CN103682113A - 具有改进辅助发光层结构的有机发光显示装置及制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 60
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 43
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 43
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 294
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- -1 polyphenylene ethylene Polymers 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000679365 Homo sapiens Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Proteins 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100022578 Putative tyrosine-protein phosphatase TPTE Human genes 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- NRYGNLJQFASBEF-UHFFFAOYSA-N thiophene-2,3-diol Chemical compound OC=1C=CSC=1O NRYGNLJQFASBEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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Abstract
有机发光显示装置,包括:衬底;第一电极,位于所述衬底上;辅助发光层,位于所述第一电极上并具有图案,所述图案包括彼此间隔的多个子图案;发光层,位于所述辅助发光层上;以及第二电极,位于所述发光层上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年9月10日提交给韩国知识产权局的第10-2012-0099693号韩国专利申请的优先权和权益,该专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光显示装置是具有通过发光以显示图像的有机发光二极管的自发光显示装置。由于有机发光显示不需要单独的光源(不同于液晶显示器),故能够相对减小其厚度和重量并且具有功耗低、照明度高、和响应速度快的优点。
通常,有机发光显示装置可包括空穴注入电极、发光层、以及电子注入电极。在有机发光显示装置中,由空穴注入电极提供的空穴和由电子注入电极提供的电子在发光层中彼此耦合以形成激子,并且在激子降至基态时生成的能量生成光。
在有机发光显示装置中,形成发光层的方法可包括沉积方法、印刷方法等。在这些方法之中,作为在大尺寸有机发光显示装置的制造过程中形成发光层的方法,印刷方法是有用的。然而,在使用印刷方法的情况下,发光层的表面会不被形成为平坦的,而是会被形成为凸起圆盖形或凹透镜形。例如,发光层可以在有机发光显示装置中一个像素接一个像素地单独形成,并且由于用于在不同像素中配置(或划分)发光层的像素限定层与用于形成如上所述的发光层的材料之间的表面张力不同,发光层会被形成为圆盖形或凹透镜形。
如此,在发光层被形成为凸起圆盖形或凹透镜形的情况下,在像素内的不同位置处的电流密度会不同,因此存在元件在长时间驱动期间的稳定性问题。因此,当制造有机发光显示装置时,应平坦地形成发光层,具体地,当通过印刷方法形成有机发光显示装置的发光层时,应当使用平坦地形成发光层的表面的技术。
发明内容
本发明的实施方式的方面提供了一种有机发光显示装置,其能够改善设置在发光层下方的辅助发光层的结构以平坦地形成有机发光显示装置的发光层的表面。
本发明的实施方式的方面还提供了一种有机发光显示装置,其发光层的表面被平坦地形成。
本发明的实施方式的方面还提供了有机发光显示装置的制造方法,使得发光层的表面被平坦地形成。
本发明的实施方式的方面还提供了有机发光显示装置的制造方法,使得当通过印刷方法形成有机发光显示装置的发光层时发光层的表面被平坦地形成。
本发明的一个示例性实施方式提供了一种有机发光显示装置,包括:衬底;第一电极,位于所述衬底上;辅助发光层,位于所述第一电极上并具有图案,所述图案包括彼此间隔的多个子图案;发光层,位于所述辅助发光层上;以及第二电极,位于所述发光层上。
像素限定层可位于所述第一电极的侧边缘处,从而为像素单元配置所述第一电极并限定像素区,并且所述子图案中的对应子图案位于与所述辅助发光层的像素区相对应的位置处。
具有包括彼此间隔的多个子图案的图案的所述辅助发光层可以是空穴传输层。
空穴注入层可位于所述空穴传输层与所述第一电极之间。
具有包括彼此间隔的多个子图案的图案的所述辅助发光层可以是空穴注入层。
空穴传输层可位于所述空穴注入层上。
所述空穴传输层可具有与所述空穴注入层上的图案相同的图案。
所述多个子图案中的每个子图案可包括缝、圆柱、棱柱、十字柱、圆锥体、角锥体、凸透镜、或凹透镜。
所述图案的高度可在5nm至100nm的范围内。
所述子图案之间的距离可在3μm至30μm的范围内。
所述多个子图案中的每个子图案的底部的宽度可在3μm至30μm的范围内。
所述图案可包括沿一个方向彼此平行的多个缝,所述缝的高度为5nm至100nm,所述缝之间的距离为3μm至30μm,并且所述缝中的每一个的宽度为3μm至30μm。
根据本发明的另一实施方式,有机发光显示装置的制造方法包括:在衬底上形成第一电极;在所述第一电极上形成辅助发光层,所述辅助发光层具有图案,所述图案包括彼此间隔的多个子图案;在所述辅助发光层上形成发光层;以及在所述发光层上形成第二电极。
该方法还可包括:形成像素限定层,从而为像素单元配置所述第一电极,以限定像素区,所述像素限定层在所述第一电极形成之后形成于所述第一电极的侧边缘处,其中,在形成所述辅助发光层的过程中,所述图案形成于对应于所述像素区的部分处。
形成所述辅助发光层的步骤可包括:在所述第一电极上施加用于形成所述辅助发光层的材料;以及对用于形成所述辅助发光层的材料进行构图。
用于形成所述辅助发光层的材料可以是可光聚合的材料。
用于形成所述辅助发光层的材料可包括:用于空穴注入的材料和用于空穴传输的材料中的至少一种、光敏剂、以及光引发剂。
所述光敏剂可包括透明光敏树脂。
对用于形成所述辅助发光层的材料进行构图的步骤可包括:在用于形成所述第一电极上的所述辅助发光层的材料之上沉积图案掩模;通过所述图案掩模照射光;以及使光照过的用于形成所述辅助发光层的材料显影。
在形成所述辅助发光层的过程中,可形成具有图案的空穴注入层。
该方法还可包括:在所述空穴注入层上形成空穴传输层。
在形成所述辅助发光层的过程中,可形成具有图案的空穴传输层。
该方法还可包括:在形成所述空穴传输层之前,在所述第一电极上形成空穴注入层。
在形成所述发光层的过程中,印刷可用于形成所述发光层的材料。
所述印刷可以是喷墨印刷和凹版印刷中的任一种。
在根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,通过在辅助发光层上形成图案,可以平坦地形成设置在辅助发光层上的发光层。根据本发明的实施方式,由于辅助发光层与发光层之间的接触区通过在辅助发光层上形成图案而增加,故空穴可平稳地注入和传输至发光层内。
前面的发明内容仅用于说明而不打算以任何方式进行限制。通过参考附图和下面的详细描述,除了上述示意性方面、实施方式、特征之外的其它方面、实施方式、和特征将变得显而易见。
附图说明
图1是示出相关技术中的有机发光显示装置的示意图,其中发光层被形成为凸起圆盖形。
图2是根据本发明的实施方式的示意性地示出具有平坦发光层的有机发光显示装置的剖视图。
图3是根据本发明的实施方式的示意性地示出有机发光显示装置的结构的剖视图。
图4是根据本发明的另一个实施方式的示意性地示出有机发光显示装置的结构的剖视图。
图5是单独示出具有缝形图案的辅助发光层的结构的立体图。
图6是根据本发明的实施方式的示意性地示出有机发光显示装置的结构的剖视图。
图7A至7H是根据本发明的示例性实施方式的示意性地示出有机发光显示装置的制造过程的图示。
具体实施方式
在下文中,将参照图中所示的实施方式详细描述本发明的方面。本发明的范围不限于图或下面所描述的实施方式。附图仅选择和示出在各种实施方式中适于描述本发明的实施例。
各部件及其性质在附图中示意性地绘出或夸张地绘出以便于理解,并且将用于真实产品的某些部件可能未被示出并从图中省略。因此,附图可被分析以帮助理解本发明。同时,相同的参考标号指代在附图中扮演相同角色的相似部件。
此外,应理解,当层或元件被描述为位于另一个层或元件“之上”,其可以直接设置在另一个层或元件之上,或者也可以存在中间的层或元件。
根据一个实施方式,如图1所示,有机发光显示装置包括衬底10、形成于衬底上的第一电极20、形成于第一电极上的发光层40、以及形成于发光层40上的第二电极50。此外,辅助发光层30可设置在第一电极20与发光层40之间,并且空穴注入层和空穴传输层可包含在辅助发光层中。此外,可由像素限定层60为像素单元配置(或划分)第一电极20,并且可限定像素区。
在根据本发明的实施方式的有机发光显示装置中,用于形成发光层40的代表性方法包括沉积方法和印刷方法。例如,为了形成大尺寸有机发光显示装置的发光层,最近已经尝试了印刷方法。然而,在使用印刷方法的情况下,如图1所示,发光层40在某些情况下会被形成为圆盖形。其中一个原因可能是用于为像素单元配置(或划分)发光层40并用于限定像素区的像素限定层60与用于形成发光层的材料之间的表面张力的不同。也就是说,由于像素限定层60与用于形成发光层的材料之间的表面张力的不同,所以用于形成发光层的材料分布为圆盖形,而形成发光层,因此,发光层40形成为圆盖形。如图1所示,在发光层40的表面不平坦且为凸起或凹陷的情况下,存在发光特性的问题并且存在如下问题:像素的电流密度在像素内的不同位置处是不同的。
在本发明的实施方式中,如图2所示,图案310形成于辅助发光层300上,辅助发光层300设置在发光层400与第一电极20之间。用于形成发光层的材料通过该图案均匀地(或基本均匀地)散布,因此,发光层的表面具有平坦表面。如图2所示,在图案形成于设置在发光层400下方的辅助发光层300上的情况下,用于形成发光层的材料可均匀地(或基本均匀地)通过毛细现象分散。此外,通过在辅助发光层上形成图案来增大辅助发光层与发光层之间的接触区,因此空穴可以平稳地注入和传输至发光层内。
例如,如图2所示,根据本发明的实施方式的有机发光显示装置包括衬底100、形成于衬底100上的第一电极200、形成于第一电极200上的辅助发光层300、形成于辅助发光层300上的发光层400、以及形成于发光层400上的第二电极500。包括彼此间隔的多个子图案的图案310形成于辅助发光层300上。
如图2所示,像素限定层600设置在第一电极200的侧边缘处,从而将第一电极配置(或划分)在像素单元内,并限定像素区。形成于辅助发光层300上的图案310形成于该辅助发光层的区域之中与像素区对应的部分处。如此,通过在像素区中形成图案310,用于形成发光层的材料可在像素区中均匀地(或基本均匀地)分散,从而可平坦地形成发光层400。
在另一个实施方式中,多个子图案可形成于除了像素区之外的区域中,也可以形成于像素区中。
辅助发光层300可以是空穴注入层也可以是空穴传输层。此外,辅助发光层300可以是空穴注入层和空穴传输层的层压物。
在图3中,示出了辅助发光层300被形成为空穴注入层311和空穴传输层312的层压物的情况。在图4中,示出了辅助发光层300被形成为空穴注入层321和空穴传输层322的层压物的情况。
例如,在图3中,具有彼此间隔的多个子图案的辅助发光层300被示例为空穴传输层312。也就是说,在图3所示的有机发光显示装置中,多个子图案形成于空穴传输层312上。此外,空穴注入层311可设置在空穴传输层312与第一电极200之间。这里,空穴传输层312和空穴注入层311形成辅助发光层300。
在另一个实施方式中,仅图3的空穴传输层312可形成辅助发光层而没有空穴注入层311。
在图4中,辅助发光层被示例为空穴注入层321,其中该辅助发光层具有包含彼此间隔的多个子图案的图案。也就是说,在图4所示的有机发光显示装置中,多个子图案形成于空穴注入层321上。此外,空穴传输层322可设置在空穴注入层321上。在这种实施方式中,空穴传输层322具有与形成于空穴注入层321上的图案基本相同的图案(见图4)。这里,空穴注入层321和空穴传输层322形成辅助发光层300。
在另一个实施方式中,仅图4的空穴注入层321可形成辅助发光层而不需要空穴传输层322。
图案310的子图案的形状不做具体限定。任何形状都可应用于图案310而没有限制,只要不均匀性可应用于辅助发光层300的表面。
图案310的子图案的形状的实施例包括缝、圆柱、棱柱、十形柱、圆锥体、角锥体、凸透镜、凹透镜等。也就是说,图案310可具有缝、圆柱、棱柱、十字形柱、圆锥体、角锥体、凸透镜、凹透镜中的任何一个形状。
根据一个实施方式,图案310的高度可位于5nm到100nm的范围内,图案310的子图案之间的距离可以位于3μm到30μm的范围内,并且图案的各子图案的底部的宽度可位于3μm到30μm的范围内。
图案的高度、图案的子图案之间的距离以及图案的各子图案的宽度可多方面地取决于由发光层形成的像素的尺寸。随着像素的尺寸增加,图案的各子图案的高度、距离、以及宽度可以增加,并且随着像素的尺寸减小,图案的高度、图案的子图案之间的距离以及图案的各子图案的宽度可以减小。像素的尺寸可取决于有机发光显示装置的尺寸和用途。
根据本发明的实施方式,图案310可包括被形成为沿一个方向彼此平行的多个缝。
在下文中,将描述一个示例,其中图案310具有被形成为沿一个方向彼此平行的多个缝。在这种情况下,缝可具有与图3所示的图案310基本相同的剖面。在图5中,单独示出了具有包括缝的图案310的辅助发光层300。在这种情况下,每个缝的高度可以是5nm到100nm,缝之间的距离可以是3μm到30μm,每个缝的宽度可以是3μm到30μm。
缝的高度、缝之间的距离、每个缝的宽度、以及缝的数量可多方面地取决于像素的尺寸。像素的尺寸可取决于有机发光显示装置的尺寸和用途。
图6更加详细地示出根据本发明的另一个实施方式的有机发光显示装置。图6所示的有机发光显示装置包括衬底100、形成于衬底100上的第一电极200、形成于第一电极200上的辅助发光层300、形成于辅助发光层300上的发光层400、形成于发光层400上的电子层700、以及形成于电子层700上的第二电极500。
在图6所示的实施方式中,示例出了顶部发光型有机发光显示装置,其中从发光层400生成的光沿与衬底100相对的第二电极500的方向进行显示。在下文中,将顶部发光型有机发光显示装置作为示例进行描述,如图6所示。
首先,衬底100可由通常用于有机发光显示装置中的任何玻璃或聚合物塑料制成。衬底100可以是透明或不透明的。可以根据本领域技术人员的需要选择和使用衬底100。
第一电极200设置在衬底100上,并且在将第一电极200设置在衬底100上之前,可以在衬底100上形成多个薄膜晶体管120。各薄膜晶体管120包括形成于衬底100上的栅电极121、漏电极122、源电极123、以及半导体层124。此外,栅极绝缘层113和层间绝缘层115还可设置在各薄膜晶体管120中。各薄膜晶体管120的结构不限于图6所示的形式并且可被配置为其它形式。由硅氧化物、硅氮化物等制成的缓冲层111可进一步包含在薄膜晶体管120与衬底100之间。
第一电极200、辅助发光层300、发光层400、电子层700、以及第二电极500顺序地形成于薄膜晶体管120上。第一电极200、辅助发光层300、发光层400、电子层700、以及第二电极500可统称为“有机发光二极管单元”。
在图6所示的实施方式中,第一电极200对应于作为电连接至薄膜晶体管120的像素电极的阳极,第二电极500对应于作为公共电极的阴极。
第一电极200与位于其下的相应薄膜晶体管120电连接。在一个实施方式中,当提供覆盖薄膜晶体管120的平坦化层117时,第一电极200设置在平坦化层117上。在这种实施方式中,第一电极200通过设置在平坦化层117中的接触孔与薄膜晶体管120电连接。
第一电极200可被设置为透明电极或反射电极。在第一电极200被设置为透明电极的情况下,衬底100可由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成,并且在第一电极200被设置为反射电极的情况下,衬底100可包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物制成的反射层以及位于该反射层之上的、由ITO、IZO、ZnO或In2O3制成的层。在第一电极200是阳极的情况下,例如,ITO可用作第一电极200的材料。
在图6的实施方式中,第一电极200充当阳极,第二电极500充当阴极,但第一电极200和第二电极500的极性可以颠倒。
像素限定层(PDL)600设置在多个第一电极200之间。像素限定层600可由具有绝缘性质的材料制成,并且可为像素单元配置(或划分)第一电极200并可限定像素区。例如,像素限定层600可设置在第一电极200的侧边缘处,以为像素单元配置(或划分)第一电极并限定像素区。PDL600覆盖第一电极200的边缘。
根据实施方式,辅助发光层300形成于第一电极200上。在一个实施方式中,辅助发光层300可形成在整个第一电极200和像素限定层600上。辅助发光层300可以是空穴注入层或空穴传输层。空穴注入层和空穴传输层的层压物可形成辅助发光层300。上面描述了根据实施方式的辅助发光层300。
发光层400设置在辅助发光层300上。发光层400可形成于像素区中,像素区是由像素限定层600配置(或划分)的第一电极200上的开口。
电子层700形成于发光层400上。电子层700可以是电子注入层或可以是电子传输层。电子注入层和电子传输层的层压物可形成电子层700。
辅助发光层300、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层统称为有机层。有机层可由低分子有机材料或高分子有机材料制成。
低分子有机材料可应用于空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层中的全部。低分子有机材料可被层压为单一结构或复合结构,并且可用的有机材料可包括酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。低分子有机材料可通过诸如使用掩模的真空沉积的方法形成,并且可通过诸如喷墨印刷或凹版印刷的印刷方法形成。
高分子有机材料可应用于,例如,空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)等。例如,空穴传输层可由聚-(3,4)-乙烯二羟基噻吩(PEDOT)制成,并且发光层可由基于聚亚苯基乙烯(PPV)和基于聚芴的高分子有机材料制成。
第二电极500形成于电子层700上。第二电极500可由本领域常用材料制成。第二电极500还可被设置为透明电极或反射电极。在第二电极500被设置为透明电极时,第二电极500可包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物制成的层以及位于该层之上的、由用于形成透明电极的材料(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3)制成的层。在第二电极500被设置为反射电极时,第二电极500可通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物来提供。在图6所示的顶部发光型有机发光显示装置中,第二电极500被制造为透明电极。例如,第二电极500可使用LiF/Al形成。
密封材料或封装层可进一步形成在第二电极500上。
本发明的另一个实施方式提供制造有机发光显示装置的方法。例如,该制造方法可包括在衬底上形成第一电极、在第一电极上形成具有图案的辅助发光层(该图案包括彼此间隔的多个子图案)、在辅助发光层上形成发光层、以及在发光层上形成第二电极。
图7A至7F顺序地示出根据本发明的实施方式的有机发光显示装置的制造过程。
在实施方式中,为了制造有机发光显示装置,首先,在衬底100上形成第一电极200(见图7A)。
在多个第一电极200之间形成像素限定层600(见图7B)。也就是说,在形成第一电极之后,在第一电极的侧边缘处形成为像素单元配置(或划分)第一电极(例如,一个像素接一个像素地)并限定像素区的像素限定层600。由像素限定层600形成的开口成为(或限定)像素区,并且在随后的形成辅助发光层的过程中,在对应于像素区的部分处形成设置在辅助发光层中的图案。
像素限定层600由具有绝缘性质的材料制成,并且像素限定层600为像素单元配置(或划分)第一电极200并限定像素区。在第一电极的侧边缘处形成像素限定层600,以限定发光层400的区域以及形成设置在辅助发光层300上的图案的区域。
接下来,在整个第一电极200和像素限定层600上施加用于形成辅助发光层300的材料301(见图7C)。接下来,在图案掩模800被设置在用于形成辅助发光层的材料301之上后,光L相对于用于形成辅助发光层300的材料301选择性地照射(见图7D),辅助发光层300具有通过显影形成的图案310(见图7E)。
也就是说,根据实施方式,辅助发光层300的形成包括在第一电极200上施加用于形成辅助发光层的材料301(见图7C)并对用于形成辅助发光层的材料301进行构图(见图7D)。
可光聚合的材料可用作用于形成辅助发光层的材料301。用于形成具有可光聚合性质的辅助发光层的材料的示例包括含有用于空穴注入的材料和用于空穴传输的材料中的至少一种、光敏剂、以及光引发剂的材料。
用于空穴注入的材料可使用本领域中用于形成空穴注入层的任何材料。用于空穴注入的材料可包括,例如,CuPc、MTDATA、TDAPB、1-NaphDATA、TPTE等。
用于空穴传输的材料也可使用本领域中用于形成空穴传输层的任何材料。用于空穴传输的材料可包括,例如,TPD、NPB、Spiro-TPD、DNIC等。
光敏剂的示例包括透明光敏树脂。在一个实施方式中,透明光敏树脂是通过光照射而聚合的树脂。
光敏剂可包括,例如,甲基丙烯酸、丙烯酸、丁烯酸、顺丁烯二酸、甲基丙烯酸酯、苯甲基丙烯酸酯、2-羟乙基丙烯酸酯、乙烯基吡咯烷酮、苯乙烯等。
光引发剂可使用本领域常用作光引发剂的任何材料。例如,乙酰苯、酰基磷化氢(acylphosphine)、三嗪等可用作光引发剂。
根据实施方式,用于形成辅助发光层的材料301的构图(见图7D)包括:在材料301(材料301用于形成设置在第一电极上的辅助发光层300)之上沉积图案掩模800;通过图案掩模照射光L;并对用于形成辅助发光层的材料进行显影。
在实施方式中,在图案掩模800中构图并分割透射光的光透射部和不透射光的非透射部。当用于形成辅助发光层的材料301通过照射光L而光聚合时,由于到达用于形成辅助发光层的材料301的各部分的光的照射量因图案掩模800而变化,故各部分的光聚合存在差异。因此,在显影过程中,出现显影程度的差异,以形成具有缝的图案310。显影方法可使用本领域常用的显影方法。可在显影之后进行蚀刻。蚀刻可使用湿法蚀刻或干法蚀刻方法。蚀刻还可使用本领域常用的蚀刻方法。
根据实施方式,在辅助发光层300的形成中,可形成具有图案310的空穴注入层。在这种实施方式中,空穴注入层形成辅助发光层300。空穴注入层可单独形成辅助发光层300。辅助发光层300的形成还可包括在空穴注入层上形成空穴传输层。空穴注入层和空穴传输层的层压物可形成辅助发光层300(见图4)。
根据实施方式,在辅助发光层300的形成中,可形成具有图案310的空穴传输层。在这种实施方式中,空穴传输层形成辅助发光层300。空穴传输层可单独形成辅助发光层300。辅助发光层300的形成还可包括在形成空穴传输层之前在第一电极上形成空穴注入层。空穴注入层和空穴传输层的层压物可形成辅助发光层300(见图3)。
发光层400可形成于具有图案310的辅助发光层300上(见图7F)。在这种情况下,发光层400形成于第一电极200上的开口中,第一电极200由像素限定层600为像素电极配置(划分)。
在发光层400的形成过程中,可使用印刷方法。也就是说,用于形成发光层的材料可被印刷,以形成发光层。印刷可使用喷墨印刷和凹版印刷中的任何一种。
最近,随着对大尺寸有机发光显示装置的需求增加,已经尝试了用于形成发光层400的印刷方法。然而,在使用印刷方法的情况下,由于在某些情况下用于形成发光层的材料与像素限定层600之间的表面张力的不同,所以发光层400会被形成为圆盖形。然而,在本发明的实施方式中,用于形成发光层的材料被形成于辅助发光层300(辅助发光层300设置在发光层400与第一电极200之间)上的图案均匀地(或基本均匀地)散布。因此,发光层400的表面可以是平坦的(或可以更加平坦)。
可在发光层400上以及辅助发光层300未设置发光层400的部分处形成电子层700(见图7G)。电子层700可以是电子注入层或电子传输层。电子注入层和电子传输层的层压物可形成电子层700。在图7G中,举例示出了电子注入层形成电子层700。在某些情况下,可以不形成电子层700。
如此,在根据本发明的实施方式的形成电子层700的过程中,第二电极500形成于电子层700上(见图7H)。因此,可制造如图7H所示的有机发光显示装置。
通过前述内容,应理解,为了说明而描述了本发明的实施方式,在不背离本发明的范围和精神的情况下,可以进行各种修改。因此,文中公开的实施方式不打算被限制,真实范围和精神由所附权利要求及其等同指示。
Claims (25)
1.有机发光显示装置,包括:
衬底;
第一电极,位于所述衬底上;
辅助发光层,位于所述第一电极上并具有图案,所述图案包括彼此间隔的多个子图案;
发光层,位于所述辅助发光层上;以及
第二电极,位于所述发光层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中像素限定层位于所述第一电极的侧边缘处,从而为像素单元配置所述第一电极并限定像素区,并且所述子图案中的对应子图案位于与所述辅助发光层的像素区相对应的位置处。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中具有包括彼此间隔的多个子图案的图案的所述辅助发光层是空穴传输层。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中空穴注入层位于所述空穴传输层与所述第一电极之间。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中具有包括彼此间隔的多个子图案的图案的所述辅助发光层是空穴注入层。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中空穴传输层位于所述空穴注入层上。
7.如权利要求6所述的有机发光显示装置,其中所述空穴传输层具有与所述空穴注入层上的图案相同的图案。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述多个子图案中的每个子图案包括缝、圆柱、棱柱、十字柱、圆锥体、角锥体、凸透镜、或凹透镜。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述图案的高度在5nm至100nm的范围内。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述子图案之间的距离在3μm至30μm的范围内。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述多个子图案中的每个子图案的底部的宽度在3μm至30μm的范围内。
12.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述图案包括沿一个方向彼此平行的多个缝,所述缝的高度为5nm至100nm,所述缝之间的距离为3μm至30μm,并且所述缝中的每一个的宽度为3μm至30μm。
13.有机发光显示装置的制造方法,包括:
在衬底上形成第一电极;
在所述第一电极上形成辅助发光层,所述辅助发光层具有图案,所述图案包括彼此间隔的多个子图案;
在所述辅助发光层上形成发光层;以及
在所述发光层上形成第二电极。
14.如权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,还包括:
形成像素限定层,从而为像素单元配置所述第一电极,以限定像素区,所述像素限定层在所述第一电极形成之后形成于所述第一电极的侧边缘处,
其中,在形成所述辅助发光层的过程中,所述图案形成于对应于所述像素区的部分处。
15.如权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,其中形成所述辅助发光层的步骤包括:在所述第一电极上施加用于形成所述辅助发光层的材料;以及对用于形成所述辅助发光层的材料进行构图。
16.如权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法,其中用于形成所述辅助发光层的材料是可光聚合的材料。
17.如权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法,其中用于形成所述辅助发光层的材料包括:用于空穴注入的材料和用于空穴传输的材料中的至少一种、光敏剂、以及光引发剂。
18.如权利要求17所述的有机发光显示装置的制造方法,其中所述光敏剂包括透明光敏树脂。
19.如权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法,其中对用于形成所述辅助发光层的材料进行构图的步骤包括:在用于形成所述第一电极上的所述辅助发光层的材料之上沉积图案掩模;通过所述图案掩模照射光;以及使光照过的用于形成所述辅助发光层的材料显影。
20.如权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,其中在形成所述辅助发光层的过程中,形成具有图案的空穴注入层。
21.如权利要求20所述的有机发光显示装置的制造方法,还包括:
在所述空穴注入层上形成空穴传输层。
22.如权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,其中在形成所述辅助发光层的过程中,形成具有图案的空穴传输层。
23.如权利要求22所述的有机发光显示装置的制造方法,还包括:
在形成所述空穴传输层之前,在所述第一电极上形成空穴注入层。
24.如权利要求13所述的有机发光显示装置的制造方法,其中在形成所述发光层的过程中,印刷用于形成所述发光层的材料。
25.如权利要求24所述的有机发光显示装置的制造方法,其中所述印刷是喷墨印刷和凹版印刷中的任一种。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2012-0099693 | 2012-09-10 | ||
KR1020120099693A KR20140033636A (ko) | 2012-09-10 | 2012-09-10 | 발광보조층의 구조가 개선된 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103682113A true CN103682113A (zh) | 2014-03-26 |
Family
ID=50232317
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310217393.7A Pending CN103682113A (zh) | 2012-09-10 | 2013-06-03 | 具有改进辅助发光层结构的有机发光显示装置及制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140070179A1 (zh) |
KR (1) | KR20140033636A (zh) |
CN (1) | CN103682113A (zh) |
TW (1) | TW201411827A (zh) |
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- 2013-02-01 TW TW102103908A patent/TW201411827A/zh unknown
- 2013-03-13 US US13/802,466 patent/US20140070179A1/en not_active Abandoned
- 2013-06-03 CN CN201310217393.7A patent/CN103682113A/zh active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140033636A (ko) | 2014-03-19 |
TW201411827A (zh) | 2014-03-16 |
US20140070179A1 (en) | 2014-03-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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