或者研磨。
接下来,如图4(c)所示,进行母层叠体114内的线圈L1、L2的对位,在母板112a的z轴方向的负方向侧的主面上形成光致抗蚀剂M1。光致抗蚀剂M1在形成切口部Ca~Cd的区域具有开口。
接下来,如图5(a)所示,通过喷砂方法经由光致抗蚀剂M1在母板112a的应形成切口部Ca~Cd的位置形成贯通孔。此外,除了喷砂方法以外,也可以通过激光加工法形成贯通孔,也可以通过喷砂方法与激光加工法的组合来形成贯通孔。
接下来,如图5(b)所示,利用有机溶剂除去光致抗蚀剂M1。
接下来,如图5(c)所示,通过溅射方法对母主体110的z轴方向的负方向侧的主面的整个面形成Ti薄膜150以及Cu薄膜152。
接下来,如图6(a)所示,将Ti薄膜150以及Cu薄膜152用作供电膜,通过电镀法形成Cu镀敷膜154。
接下来,如图6(b)所示,通过湿式蚀刻、磨削、研磨、CMP等除去形成于贯通孔以外的部分的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及Cu镀敷膜154。由此,使母主体110的z轴方向的负方向侧的主面平坦化。通过图5(c)~图6(b)的工序而在贯通孔内形成导体层,由此形成连接部16a~16d。
接下来,如图6(c)所示,通过溅射方法在母主体110的z轴方向的负方向侧的主面的整个面形成从下层到上层依次层叠Ti膜、Cu膜、Ni膜以及Au而成的导体层156。在图5(c)~图6(c)的工序中,在贯通孔的内周面以及母板112a的z轴方向的负方向侧的主面形成Ti薄膜150、Cu薄膜152、Cu镀敷膜154以及导体膜156(导体层)。
接下来,如图6(d)所示,在母主体110的z轴方向的负方向侧的主面上形成光致抗蚀剂M2(掩模)。光致抗蚀剂M2覆盖形成外部电极15a~15d的部分。
接下来,如图7(a)所示,通过蚀刻方法除去被光致抗蚀剂M2覆盖的部分以外的导体层156。而且,如图7(b)所示,利用有机溶剂除去光致抗蚀剂M2。通过图6(c)~图7(b)的工序而在母板112a的z轴方向的负方向侧的主面上形成导体层,由此形成外部电极15a~15d。
接下来,如图7(c)所示,对母板112b的z轴方向的正方向侧的主面进行磨削或者研磨。
接下来,如图7(d)所示,利用切块机切割母主体110,从而得到多个电子部件10。在图7(d)的工序中,使切块机通过贯通孔内的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及Cu镀敷膜154。由此,Ti薄膜150、Cu薄膜152以及Cu镀敷膜154被分割成连接部16a~16d。然后,也可以对电子部件10进行滚筒研磨并实施倒角。另外,,在进行滚筒研磨后,也可以为了提高焊料湿润性而在外部电极15a~15d的表面以及连接部16a~16d的表面上实施Ni镀敷以及Sn镀敷。
(效果)
根据本实施方式的电子部件10及其制造方法,能够得到具有高阻抗的共模扼流圈。更详细而言,在专利文献1所记载的电子部件500中,磁通很难从接触孔508内通过。因此,若将接触孔508设置在层叠体504内,则线圈层所产生的磁通很难通过接触孔508。其结果是,线圈层无法具有足够的电感值,由线圈层构成的共模扼流圈无法具有足够的阻抗。
另一方面,在电子部件10中,磁性体基板12a呈连接主面S1、S2的四条棱线被切口部Ca~Cd切除后的形状。对外部电极15a~15d与引出部21b、22c、26、27d分别连接的连接部16a~16d设置在切口部Ca~Cd。由此,从z轴方向俯视观察时,连接部16a~16d设置在最远离磁性体基板12a的中心的位置。即,从z轴方向俯视观察时,连接部16a~16d设置在在磁性体基板12a中最远离线圈L1、L2的位置。其结果是,能抑制连接部16a~16d妨碍线圈L1、L2所产生的磁通。由此,在电子部件10及其制造方法中,能够得到具有高阻抗的共模扼流圈。
另外,在电子部件10中,从z轴方向俯视观察时,线圈部20、25与连接部16a~16d不重叠。由此,能抑制连接部16a~16d位于线圈L1、L2所产生的磁通的磁路上。其结果是,在电子部件10中,线圈L1、L2的电感值增大,由线圈L1、L2构成的共模扼流圈的阻抗增大。
另外,在电子部件10中,从z轴方向俯视观察时,线圈部20、25与连接部16a~16d不重叠。由此,能抑制在线圈部20、25与连接部16a~16d之间产生电容。其结果是,在电子部件10中,能够提高高频区域的噪声的除去性能。
另外,在电子部件10中,内置有线圈L1、L2的层叠体14被磁性体基板12a、12b夹着。由此,线圈L1、L2所产生的磁通通过磁性体基板12a、12b。其结果是,线圈L1、L2的电感值增大,由线圈L1、L2构成的共模扼流圈的阻抗增大。
另外,在电子部件10中,由于内置有线圈L1、L2的层叠体14被磁性体基板12a、12b夹着,因此线圈L1、L2的电感值增大。由此,即便线圈部20、25的卷数较少,线圈L1、L2也能够具有足够的电感值。其结果是,实现了线圈部20、25的小型化,实现了电子部件10的小型化。
另外,如图3(a)以及图3(b)所示,在电子部件10中,线圈部25与连接部16d之间的最短距离D1比线圈部25与引出部27d之间的最短距离D2长。另外,线圈部25与连接部16a之间的最短距离D1比线圈部25与引出部21b之间的最短距离D2长。线圈部25与连接部16b之间的最短距离D1比线圈部25与引出部22c之间的最短距离D2长。线圈部25与连接部16c之间的最短距离D1比线圈部25与引出部26之间的最短距离D2长。由此,抑制了连接部16a~16d位于线圈L2所产生的磁通的磁路上。其结果是,在电子部件10中,线圈L2的电感值增大,由线圈L1、L2构成的共模扼流圈的阻抗增大。
另外,在电子部件10中,从z轴方向俯视观察时,切口部Ca~Cd的面积随着从主面S2靠近主面S1(趋向z轴方向的正方向侧)而减小。因此,设置在切口部Ca~Cd的连接部16a~16d与引出部21b、22c、26、27d接触的部分的面积变小。由此,能够减小引出部21b、22c、26、27d的面积。其结果是,能够增大用于形成线圈部20、25的区域,能够增大线圈L1、L2的电感值而不会导致电子部件10大型化。
另外,如图3(b)所示,在电子部件10中,形成切口部Ca~Cd的面与主面S2成钝角θ。由此,形成切口部Ca~Cd的面呈远离线圈部25的形状。因此,抑制了切口部Ca~Cd(即,连接部16a~16d)位于线圈部25所产生的磁通的磁路上。其结果是,在电子部件10中,线圈L2的电感值增大,由线圈L1、L2构成的共模扼流圈的阻抗增大。
另外,形成切口部Ca~Cd的面与主面S2成钝角θ,从而缓和了形状的不连续性,由此,缓和了由于磁性体基板12a与外部电极15a~15d以及连接部16a~16d的安装所使用的焊料之间的热膨胀系数之差而产生的应力集中。
(第一变形例的电子部件)
以下,参照附图对第一变形例的电子部件10a进行说明,图8是第一变形例的电子部件10a的连接部16d附近的剖面结构图。
如图8所示,连接部16a~16d也可以呈圆锥台状。
(第二变形例的电子部件)
以下,参照附图对第二变形例的电子部件10b进行说明。图9是第二变形例的电子部件10b的连接部16d附近的剖面结构图。
如图9所示,连接部16a~16d也可以呈随着趋向z轴方向的负方向倾斜而变得缓和的锥状。
(第三变形例的电子部件)
以下,参照附图对第三变形例的电子部件10c进行说明。图10是第三变形例的电子部件10c的连接部16d附近的剖面结构图。
如图10所示,连接部16a~16d也可以呈圆柱状。
此外,能够通过变更在母板112a形成贯通孔时的条件来制造电子部件10a~10c。例如,在通过喷砂方法形成贯通孔的情况下,变更加工粉末的粒径、粒度、材料等条件即可。另外,在通过激光加工法形成贯通孔的情况下,变更激光束的强度、光束直径即可。
(电子部件的制造方法的变形例)
接下来,参照附图对电子部件10的制造方法的变形例进行说明。图11以及图12是电子部件10的制造方法的变形例的工序剖视图。
在图5(c)之前的工序与上述实施方式的电子部件10的制造方法相同,故省略说明。在图5(c)的工序中,在贯通孔的内周面以及母板112a的z轴方向的负方向侧的主面上形成Ti薄膜150以及Cu薄膜152(第一导体层)。
接下来,如图11(a)所示,在母主体110的z轴方向的负方向侧的主面上形成光致抗蚀剂M4(掩模)。光致抗蚀剂M4在形成外部电极15a~15d的部分具有开口。
接下来,如图11(b)所示,将Ti薄膜150以及Cu薄膜152用作供电膜,通过电镀法形成Cu镀敷膜154。也可以在Cu镀敷膜154上形成Ni镀敷以及Sn镀敷或者Au镀敷作为外部电极15a~15d的表面氧化保护膜。在图11(b)的工序中,在被光致抗蚀剂M4覆盖的部分以外的Ti薄膜150以及Cu薄膜152(第一导体层)上形成Cu镀敷膜154(第二导体层)。
接下来,如图11(c)所示,利用有机溶剂除去光致抗蚀剂M4。此时,由于在设置有光致抗蚀剂M4的部分未设置有Cu镀敷膜154,因此设置有光致抗蚀剂M4的部分凹陷。
接下来,如图11(d)所示,通过蚀刻方法除去Cu镀敷膜154、Ti薄膜150以及Cu薄膜152。然而,如图11(d)所示,不将Cu镀敷膜154、Ti薄膜150以及Cu薄膜152全部除去。具体而言,在母板112a露出前对未设置外部电极15a~15d的部分(即,设置有光致抗蚀剂M4的部分)进行蚀刻。即,进行Ti薄膜150以及Cu薄膜152的厚度的蚀刻。但是,如图11(c)所示,在未设置有光致抗蚀剂M4的区域设置有Cu镀敷膜154,因此即便进行了Ti薄膜150以及Cu薄膜152的厚度的蚀刻,Cu镀敷膜154也会残留。通过图5(c)~图11(d)的工序在母板112a的z轴方向的负方向侧的主面上形成导体层,由此同时形成外部电极15a~15d以及连接部16a~16d。
接下来,如图12(a)所示,对母板112b的z轴方向的正方向侧的主面进行磨削或者研磨。
接下来,如图12(b)所示,利用切块机切割母主体110,从而得到多个电子部件10。在图12(b)的工序中,使切块机通过贯通孔内的Ti薄膜150、Cu薄膜152以及Cu镀敷膜154。由此,Ti薄膜150、Cu薄膜152以及Cu镀敷膜154被分割成连接部16a~16d。然后,也可以对电子部件10进行滚筒研磨并实施倒角。另外,在图11(b)的工序中未形成Ni镀敷以及Sn镀敷或者Au镀敷作为表面氧化保护膜的情况下,在外部电极15a~15d与连接部16a~16d的表面上进行滚筒研磨后,也可以为了进行表面氧化保护并提高焊料湿润性而实施Ni镀敷以及Sn镀敷或者Au镀敷。
根据电子部件10的制造方法的变形例,能同时形成外部电极15a~15d和连接部16a~16d。因此,能够提高外部电极15a~15d与连接部16a~16d的密合性,因此能够提高外部电极15a~15d与连接部16a~16d的连接可靠性,并且能够简化制造工序。
(其他实施方式)
本发明的电子部件及其制造方法不局限于上述电子部件10、10a~10c,能够在其主旨的范围内进行变更。
此外,在电子部件10、10a~10c中,设置有连接部16a~16d中的至少一个即可。
产业上的可利用性
如上所述,本发明对电子部件及其制造方法有效,特别是在能够提高共模扼流圈的阻抗方面表现优异。
附图标记说明:
C1~C4...角;Ca~Cd...切口部;H1~H3...通孔;L1、L2...线圈;M1、M2、M4...光致抗蚀剂;S1、S2...主面;10、10a~10c...电子部件;12a、12b...磁性体基板;14...层叠体;15a~15d...外部电极;16a~16d...连接部;18a~18c...绝缘体层;19...有机系粘合剂层;20、25...线圈部;21a、21b、22a~22c、26、27a~27d、30...引出部;110...母主体;112a、112b...母板;114...母层叠体;150...Ti薄膜;152...Cu薄膜;154...Cu镀敷膜;156...导体层。
Claims (12)
1.一种电子部件,其特征在于,具备:
第一磁性体基板,其是具有相互对置的第一主面和第二主面的长方体形状的第一磁性体基板,所述第一磁性体基板呈连接该第一主面与该第二主面的第一棱线通过第一切口部被切除后的形状;
层叠体,其由层叠在所述第一主面上的多层绝缘体层构成,从层叠方向俯视观察时,所述层叠体呈具有与所述第一切口部重叠的第一角的长方形;
第一线圈,其设置在所述层叠体内,所述第一线圈包括第一线圈部、和与该第一线圈部的一端连接并且被引出至所述第一角的第一引出部;
第二线圈,其设置在所述层叠体内,所述第二线圈与所述第一线圈一并构成共模扼流圈,所述第二线圈包括与所述第一线圈部磁场耦合的第二线圈部;
第一外部电极,其设置在所述第二主面上;以及
第一连接部,其连接所述第一外部电极与所述第一引出部,所述第一连接部设置在所述第一切口部。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其特征在于,
所述第一磁性体基板呈连接所述第一主面与所述第二主面的第二棱线至第四棱线通过第二切口部至第四切口部被切除后的形状,
从层叠方向俯视观察时,所述层叠体具有分别与所述第二切口部至所述第四切口部重叠的第二角至第四角,
所述第一线圈还包括第二引出部,所述第二引出部与所述第一线圈部的另一端连接并被引出至所述第二角,
所述第二线圈还包括第三引出部和第四引出部,所述第三引出部和所述第四引出部与所述第二线圈部的两端分别连接并被引出至所述第三角和所述第四角,
所述电子部件还具备:
第二外部电极至第四外部电极,它们设置在所述第二主面上;和
第二连接部至第四连接部,它们对所述第二外部电极至所述第四外部电极与所述第二引出部至所述第四引出部分别连接,所述第二连接部至所述第四连接部设置在所述第二切口部至所述第四切口部。
3.根据权利要求2所述的电子部件,其特征在于,
还具备第二磁性体基板,所述第二磁性体基板从层叠方向与所述第一磁性体基板一并夹着所述层叠体。
4.根据权利要求2或3所述的电子部件,其特征在于,
从层叠方向俯视观察所述第一切口部至所述第四切口部时的面积随着从所述第二主面靠近所述第一主面而减小。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的电子部件,其特征在于,
形成所述第一切口部至所述第四切口部的面与所述第二主面成钝角。
6.根据权利要求2~5中任一项所述的电子部件,其特征在于,
所述第二线圈部被设置在比所述第一线圈部在层叠方向上更靠近所述第一磁性体基板,
从层叠方向俯视观察时,所述第一线圈部与所述第二线圈部重叠。
7.根据权利要求6所述的电子部件,其特征在于,
所述第一线圈部和所述第二线圈部呈螺旋状。
8.根据权利要求6或7所述的电子部件,其特征在于,
所述第二线圈部与所述第一连接部至所述第四连接部之间的距离分别比该第二线圈部与所述第一引出部至所述第四引出部之间的距离长。
9.一种电子部件的制造方法,是权利要求3所述的电子部件的制造方法,所述电子部件的制造方法的特征在于,具备:
第一工序,在该工序中,准备母主体,所述母主体通过成为所述第一磁性体基板的第一母板和成为所述第二磁性体基板的第二母板夹着成为所述层叠体的母层叠体而被构成;
第二工序,在该工序中,在所述第一母板的应形成所述第一切口部至所述第四切口部的位置形成贯通孔;
第三工序,在该工序中,在所述贯通孔的内周面形成导体层从而形成所述第一连接部至所述第四连接部;
第四工序,在该工序中,在所述第一母板的所述第二主面上形成导体层从而形成所述第一外部电极至所述第四外部电极;以及
第五工序,在该工序中,切割所述母主体。
10.根据权利要求9所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
同时进行所述第三工序和所述第四工序。
11.根据权利要求10所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
所述第三工序和所述第四工序包括:
第五工序,在该工序中,在所述贯通孔的内周面以及所述第一母板的所述第二主面上形成导体层;
第六工序,在该工序中,形成覆盖所述导体层的应形成所述第一外部电极至所述第四外部电极的部分的掩模;以及
第七工序,在该工序中,除去被所述掩模覆盖部分以外的所述导体层。
12.根据权利要求10所述的电子部件的制造方法,其特征在于,
所述第三工序以及所述第四工序包括:
第八工序,在该工序中,在所述贯通孔的内周面以及所述第一母板的所述第二主面上形成第一导体层;
第九工序,在该工序中,形成覆盖所述第一导体层的应形成所述第一外部电极至所述第四外部电极的部分以外的掩模;
第十工序,在该工序中,在被所述掩模覆盖的部分以外的所述第一导体层上形成第二导体层;
第十一工序,在该工序中,除去所述掩模;以及
第十二工序,在该工序中,对所述第二导体层的整个面实施蚀刻,从而使所述第二主面在未设置所述第一外部电极至所述第四外部电极的部分露出。
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